JP2002246578A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 層内レンズによる集光効率を向上させた固体
撮像装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１表層部に受光部２および電荷転送
部３を形成する工程と、前記電荷転送部３上にゲート絶
縁膜４を介して転送電極５を形成する工程と、前記転送
電極５を被覆するように遮光膜７を形成する工程と、前
記遮光膜７および前記受光部２を被覆し、且つ、前記受
光部２上に凹部が形成されるように、第１の絶縁膜８ａ
を形成する工程と、前記第１の絶縁膜８ａにリフロー処
理を施し、前記凹部の形状をレンズ状に加工する工程
と、前記第１の絶縁膜８ａを被覆し、且つ、前記受光部
２上にレンズ状の凹部が形成されるように、第２の絶縁
膜８ｂを形成する工程と、前記第２の絶縁膜８ｂ上に透
明材料膜９を形成する工程と、前記透明材料膜９表面を
平坦化する工程とを備えたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、層内レンズを備え
た固体撮像装置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】固体撮像装置においては、画素の微細化
に伴い、更なる感度向上が要求されている。このような
背景のもとに、従来では、カラーフィルタ上にオンチッ
プレンズを設けることにより、集光効率を高めるという
工夫がなされている。しかしながら、近年、デバイスの
小型化および高感度化に伴い、集光効率の更なる向上が
望まれているものの、前述したオンチップレンズによる
集光効果はほぼ限界に近づいており、オンチップレンズ
とは別の新たな技術の開発が要求されている。

【０００３】このような要求に対応して、オンチップレ
ンズと併用する状態で、層内レンズを設けた固体撮像装
置が提案されている（例えば、特開平１１−１０３０３
６号公報など）。図７は、このような固体撮像装置の構
造を示す断面図であり、１は半導体基板、２は受光部、
３は電荷転送部、４はゲート絶縁膜、５は転送電極、６
は層間絶縁膜、７は遮光膜、８は絶縁膜、９は透明材料
膜、１０はカラーフィルタ、１１はオンチップレンズで
ある。この固体撮像装置においては、受光部２上に位置
する絶縁膜８の表面をレンズ形状に加工し、且つ、絶縁
膜８と透明材料膜９との屈折率を相違させることによ
り、層内レンズが形成されている。これにより、絶縁膜
８と透明材料膜９との界面で入射光を屈折させ、受光部
に集光することが可能となる。

【０００４】図８および図９は、前記固体撮像装置の製
造方法を説明するための工程断面図である。まず、半導
体基板１内に受光部２および電荷転送部３を形成した
後、ゲート絶縁膜４、転送電極５、層間絶縁膜６および
遮光膜７を順次形成する（図８Ａ）。続いて、遮光膜７
および受光部２を被覆するように、ホウ素リンシリケー
トガラス（ＢＰＳＧ）からなる絶縁膜８を形成する（図
８Ｂ）。このとき、絶縁膜８は転送電極５に起因した段
差が存在する表面に成膜されるため、受光部２上に凹部
が形成される。次に、リフロー処理を施し、絶縁膜８の
凹部を曲面（すなわち、レンズ形状）に加工する（図８
Ｃ）。更に、凹部を埋め込むように透明材料膜９を形成
する。その後、透明材料膜９表面を平坦化し、層内レン
ズが形成される（図９Ｄ）、カラーフィルタ１０および
オンチップレンズ１１が順次形成されて、固体撮像装置
が作製される（図９Ｅ）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】将来、固体撮像装置の
更なる小型化が要求されることが予想されるが、この場
合、転送電極５同士間の間隙が小さくなるため、絶縁膜
８形成時において、転送電極５同士間（すなわち、受光
部２上）に凹部が形成され難くなる。そのため、絶縁膜
８にリフロー処理を施した際に、凹部がリフローした絶
縁膜によって埋め込まれ易くなる。その結果、所望のレ
ンズ形状が得られないばかりか、層内レンズの厚みが減
少したり、層内レンズから受光部までの距離が大きくな
るなどの現象が生じる。これらは、いずれも集光効率の
低下を招く現象である。

【０００６】本発明は前記事情に鑑みてなされたもので
あり、層内レンズによる集光効率を向上させた固体撮像
装置の製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板表層部に
受光部および電荷転送部を形成する工程と、前記電荷転
送部上にゲート絶縁膜を介して転送電極を形成する工程
と、前記転送電極を被覆するように遮光膜を形成する工
程と、前記遮光膜および前記受光部を被覆し、且つ、前
記受光部上に凹部が形成されるように、第１の絶縁膜を
形成する工程と、前記第１の絶縁膜にリフロー処理を施
し、前記凹部の形状をレンズ状に加工する工程と、前記
第１の絶縁膜を被覆し、且つ、前記受光部上にレンズ状
の凹部が形成されるように、第２の絶縁膜を形成する工
程と、前記第２の絶縁膜上に透明材料膜を形成する工程
と、前記透明材料膜表面を平坦化する工程とを備えたこ
とを特徴とする。ここで、「レンズ状」とは曲面状を意
味する。

【０００８】このように、本発明の製造方法において
は、レンズ形状を形成するための絶縁膜の成膜を、第１
の絶縁膜を形成する工程と第２の絶縁膜を形成する工程
という、少なくとも２回の成膜工程により行う。よっ
て、第１の絶縁膜を薄膜化することにより、転送電極同
士間（すなわち、受光部上）に凹部が形成され易くする
ことができるため、第１の絶縁膜のリフロー処理によっ
て凹部がリフローした絶縁膜で埋め込まれることを抑制
できる。その結果、層内レンズの形状および厚み、層内
レンズから受光部までの距離を好適に制御することがで
き、層内レンズによる集光効率を向上させることができ
る。また、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成するた
め、これらの絶縁膜上に形成される配線などと、転送電
極との間の十分な電気的耐圧を確保することができる。

【０００９】前記製造方法においては、前記第１の絶縁
膜の膜厚が０．１〜０．５μｍであることが好ましい。
また、前記第２の絶縁膜の膜厚が０．１〜０．３μｍで
あることが好ましい。ここで、第１の絶縁膜の膜厚と
は、リフロー処理が施される前の第１の絶縁膜の膜厚で
ある。

【００１０】また、前記第１の絶縁膜は、ＢおよびＰの
少なくとも一方を含むシリコン酸化膜であることが好ま
しい。比較的低温でリフロー処理を実施することができ
るからである。また、前記第２の絶縁膜が、シリコン酸
化膜、シリコン窒化酸化膜およびシリコン窒化膜からな
る群より選ばれる少なくとも１種であることが好まし
い。

【００１１】前記製造方法においては、更に、前記遮光
膜を被覆するように第３の絶縁膜を形成する工程を含
み、前記第１の絶縁膜を前記第３の絶縁膜上に形成する
ことが好ましい。

【００１２】第１の絶縁膜を遮光膜上に直接形成し、こ
れにリフロー処理を施した場合、条件によっては、遮光
膜上に存在する第１の絶縁膜がリフローに伴って薄膜化
し、遮光膜が露出するおそれがある。しかしながら、こ
の好ましい例によれば、第１の絶縁膜と遮光膜との間に
第３の絶縁膜を介在させるため、前記問題を回避するこ
とが可能となる。また、この好ましい例によれば、第１
の絶縁膜および第３の絶縁膜により、第１の絶縁膜上に
形成される配線と転送電極との間の電気的な耐圧が十分
に確保される場合は、第２の絶縁膜を反射防止膜として
機能させることも可能である。

【００１３】前記第３の絶縁膜の膜厚は０．１〜０．２
μｍであることが好ましい。また、前記第３の絶縁膜
は、シリコン酸化膜、シリコン窒化酸化膜およびシリコ
ン窒化膜からなる群より選ばれる少なくとも１種である
ことが好ましい。

【００１４】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１は、本発
明の製造方法により製造され得る固体撮像装置の一例を
示す断面図である。この固体撮像装置においては、半導
体基板１内に受光部２および電荷転送部３が形成されて
おり、電荷転送部３上にはゲート絶縁膜４を介して転送
電極５が形成されている。転送電極５上には層間絶縁膜
６を介して遮光膜７が形成されており、遮光膜７には受
光部２に対応する部分に開口部が形成されている。更
に、受光部２および遮光膜７を被覆するように、第１の
絶縁膜８ａおよび第２の絶縁膜８ｂが順に形成されてい
る。第１の絶縁膜８ａおよび第２の絶縁膜８ｂには、受
光部２に対応する部分にレンズ形状の凹部が形成されて
いる。第２の絶縁膜８ｂ上には、前記凹部を埋め込むよ
うに、透明材料膜９が形成されており、これにより層内
レンズが形成されている。更に、透明材料膜９上には、
カラーフィルタ１０およびオンチップレンズ１１が形成
されている。

【００１５】図２および図３は、前記固体撮像装置の製
造方法を説明するための工程断面図である。以下、この
図面を用いて、本発明の製造方法の一例について説明す
る。

【００１６】まず、半導体基板１内に受光部２および電
荷転送部３を形成する。この工程は、例えば、ｐ型半導
体基板（または、ｐ型ウェル）１内に、リンなどのｎ型
不純物を注入し、これを拡散させることにより実施でき
る。なお、受光部２の形成については、転送電極５形成
後に、転送電極５をマスクとしてｎ型不純物を注入し、
これを拡散させることによって実施してもよい。

【００１７】更に、半導体基板１内に、必要に応じて、
チャンネルストップ（図示せず。）および読み出し部
（図示せず。）を形成する。この工程は、例えば、ｐ型
半導体基板（または、ｐ型ウェル）１内に、ボロンなど
のｐ型不純物を注入し、これを拡散させることにより実
施できる。

【００１８】続いて、半導体基板１上にゲート絶縁膜４
を形成する。ゲート絶縁膜４としては、例えば、シリコ
ン酸化膜、シリコン窒化膜などを使用することができ
る。また、ゲート絶縁膜４は、単層構造であっても、多
層構造であってもよい。多層構造の一例としては、シリ
コン酸化膜／シリコン窒化膜／シリコン酸化膜の三層構
造が挙げられる。ゲート絶縁膜４の形成方法としては、
例えば、熱酸化法、化学気相成長法（以下、「ＣＶＤ
法」という。）などを採用することができる。

【００１９】次に、電荷転送部３上にゲート絶縁膜４を
介して転送電極５を形成する。転送電極５としては、例
えば、ポリシリコンを使用することができる。また、そ
の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法によってポリシ
リコンを成膜し、これをリソグラフィー法およびエッチ
ングによってパターニングする方法を採用することがで
きる。

【００２０】続いて、転送電極５を被覆するように層間
絶縁膜６を形成する。層間絶縁膜６としては、例えばシ
リコン酸化膜を使用することができ、その形成方法とし
ては、例えばＣＶＤ法を採用することができる。また、
層間絶縁膜６は、後述する第１の絶縁膜８ａとの界面に
おける反射を抑制するため、第１の絶縁膜８ａと同等の
屈折率を有する材料を使用することが好ましい。

【００２１】なお、この転送電極５および層間絶縁膜６
の形成については、転送電極構造が二層である場合に
は、前述した工程を２回繰り返し、三層以上である場合
には、その層数分だけ繰り返し実施される。

【００２２】次に、層間絶縁膜６上に遮光膜７を形成す
る（図２Ａ）。遮光膜７は、受光部２以外の領域に入射
する光を遮蔽する膜であり、転送電極５を被覆し、且
つ、受光部２に対応する部分に開口部を有するように形
成される。遮光膜７としては、例えば、アルミニウム、
アルミニウム合金、タングステンなどを使用することが
できる。この材料の選択は、後工程である第１の絶縁膜
８ａのリフロー条件に応じて行うことが好ましい。例え
ば、リフロー条件として高温加熱が必要な場合には、タ
ングステンなどの高融点金属を使用することが好まし
く、高温加熱が必要でない場合には、アルミニウムまた
はその合金などを使用することが好ましい。また、遮光
膜７は、単層構造であっても、多層構造であってもよ
い。遮光膜７の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法、
スパッタ法などにより成膜した後、リソグラフィー法お
よびエッチングによりパターニングする方法を採用する
ことができる。

【００２３】次に、遮光膜７および受光部２を被覆する
ように、第１の絶縁膜８ａを形成する（図２Ｂ）。この
とき、転送電極５に起因した段差が存在する表面に成膜
されるため、第１の絶縁膜８ａには、転送電極５同士
間、すなわち受光部２に対応する部分に、凹部が形成さ
れる。第１の絶縁膜８ａとしては、リフロー処理が可能
な絶縁膜であれば特に限定するものではなく、例えば、
ＢおよびＰの少なくとも一方を含むシリコン酸化膜、好
ましくは、ホウ素リンシリケートガラス（以下、「ＢＰ
ＳＧ」という。）が使用される。また、形成方法として
は、例えば、ＣＶＤ法を採用することができる。

【００２４】続いて、第１の絶縁膜８ａにリフロー処理
を施し、第１の絶縁膜８ａの凹部を曲面、すなわちレン
ズ形状に加工する（図２（Ｃ））。レンズ形状の曲率は
リフローの程度に依存し、リフローの程度が大きいほど
曲率は小さくなる。

【００２５】リフローの程度は、第１の絶縁膜８ａの膜
厚および組成、リフロー処理温度などによって調整でき
る。例えば、第１の絶縁膜８ａとしてＢＰＳＧを使用し
た場合、ＢおよびＰの合計濃度が高くなるほどリフロー
し易くなる。また、第１の絶縁膜８ａの膜厚が大きいほ
ど、または、リフロー処理温度が高くなるほど、リフロ
ーし易くなる。

【００２６】所望のレンズ形状（曲率）を得るために
は、例えば、第１の絶縁膜８ａの組成およびリフロー処
理温度を固定して、第１の絶縁膜８ａの膜厚を変化させ
ることにより、好適な条件を決定することが好ましい。
また、第１の絶縁膜８ａの膜厚を固定し、リフロー処理
温度またはＢおよびＰの合計濃度を変化させて、好適な
条件を決定することもできる。

【００２７】このように、第１の絶縁膜８ａの組成およ
び膜厚は、所望のレンズ形状に応じて適宜選択すること
が好ましい。例えば、第１の絶縁膜８ａとしてＢＰＳＧ
を使用する場合、Ｂ濃度は５．３重量％以下、好ましく
は２．７〜２．８重量％に設定することができ、Ｐ濃度
は６．５重量％以下、好ましくは４．５〜６．０重量％
に設定することができる。なお、第１の絶縁膜８ａの膜
厚（Ｔ１）については、後に詳説する。

【００２８】また、リフロー処理温度についても、所望
のレンズ形状に応じて適宜選択することが好ましい。具
体的には、例えば８００〜９５０℃、好ましくは８５０
〜９００℃に設定することができる。

【００２９】第１の絶縁膜８ａにリフロー処理を施した
後、第１の絶縁膜８ａ上に第２の絶縁膜８ｂを形成する
（図３（Ｄ））。このとき、第２の絶縁膜８ｂには、受
光部２に対応する部分に、第１の絶縁膜８ａの形状に沿
った凹部、すなわちレンズ形状の凹部が形成される。

【００３０】第２の絶縁膜８ｂは、リフロー処理を施す
必要がないため、その材料について特に限定するもので
はなく、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化酸化
膜、シリコン窒化膜などを使用することができる。ま
た、形成方法としては、例えばＣＶＤ法を採用すること
ができる。特に、段差被覆性の良好なＣＶＤ法を採用す
ることが好ましい。

【００３１】第１の絶縁膜８ａおよび第２の絶縁膜８ｂ
としては、それぞれの界面における反射を抑制するた
め、同等の屈折率を有する材料を使用することが好まし
い。

【００３２】第１の絶縁膜８ａの膜厚（Ｔ１）および第
２の絶縁膜８ｂの膜厚（Ｔ２）は、その合計（Ｔ１＋Ｔ
２）が小さいほど、層内レンズから受光部２までの距離
が小さくなるため、集光効率を向上させることができ
る。一方、合計膜厚（Ｔ１＋Ｔ２）が小さすぎると、転
送電極５と、絶縁膜上に形成される配線（図示せず。）
などとの間の十分な電気的耐圧が確保されない場合があ
る。従って、第１の絶縁膜８ａおよび第２の絶縁膜８ｂ
の合計膜厚（Ｔ１＋Ｔ２）は、これらを考慮して設定す
ることが好ましい。合計膜厚（Ｔ１＋Ｔ２）の好適な値
は、画素サイズに応じても異なるが、例えば０．４〜
０．８μｍ、好ましくは０．６〜０．７μｍである。

【００３３】第１の絶縁膜８ａの膜厚（Ｔ１）は、画素
サイズなどに応じても異なるが、例えば０．３〜０．５
μｍである。

【００３４】第２の絶縁膜８ｂの膜厚（Ｔ２）は、特に
限定するものではないが、第１の絶縁膜８ａの膜厚（Ｔ
１）に対して、Ｔ１≧Ｔ２なる関係を満たすことが好ま
しい。一方、第２の絶縁膜８ｂの膜厚が大きいほど、段
差被覆性が良好になるため好ましい。第２の絶縁膜８ｂ
の膜厚は、画素サイズなどに応じても異なるが、例えば
０．１〜０．３μｍ、好ましくは０．１〜０．２μｍで
ある。

【００３５】第２の絶縁膜８ｂ形成後、必要に応じて、
周辺部の配線などを形成する。また、必要に応じて、第
２の絶縁膜８ｂ上に、単層または多層構造の反射防止膜
を形成してもよい。

【００３６】続いて、透明材料膜９を形成する。このと
き、透明材料膜９は、第２の絶縁膜８ｂに形成されたレ
ンズ形状の凹部を埋め込むように形成される。更に、透
明材料膜９の表面を、例えば、レジストエッチバック
法、化学機械研磨法などの方法により平坦化する（図３
（Ｅ））。

【００３７】透明材料膜９は、特に限定するものではな
いが、受光部２への集光効率を高めるうえで、第１の絶
縁膜８ａおよび第２の絶縁膜８ｂとの間で好適な屈折率
差が得られるように、その材料および形成方法を選択す
ることが好ましい。例えば、透明材料膜９の屈折率を
１．９〜２．０とする場合には、プラズマＣＶＤ法によ
り成膜されたシリコン窒化膜を選択し、屈折率を１．５
〜１．９とする場合には、プラズマＣＶＤ法により成膜
されたシリコン窒化酸化膜を選択することができる。

【００３８】また、透明材料膜９の膜厚は、層内レンズ
の高さ（第２の絶縁膜８ｂに形成された凹部の深さ）に
応じて設定することが好ましく、具体的には０．５〜
２．０μｍ程度に設定することが好ましい。

【００３９】更に、透明材料膜９上に、カラーフィルタ
１０およびオンチップレンズ１１を形成し、固体撮像装
置が作製される（図３（Ｆ））。カラーフィルタ１０の
形成は、例えば、カラーレジストを用いたフォトリソグ
ラフィー法により実施することができる。また、オンチ
ップレンズ１１の形成は、例えば、熱溶融可能な樹脂を
塗布し、これを各受光部に対応するように分割した後、
リフロー処理を施すことにより実施できる。

【００４０】（第２の実施形態）図４は、本発明の製造
方法により製造され得る固体撮像装置の別の一例を示す
断面図である。この固体撮像装置は、受光部２上の層間
絶縁膜６および遮光膜７を被覆するように第３の絶縁膜
８ｃが形成されており、この第３の絶縁膜８ｃ上に第１
の絶縁膜８ａが形成されている。なお、上記以外の構造
については、第１の実施形態と同様である。

【００４１】図５および図６は、前記固体撮像装置の製
造方法を説明するための工程断面図である。以下、この
図面を用いて、本発明の製造方法の別の一例について説
明する。

【００４２】まず、半導体基板１内に受光部２および電
荷転送部３を形成した後、ゲート絶縁膜４、転送電極
５、層間絶縁膜６および遮光膜７を順次形成する（図５
Ａ）。なお、ここまでの工程は、第１の実施形態と同様
にして実施することができる。

【００４３】続いて、遮光膜７および受光部２を被覆す
るように、第３の絶縁膜８ｃを形成する（図５Ｂ）。第
３の絶縁膜８ｃとしては、後工程のリフロー処理におい
てリフローし難いものを使用することが好ましく、例え
ば、シリコン酸化膜などを使用することができる。な
お、第３の絶縁膜８ｃの膜厚については、後に詳説す
る。

【００４４】次に、第３の絶縁膜８ｃ上に、第１の絶縁
膜８ａを形成する（図５Ｃ）。このとき、転送電極５に
起因した段差が存在する表面に成膜されるため、第１の
絶縁膜８ａには、転送電極５同士間、すなわち受光部２
に対応する部分に、凹部が形成される。なお、第１の絶
縁膜８ａの材料および形成方法は、第１の実施形態と同
様のものを採用することができる。

【００４５】続いて、第１の絶縁膜８ａにリフロー処理
を施し、第１の絶縁膜８ａの凹部を曲面、すなわちレン
ズ形状に加工する（図５Ｄ）。第１の実施形態と同様
に、レンズ形状の曲率はリフローの程度に依存し、リフ
ローの程度は、第１の絶縁膜８ａの膜厚および組成、リ
フロー処理温度などによって調整できる。

【００４６】第１の絶縁膜８ａの組成およびリフロー処
理温度は、第１の実施形態と同様に設定することができ
る。但し、本実施形態においては、第１の絶縁膜８ａと
してＢＰＳＧを使用した場合、そのリフロー処理に伴
い、第１の絶縁膜８ａから第３の絶縁膜８ｃへＢおよび
Ｐが拡散するため、第３の絶縁膜８ｃがリフローされ易
くなる場合がある。従って、本実施形態においては、第
１の絶縁膜８ａのＢおよびＰ濃度をできるだけ低くする
こと、リフロー処理温度をできるだけ低くすることが好
ましい。

【００４７】第１の絶縁膜８ａにリフロー処理を施した
後、第１の絶縁膜８ａ上に第２の絶縁膜８ｂを形成する
（図６Ｅ）。このとき、第２の絶縁膜８ｂには、受光部
２に対応する部分に、第１の絶縁膜８ａの形状に沿った
凹部、すなわちレンズ形状の凹部が形成される。なお、
第２の絶縁膜８ｂの材料および形成方法は、第１の実施
形態と同様のものを採用することができる。

【００４８】第１の絶縁膜８ａの膜厚（Ｔ１）、第２の
絶縁膜８ｂの膜厚（Ｔ２）および第３の絶縁膜８ｃの膜
厚（Ｔ３）は、その合計（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）が小さい
ほど集光効率を向上させることができるが、この合計膜
厚が小さすぎると、絶縁膜上の配線（図示せず。）と転
送電極５との十分な電気的耐圧が確保されない場合があ
る。従って、絶縁膜の合計膜厚は、これらを考慮して設
定することが好ましい。絶縁膜の合計膜厚（Ｔ１＋Ｔ２
＋Ｔ３）は、画素サイズに応じても異なるが、例えば
０．５〜０．８μｍ、好ましくは０．６〜０．７μｍで
ある。

【００４９】また、各絶縁膜の膜厚は、特に限定するも
のではないが、（Ｔ１＋Ｔ３）≧Ｔ２なる関係を満たす
ことが好ましい。第１の絶縁膜８ａと第３の絶縁膜８ｃ
との合計（Ｔ１＋Ｔ３）は、画素サイズに応じても異な
るが、例えば０．２〜０．７μｍ、好ましくは０．３〜
０．５μｍである。

【００５０】更に、第１の絶縁膜８ａの膜厚（Ｔ１）と
第３の絶縁膜８ｃの膜厚（Ｔ３）は、Ｔ１≧Ｔ３なる関
係を満たすことが好ましい。

【００５１】以上のことから、画素サイズなどに応じて
も異なるが、各絶縁膜の膜厚は次のように設定される。
第１の絶縁膜８ａの膜厚（Ｔ１）は、例えば０．１〜
０．５μｍに設定される。第２の絶縁膜８ｂの膜厚（Ｔ
２）は、例えば０．１〜０．２μｍに設定される。ま
た、第３の絶縁膜８ｃの膜厚（Ｔ３）は、例えば０．１
〜０．２μｍに設定される。

【００５２】次に、必要に応じて、配線および反射防止
膜を形成した後、透明材料膜９を形成する（図６Ｆ）。
更に、透明材料膜９上に、カラーフィルタ１０およびオ
ンチップレンズ１１を形成し、固体撮像装置が作製され
る（図６Ｇ）。なお、これらの工程は、第１の実施形態
と同様に実施することができる。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、層内レンズの形状および厚み、層内レンズか
ら受光部までの距離を好適に制御することができ、その
結果、集光効率を向上させた固体撮像装置を製造するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の製造方法により製造され得る固体撮
像装置の構造の一例を示す断面図である。

【図２】 本発明の製造方法の一例を説明するための工
程断面図である。

【図３】 本発明の製造方法の一例を説明するための工
程断面図である。

【図４】 本発明の製造方法により製造され得る固体撮
像装置の構造の別の一例を示す断面図である。

【図５】 本発明の製造方法の別の一例を説明するため
の工程断面図である。

【図６】 本発明の製造方法の別の一例を説明するため
の工程断面図である。

【図７】 従来の固体撮像装置の構造を示す断面図であ
る。

【図８】 従来の製造方法を説明するための工程断面図
である。

【図９】 従来の製造方法を説明するための工程断面図
である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 受光部 ３ 電荷転送部 ４ ゲート絶縁膜 ５ 転送電極 ６ 層間絶縁膜 ７ 遮光膜 ８ 絶縁膜 ８ａ 第１の絶縁膜 ８ｂ 第２の絶縁膜 ８ｃ 第３の絶縁膜 ９ 透明材料膜 １０ カラーフィルタ １１ オンチップレンズ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ Ｆターム(参考） 4M118 AA01 AB01 BA10 CA03 CB14 DA28 EA01 FA26 GB11 GB17 GC07 GD04 GD07 5C024 CX41 CY47 GX07 5F049 MA02 NA19 NA20 NB05 PA03 PA05 QA17 SE05 SZ07 SZ10 SZ20 TA12 5F088 AA11 BA15 BA20 BB03 JA06 JA12 JA13 JA20

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板表層部に受光部および電荷転送部を
   形成する工程と、前記電荷転送部上にゲート絶縁膜を介
   して転送電極を形成する工程と、前記転送電極を被覆す
   るように遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜および前
   記受光部を被覆し、且つ、前記受光部上に凹部が形成さ
   れるように、第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１
   の絶縁膜にリフロー処理を施し、前記凹部の形状をレン
   ズ状に加工する工程と、前記第１の絶縁膜を被覆し、且
   つ、前記受光部上にレンズ状の凹部が形成されるよう
   に、第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜
   上に透明材料膜を形成する工程と、前記透明材料膜表面
   を平坦化する工程とを備えたことを特徴とする固体撮像
   装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第１の絶縁膜の膜厚が０．１〜０．
   ５μｍである請求項１に記載の固体撮像装置の製造方
   法。
3. 【請求項３】 前記第２の絶縁膜の膜厚が０．１〜０．
   ３μｍである請求項１または２に記載の固体撮像装置の
   製造方法。
4. 【請求項４】 前記第１の絶縁膜が、ＢおよびＰの少な
   くとも一方を含むシリコン酸化膜である請求項１〜３の
   いずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記第２の絶縁膜が、シリコン酸化膜、
   シリコン窒化酸化膜およびシリコン窒化膜からなる群よ
   り選ばれる少なくとも１種の膜である請求項１〜４のい
   ずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
6. 【請求項６】 更に、前記遮光膜を被覆するように第３
   の絶縁膜を形成する工程を含み、前記第１の絶縁膜を前
   記第３の絶縁膜上に形成する請求項１〜５のいずれかに
   記載の固体撮像装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記第３の絶縁膜の膜厚が０．１〜０．
   ２μｍである請求項６に記載の固体撮像装置の製造方
   法。
8. 【請求項８】 前記第３の絶縁膜が、シリコン酸化膜、
   シリコン窒化酸化膜およびシリコン窒化膜からなる群よ
   り選ばれる少なくとも１種の膜である請求項６または７
   に記載の固体撮像装置の製造方法。