JP2008066409A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の画素と、画素の光電変換部2に入射光を導く導波路27を有する。導波路27は、画素の受光領域20の周囲の遮光層18上に形成された支持部材31と、受光領域20の直上に形成された所要屈折率の第1の層29との間の中空層28をクラッド部とし、第1の層29をコア部として構成される。
【選択図】図2
Description
支持部材の表面上に反射層を形成した後に、反射層の表面上に犠牲層を形成するようになせば、外側に反射層を有する導波路を形成することができる。
先ず、図3Aに示すように、n型シリコン半導体基板11にp型オーバーフローバリア領域12、p型半導体ウェル領域13を形成し、p型半導体ウェル領域13内にn型半導体領域及びp+アキュミュレーション層からなるフォトダイオード2、n型埋め込みチャネル層14を形成する。また、図示しないがチャネルストップ領域、電荷読み出し領域を形成する。次いで、半導体基板の表面にゲート絶縁膜17を介して例えば多結晶シリコンによる転送電極4〔4a,4b〕を形成し、層間絶縁膜21を介して遮光層18を形成する。さらに、例えばボロン・リンシリゲートガラス等によるリフロー膜23及びその上に例えばプラズマ・シリコン窒化膜24を堆積して、受光領域20上に層内レンズ25を形成する。
犠牲層42には、非晶質シリコンや、多結晶シリコン等が用いられる。また、支持体31としてアルミニウム、銀、金、銅や多結晶シリコン膜を用いた場合、支持体31の加工後にシリコン酸化膜や、シリコン窒化膜を成膜してもよい。特に、支持体31に多結晶シリコン膜を用いた場合、このシリコン酸化膜や、シリコン窒化膜は後に行う、コア材開口加工時にドライエッチングの際のエッチングストッパとして機能する。
次に、図5Hに示すように、シリコン窒化膜による第1の層29上にフォトレジスト膜45を実質的に平坦になるように塗布する。
その他の構成は第1実施の形態と同様であるので、図9において図1と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
その他の構成は前述の第1実施の形態と同様であるので、図10において図1と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
その他の構成は、反射層、支持体の材料などを含めて前述の図1、図9と同様であるので、図12において図1、図9と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
Claims (11)
- 複数の画素と、
前記画素の光電変換部に入射光を導く導波路を有し、
前記導波路は、前記画素の受光領域の周囲の遮光層上に形成された支持部材と、前記受光領域の直上に形成された所要屈折率の第1の層との間の中空層をクラッド部とし、前記第1の層をコア部として構成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記支持部材の前記中空層に沿う側壁が傾斜されている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記支持部材の前記中空層に沿う側壁が垂直に形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記支持部材が前記遮光層と反射層とを兼ねている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 複数の画素と、
前記画素の光電変換部に入射光を導く導波路と、
前記反射層とを有し、
前記導波路は、前記画素の受光領域の直上に形成された高屈折率の第1の層をコア部とし、該コア部の外側に形成された低屈折率の第2の層をクラッド部として構成され、
前記反射層は、前記クラッド部に沿い且つクラッド部を挟んで前記コア部とは反対側に形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 複数の画素と、
前記画素の光電変換部に入射光を導く導波路と、
前記反射層とを有し、
前記導波路は、前記画素の受光領域の直上に形成された所要屈折率の第1の層をコア部とし、該コア部の外側に形成された中空層をクラッド部として構成され、
前記反射層は、前記中空層に沿い且つ中空層を挟んで前記第1の層とは反対側に形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記導波路と前記光電変換部との間に層内レンズが形成されている
ことを特徴とする請求項5記載の固体撮像装置。 - 前記導波路と前記光電変換部との間に層内レンズが形成されている
ことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置。 - 前記中空層の上部を封止する封止層が前記第1の層上を含む全面に形成され、
前記封止層が反射防止膜で形成されている
ことを特徴とする請求項5記載の固体撮像装置。 - 光電変換部を有する画素が形成された基板上の、該画素の受光領域の周囲に対応する部分に支持部材を形成する工程と、
前記支持部材の表面上に犠牲層を形成する工程と、
前記光電変換部に対応する上部に前記犠牲層に接するように所要屈折率の第1の層を形成する工程と、
前記犠牲層を開口部より除去して中空層を形成し、前記中空層をクラッド部とし、前記第1の層をコア部とする導波路を形成する工程と、
前記開口部を封止する工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記支持部材の表面上に反射層を形成した後に、前記反射層の表面上に前記犠牲層を形成する
ことを特徴とする請求項10記載の固体撮像装置の製造方法。
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