TW200834904A - Solid-state image pickup device, method for manufacturing solid-state image pickup device, and camera - Google Patents

Solid-state image pickup device, method for manufacturing solid-state image pickup device, and camera Download PDF

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Keiji Tatani
Haruhiko Ajisawa
Yuji Inoue
Tetsuhiro Iwashita
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Description

200834904 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於固體攝像裝置及其製造方法與照像機，特 別是關於具備光電二極體之像素矩陣狀地排列在受光面而 成之固體攝像裝置及其製造方法、與具備該固體攝像裝置 之照像機。 【先前技術】 例如在CMOS感測器或者CCD元件等之固體攝像裝置 中，其構成為使光入射至形成於半導體基板表面之光電二 極體（光電轉換部）’藉由在該光電二極體上產生之信號電 荷獲得影像信號。 在CMOS感測器中，例如構成為在以二維矩陣狀排列於 文光面之像素分別設置光電二極體，將在受光時產生並儲 存於各光電二極體之信號電荷以CMOS電路驅動傳輸至浮 動擴散放大器，將信號電荷轉換為信號電壓並讀取。 又，在CCD元件中，例如與CMOS感測器同樣地，構成 為在以一維矩陣狀排列於受光面之像素分別設置光電二極 體’將在受光時產生並儲存於各光電二極體之信號電荷藉 由CCD垂直傳輸路及水平傳輸路傳輸並讀取。 上述之CMOS感測器等之固體攝像裝置之構成為，例如 在半導體基板表面形成上述之光電二極體，覆蓋其上層地 形成氧化矽等絕緣膜，且以不妨礙光入射至光電二極體之 方式，在光電二極體區域以外之區域於絕緣膜中形成配線 層0 124321.doc 200834904 然而，在上述之固體攝像裝置中，隨著元件之細微化， 受光面之面積不斷縮小，隨之出現入射光率降低、靈敏度 特性惡化之問題。 作為其對策，已開發出採用微聚焦鏡片及層内透鏡等進 行聚光之構造，特別是已開發出一種固體攝像裝置，其在 光電一極體上方之絕緣膜中設有光波導，將從外部入射之 光導入光電二極體。 專利文獻1及2揭示有一種固體攝像裝置，其對於光電二 極體上方之絕緣膜形成凹部，藉由折射率比氧化矽高之物 i (以下稱為面折射率物質）即氮化石夕將凹部填入，且設置 有將入射之光導入光電二極體之光波導。 又’專利文獻3揭示有一種固體攝像裝置，其在光電二 極體上方之絕緣膜之凹部填入氮化矽膜和聚醯亞胺膜，且 設有光波導。 又’專利文獻4揭示有一種固體攝像裝置，其對於層中 包含防擴散層之絕緣膜，在光電二極體上方之部分中形成 去除防擴散層後之凹部，在凹部填入氧化矽膜而形成。 另一方面，專利文獻5揭示有一種固體攝像裝置，其在 光電二極體上方之絕緣膜之凹部填入Ti〇分散型聚醯亞胺 樹脂，且設有光波導。 [專利文獻1]日本特開2003-224249號公報 [專利文獻2]曰本特開2〇〇3-324189號公報 [專利文獻3]日本特開2004-207433號公報 [專利文獻4]曰本特開2〇〇6-19〇891號公報 124321.doc 200834904 [專利文獻5]日本特開2006-222270號公報 【發明内容】 [發明欲解決之技術問題] 然而，在上述於光電二極體上方之絕緣膜中設有將入射 光導入光電二極體之光波導之固體攝像裝置中，由於設有 光波導，存在步驟複雜化之問題。 又’藉由構成光波導之材料產生耐熱性降低之問題。 欲解決之問題點在於：在設有光波導之固體攝像裝置 中，無法避免藉由設置光波導而使製造步驟複雜化。 並且難以獲得具備高耐熱性和高折射率之光波導。
[解決問題之技術手段] 本發明之固體攝像裝置，其特徵在於：係在受光面集聚 有複數之像素者，具備：在半導體基板之成為前述受光面 :素區域中按刖述各像素區分形成之光電二極體；形成 ;月』述半‘體基板，對生成及儲存於前述光電二極體之作 !電荷或者與前述信號電荷相對應之電壓進行讀取之信號 :::腺覆蓋：述光電二極體地在前述半導體基板上形成 中形成之，f别述光電二極體之上方部分，於前述絕緣膜 之電極墊^極墊區域中於前述絕緣臈之上層形成 更二，是盍’述凹部之内壁，且形成於前述電極墊之 化膜:上氧切高之折㈣之聽膜；及在前述鈍 率之填入:填入—形成，具有比氧”高之折射 ，係在受光面集聚有複數 上述之本發明之固體攝像裝置 124321.doc 200834904 之像素者，其在半導體基板之成為受光面之像素區域中， 形成有按各像素區分之光電二極體及對生成及儲存於光電 一極體之信號電荷或者與信號電荷相對應之電壓進行讀取 之信號讀取部；且覆蓋光電二極體地在半導體基板上形成 有絕緣膜。
在上述之光電二極體之上方部分’於絕緣膜中形成有凹 部’另-方面’在電極墊區域中，於絕緣膜之上層形成有 電極塾’ X，覆盍凹部之内壁且在電極塾之更上層，形成 有具有比氧切高之折射率之鈍化膜。再者，在鈍化膜之 上層填入凹部地形成具有比氧化矽高之折射率之填入層。 又，本發明之固體攝像裝置，其特徵在於：係在受L面 集聚有複數之像素者，具備：在半導體基板之成為前述受 光面之像素區域中按前述各像素區分形成之光電二極體； 形f於前述半導體基板，對生成及儲存於前述光電二極體 之信號電荷或者與前述信號電荷相對應 信號讀取部，·覆蓋前述光電二極體地在前述半== 形成之絕緣膜;在前述光電二極體之上方部== 緣膜中形成之凹部；及填入前述凹部而形A，包含比Ti0 分散有機樹脂更具耐熱性之無機物和金屬氧化物之填入 上迷之本發明之固體攝像裝置，係在受光面集聚有複數 ^像素者，其在半導體基板之成為受光面之像素區域，形 成有按各像素區分之光電二極體和對生成及儲存於光電二 極體之信㈣荷或者與錢電荷相對紅電壓進行續取之 124321.doc 200834904 信唬讀取部，且覆蓋光電二極體地在半導體基板上形 絕緣膜。 ^ 立在上述之光電二極體之上方部分，於絕緣膜中形成有凹 部，填入凹部地形成有包含比Ti〇分散有機樹脂更具耐熱 性之無機物和金屬氧化物之填入層。 本發明之固體攝像裝置之製造方法，其特徵在於：其係 - 在受光面集聚有複數之像素之固體攝像裝置之製造方2 φ 具備以下步驟：形成在半導體基板之成為前述受光面之像 素區域中按前述各像素區分之光電二極體、和對生成及儲 存於前述光電二極體之信號電荷或與前述信號電荷相對應 之電壓進行讀取之信號讀取部之步驟；覆蓋前述光電二極 體地在前述半導體基板上形成絕緣膜之步驟，·在前述光電 二極體之上方部分，於前述絕緣膜中形成凹部之步驟；在 電㈣區域，於前述絕緣膜之上層形成電極塾之步驟；覆 蓋前述凹部之内壁，且在前述電極塾之更上層形成具有比 藝氧化矽高之折射率之鈍化膜之步驟；及在前述鈍化膜之上 層，填入前述凹部地形成具有比氧化矽高之折射率之填入 層之步驟。 、 上述之本發明之固體攝像裝置之製造方法，其係在受光 面集聚有複數之像素而成之固體攝像裝置之製造方法，其 首先形成在半導體基板之成為受光面之像素區域中按各像 素區分之光電二極體和對生成及儲存於光電二極體之信號 電荷或與信號電荷相對應之電壓進行讀取之信號讀取部。 其次’覆蓋光電二極體地在半導體基板上形成絕緣膜， 124321.doc 11 200834904 在光電二極體之上方部分，於絕緣膜中形成凹部。又，在 電極墊區域，於絕緣膜之上層形成 電極塾。 再次，覆蓋凹部之内壁，且在電極墊之更上層，形成具 有比氧化矽高之折射率之鈍化膜，在鈍化膜之上層中填入 凹部地形成具有比氧化矽高之折射率之填入層。 又，本發明之固體攝像裝置之製造方法，其特徵在於： 〃係在又光面集聚有複數之像素而成之固體攝像裝置之製 造方法，具備以下步驟：形成在半導體基板之成為前述受 光面之像素區域中按前述各像素區分之光電二極體、和對 生成及儲存於前述光電二極體之信號電荷或與前述信號電 何相對應之電壓進行讀取之信號讀取部之步驟；覆蓋前述 光電一極體地在前述半導體基板上形成絕緣膜之步驟；在 刖述光電二極體之上方部分於前述絕緣膜中形成凹部之步 驟；在前述凹部填入無機物而形成具有&Ti〇分散有機樹 月曰更鬲耐熱性之填入層之步驟；及向前述填入層離子佈植 金屬氧化物之步驟。 上述之本發明之固體攝像裝置之製造方法，其係在受光 面集聚有複數之像素而成之固體攝像裝置之製造方法，其 首先形成在半導體基板之成為受光面之像素區域中按各像 素區分之光電二極體、和對生成及儲存於光電二極體之信 唬電荷或者與信號電荷相對應之電壓進行讀取之信號讀取 部。 其次’覆蓋光電二極體地在半導體基板上形成絕緣膜， 在光電二極體之上方部分，於絕緣膜中形成凹部。 124321.doc -12- 200834904 再次，將無機物填入凹部，離子佈植金屬氧化物，形成 具有比Ti〇分散有機樹脂更高耐熱性及高折射率之填入 層。 本發明之照像機，其特徵在於具有：在受光面集聚有複 數之像素之固體攝像裝置、將入射光導入前述固體攝像裝 置之攝像部之光學系統、及處理前述固體攝像裝置之輸出 信號之信號處理電路；前述固體攝像裝置係在受光面集聚 有複數之像素者，具備：在半導體基板之成為前述受光面 之像素區域中按前述各像素區分而形成之光電二極體；形 成於前述半導體基板，對生成及儲存於前述光電二極體之 “號電荷或者與前述信號電荷相對應之電壓進行讀取之信 號讀取部；覆蓋前述光電二極體地在前述半導體基板上形 成之絕緣膜；在前述光電二極體之上方部分，於前述絕緣 膜中^/成之凹邛，在電極墊區域，於前述絕緣膜之上層形 成之電極墊；覆蓋前述凹部之㈣，且形成於前述電極塾 之更上層，具有比氧化碎高之折射率之鈍化膜；及在前述 鈍化膜之上層填人前述凹料形成，具有比氧切高之折 射率之填入層。 上述之本發明之照像機’其具有在受光面集聚有複數之 像素之固賴像裝置、將人射光導人固體攝像裝置之攝像 部之光學系統、及處理固體攝像裝置之輪出信號之信號處 理電路’固體攝像裝置係上述構成之固體攝像裝置。 [發明效果] 本發明之固體攝像裝置，其構成為：在形成於光電二極 124321.doc -13- 200834904 體之上層之絕緣膜中於光電二極體之上方形成凹部，在凹 部内填入高折射率物質而構成光波導，形成於電極墊上層 之鈍化膜亦作為填入凹部内之高折射率物質而利用，即使 設置光波導，亦可以更簡單之步驟製造。 又，本發明之固體攝像裝置可獲得具備高耐熱性和高折 射率之光波導。 本發明之固體攝像裝置之製造方法，亦可將形成於電極 墊之上層之鈍化膜作為填入凹部内之高折射率物質而利 用，即使設置光波導，亦可以更簡單之步驟製造。 又，本發明之固體攝像裝置之製造方法，其可製造具備 高耐熱性和高折射率之光波導。 本么月之妝像機之構成為··在構成照像機之固體攝像裝 置中，亦可將形成於電極墊之上層之純化膜作為填入凹部 内之高折射率物質而制，即使設置光波導，亦可以更簡 單之步驟製造。 【實施方式】 乂下苓照圖式說明本發明之固體攝像裝置及其製造方 法、與具備該固體攝像裝置之照像機之實施形態。 第1實施形態 圖1係集聚有複數之像素’與-實施形態相關之固體攝 像裝置之CMOS感測器之模式剖面圖，顯示像素區域Rpx和 電極墊區域rpad。 ( 在成為文光面之像素區域RpX，在半導體基板之p 井區1〇按各像素形成n型電荷儲存層11及其表層之p + 124321.doc • 14 - 200834904 ^表面層12 ’藉由P-n接面構成光電二極體PD，進而，與 光電二極體PD相鄰，在半導體基板上形成閘絕緣膜η及閘 極14 〇 。例如構成為：在上述半導體基板上形成有浮動擴散放大 裔及CCD電荷傳輸路等信號讀取部，其係讀取生成及儲存 於光電二極體P D之信號電荷或者與信號電荷相對應之電壓 者’藉由向閘極14施加電壓而傳輸信號電荷。 又，覆蓋光電二極體PD地，在半導體基板上分別積層 例如由氧化矽構成之第丨絕緣膜15、第2絕緣膜16、第3絕 緣膜17、第4絕緣膜21、第5絕緣膜U、第6絕緣膜％、第7 絕緣膜27及第8絕緣膜31，例如由碳化矽構成之第！防擴散 膜20及第2防擴散膜25，及例如由氮化石夕構成之第3防擴散 膜30，構成絕緣膜。 在上述第3絕緣膜17上形成有配線用溝槽i7t，填入有例 如以鑲後製程形成之由鈕/氮化鈕構成之金屬阻障層丨8和 由銅構成之導電層19所構成之第1配線層。 在第5絕緣膜22，亦同樣在配線用溝槽22t形成由金屬阻 障層23和導電層24構成之第2配線層，在第7絕緣膜27形成 配線用溝槽27t，形成有由金屬阻障層28和導電層29構成 之第3配線層。上述第1〜第3防擴散膜係用於防止構成導電 層（19、24、29)之銅之擴散之膜。 如上所述，在上述積層之絕緣膜中填入有配線層。上述 第1〜第3配線亦可分別為例如藉由雙鑲嵌製程，與自配線 用溝槽之底面向下層配線之開口部内之接觸部一體形成之 124321.doc -15- 200834904 配線構造。 又’在電極墊區域rpad，在絕緣膜之上層形成有電極墊 32。電極墊32例如由鋁等構成，經由形成於第8絕緣膜μ 等之開口部3 lc等與第3配線等連接而形成，例如直徑為 100 μπι左右之大小。 此外，覆蓋上述電極墊32地整面形成有由氧化矽構成之 第9絕緣膜33。
在此，例如在光電二極體PD之上方部分，對於如上述 積層而形成之第4〜第9絕賴及第i〜㈣錢制形成有凹 部Η 〇 如上所ϋ，積層於光電二極體PD上之絕緣膜，其構成 為包含配線層之防擴散膜，例如最下層之防擴散膜即幻 防擴散膜20構成凹部η之底面。 上述之凹部Η，亦依照光電二極體之面積及像素尺寸、 處理規則等而不同’但例如開σ直徑為〇8㈣左右，深寬 比為1〜2左右或者更高。 又，例如凹部Η之内側壁面為與基板主面垂直之面，進 2為凹部Η之緣部，在第9絕緣膜33之部分形成為愈上方 4见之正錐形之開口形狀部33a。 =域凹部Η之内壁，且在電極塾以更上層，形成 :有比氧化石夕（折射率叫更高折射率之鈍化膜36。純化 右。 手〇)專構成，膜厚為〇·5叫左 但是藉由堆積時之異方 例如在開口部之緣部成正錐形 124321.doc -16 - 200834904 性’成為在開口緣部堆積較厚，在凹部職部附近罐積較 薄之模樣。 又，例如在鈍化膜36之上層填入凹部形成具有比氧 化石夕高之折射率之填入層37。填入層37填入凹部_，在 凹部Η之外部之膜厚為〇·5 μιη左右。 填入層37例如由石夕氧燒類樹腊（折射率17)或者聚酿亞胺 等高折射率樹脂所構成，㈣炫類樹脂尤為佳。 此外，在上述樹脂中含有例如氧化鈦、氧化鈕、氧化 鈮、氧化鶴、氧化錯、氧化鋅、氧化錮、氧化給等金屬氧 化物微粒子，可提高折射率。 在上述填入層37之上層，形成有例如亦具有接著層功能 之平坦化樹脂層38，在其上層，例如按各像素形成有藍 (Β)、綠（G)、紅（R)各色之彩色濾光膜（39a、3外、39勹， 在其上層，形成有微透鏡40。 在電極墊區域rpad，未形成彩色濾光膜，在電極墊32之 上層，積層有第9絕緣膜33、鈍化膜36、填入層”、平坦 化樹脂層38和構成微透鏡之樹脂層4〇a，且以使電極墊μ 之上面露出之方式形成有開口部p。 圖2係本實施形態之固體攝像裝置之像素部之模式性佈 局圖。 填入凹部Η内之由高折射率物質所構成之鈍化膜％和填 入層37，構成將自外部人射之光導人光電二極體之光波 導。 例如光波導為形成於比光電二極體pD之區域小之區域 124321.doc -17- 200834904 又，圖1中之第i〜第3配線層等配線層在絕緣膜中形成圍 繞凹部Η周圍之網目狀。所謂網目狀係表示例如配線層與 絶緣膜上下父互積層之狀態。例如，在藉由垂直方向延伸 之配線層（Wl、W2)和水平方向延伸之配線層（W3、W4)圍 繞之區域内，設有凹部Η之區域。配線層（貿1、W2、、 W4)分別具有例如網目狀之構造。 圖3係說明本實施形態之固體攝像裝置之向光電二極體 之光入射路徑之模式剖面圖。 例如，由於以圖3中所示之路徑入射之光l為傾斜入射， 故不入射至欲入射之像素之光電二極體PD，而侵入相鄰像 素，造成混色。 但是，如上所述，在光波導之周圍形成有上述網目狀配 線層之情形下，可將洩露至相鄰像素之光反射，可防止侵 入相鄰像素之光電二極體。 又’較好的是，如圖2所示，例如在上述之以配線層 (Wl、W2、W3、W4)圍繞之區域佈局有凹部η之區域之情 形，為提高光之入射效率，設定不與配線層（Wi、W2、 W3、W4)重疊之最大面積。 然而，在上述配線層（Wl、W2、W3、W4)中，通常存在 突出至作為凹部Η之區域侧之區域（wia、W3a、W4a、 W4b)，凹部Η之區域必須避開該等。 在本實施形態中，在上述之避開配線層突出區域之區 域’與半導體基板主面平行之剖面上之凹部Η之形狀佈局 124321.doc 200834904 為Ik時對外側凸出之角形狀及/或僅具有曲線之形狀。 在此，所謂隨時對外側凸出之角形狀，係指角形狀之内 角不超過180度之角’如此之角亦包含前端具圓度之角形 狀。 又’所謂隨時對外側凸出之曲線，係指曲線上所有點之 切線不知、切形狀内，除該切點外而經常存在於形狀外部之 曲線’其包含圓形及橢圓形等。 又，亦可為將僅具有對上述外側隨時凸出之角形狀之形 狀之一部分與僅具有對上述外側隨時凸出之曲線之形狀之 一部分組合而成之形狀。 在本實施形態，較好的是，凹部Η滿足對上述外侧隨時 凸出之限制，且設定不與以圍繞凹部周圍之方式填入絕緣 膜中之配線層重疊之最大面積。 圖4(a)〜(g)係顯示本發明之第丨實施形態之固體攝像裝置 之凹部Η之形狀之例之模式圖，角形狀之内側以斜線表 圖4(a)係内角不超過18〇度之45度左右之角形狀人，圖 4(b)係將圖4(a)之角形狀之前端弄圓之角形狀 圖4(c)係内角不超過180度之9〇度左右之角形狀c，圖 4(d)係將圖4(c)之角形狀之前端弄圓之角形狀 圖4(e)係内角不超過180度之135度左右之角形狀E，圖 4(f)係將圖4(e)之角形狀之前端弄圓之角形狀ρ。 可如上述對外側隨時凸出。 另一方面，圖4(g)所示之角形狀G ’其内角已超過18〇 124321.doc •19- 200834904 度。如此之形狀，不隨時對於外側凸出，具有如此之角形 狀之形狀不在本實施形態中採用。 例如’填入於凹部Η内之矽氧烷類樹脂等高折射率樹 月曰’若成對内侧凸出之角形狀，則易從如此之點發生裂 紋。 從而’如上所述，只要凹部Η之形狀為隨時對外側凸出 之角形狀及/或僅具有曲線之形狀，即可抑制在填入凹部Η 痛内之填入層37上形成裂紋，降低靈敏度之下降及雜訊之產 •生。 上述本實施形態之固體攝像裝置，其構成為：在形成於 光電二極體上層之絕緣膜中在光電二極體之上方形成凹部 Η，將高折射率物質填入凹部Η内構成光波導，且形成於 電極墊之上層之鈍化膜亦作為填入凹部内之高折射率物質 而利用；即，即使設置光波導，亦可以更簡單之步驟製造 之構成。 • 在本實施形態之固體攝像裝置中，亦可為例如在同一晶 片上混載邏輯電路等之構成。該情形下，構成上述光波導 之鈍化膜係在邏輯等其他區域亦作為鈍化膜使用之膜。 • 依據本實施形態之固體攝像裝置，藉由採取上述之光波 ㈣造，可提高靈敏度，降低色差，並且，只要將配線層 用作對於相鄰像素之遮光膜圖案，即可提高混色特性。 接著，參照圖式說明本實施形態之固體攝像裝置之製造 方法。 & 首先，如圖5(a)所示，例如在像素區域RPX，在半導體基 I24321.doc 20- 200834904 板之P型井區Η)形成n型電荷儲存層u及其表層之p+型表面 層12,形成具有p_n接面之光電二極體pD，且與光電二極 體扣相鄰地形成閘絕緣膜13及閘極14、與浮動擴散放大器 及CCD電何傳輸路等對生成及儲存於光電二極體之信號電 荷或者與前述信號電荷相對應之電塵進行讀取之信號讀取 部。 其-人，藉由例如CVD(化學氣相沉積法）等覆蓋光電二極 體PD地在整個像素區域Κρχ和電極墊區域RpAD堆積氧化 石夕，形成第1絕緣膜15。 八後，例如在第1絕緣膜〗5之上層堆積氧化矽，形成第2 絕緣膜16，進而堆積氧化矽形成第3絕緣膜17。 /、後例如藉由钱刻加工在第3絕緣膜17形成配線用溝 槽’進而藉由濺鍍覆蓋配線用溝槽17t之内壁地以鈕/氧 化鈕成膜，形成金屬阻障層1 8，形成銅之種晶層，且藉由 電解鍍敷處理在整個面形成銅膜，藉由CMp(化學機械研 磨）法等去除形成於配線用溝槽17t外部之銅而形成導電層 此時亦去除形成於配線用溝槽171外部之金屬阻障 層18。如此，形成填入配線用溝槽m之由金屬阻障層 和導電層19構成之第！配線層。 其後，例如在第1配線層之上層藉由CVD法堆積碳化 石夕，形成第1防擴散膜20。 再次，如圖5(b)所示，藉由重複形成上述之第2絕緣膜 16、第3絕緣膜π、配線用溝槽17t、由金屬阻障層18和導 電層19構成之第1配線層、第1防擴散膜20之製程，即可形 124321.doc -21 - 200834904 ^列如第4絕緣膜21、第5絕緣膜22、配線用溝槽22 屬阻障層23、導電層24及第2防擴散訪，進而形成第说 緣膜26、第7絕緣膜27、配線用溝样 .僧27t由金屬阻障層28 和導電層29構成之第3配線層1而，例如藉由CVD法堆 積氮化矽，形成第3防擴散膜3〇。進 絕緣膜3卜 進而在其上層形成第8
如上所述，形成第！絕緣膜15、第2絕緣膜Μ、第3絕緣 膜17、第4絕緣膜21、第5絕緣膜22、第6絕緣膜％、第7絕 緣膜27及第8絕緣膜31;和例如由碳切構成之^防擴散 膜2〇及第2防擴散膜25;及例如由氮切構成之第3防擴散 膜30積層之絕緣膜；和填入絕緣膜中而成之第工〜第3配線 層0 在此，上述第3配線層例如形成為延伸至電極塾區域 RPAD。 作為上述第1〜第3配線，亦可合則益山 ^ 力J刀別猎由例如雙鑲嵌製 程，形成與自配線用溝槽之底面 、 八川/丹h <低曲向下層配線之開口部内之 接觸部一體形成之配線構造。 其後，如圖6⑷所*，在第8絕緣膜31等形成達第3配線 層之開口部31c ’例如藉由成膜溫度為3〇〇。。左右之濺鍍法 等以鋁成膜，加工圖案，形成例如直徑為1〇〇 右之電 極墊3 2。 形成鋁之電極墊32後之步驟全部為々^^以下之製程。 其後，如目6(b)所示，例如在像素區域Rpx和電極塾區 域RPAD全面，藉由CVD法覆蓋電極墊32地堆積氧化矽，形 124321.doc •22- 200834904 成第9絕緣膜3 3。 其後，如圖7所示，例如藉由光學微影步驟，使凹部Η開 口之圖案之抗#膜34形成圖案’實施化學乾㈣等等方性 姓刻或者異方性㈣等钱刻，在第9絕緣膜33上形成愈上 方愈λ之正錐形之開口形狀部3 3 a。 其後，去除上述之抗餘臈34,如圖8所示，形成例如與 抗钕膜34同-圖案之抗餘膜35之圖案，實施反應性離子敍 • _方性蝕刻，對於第4〜第9絕緣膜及第1〜第3防擴散膜 形成凹部Η。 在上述凹部Η之肖口，例如根據氧化石夕、氮化石夕及碳化 矽等材料-邊改變條件—邊進行餘刻，在開口底部到達第 1防擴散膜20時迅速停止蝕刻。 藉此，可在第1防擴散膜20構成凹部11之底面。 如上所述’藉由將第丨防擴散膜2〇作為凹部Η之底面，即 可穩定地確定凹部Η之深度，所以光電二極體與光波導之 • 距離變得一定，可防止特性之不均。 、如上料，例如開口直徑為〇·8师，深寬比為卜2左右 方、更Γ7作為凹邛Η之緣部，可在第9絕緣膜33之部分開 口成正錐形之開口形狀部33a之凹部Η。 八後如圖9所不，例如藉由成膜溫度為380°C左右之電 裝CVD法覆蓋凹部此内壁地，且在電極塾^之更上層堆 積，、有比氧化石夕更高折射率之氮化石夕，形成〇·5叫左右膜 厚之鈍化膜3 6 〇雖妙六日3 _ 雖；、、、、在開口部之緣部成正錐形狀，但是藉 由隹積時之異方性，成為在開口緣部堆積較厚，在凹部Η I24321.doc -23- 200834904 底部附近堆積較薄之模樣。 八後，如圖10所示，例如藉由成膜溫度為4〇〇。〇左右之 走轉塗佈法’以G.5 μιη左右之膜厚使含有氧化鈦等金屬氧 化物微粒子之矽氧烷類樹脂成膜，在鈍化膜36之上層，以 真入凹部Η之方式形成具有比氧化矽更高折射率之填入層 塗佈後，根據需要進行例如3〇〇〇c左右之後烘烤處 里又，在聚醯亞胺樹脂之情形，例如可以350°C左右之 度成膜。 其後，如圖11所不，在填入層37之上層，形成例如亦具 有接著層功能之平坦化樹脂層38，在其上層按各像素形成 例如藍（B)、綠（G)、紅（R)各色之彩色濾光膜（39a、3%、 3 9c)。 此外，在其上層形成微透鏡40。 在上述製造方法中，例如在電極墊形成步驟之後或者樹 月曰填入層形成步驟之前，可進行用於將半導體中之懸空鍵 終端化之氫化（燒結）。 此外，如圖1所示，在電極墊區域以心，以使電極墊32 之上面電極墊露出之方式形成開口部p。 以上可製造圖1所示構成之固體攝像裝置。 本實施形態之固體攝像裝置之製造方法亦可將形成於電 極墊上層之鈍化膜作為填入凹部H内之高折射率物質利 用，即使没置光波導，亦可以更簡單之步驟製造。 第2實施形態 圖12係顯不本發明之一實施形態之固體攝像裝置之 124321.doc -24- 200834904 CMOS感測器之構成之剖面圖。 例如在半導體基板i 〇〇上形成對光進行光電轉換之受光 部1〇1和覆蓋其之例如具有由氧化矽構成之第1絕緣膜ι〇9 之感測器部102，在該感測器部1〇2上，例如形成有由氧化 矽構成之第2絕緣膜12〇、第3絕緣膜U1、第4絕緣膜123、 第5絕緣膜I25。在該等第2絕緣膜12〇、第3絕緣膜12ι、第 4絕緣膜123、第5絕緣膜125内，分別形成有例如藉由鑲嵌 製程形成之由鈕/氮化鈕構成之未圖示之金屬阻障層和由 銅構成之第1配線層、第2配線層Π3、第3配線層135。 又’第1配線層13 1藉由例如以鑲嵌製程形成之接點插塞 130與受光部1〇1電性連接，各配線藉由例如以鑲嵌製程形 成之第1介層窗插塞132、第2介層窗插塞134電性連接。 又’在弟3絕緣膜121、第4絕緣膜123、第5絕緣膜125之間 形成有例如由膜厚約為50 nm之碳化矽構成之第〇方擴散臈 122、第2防擴散膜124，在第5絕緣膜125上形成有例如由 石反化矽構成之第3防擴散膜126，以防止形成第丨配線層 13 1、第2配線層13 3、第3配線層丨3 5之銅之擴散。 上述第1〜第3配線（131、133、135)亦可分別為例如藉由 雙鑲嵌製程與接點插塞130、第〗介層窗插塞132、第2介層 窗插塞134 —體形成之配線構造。 又，党光部ιοί藉由例如由氧化矽構成之閘絕緣膜、 由多晶矽構成之閘極1〇4及由氮化矽構成之絕緣膜、 106、、1〇8)形成。 在第3防擴散膜126上，形成有由氧化矽構成之第6絕緣 12432l.doc •25- 200834904 膜127及保護膜之第7絕緣膜128。 /此’例如在受光部101之上方部分，對於如上積層而 形成之第3絕緣膜121、第4絕緣膜123、^絕緣膜 6絕緣膜127、第7絕緣膜m及位於該等絕緣膜之間之第工 防擴散膜122、第2防擴散膜124、第3防擴散膜126 凹部K。 亡述凹部K亦依照受光部101之面積及像素尺寸、處理規 則等而不同，但例如開口直徑為〇 8 左右，深寬比 1〜2左右或者更高。 … 又’例如以填人凹部Κ之方式，形成由具有比Ti〇分散 有機樹脂更高耐熱性之無機物及金屬氧化物構成之填入層 140’填入層U0成為光波導。填入層填入凹部艮内。a 填入層140之構成為：例如在氧化矽等氧化物等具有高 耐熱性之無機物中藉由離子佈植而含有例如氧化鈦、氧化 鈕、氧化鈮、氧化鎢、氧化锆、氧化鋅、氧化姻、氧化铪 等金屬氧化物微粒子。特別是作為無機物，宜為氧化矽： 作為金屬氧化物，宜為氧化鈦。 a在上述填入層丨40之上層，形成有例如亦具有接著層功 能之由丙烯酸類熱硬化樹脂等構成之平坦化樹脂層“Ο , 在其上層’形成有彩色濾光膜161，在其上層，形0成有使 入射光聚光之光學元件之微透鏡丨62。 在上述構成之CMOS感測器中，入射光藉由微透鏡162聚 光，經由光波導即由無機物及金屬氧化物構成之填入層 140照射至受光部1〇ι，藉由該受光部1〇1光電轉換。 124321.doc -26- 200834904 接著’參&、圖式說明本發明之—實施形態之固體攝 置之製造方法。 、 f先’如圖13所示，在半導體基板⑽上，卩為受光部 101形成由氧化矽構成之閘絕緣膜1〇3和由多晶矽構成之閘 極1G4 ’在其上方’形成由氮化⑦構成之絕緣膜（105、 106 、 107 、 108)。 其_人，在受光部101上例如藉由CVD等在受光部1〇1之整 個面堆積氧化石夕，形成第1絕緣膜109，形成感測器部 W 102。 其後，藉由CVD等堆積氧化矽，形成第2絕緣膜12〇、第 3絕緣膜121，藉由蝕刻加工在第2絕緣膜12〇、第3絕緣膜 121形成接點插塞13〇用溝槽，藉由濺鍍覆蓋接點插塞 用溝槽之内壁地形成鈕/氧化鈕膜，形成未圖示之金屬阻 P早層，形成銅之種晶層，然後藉由電解鍍敷處理在整個面 使銅成膜，形成接點插塞13〇。 • 其後，在接點插塞U0上形成第1配線層131用溝槽，進 而藉由濺鍍覆蓋第1配線層131用溝槽之内壁地形成鈕/氧 化鈕膜，形成未圖示之金屬阻障層，形成銅之種晶層，且 藉由電解鍍敷處理在整個面形成銅膜，藉由CMP(化學機 - 械研磨）法等去除形成於第i配線層131用溝槽外部之銅而 形成第1配線層131。如此，形成接點插塞13〇及第】配線層 131 〇 其後，在第1配線層131之上層，例如藉由CVD堆積碳化 石夕’形成第1防擴散膜122。 124321.doc •27· 200834904 其後，採用例如四乙基醇氧化矽（TE〇s : Tetra Ethyl Ortho Silicate)藉由CVD等在第i防擴散膜！ 22之整個面堆積 氧化矽，形成第4絕緣膜123。 / 其後，重複形成上述之第2絕緣膜120、第3絕緣膜121、 第4絕緣膜123、接點插塞130、第丨配線層131、第丨防擴散 膜122之製程，形成第i介層窗插塞132、第2配線層133、 弟2防擴政膜124，進而形成第5絕緣膜125、第2介層窗插 塞134、第3配線層135、第3防擴散膜n6、第6絕緣膜 127此外，在其上例如藉由CVD等形成由氧化石夕構成之 第7絕緣膜128。 如上所述，形成第2絕緣膜12〇、第3絕緣膜！2 i、第4絕 緣膜123、第5絕緣膜125、第6絕緣膜m及第7絕緣膜 128 ;在絕緣膜之間形成例如由碳化矽構成之第丨防擴散膜 122、第2防擴散膜124、及例如由氮化矽構成之第3防擴散 膜126 ;和填入絕緣膜中之第j〜第3配線層（l3i、133、 135)、第1介層窗插塞132及第2介層窗插塞134。 作為上述第1〜第3配線（m、133、135)，亦可形成分別 例如藉由雙鑲嵌製程，與自配線用溝槽之底面向下層配線 之開口部内之接點插塞130、第1介層窗插塞132、第2介層 窗插塞134 —體形成之配線構造。 其後，如圖14所示，例如藉由光學微影步驟，使凹部κ 開口之圖案之抗蝕膜15〇形成圖案，以抗蝕膜15〇為遮罩實 施反應性離子蝕刻等異方性蝕刻，對於第2〜第7絕緣膜 (120、121、123、125、127、128)及第！〜第 3 防擴散膜 124321.doc 28- 200834904 (131、133、135)形成凹部尺。並且，例如根據氧化矽、氮 化矽及碳化矽等材料一邊改變條件一邊進行蝕刻。 成膜溫度為_。(：左右之旋轉塗佈法，將比Ti〇分散有機樹 月曰更具耐熱性之無機物填入凹部κ，形成填入層。作為 填入凹部Κ之無機物，例如可列舉氧化♦等氧化物等。並 其後，如圖15所示，去除上述之抗蝕膜15〇,例如藉由
且’藉由CMP(化學機械研磨）法等研冑堆積在第7絕緣膜 12 8上之無機物，使之平坦化。 其後，如圖16所示，例如藉由光學微影步驟使凹部κ開 口之圖案之抗蝕膜151形成圖案，使之僅露出凹部κ，再以 抗蝕膜1 5 1為遮罩，藉由離子佈植金屬氧化物，僅使填入 凹部Κ之無機物含有金屬氧化物。 其後，在填入層140之上層形成例如亦具有接著層功能 之由丙烯酸類熱硬化樹脂等構成之平坦化樹脂層16〇，在 其上層例如形成彩色濾光膜161，構成圖12所示之固體攝 像裝置。 此外’在其上層形成微透鏡162。 另’雖然未圖示，但是半導體基板1〇〇上之受光部ι〇ι成 矩陣狀地配置有複數個，彩色濾光膜161成為與所對應之 受光部10 1相對應之色彩（三原色之一）。 第3實施形態 圖17係本實施形態之照像機之概略構成圖。 其具備集聚有複數之像素而成之固體攝像裝置5〇、光學 系統5 1、信號處理電路53。 124321.doc -29- 200834904 在本實施形態中，上述之固體攝像裝置50配置有上述第 1實施形態〜第3實施形態之任意一種之固體攝像裝置。 光學系統5 1使來自被拍攝體之像光（入射光）在固體攝像 裝置50之攝像面上成像。藉此，在構成固體攝像裝置5〇之 攝像面上之各像素之光電二極體上，根據入射光量轉換為 信號電荷，並將該信號電荷儲存一定時間。 儲存後之信號電荷例如經由c c D電荷傳輸路作為輸出信 號Vout取出。 信號處理電路53對於固體攝像裝置5〇之輸出信號¥〇加實 施各種信號處理後，作為影像信號輸出。 依據上述之本實施形態之照像機，不會招致斜向入射光 之聚光率降低及靈敏度降低，可改善白平衡色差特性及分 光特性，進而可以簡便之方法、步驟形成微透鏡。 本發明並不限定於上述說明。 例如在實施形態可適用於CMOS感測器和CCD元件之任 一者。 此外，在不脫離本發明之要旨之範圍内可作種種改變。 [產業上之可利用性] 本發明之固體攝像裝置可適用於搭載於cm〇 ⑽照像機之固體攝像裝置。 …像機或 本备明之照像機可適用於搭載有CMOS照像機或CCD昭 像機等之固體攝像裝置之照像機。 a 【圖式簡單說明】 圖係本^明之第丨實施形態之固體攝像裝置之剖面圖。 124321.doc -30 - 200834904 圖2係本發明之第1實施形態之固體攝像裝置之像素部之 模式性佈局圖。 圖3係說明本發明之第1實施形態之固體攝像裝置之向光 電二極體之光入射路徑之模式剖面圖。 圖4(a)〜(g)係顯示本發明之第1實施形態之固體攝像裝置 之凹部形狀之例之模式圖。 圖5(a)及圖5(b)係顯示本發明之第1實施形態之固體攝像 裝置之製造方法之製造步驟之剖面圖。 圖6(a)及圖6(b)係顯示本發明之第1實施形態之固體攝像 裝置之製造方法之製造步驟之剖面圖。 圖7係顯示本發明之第1實施形態之固體攝像裝置之製造 方法之製造步驟之剖面圖。 圖8係顯示本發明之第1實施形態之固體攝像裝置之製造 方法之製造步驟之剖面圖。 圖9係顯示本發明之第1實施形態之固體攝像裝置之製造 方法之製造步驟之剖面圖。 圖10係顯示本發明之第1實施形態之固體攝像裝置之製 造方法之製造步驟之剖面圖。 圖11係顯示本發明之第1實施形態之固體攝像裝置之製 造方法之製造步驟之剖面圖。 圖12係本發明之第2實施形態之固體攝像裝置之剖面 圖。 圖13係顯示本發明之第2實施形態之固體攝像裝置之製 造方法之製造步驟之剖面圖。 124321.doc -31- 200834904 圖14係顯系本發明之第2實施形態之固體攝像裝置之製 造方法之製造步驟之剖面圖。 圖15係顯系本發明之第2實施形態之固體攝像裝置之製 造方法之製造步驟之剖面圖。 圖16係顯系本發明之第2實施形態之固體攝像裝置之製 造方法之製造步驟之剖面圖。 圖17係本發明之第3實施形態之照像機之概略構成圖。 【主要元件符號說明】
10 p型井區（半導體基板） 11 η型電荷儲存層 12 Ρ+型表面層 13 閘絕緣膜 14 閘極 15 第1絕緣膜 16 第2絕緣膜 17 第3絕緣臈 17t 配線用溝槽 18 金屬阻障層 19 導電層 20 第1防擴散膜 21 第4絕緣膜 22 弟5絕緣膜 22t 配線用溝槽 23 金屬阻障層 124321.doc -32- 200834904
24 25 26 27 27t 28 29 30 31 31c 32 33 33a 34 35 36 37 38 39a、39b、39c 40 40a 50 51 53 導電層 第2防擴散膜 第6絕緣膜 第7絕緣膜 配線用溝槽 金屬阻障層 導電層 第3防擴散膜 第8絕緣膜 開口部 電極墊 第9絕緣膜 開口形狀部 抗蝕膜 抗蝕膜 鈍化膜 填入層 平坦化樹脂層 彩色濾光膜 微透鏡 樹脂層 固體攝像裝置 光學系統 信號處理電路 -33- 124321.doc 200834904
100 半導體基板 101 受光部 102 感測器部 103 閘絕緣膜 104 閘極 105 、 106 、 107 、 108 絕緣膜 109 第1絕緣膜 120 第2絕緣膜 121 第3絕緣膜 122 第1防擴散膜 123 第4絕緣膜 124 第2防擴散膜 125 第5絕緣膜 126 第3防擴散膜 127 第6絕緣膜 128 第7絕緣膜 130 接點插塞 131 第1配線層 132 第1介層窗插塞 133 第2配線層 134 第2介層窗插塞 135 第3配線層 140 填入層 150 抗蝕膜 124321.doc -34- 200834904 151 抗蝕膜 160 平坦化樹脂層 161 彩色濾光膜 162 微透鏡 Η 凹部 I 離子佈植 K 凹部 L 光 P 開口部 PD 光電二極體 RpAD 電極塾區域 Rpx 像素區域 W1、 W2、W3、W4 配線層 Wla 、W3a、W4a、W4b 突出之區域 ❿ 124321.doc 35-

Claims (1)

  1. 200834904 十、申請專利範圍： 1. 一種固體攝像裝置，其係在受光面集聚有複數之像素而 成者，其特徵為具備： 在半導體基板之成為前述受光面之像素區域中按前述 各像素區分而形成之光電二極體； 形成於前述半導體基板，對生成及儲存於前述光電二 極體之信號電荷或者與前述信號電荷相對應之電壓進行 讀取之信號讀取部； 覆蓋刖述光電二極體地在前述半導體基板上形成之絕 緣膜； ' 隹w迷光電二極體之上方部分 之凹部； 在電極塾區域，於前述絕緣膜之上層形成之電極塾； 覆蓋前述凹部之内壁，且形成於前述電極墊之更上 層，具有比氧化矽高之折射率之鈍化膜；及 • #在前述純化膜之上層填入前述凹部地形成，且具有比 氧化石夕高之折射率之填入層。 2.:請求項!之固體攝像裝置’其中於前述絕 ‘ 有配線層。 八 • 3·如請求項2之固體攝像桊罟，甘a、， 其中前述絕緣膜包含前述 配線層之防擴散膜地形成； 这 觔述防擴散膜構成前述凹部之底面。 緣：：貝2之固：攝像裝置，其中前述配線層在前述絕 、、以圍繞前述凹部周圍之方式形成為網目狀。、 124321.doc 200834904 5. 如請求項1之固體攝像裝置，其中 、 之 之主面平行之剖面上之前述凹部之形'^^導體基板 外側經常凸出之角形狀及/或僅具有曲線之::述形狀: 6. Z求項1之固體攝像裝置’其中前述純化膜係氮化石夕 其中前述填入層係樹脂 7·如請求項1之固體攝像裝置， 層0
    8·如請求項7之固體攝像裝置 烷類樹脂。 其中前述填入層包含矽氧 前述凹部之緣部為愈 9·如請求項1之固體攝像裝置，其中 上方愈寬之正錐形之開口形狀。 之像素而 10. -種固體攝像裝置’其係在受光面集聚有複數 成者，其特徵為具備： 在半‘體基板之成為珂述受光面之像素區域中按前述 各像素區分而形成之光電二極體；
    形成於前述半導體基板，對生成及儲存於前述光電二 極體之^號電荷或者與前述信號電荷相對應之電壓進行 讀取之信號讀取部； 覆蓋前述光電二極體地在前述半導體基板上形成之絕 緣膜； 在A述光電二極體之上方部分，於前述絕緣膜中形成 之凹部；及 填入前述凹部而形成，包含具有比Ti〇分散有機樹脂 更高耐熱性之無機物和金屬氧化物之填入層。 124321.doc 200834904 11.如請求項10之固體攝像裝置，其中前述無機物係氧化 12.如請求項10之固體攝像裝置，其中前述金屬氧化物係氧 化鈦、氧化钽、氧化鈮、氧化鎢、氧化锆、氧化鋅:、： 化鋼、氧化給。 飞 13· —種固體攝像裝置之製造方法，該固體攝像裝置係在 受光面集聚有複數之像素，具備以下步驟： 、
    一形成在半導體基板之成為前述受光面之像素區域中於 前述各像素區分之光電二極體、和對生成及儲存於前二 =電二極體之信號電荷或者與前述信號電荷相對應之電 壓進行讀取之信號讀取部之步驟； 一 覆蓋前述光電二極體地在前述半導體基板上形成絕緣 在前述光電二極體之上方部分，於前述絕緣膜中形成 部之步驟； 在電極墊區域’於前述絕緣膜之上層形成電極塾之步 覆蓋前述凹部之内壁地，且在前述電極 成具：比氧化石夕高之折射率之純化膜之步驟；及J ^錢化膜之上層’填人前述凹部地形成具有比氧 化矽焉之折射率之填入層之步驟。 14·如請求項13之固體攝像裝置之製造方法，其中進一步且 !在形成前述崎狀师途巾形成配、㈣之步驟，: 别述絕緣膜中埋入配線層而形成。 124321.doc 200834904 15·如請求項Η之固體攝像裝置之製造方法，其中形成前述 絕緣膜之步驟包含形成前述配線層之防擴散膜之步驟； 在形成前述凹部之步驟中，以使前述防擴散膜構成前 述凹部之底面之方式形成前述凹部。 16. 如請求項14之固體攝像裝置之製造方法，其中在形成前 述配線層之步驟中，以於前述絕緣膜中圍繞前述凹部周 圍之方式成網目狀地形成前述配線層。 17. 如請求項13之固體攝像裝置之製造方法，其中在形成前 述凹:之步驟中，與前述半導體基板之主面平行之剖面 上之前述凹部之形狀形成為對於前述形狀之外側經常凸 出之角形狀及/或僅具有曲線之形狀。 其中在形成肯 18·如請求項13之固體攝像裝置之製造方法 述鈍化膜之步驟中，形成氮化石夕膜。 其中在形成 19.如叼求項13之固體攝像裝置之製造方法 述填入層之步驟巾，形成樹脂層。 其中在形成 2〇.如明求項19之固體攝像裝置之製造方& a , 述填入層夕丰_丄 A ’ 乂 儿如請求項131 形成包含石夕氧烧類樹脂之樹脂層 、目體攝像裝置之製造方法，其中在形成 遠凹部之舟_ & ^ m 正錐形之^ ，前述凹部之緣部形成為愈上方愈寬 冉小之開口形狀。 22· 一種固體攝俊驻 受光而隹 、置之^造方法，該固體攝像裝置係， 驟：*聚有设數之像素而成，其特徵為具備以下步 形成在半導體基板之成為前述受光面之像素區域中. 124321.doc 200834904 則述各像素區分之光電二極體、和對生成及儲存於前述 光電一極體之信號電荷或者與前述信號電荷相對應之電 壓進行讀取之信號讀取部之步驟； 覆蓋前述光電二極體地在前述半導體基板上形成絕緣 膜之步驟； 在w述光電二極體之上方部分，於前述絕緣膜中形成 凹部之步驟；
    在w述凹部填入無機物，形成具有比Ti〇分散有機樹 脂更高耐熱性之填入層之步驟；及 在前述填入層中離子佈植金屬氧化物之步驟。 23·如請求項22之固體攝像裝置之製造方法，其中在形成前 述填入層之步驟中，係㈣氧切料前述無機物/ %如請求項22之固體攝像裝置之製造方法，其中在前述離 :佈植之步驟中’作為前述金屬氧化物係採用氧化鈦、 氧化鈕、氧化鈮、氧化鎢、氧化錯、氧化鋅、氧化銦、 氧化铪。 成之固體攝像裝置； 置之攝像部之光學系 25· —種照像機，其特徵在於具有： 在受光面集聚有複數之像素而 將入射光導入前述固體攝像裝 統；及 處理前述固體攝像裝置之輪出 珣出l就之信號處理電路； 珂述固體攝像裝置係在受光面 4路 者，具備： 集&有複數之像素而成 區域中按前 在半導體基板之成為前述受光面之像素 12432I.doc 200834904 述各像素區分而形成之光電二極體； 形成於前述半導體基板，對生成及儲存於前述光電 二極體之信號電荷或者與前述信號電荷相對應之電壓進 行讀取之信號讀取部； 覆蓋丽述光電二極體地在前述半導體基板上形成之 絕緣膜； 在丽述光電二極體之上方部分，於前述絕緣膜中形 成之凹部； • 在電極墊區域，於前述絕緣膜之上層形成之電極 墊； 覆盍珂述凹部之内壁，且形成於前述電極墊之更上 ^具有比氧化矽高之折射率之鈍化膜；及 在蝻述鈍化膜之上層填入前述凹部地形成，且具有 比氧化矽高之折射率之填入層。 ^ 124321.doc
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