JP5639748B2 - 固体撮像装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
この対策として、オンチップレンズや層内レンズなどを用いて集光を行う構造が開発されて、特に、フォトダイオードの上方における絶縁膜中に、外部から入射する光をフォトダイオードに導波する光導波路を設けた固体撮像装置が開発された。
上記のフォトダイオードの上方部分において絶縁膜に凹部が形成されており、凹部に埋め込まれて、TiO分散有機樹脂よりも耐熱性を有する無機物と金属酸化物とを含む埋め込み層が形成されている。
次に、フォトダイオードを被覆して半導体基板上に絶縁膜を形成し、フォトダイオードの上方部分において絶縁膜に凹部を形成する。
次に、凹部に無機物を埋め込み、金属酸化物をイオン注入して、TiO分散有機樹脂よりも高耐熱性及び高屈折率を有する埋め込み層を形成する。
図1は、複数の画素が集積されてなり、一実施形態に係る固体撮像装置であるCMOSセンサの模式断面図であり、画素領域RPXとパッド電極領域RPADを示している。
第5絶縁膜22においても同様に、配線用溝22tにバリアメタル層23と導電層24からなる第2配線層が形成され、第7絶縁膜27には配線用溝27tが形成され、バリアメタル層28と導電層29からなる第3配線層が形成されている。上記の第1〜第3拡散防止膜は、導電層(19,24,29)を構成する銅の拡散を防止するための膜である。
上記のようにして、上記の積層された絶縁膜中に配線層が埋め込まれている。上記の第1〜第3配線は、それぞれ、例えばデュアルダマシンプロセスによる、配線用溝の底面から下層配線への開口部内におけるコンタクト部と一体に形成された配線構造であってもよい。
さらに、上記のパッド電極32を被覆して全面に酸化シリコンからなる第9絶縁膜33が形成されている。
上記のように、フォトダイオードPD上に積層された絶縁膜が、配線層の拡散防止膜を含んで構成されており、例えば最下層の拡散防止膜である第1拡散防止膜20が凹部Hの底面を構成している。
また、例えば、凹部Hの内側の壁面は基板の主面に垂直な面となっており、さらに、凹部Hの縁部として第9絶縁膜33の部分において上方ほど広がる順テーパー状の開口形状部33aとなっている。
例えば、開口部の縁部で順テーパー形状となっているが、堆積時の異方性により開口縁部で厚く堆積し、凹部H底部近くで薄くなるようなプロファイルである。
埋め込み層37は、例えばシロキサン系樹脂(屈折率1.7)、あるいはポリイミドなどの高屈折率樹脂で構成され、シロキサン系樹脂が特に好ましい。
さらに、上記の樹脂中に例えば酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化ハフニウムなどの金属酸化物微粒子が含有されており、屈折率が高められている。
凹部H内に埋め込まれた高屈折率物質からなるパッシベーション膜36と埋め込み層37は、外部から入射する光をフォトダイオードに導波する光導波路を構成する。
例えば、光導波路は、フォトダイオードPDの領域より小さい領域に形成されているものとする。
例えば、図3中に示す経路で入射した光Lは、斜めに入射していることから、入射した画素のフォトダイオードPDに入射せず、隣接画素に侵入して混色の原因となってしまう。
しかし、上記のように光導波路の周囲に上記のようなメッシュ状の配線層が形成されている場合、隣接画素にもれそうな光を反射して隣接画素のフォトダイオードへの侵入を防止することが可能となる。
しかし、上記の配線層(W1,W2,W3,W4)には、通常、凹部Hとなる領域側に突出した領域(W1a,W3a,W4a,W4b)が存在し、凹部Hの領域はこれらを避けなければならない。
ここで、外側に対して常に凸となる角形状とは、角形状の内角が180度を越えない角のことであり、このような角において先端が丸められたような角形状も含む。
また、外側に対して常に凸となる曲線とは、曲線上の全ての点での接線が形状内を横切らず、当該接点を除いて常に形状外部に存在するような曲線であって、円形や楕円形などが含まれる。
また、上記の外側に対して常に凸となる角形状のみを有する形状の一部と、外側に対して常に凸となる曲線のみを有する形状の一部を組み合わせたような形状であってもよい。
図4(a)は、内角が180度を超えない45度程度の角形状Aであり、図4(b)は図4(a)の角形状の先端が丸められた角形状Bである。
図4(c)は、内角が180度を超えない90度程度の角形状Cであり、図4(d)は図4(c)の角形状の先端が丸められた角形状Dである。
図4(e)は、内角が180度を超えない135度程度の角形状Eであり、図4(f)は図4(e)の角形状の先端が丸められた角形状Fである。
上記のような外側に対して常に凸とすることができる。
従って、上記のように、凹部Hの形状が、外側に対して常に凸となる角形状及び/または曲線のみを有する形状とすることで、凹部H内に埋め込まれた埋め込み層37にクラックが形成されるのを抑制し、感度の低下やノイズの発生を低減することが可能となる。
まず、図5(a)に示すように、例えば、画素領域RPXにおいて、半導体基板のpウェル領域10にn型電荷蓄積層11とその表層のp+型表面層12を形成してpn接合を有するフォトダイオードPDを形成し、フォトダイオードに隣接してゲート絶縁膜13及びゲート電極14、並びにフローティングディフュージョンやCCD電荷転送路など、フォトダイオードに生成及び蓄積される信号電荷または前記信号電荷に応じた電圧を読み取る信号読み取り部を形成する。
次に、例えば、第1絶縁膜15の上層に酸化シリコンを堆積させて第2絶縁膜16を形成し、さらに酸化シリコンを堆積させて第3絶縁膜17を形成する。
以上のようにして、第1絶縁膜15、第2絶縁膜16、第3絶縁膜17、第4絶縁膜21、第5絶縁膜22、第6絶縁膜26、第7絶縁膜27及び第8絶縁膜31と、例えば炭化シリコンからなる第1拡散防止膜20及び第2拡散防止膜25、及び、例えば窒化シリコンからなる第3拡散防止膜30が積層した絶縁膜と、絶縁膜中に埋め込まれてなる第1〜第3配線層を形成する。
ここで、上記の第3配線層は、例えばパッド電極領域RPADまで延伸するように形成する。
アルミニウムのパッド電極32を形成した後の工程は、全て400℃以下のプロセスとする。
これによって、第1拡散防止膜20に凹部Hの底面を構成させることができる。
上記のように第1拡散防止膜20を凹部Hの底面とすることで、凹部Hの深さが安定して決定されるので、フォトダイオードと光導波路の距離が一定となり、特性がばらつくのを防止できる。
上記のようにして、例えば開口直径が0.8μm程度であり、アスペクト比は1〜2程度もしくはそれ以上であり、凹部Hの縁部として第9絶縁膜33の部分で順テーパー状の開口形状部33aとなっている凹部Hを開口できる。
さらに、その上層にマイクロレンズ40を形成する。
以上で、図1に示す構成の固体撮像装置を製造することができる。
図12は、本発明の一実施形態に係る固体撮像装置であるCMOSセンサの構成を示す模式断面図である。
ここで、例えば、受光部101の上方部分において、上記のように積層して形成された第3絶縁膜121、第4絶縁膜123、第5絶縁膜125、第6絶縁膜127、第7絶縁膜128及び、これら絶縁膜の間にある第1拡散防止膜122、第2拡散防止膜124、第3拡散防止膜126に対して凹部Kが形成されている。
まず、図13に示すように、半導体基板100上に受光部101として、酸化シリコンからなるゲート絶縁膜103とポリシリコンからなるゲート電極104とを形成し、その上方に窒化シリコンからなる絶縁膜(105、106、107、108)を形成する。
以上のようにして、第2絶縁膜120、第3絶縁膜121、第4絶縁膜123、第5絶縁膜125、第6絶縁膜127、及び第7絶縁膜128と、絶縁膜の間に、例えば炭化シリコンからなる第1拡散防止膜122、第2拡散防止膜124及び、例えば窒化シリコンからなる第3拡散防止膜126と、絶縁膜中に埋め込まれてなる第1〜第3配線層(131、133、135)、第1ビアプラグ132、及び第2ビアプラグ134を形成する。
さらに、その上層にマイクロレンズ162を形成する。
なお、図示してはいないが、半導体基板100上の受光部101はマトリックス状に多数配置されており、カラーフィルタ161は対応する受光部101に応じた色(3原色のひとつ)となっている。
図17は、本実施形態に係るカメラの概略構成図である。
複数の画素が集積されてなる固体撮像装置50、光学系51、信号処理回路53を備えている。
本実施形態において、上記の固体撮像装置50は、上記の第1実施形態〜第3実施形態のいずれかに係る固体撮像装置が組み込まれてなる。
蓄積された信号電荷は、例えばCCD電荷転送路を経て、出力信号Voutとして取り出される。
信号処理回路53は、固体撮像装置50の出力信号Voutに対して種々の信号処理を施して映像信号として出力する。
上記の本実施形態に係るカメラによれば、斜め入射光の集光率低下及び感度低下を招かずに、色シェーディング特性や分光特性を改善でき、さらにマイクロレンズを簡便な方法、工程で形成することが可能である。
例えば、実施形態においてはCMOSセンサとCCD素子のいずれにも適用できる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
本発明のカメラは、CMOSカメラあるいはCCDカメラなどの固体撮像装置を搭載したカメラに適用できる。
Claims (1)
- 受光面に複数の画素が集積されてなり、
半導体基板の前記受光面となる画素領域において前記画素ごとに区分して形成されたフォトダイオードと、
前記半導体基板に形成され、前記フォトダイオードに生成及び蓄積される信号電荷または前記信号電荷に応じた電圧を読み取る信号読み取り部と、
前記フォトダイオードを被覆して前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記フォトダイオードの上方部分において前記絶縁膜に形成された凹部と、
前記凹部に埋め込まれて形成され、酸化シリコンである無機物と、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、及び酸化ハフニウムのいずれかである金属酸化物とを含む埋め込み層と
を有する固体撮像装置。
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KR101680899B1 (ko) * | 2009-09-02 | 2016-11-29 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
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US8742525B2 (en) * | 2011-03-14 | 2014-06-03 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
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JP6192598B2 (ja) * | 2014-06-19 | 2017-09-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置およびその製造方法 |
JP6577724B2 (ja) * | 2015-03-13 | 2019-09-18 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
US10038026B2 (en) | 2015-06-25 | 2018-07-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Bond pad structure for bonding improvement |
US20170170215A1 (en) * | 2015-12-15 | 2017-06-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device structure with anti-acid layer and method for forming the same |
TWI593093B (zh) * | 2015-12-22 | 2017-07-21 | 力晶科技股份有限公司 | 半導體元件及其製造方法 |
US10319765B2 (en) * | 2016-07-01 | 2019-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device having an effective pixel region, an optical black region and a dummy region each with pixels including a photoelectric converter |
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US10256266B2 (en) * | 2017-04-05 | 2019-04-09 | Omnivision Technologies, Inc. | Chip-scale image sensor package and associated method of making |
CN107195646B (zh) * | 2017-04-06 | 2020-06-09 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种图像传感器及其制造方法 |
JP2018200955A (ja) * | 2017-05-26 | 2018-12-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および、移動体 |
DE112018004434T5 (de) * | 2017-10-04 | 2020-05-20 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Festkörper-bildgebungselement und elektronische vorrichtung |
US11031358B2 (en) * | 2018-03-01 | 2021-06-08 | Marvell Asia Pte, Ltd. | Overhang model for reducing passivation stress and method for producing the same |
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KR100504563B1 (ko) * | 2004-08-24 | 2005-08-01 | 동부아남반도체 주식회사 | 이미지 센서 제조 방법 |
JP2006222270A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Sony Corp | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
KR100595329B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2006-07-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
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