JP5318165B2 - 固体撮像装置及び撮像システム - Google Patents
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Tm3>Tpv×tanθ
加工の点も鑑みればθ=70〜85度でも十分な効果が得られる。一般的にプラズマCVD法で堆積するSiN膜は、段差部に堆積した場合、図1に示すようなオーバーハングの形状ができる。このような形状でかつ最上層(遮光膜)のスペースが小さくなると図6のように埋め込まれない箇所ができてしまい、プロセス工程の薬液がこの部分に残留し、信頼性的な問題が生じる。このような不具合を低減させるためには、十分なスペースを確保する必要がある。すなわち、SiN膜をパッシベーション膜として用いた場合、デザインルールを大きくしなければならない。
像装置をデジタルカメラ等の撮像システムに応用した構成を説明する。
図10は、本発明による固体撮像装置をカメラに応用する場合の回路ブロックの例を示したものである。撮影レンズ1002の手前にはシャッター1001があり、露出を制御する。絞り1003により必要に応じ光量を制御し、固体撮像装置1004に結像させる。固体撮像装置1004から出力された信号は信号処理回路1005で処理され、A/D変換器1006によりアナログ信号からディジタル信号に変換される。出力されるディジタル信号はさらに信号処理部1007で演算処理される。処理されたディジタル信号はメモリ1010に蓄えられたり、外部I/F1013を通して外部の機器に送られる。固体撮像装置1004、撮像信号処理回路1005、A/D変換器1006、信号処理部1007はタイミング発生部1008により制御される他、システム全体は全体制御部・演算部1009で制御される。記録媒体1012に画像を記録するために、出力ディジタル信号は全体制御部・演算部で制御される記録媒体制御I/F部1011を通して、記録される。
102、702 受光部
103、105、107、703、705、707 層間絶縁膜
104,106,108、704,706,708 配線層
109、709 絶縁膜(パッシベーション膜)
110、710 カラーフィルター
111、711 マイクロレンズ
112、113、114 反射防止膜
Claims (22)
- 受光部を有する半導体基板と、前記半導体基板の上に配された複数の配線層と、CMP法によって平坦化が施された最上の層間絶縁膜を含む、前記半導体基板の上に配された複数の層間絶縁膜と、前記最上の層間絶縁膜の上に配され、前記最上の層間絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有する第1の絶縁膜と、を有する固体撮像装置の製造方法において、
前記受光部の少なくとも一部の上に接する反射防止膜を形成する工程と、
前記最上の層間絶縁膜の上面と接し、前記最上の層間絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜の上面と接し、前記第2の絶縁膜よりも高い屈折率を有する前記第1の絶縁膜を形成する工程と、を有する固体撮像装置の製造方法。 - 前記反射防止膜を形成する工程は、少なくとも窒化シリコン膜を形成する工程を含む請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記反射防止膜を形成する工程は、前記窒化シリコン膜を形成する工程の前に、酸化シリコン膜を形成する工程を含む請求項2に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記反射防止膜を形成する工程は、窒化シリコン膜を形成する工程と、酸窒化シリコン膜を形成する工程とを含む請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記最上の層間絶縁膜は酸化シリコン膜であり、前記第1の絶縁膜は窒化シリコン膜であり、前記第2の絶縁膜は酸窒化シリコン膜である請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜の窒化シリコン膜は、プラズマCVD法によって形成される請求項5に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜を形成する工程の後に、前記第2の絶縁膜と同じ材料からなる、第3の絶縁膜を形成する工程を有する請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜の上面に接し、前記第1の絶縁膜の屈折率より低い屈折率を有する第3の絶縁膜を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜の上に、カラーフィルター膜を形成する工程と、を有する請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第3の絶縁膜は酸窒化シリコン膜である請求項7または8に記載の固体撮像装置。
- 前記複数の配線層のうち最上の配線層は、前記最上の層間絶縁膜の上に配されている請求項1乃至9のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記最上の配線層の端部はテーパ形状である請求項10に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 受光部を有する半導体基板と、前記半導体基板の上に配された複数の配線層、及びCMP法によって平坦化が施された最上の絶縁膜を含む、前記半導体基板の上に配された複数の絶縁膜を含む積層体と、前記積層体の最上の絶縁膜の上に配され、前記積層体の最上の絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有する第1の絶縁膜と、を有する固体撮像装置の製造方法において、
前記受光部の少なくとも一部に接する反射防止膜を形成する工程と、
前記積層体の最上の絶縁膜の上面と接し、前記積層体の最上の絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜の上面に接し、前記第2の絶縁膜より高い屈折率を有する前記第1の絶縁膜を形成する工程と、を有する固体撮像装置の製造方法。 - 前記積層体の最上の絶縁膜は酸化シリコン膜であり、前記第1の絶縁膜は窒化シリコン膜であり、前記反射防止膜は少なくとも窒化シリコン膜を含む請求項12に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第2の絶縁膜は、酸窒化シリコン膜である請求項13に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜の上面に接し、前記第1の絶縁膜の屈折率より低い屈折率を有する第3の絶縁膜を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜の上に、カラーフィルター膜を形成する工程と、を有する請求項12乃至14のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第3の絶縁膜は酸窒化シリコン膜である請求項15に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記積層体は、最上の絶縁膜の上に配された配線層を有する請求項12乃至16のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜は、パッシベーション膜である請求項1乃至17のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 受光部を有する半導体基板と、前記半導体基板の上に配された複数の配線層と、CMP法によって平坦化が施された第1のシリコン酸化膜を含む、前記半導体基板の上に配された複数の層間絶縁膜と、前記第1のシリコン酸化膜の上に配された第1のシリコン窒化膜と、を有する固体撮像装置の製造方法において、
前記受光部の少なくとも一部に接する第2のシリコン酸化膜と、前記第2のシリコン酸化膜の上面に接する第2のシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記第1のシリコン酸化膜の上面に接するシリコン酸窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸窒化膜の上面に接する前記第1のシリコン窒化膜を形成する工程と、を有する固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸窒化膜を形成する工程との間に、配線層が形成される工程を有する請求項19に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1のシリコン窒化膜を形成する工程の後に、前記シリコン酸窒化膜とは別のシリコン酸窒化膜を形成する工程を有する請求項19または20に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記固体撮像装置は、MOSトランジスタが配された周辺回路部と、前記受光部を含み、MOSトランジスタが配され、前記周辺回路部よりもMOSトランジスタの配置密度が低い画素部と、を有する請求項1乃至21のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
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