JP2005166919A

JP2005166919A - 固体撮像装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP2005166919A
Application number: JP2003403157A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Kato; 良章加藤
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-12-02
Filing date: 2003-12-02
Publication date: 2005-06-23

Abstract

【課題】入射角度が垂直から大きく外れていても有効に入射光を集光でき、感度特性が高い固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】入射光を光電変換するフォトダイオード１と、フォトダイオード１上に形成された第１の誘電膜８２と、第１の誘電膜８２のフォトダイオード開口部に相対する部分の上に接触し、その他の部分には接触せずに第１の誘電膜８２と中空層９を隔てて形成され、フォトダイオード１から離れるにつれて開口面積が広がる漏斗形状の第２の誘電膜８３と、第２の誘電膜８３の中空層９側に接触して形成され、第１の誘電膜８２とは接触しない第３の誘電膜２１とを備える。第２の誘電膜８３の屈折率よりも、第３の誘電膜２１の屈折率の方が高い。第１、第２および第３の誘電膜８２、８３および２１のうち少なくとも１つは、無機誘電膜である。
【選択図】図１

Description

本発明は、デジタルスチルカメラや一体型ビデオカメラ等に搭載される固体撮像装置とその製造方法に関するものである。

近年、固体撮像装置は、一体型ビデオカメラやデジタルスチルカメラなどの撮像部に搭載され広く実用に供されている。その中でインターライン転送方式ＣＣＤ型固体撮像装置（以下ＩＴ−ＣＣＤという）は、低雑音特性を有することから、特に注力されている。
図５は、従来の一般的なＩＴ−ＣＣＤの構成を示す模式図である。
図５において、ＩＴ−ＣＣＤ４０は、光電変換機能を有するフォトダイオード１、信号電荷を垂直方向に転送する埋め込み型チャンネル構成の垂直転送部２、垂直転送を制御する垂直転送ゲート３、信号電荷を水平方向に転送する水平転送部４、および出力部５を備える。

図６は、図５におけるＩＴ−ＣＣＤ４０の単位画素である、固体撮像装置３０を示す図である。固体撮像装置３０は、フォトダイオード１と垂直転送部２と垂直転送ゲート３とを備える。
図７は、図６における固体撮像装置３０のＡ−Ａ’の断面模式図である。
図７において、固体撮像装置３０は、シリコン基板１１上のフォトダイオード１と垂直転送部２、垂直転送ゲート３、入射した光をフォトダイオード１に入射させ且つ垂直転送部２などその他の領域に入射させないための遮光膜６、ＳｉＯ₂を主成分とする誘電膜８１および８２、保護膜１０、平坦化と色フィルターの役割を併用する有機誘電膜１２、および、入射光をフォトダイオード１に集光するための有機膜で形成されたレンズ７を備える。

図８は、従来の固体撮像装置の製造方法を示す図である。図８（ａ）に示すように、フォトダイオード１と垂直転送部２が形成されたシリコン基板１１上に、垂直転送ゲート３、誘電膜８１、遮光膜６および誘電膜８２を順次形成後、その上部に漏斗状の保護膜１０が形成される。この後、図８（ｂ）に示すように、有機の誘電膜１２を形成後、その上部にレンズ７を形成している。

また、特許文献１には、水溶性の樹脂を塗布し、その上部を別の樹脂で覆い、後に水溶性樹脂を溶かすことで気体層を形成するという固体撮像装置の製造方法が開示されている。
また、特許文献２には、フォトダイオード上部にチタン酸化膜などの屈折率が２．０程度の高さの材料を使用することで、境界での全反射を利用して光の集光を改善している固体撮像装置の構成が開示されている。
特許第２８６９２８０号公報特開平７−４５８０５号公報

しかしながら、上記構成の従来の固体撮像装置では、レンズの集光が不十分な場合に入射光を有効に利用することが出来ない、という問題がある。
すなわち、図７において固体撮像装置３０に入射する光は、固体撮像装置３０に対して垂直に入射するときにはレンズ７により効果的に集光されフォトダイオード１に有効に入射するが、入射角度が垂直から外れていくとフォトダイオード１に集光されず、遮光膜６の表面で乱反射などし、入射光を有効利用することが出来ない。

特に、最近のカメラの小型化に伴い、固体撮像装置としては単位画素の小型化とカメラに使用されるレンズの短射出瞳距離化が顕著である。
単位画素の小型化は、遮光膜６の開口であるフォトダイオード開口幅の縮小につながり、垂直転送ゲート３の膜厚が開口幅の縮小率の割合で薄膜化出来ないこともあり、狭い縦坑状の構造になり、入射光の集光が困難になってきている。

また、カメラレンズの短射出瞳距離化は固体撮像装置への入射光の角度が垂直から大きく外れている光の割合が増加することを意味しており、これも入射光のフォトダイオード１への有効な集光を困難にする。
また、特許文献１に開示された製造方法によれば、水溶性の樹脂を塗布しその上部を別の樹脂で覆い、後に水溶性樹脂を溶かすことで気体層を形成すると開示されているが、本技術では水溶性樹脂を凹凸の激しい固体撮像装置表面に薄く均一に塗布することが困難で、凹部に液だまりを生じたり、もしくは凹部全体が樹脂で埋まったり、もしくは、凹部一部に泡状に樹脂が塗布できない領域が出来てしまうので、均一な特性を得る製造方法ではない。

また、特許文献２に開示された構成によれば、フォトダイオード上部にチタン酸化膜などの屈折率が２．０程度の高さの材料を使用することで境界での全反射を利用して光の集光を改善しているが、屈折率の高い材料は同時に光の吸収率も上昇し、光がフォトダイオードに入射される前に減衰してしまう悪影響がある。この影響は特に可視領域の短波長側で顕著になり、入射光の色バランスが赤の方向に偏る傾向が強い。

そこで、本発明は、入射角度が垂直から大きく外れていても有効に入射光を集光でき、感度特性が高い固体撮像装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係る固体撮像装置は、入射光を光電変換するフォトダイオードと、前記フォトダイオード上に形成された第１の誘電膜と、前記第１の誘電膜の前記フォトダイオード開口部に相対する部分の上に接触し、その他の部分には接触せずに前記第１の誘電膜と中空層を隔てて形成された第２の誘電膜と、前記第２の誘電膜の前記中空層側に接触して形成され、前記第１の誘電膜とは接触しない第３の誘電膜とを備えることを特徴とする。

または、入射光を光電変換するフォトダイオードと、前記フォトダイオード上に形成された第１の誘電膜と、前記第１の誘電膜の前記フォトダイオード開口部に相対する部分の上に接触し、その他の部分には接触せずに前記第１の誘電膜と中空層を隔てて形成された第３の誘電膜と、前記第３の誘電膜上に接触して形成された第２の誘電膜とを備えることを特徴とする。

さらに、前記第２の誘電膜は、前記フォトダイオードから離れるにつれて開口面積が広がる漏斗形状であることを特徴とする。
また、前記第２の誘電膜の屈折率よりも、前記第３の誘電膜の屈折率の方が高いことを特徴とする。
さらに、前記第２の誘電膜の屈折率は１．４以上１．６未満であり、前記第３の誘電膜の屈折率は１．６以上３．４未満であることを特徴とする。

前記第１、前記第２および前記第３の誘電膜のうち少なくとも１つは無機誘電膜であることを特徴とする。
また、本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、前記フォトダイオードの上に前記第１の誘電膜を形成する工程と、前記第１の誘電膜上に第４の誘電膜を形成する工程と、前記第４の誘電膜上に前記第３の誘電膜を形成する工程と、前記第３および前記第４の誘電膜のフォトダイオード開口部に相対する部分をエッチング除去する工程と、前記フォトダイオード開口部に相対する部分の前記第1の誘電膜上、および、前記第３の誘電膜上に前記第２の誘電膜を形成する工程と、前記第２の誘電膜を平坦化する工程と、前記フォトダイオードの境界外周部において、前記第２および前記第３の誘電膜を前記第４の誘電膜上まで選択的にエッチング除去する工程と、前記第４の誘電膜を、前記第１、前記第２および前記第３の誘電膜をマスクとして選択的に等方的エッチングする工程とを含むことを特徴とする。

または、前記フォトダイオードの上に第１の誘電膜を形成する工程と、前記第１の誘電膜上に第４の誘電膜を形成する工程と、前記第４の誘電膜のフォトダイオード開口部に相対する部分をエッチング除去する工程と、前記フォトダイオード開口部に相対する部分の前記第１の誘電膜上、および、前記第４の誘電膜上に前記第３の誘電膜を形成する工程と、前記第３の誘電膜上に前記第２の誘電膜を形成する工程と、前記第２の誘電膜を平坦化する工程と、前記フォトダイオードの境界外周部において、前記第２および前記第３の誘電膜を前記第４の誘電膜上まで選択的にエッチング除去する工程と、前記第４の誘電膜を、前記第１、前記第２および前記第３の誘電膜をマスクとして選択的に等方的エッチングする工程とを含むことを特徴とする。

前記第４の誘電膜は、成分に融点が７００℃以上の高融点金属を有する誘電膜または導電膜であることを特徴とする。

本発明の構成によれば、中空層と誘電膜との境界で形成される屈折率差により入射光の全反射を生じさせ、これにより有効に入射光をフォトダイオードに集光することが出来るため、感度特性を大幅に向上することが出来る。特に狭い縦坑状の構造を持つ固体撮像装置においても、また、固体撮像装置への入射角度が垂直から大きく外れていても有効に入射光を集光できる。しかも、フォトダイオード上部はほとんどが低屈折材料で出来ており、全反射効果を最大限に引き出しながらフォトダイオードへ光が入射する前の減衰を最小限にとどめることが出来る。これらにより、固体撮像装置の感度特性を向上することが出来る。

また、本発明に係る固体撮像装置の製造方法では、フォトダイオード表面での反射防止膜を同時に形成することが出来るので、製造コストを低減することが出来る。また、中空層を均一に形成できるため、屈折率差を最大限に利用することができる。

以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明を行う。

図１は、本発明の実施例１に係る固体撮像装置の断面構造を示す図である。
図１において、固体撮像装置５１は、光電変換機能を有するフォトダイオード１、信号電荷を垂直方向に転送する埋め込み型チャンネル構成の垂直転送部２、垂直転送を制御する垂直転送ゲート３、入射した光をフォトダイオード１に入射させ且つ垂直転送部２などその他の領域に入射させないための遮光膜６、ＳｉＯ₂を主成分とする誘電膜８１、８２および８３、ＳｉＯＮを主成分とする誘電膜２１、保護膜１０、平坦化と色フィルターの役割を併用する有機の誘電膜１２、入射光をフォトダイオード１に集光するための有機膜で形成されたレンズ７、およびシリコン基板１１を備え、誘電膜８２と誘電膜２１の間に中空層９を有する。

図２は、本発明の実施例１に係る固体撮像装置の製造方法を示す図である。
図２（ａ）は、遮光膜６と誘電膜８２を形成した後に、ＳｉＮを主成分とした誘電膜１３とＳｉＯＮを主成分とした誘電膜２１を形成したところを示している。これは例えばプラズマやＵＶ(ultraviolet)を利用して膜の形成温度を低下させたＣＶＤ(Chemical-Vapor Deposition)等のＳｉＮ膜またはＳｉＯＮ膜の形成方法を用いることで可能である。なお、誘電膜８２を形成するところまでは従来の固体撮像装置の製造方法と同様でよい。

次に図２（ｂ）に示すように、フォトレジスト１４をフォトダイオード１上部で開口するようにパターニングし、これにより誘電体膜１３と誘電膜２１をエッチングする。
次にフォトレジスト１４を除去し、誘電体膜８３を形成し平坦化したところが図２（ｃ）である。
次に再びフォトレジスト１４により、隣接するフォトダイオード１との境界部で誘電体膜８３と誘電膜２１をエッチングしたところが図２（ｄ）である。

次にフォトレジスト１４を除去し、先に形成した誘電体膜８３にて隣接するフォトダイオードの境界部でエッチングした個所からＳｉＮを主成分とした誘電体膜１３を等方的エッチングし、中空層９を形成したところが図２（ｅ）である。
これには例えば、ＣＦ₄や、ＣＣｌ₄などＦ（フッ素）やＣｌ（塩素）がエッチングの主成分となるガスを用いてドライエッチすることにより、選択的にＳｉＮを主成分としている誘電膜１３のみを除去することが出来る。

次に保護膜１０で全体を覆い、その後、有機膜１２と有機膜のレンズ７を形成したところが図２（ｆ）である。有機膜１２は従来例と同様に平坦化の役割と色フィルターの役割をもつ。
以上のように構成された本発明の実施例１において、中空層９と誘電膜２１との境界部においてその屈折率は誘電膜２１の方が大きい。なお、中空層９の誘電率は真空の誘電率１である。従って、誘電膜２１から中空層９の界面においてその屈折率差に応じて全反射が起きる。

誘電膜２１の屈折率をｎとすると、全反射角θは
ｃｏｓθ＝１／ｎ・・・（１）
という関係を満たす。例えばｎ＝２．０のとき、式（１）に従うとθ＝６０．０°になる。これは誘電体膜２１と中空層９の境界にてその点に接する面から６０．０°の角度まで全反射が起こることを意味する。

例えば、誘電体膜８３を屈折率が１．４以上１．６未満のＳｉＯ₂膜で形成し、誘電膜２１を屈折率が１．６以上３．４未満のＳｉＯＮ膜で形成した場合、誘電膜２１がない場合には全反射角は４４．４度以上５１．３度未満となるが、誘電膜２１を設けることにより５１．３度以上７２．８度以下となり全反射の条件が緩くなる。これにより、フォトダイオード開口部へのレンズ７による集光が不十分であっても、中空層９の界面での全反射による入射光のガイド機能により、フォトダイオード１へ有効に入射光を集めることが出来る。

なお、ＳｉＮ膜１３はＣＶＤ法等の成膜方法により形成されるため、特許文献１に開示されたような水溶性の樹脂を塗布する製造方法にて問題であった形成膜の不均一性は、本製造方法では全く問題とはならない。
また、ＳｉＮ膜１３の代わりにＳｉ膜を使用すると、ＳｉがＦやＣｌの活性種と反応しやすく、更に良好なエッチング特性が得られる。

また、ＳｉＮ膜１３の代わりにＴｉ膜、ＴｉＮ膜など融点が７００℃以上の高融点金属を成分に持つ膜を使用すると、この膜がＦやＣｌの活性種と反応しやすく、エッチングにより除去しやすくなる。
また、中空層９をエッチングするときには有機のフォトレジストを使用せず、パターニングされた誘電膜８３をフォトレジスト代わりにしている。フォトレジストをドライエッチ時に使用するとエッチング途中にフォトレジストから発生した生成物がエッチング活性種となり選択性を低下させるが、本発明の技術によれば中空層エッチング時にフォトレジストを使用しないので、良好な選択性を得ることが出来る。

図３は、本発明の実施例２に係る固体撮像装置の断面構造を示す図である。
本実施例２に係る固体撮像装置においては、誘電膜２１がフォトダイオード１の上部にもあり、フォトダイオード１のＳｉ基板１１界面上部にてＳｉＯ₂膜８２との多層構造を形成している点が実施例１と異なる。
図３に示すように、固体撮像装置５２は、フォトダイオード１、垂直転送部２、垂直転送ゲート３、入射した光をフォトダイオード１に入射し且つ垂直転送部２などその他の領域に入射しないための遮光膜６、ＳｉＯ₂を主成分とする誘電膜８１、８２および８３、ＳｉＯＮを主成分とする誘電膜２１、保護膜１０、平坦化と色フィルターの役割を併用する有機の誘電膜１２、入射光をフォトダイオード１に集光するための有機膜で形成されたレンズ７、およびシリコン基板１１を備え、フォトダイオード開口部に相対する部分の上以外の誘電膜８２と誘電膜２１の間に中空層９を有する。

図４は、本発明の実施例２に係る固体撮像装置の製造方法を示す図である。
図４（ａ）は、遮光膜６と誘電膜８２を形成した後に、ＳｉＮを主成分とした誘電膜１３を形成したところを示している。これには、例えばプラズマやＵＶを利用して膜の形成温度を低下させたＣＶＤ等のＳｉＮ膜の形成方法を用いている。また、誘電膜８２を形成するところまでは従来の固体撮像装置の製造方法と同様である。

次に図４（ｂ）に示すように、フォトレジスト１４をフォトダイオード１上部で開口するようにパターニングし、これにより誘電膜１３をエッチングする。
次にフォトレジスト１４を除去し、ＳｉＯＮを主成分とした誘電膜２１と誘電膜８３を形成し平坦化したところが図４（ｃ）である。
誘電膜２１の形成も、例えばプラズマやＵＶを利用して膜の形成温度を低下させたＣＶＤ等の形成方法を用いている。

次にフォトレジスト１４により、隣接するフォトダイオードの境界部で誘電膜８３と誘電膜２１をエッチングしたところが図４（ｄ）である。
次にフォトレジスト１４を除去し、先に形成した誘電膜８３にて隣接するフォトダイオードの境界部でエッチングした個所からＳｉＮを主成分とした誘電膜１３を等方的エッチングし、中空層９を形成したところが図４（ｅ）である。

これには例えば、ＣＦ₄や、ＣＣｌ₄などＦ（フッ素）やＣｌ（塩素）がエッチングの主成分となるガスを用いてドライエッチすることにより、選択的にＳｉＮを主成分としている誘電膜１３のみを除去することが出来る。
次に保護膜１０で全体を覆い、その後、有機膜１２と有機膜のレンズ７を形成したところが図４（ｆ）である。有機膜１２は従来例と同様に平坦化の役割と色フィルターの役割をもつ。

以上のように構成された本発明の実施例２において、中空層９と誘電膜２１との境界にて得られる屈折率差により、その境界にて全反射を起こし入射光をフォトダイオードに有効にガイドする機能をもつことは、本発明の実施例１に述べた通りである。
本発明の実施例２において、誘電膜２１はフォトダイオード１上部にも形成されており、フォトダイオード１のＳｉ基板１１の界面上部にてＳｉＯ₂膜８２との多層構造を形成している。

フォトダイオード１のＳｉ基板界面ではＳｉＯ₂とＳｉの屈折率差により光の反射が起きるが、誘電膜２１とＳｉＯＮ膜との多層構造にて反射防止効果を得るため、フォトダイオード１への光入射効率が向上する。
しかも、本発明の実施例２によれば、フォトダイオード１周辺での全反射を利用した光ガイド構造を形成すると同時に反射防止構造を形成することが出来る。

また、実施例２にては全反射を利用した入射光のガイドを形成時にフォトダイオード１のＳｉ基板界面での反射防止構造を形成し、更なる集光効果を得つつ製造コストを低下させることが出来る。
これらの技術は、固体撮像装置の単位画素の縮小に伴うフォトダイオードの深い縦坑状化や、カメラレンズが短射出瞳距離化による入射光角度の変化にも対応し、良好な撮像特性を得ることが出来る。従って、その実用的効果は大きい。

なお、本発明の実施例１および２ではＣＣＤ固体撮像装置を例に用いているが、ＭＯＳ型の固体撮像装置を用いても、同様の効果を得ることはいうまでもない。
また、その他のいかなる固体撮像装置であっても、光電変換機能を有するフォトダイオードを備えていれば本発明が有効であることはいうまでもない。
また、単位画素の面方向の微細化が進み、フォトダイオード面が深部に位置するとき、中空層は深部においてフォトダイオード上部の起点からほぼ垂直に、もしくは一部フォトダイオード中心に近づきその開口を狭める形状をとりながら上昇し、上部においてその開口が広がるような形状をしていても良い。この場合においても上部において集光された光が全反射によるガイドにより深部にあるフォトダイオードに効率よく導かれ、本発明が有効であることはいうまでもない。

また、中空層がフォトダイオード上部の起点からほぼ垂直に、もしくは一部フォトダイオード中心に近づき、その開口を狭める形状をとりながら上昇し、上部においてその開口が広がる形状をしていなくても、上部中空層開口において集光された光は全反射によるガイドにより深部にあるフォトダイオードに効率よく導かれ、本発明の中空層を用いた全反射による入射光のガイド効果は十分得ることが出来、同様の効果が得られることは明らかである。

本発明は、デジタルスチルカメラや一体型ビデオカメラ等に搭載されるＣＣＤ固体撮像装置やＭＯＳ型の固体撮像装置およびその製造方法に適用できる。

本発明の実施例１に係る固体撮像装置の断面構造を示す図である。（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施例１に係る固体撮像装置の製造方法を示す図である。本発明の実施例２に係る固体撮像装置の断面構造を示す図である。（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施例２に係る固体撮像装置の製造方法を示す図である。従来の固体撮像装置の概略平面図である。従来の固体撮像装置の単位画素の概略平面図である。従来の固体撮像装置の断面構造を示す図である。（ａ）および（ｂ）は、従来の固体撮像装置の製造方法を示す図である。

符号の説明

１フォトダイオード
２垂直転送部
３垂直転送ゲート
４水平転送部
５出力部
６遮光膜
７レンズ
９中空層
１０保護膜
１１シリコン基板
１２有機誘電膜
１３ＳｉＮ誘電膜
１４フォトレジスト
２１ＳｉＯＮ誘電膜
３０、５１、５２固体撮像装置
４０ＩＴ−ＣＣＤ
８１、８２、８３ＳｉＯ₂誘電膜

Claims

入射光を光電変換するフォトダイオードと、
前記フォトダイオード上に形成された第１の誘電膜と、
前記第１の誘電膜の前記フォトダイオード開口部に相対する部分の上に接触し、その他の部分には接触せずに前記第１の誘電膜と中空層を隔てて形成された第２の誘電膜と、
前記第２の誘電膜の前記中空層側に接触して形成され、前記第１の誘電膜とは接触しない第３の誘電膜と
を備えることを特徴とする固体撮像装置。
入射光を光電変換するフォトダイオードと、
前記フォトダイオード上に形成された第１の誘電膜と、
前記第１の誘電膜の前記フォトダイオード開口部に相対する部分の上に接触し、その他の部分には接触せずに前記第１の誘電膜と中空層を隔てて形成された第３の誘電膜と、
前記第３の誘電膜上に接触して形成された第２の誘電膜と
を備えることを特徴とする固体撮像装置。
前記第２の誘電膜は、前記フォトダイオードから離れるにつれて開口面積が広がる漏斗形状である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置。
前記第２の誘電膜の屈折率よりも、前記第３の誘電膜の屈折率の方が高い
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
前記第２の誘電膜の屈折率は１．４以上１．６未満であり、前記第３の誘電膜の屈折率は１．６以上３．４未満である
ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
前記第１、前記第２および前記第３の誘電膜のうち少なくとも１つは無機誘電膜である
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
請求項１記載の固体撮像装置の製造方法であって、
前記フォトダイオードの上に前記第１の誘電膜を形成する工程と、
前記第１の誘電膜上に第４の誘電膜を形成する工程と、
前記第４の誘電膜上に前記第３の誘電膜を形成する工程と、
前記第３および前記第４の誘電膜のフォトダイオード開口部に相対する部分をエッチング除去する工程と、
前記フォトダイオード開口部に相対する部分の前記第1の誘電膜上、および、前記第３の誘電膜上に前記第２の誘電膜を形成する工程と、
前記第２の誘電膜を平坦化する工程と、
前記フォトダイオードの境界外周部において、前記第２および前記第３の誘電膜を前記第４の誘電膜上まで選択的にエッチング除去する工程と、
前記第４の誘電膜を、前記第１、前記第２および前記第３の誘電膜をマスクとして選択的に等方的エッチングする工程と
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
請求項２記載の固体撮像装置の製造方法であって、
前記フォトダイオードの上に第１の誘電膜を形成する工程と、
前記第１の誘電膜上に第４の誘電膜を形成する工程と、
前記第４の誘電膜のフォトダイオード開口部に相対する部分をエッチング除去する工程と、
前記フォトダイオード開口部に相対する部分の前記第１の誘電膜上、および、前記第４の誘電膜上に前記第３の誘電膜を形成する工程と、
前記第３の誘電膜上に前記第２の誘電膜を形成する工程と、
前記第２の誘電膜を平坦化する工程と、
前記フォトダイオードの境界外周部において、前記第２および前記第３の誘電膜を前記第４の誘電膜上まで選択的にエッチング除去する工程と、
前記第４の誘電膜を、前記第１、前記第２および前記第３の誘電膜をマスクとして選択的に等方的エッチングする工程と
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
前記第４の誘電膜は、成分に融点が７００℃以上の高融点金属を有する誘電膜または導電膜である
ことを特徴とする請求項７または８に記載の固体撮像装置の製造方法。