JP2005229116A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005229116A JP2005229116A JP2005032184A JP2005032184A JP2005229116A JP 2005229116 A JP2005229116 A JP 2005229116A JP 2005032184 A JP2005032184 A JP 2005032184A JP 2005032184 A JP2005032184 A JP 2005032184A JP 2005229116 A JP2005229116 A JP 2005229116A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- imaging device
- solid
- state imaging
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 86
- 230000005570 vertical transmission Effects 0.000 description 27
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 230000005571 horizontal transmission Effects 0.000 description 5
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 4
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
- H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
- H01L27/14818—Optical shielding
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47K—SANITARY EQUIPMENT NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; TOILET ACCESSORIES
- A47K3/00—Baths; Douches; Appurtenances therefor
- A47K3/12—Separate seats or body supports
- A47K3/125—Body supports
- A47K3/127—Body supports for children or babies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
- H01L27/14837—Frame-interline transfer
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/625—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of smear
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Child & Adolescent Psychology (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に受光部が形成され、伝送手段が受光部に隣接し半導体基板上に形成される。受光部のすぐ上には開口を形成し前記受光部に向かって突出されたエッジを有し、伝送手段をカバーするように遮光膜が形成される。遮光膜は複数個の層からなり、そのエッジが凹レンズ形態に形成される。凹レンズ形態のエッジを有する遮光膜によって伝送手段、即ち、伝送レジストに入射される光成分を抑制しスミアーを減少させることができる。
【選択図】 図３
Description
本発明は固体撮像装置及びその製造方法に関し、より詳細にはスミアー（ｓｍｅａｒ）を減少させることができる固体撮像装置及びその製造方法に関する。
電荷結合素子（ｃｈａｒｇｅｄ ｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ；以下、ＣＣＤと称する）型カメラなどに使用されるＣＣＤ固体撮像装置は一つの画素を成す集光手段（即ち、受光部）が複数個配列され、入射される光を電気信号に変えた後デジタル信号に変換させる装置である。
このようなＣＣＤ固体撮像装置は、一般に、水平方向に飽和静電流を放電する水平オーバーフローＣＣＤ固体撮像装置と、基板方向、即ち、垂直方向に飽和静電荷を放電する垂直オーバーフローＣＣＤ固体撮像装置と、で分けられる。
水平オーバーフローＣＣＤ固体撮像装置は、受光部（ｌｉｇｈｔ ｓｅｎｓｉｎｇ ｒｅｇｉｏｎ）内の空乏層を除いた領域で光電変換された静電荷（ｓｔａｔｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎ）が伝送レジストに入り偽造信号、即ち、スミアーを起こすという問題がある。反面、垂直オーバーフローでＣＣＤ固体撮像装置は受光部内の空乏層を除いた領域で光電変換された静電荷が基板側に放電されるので水平オーバーフローＣＣＤにスミアーの発生率を低下させるという長所がある。
このようなＣＣＤ固体撮像装置は、一般に、水平方向に飽和静電流を放電する水平オーバーフローＣＣＤ固体撮像装置と、基板方向、即ち、垂直方向に飽和静電荷を放電する垂直オーバーフローＣＣＤ固体撮像装置と、で分けられる。
水平オーバーフローＣＣＤ固体撮像装置は、受光部（ｌｉｇｈｔ ｓｅｎｓｉｎｇ ｒｅｇｉｏｎ）内の空乏層を除いた領域で光電変換された静電荷（ｓｔａｔｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎ）が伝送レジストに入り偽造信号、即ち、スミアーを起こすという問題がある。反面、垂直オーバーフローでＣＣＤ固体撮像装置は受光部内の空乏層を除いた領域で光電変換された静電荷が基板側に放電されるので水平オーバーフローＣＣＤにスミアーの発生率を低下させるという長所がある。
従来の固体撮像装置によると、Ｎ型シリコン基板上の第１Ｐ型ウエル内にＮ型受光部、Ｎ型垂直伝送レジスト及びＰ型チャンネルストッパー領域が形成されている。
前記受光部の表面上にはＰ型静電荷蓄積領域が形成され、前記垂直伝送レジストのすぐ下には第２Ｐ型ウエルが形成されている。
多結晶シリコンからなる伝送電極がゲート絶縁膜を介在し前記垂直伝送レジスト上に選択的に形成されている。
前記伝送電極上には層間絶縁膜を介在し、例えば、ダングステンまたはアルミニウムの単一膜からなる遮光膜が形成されており、前記遮光膜を含む全面上には、例えば、プラズマシリコンナイトライドＳｉＮからなる表面保護膜が形成されている。
前記受光部の表面上にはＰ型静電荷蓄積領域が形成され、前記垂直伝送レジストのすぐ下には第２Ｐ型ウエルが形成されている。
多結晶シリコンからなる伝送電極がゲート絶縁膜を介在し前記垂直伝送レジスト上に選択的に形成されている。
前記伝送電極上には層間絶縁膜を介在し、例えば、ダングステンまたはアルミニウムの単一膜からなる遮光膜が形成されており、前記遮光膜を含む全面上には、例えば、プラズマシリコンナイトライドＳｉＮからなる表面保護膜が形成されている。
前記受光部と垂直伝送レジストとの間に形成されたＰ型領域は読み出しゲートに提供される。
前記遮光膜はエッチング工程を通じて前記受光部上で選択的に除去され、前記エッチング工程によって形成された開口を通じて光が前記受光部内に入射するようになる。
前記遮光膜はエッチング工程を通じて前記受光部上で選択的に除去され、前記エッチング工程によって形成された開口を通じて光が前記受光部内に入射するようになる。
前述した構造を有する従来のＣＣＤ固体撮像装置において、前記遮光膜を層間絶縁膜上に形成した後、エッチング工程を通じて前記受講部上の遮光膜を選択的に除去することで、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜などの透明な膜が前記遮光膜の開口の下部から前記垂直伝送レジストの上部まで連続的に形成されるようにする。
その結果、前記受光部側に入射された光のうち、回折された光が前記層間絶縁膜及びゲート絶縁膜を経て前記垂直伝送レジスト側に伝達され、伝達された光成分のうち一部分が垂直伝送レジストに入射されスミアーを誘発するようになる。
その結果、前記受光部側に入射された光のうち、回折された光が前記層間絶縁膜及びゲート絶縁膜を経て前記垂直伝送レジスト側に伝達され、伝達された光成分のうち一部分が垂直伝送レジストに入射されスミアーを誘発するようになる。
このようなスミアーの発生を減少させるために、遮光膜と受光部との間に形成される層間絶縁膜の厚さを薄くする方法が提案されたが、前記層間絶縁膜を薄膜化しスミアーを減少させるには限界がある。
また、前記受光部上に開口が正確に形成されるようにするために前記単一膜からなる遮光膜は異方性エッチング工程によってパターニングされるので、前記遮光膜のエッジは垂直プロファイルに形成される。
これにより、入射光の一部分が前記遮光膜のエッジ部で相当屈折され前記垂直伝送レジスト側に伝達されるようになる。
これにより、入射光の一部分が前記遮光膜のエッジ部で相当屈折され前記垂直伝送レジスト側に伝達されるようになる。
結果的に、従来のＣＣＤ固体撮像装置によると、前記垂直伝送レジストに斜めの方向に入射される傾斜光成分Ｌ１の以外に、前記基板の表面と遮光膜の下面との間で反射され垂直伝送レジストに入射される反射光成分Ｌ２が増加されることによって、スミアーが頻繁に発生する。
また、前記受光部上に開口が正確に形成されるようにするために前記単一膜からなる遮光膜は異方性エッチング工程によってパターニングされるので、前記遮光膜のエッジは垂直プロファイルに形成される。
これにより、入射光の一部分が前記遮光膜のエッジ部で相当屈折され前記垂直伝送レジスト側に伝達されるようになる。
これにより、入射光の一部分が前記遮光膜のエッジ部で相当屈折され前記垂直伝送レジスト側に伝達されるようになる。
結果的に、従来のＣＣＤ固体撮像装置によると、前記垂直伝送レジストに斜めの方向に入射される傾斜光成分Ｌ１の以外に、前記基板の表面と遮光膜の下面との間で反射され垂直伝送レジストに入射される反射光成分Ｌ２が増加されることによって、スミアーが頻繁に発生する。
従って、本発明の一目的は、スミアーを減少させることができる固体撮像装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、スミアーを減少させることができる固体撮像装置の製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、スミアーを減少させることができる固体撮像装置の製造方法を提供することにある。
前記した一目的を達成するための本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に形成された受光部、及び前記受光部と連通する開口を含む遮光膜を具備し、前記開口を限定する前記遮光膜の側壁は凹んでいる形状に形成される。望ましくは、前記受光部に隣接し前記半導体基板上に形成された伝送手段をさらに含む。前記伝送手段は、前記半導体基板上に形成された伝送レジスト、及び前記伝送レジスト上に絶縁膜を介在し配列された伝送電極を含む。一実施例として、前記遮光膜は第１層、前記第１層上に形成された第２層及び前記第２層上に形成された第３層を含み、前記第１層と第３層は前記第２層より前記開口の内部にさらに突出する。また、前記第１層及び第３層は同一のエッチング比を有し、前記第２層と相異するエッチング比を有する。前記第１層及び第３層は同一の物質からなり、前記第２層は前記第１層及び第３層と相異する物質からなる。望ましくは、前記固体撮像装置は前記受光部と遮光膜をカバーする保護膜をさらに含み、前記固体撮像装置はＣＣＤを含む。
前記した他の目的を達成するための本発明の他の特徴によると、スミアーを減少させることができる固体撮像装置の製造方法が開示される。まず、半導体基板上に受光部を形成する。続いて、前記受光部の上部に遮光膜を形成した後、前記遮光膜を部分的にエッチングして前記受光部と連通する開口を形成する。続いて、前記開口を限定する前記遮光膜の側壁を凹んでいるように形成する。一例として、前記遮光膜を形成する段階は第１層を積層する段階、前記第１層の上部に第２層を積層する段階、及び前記第２層の上部に第３層を積層する段階を含み、前記第１層と第３層は同一の物質からなり、前記第２層は前記第１層及び第３層と相異する物質からなる。一例で、前記第１層及び第３層はチタン窒化膜ＴｉＮからなり、前記第２層はダングステンからなる。また、前記第１層及び第３層は同一のエッチング比を有し、前記第２層は前記第１層及び第３層と相異するエッチング比を有する。一例で、前記開口を形成する段階は、前記第１膜、第２膜及び第３膜を順次に異方性エッチングする段階、及び前記第１膜及び第３膜が前記第２膜より遅くエッチングされるように前記第１膜、第２膜及び第３膜を等方性エッチングする段階を含む。望ましくは、前記等方性エッチングの後、洗浄工程をさらに実施する。一例で、前記洗浄液は水酸化アンモニウムＮＨ４ＯＨ、過酸化水素Ｈ２Ｏ２及び脱イオン水を含む。
望ましくは、前記半導体基板上に伝送レジストを形成する段階、前記伝送レジスト上に絶縁膜を形成する段階、及び前記絶縁膜上に伝送電極を形成する段階とさらに含み、このとき、前記伝送電極は前記遮光膜の下部に位置する。一実施例として、前記受光部と前記遮光膜をカバーするように保護膜がさらに形成されることができる。
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施形態をより詳細に説明する。
図１は本発明の望ましい実施形態によるＣＣＤ固体撮像装置の平面図で、インターチェンジ・ライン・トランスファー（ｉｎｔｅｒｃｈａｎｇｅ ｌｉｎｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ；以下、ＩＴと称する）型ＣＣＤ固体撮像装置を例にしている。ＩＴ型ＣＣＤ固体撮像装置は垂直方向の電荷伝送電極及び水平方向の電荷伝送電極によって画像信号が判読される構造を有する。
図１及び図２に示すように、本発明のＩＴ型ＣＣＤ固体撮像装置１００は複数個の受光部１０４がマトリックス状に配列され、各受光部１０４列の一側にライン型垂直伝送レジスト１０６が配列される撮像部１４０、前記撮像部１４０の一側に配置される水平伝送レジスト１４２、及び前記水平伝送レジスト１４２の出力側に接続される出力回路１４４を含む。
図１は本発明の望ましい実施形態によるＣＣＤ固体撮像装置の平面図で、インターチェンジ・ライン・トランスファー（ｉｎｔｅｒｃｈａｎｇｅ ｌｉｎｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ；以下、ＩＴと称する）型ＣＣＤ固体撮像装置を例にしている。ＩＴ型ＣＣＤ固体撮像装置は垂直方向の電荷伝送電極及び水平方向の電荷伝送電極によって画像信号が判読される構造を有する。
図１及び図２に示すように、本発明のＩＴ型ＣＣＤ固体撮像装置１００は複数個の受光部１０４がマトリックス状に配列され、各受光部１０４列の一側にライン型垂直伝送レジスト１０６が配列される撮像部１４０、前記撮像部１４０の一側に配置される水平伝送レジスト１４２、及び前記水平伝送レジスト１４２の出力側に接続される出力回路１４４を含む。
前記撮像部１４０で、有効画素領域１４６の受光部１０４を除いた垂直伝送レジストを含む領域と、黒色の基準レベルを規定するための光学ブラック領域１４８、及び水平伝送レジスト１４２の全面に遮光膜１２５が形成される。
前述した構造を有する本発明のＣＣＤ固体撮像装置において、各受光部１０４で入力光Ｌが信号電荷に光電変換されて蓄積され、このように蓄積された信号電荷は伝送手段、即ち、垂直伝送レジスト１０６及び伝送電極(図示せず)を通じて伝送される。また、各水平ライン毎に信号電荷が水平伝送レジスト１４２に伝送され、出力回路１４４を通じて出力される。
前述した構造を有する本発明のＣＣＤ固体撮像装置において、各受光部１０４で入力光Ｌが信号電荷に光電変換されて蓄積され、このように蓄積された信号電荷は伝送手段、即ち、垂直伝送レジスト１０６及び伝送電極(図示せず)を通じて伝送される。また、各水平ライン毎に信号電荷が水平伝送レジスト１４２に伝送され、出力回路１４４を通じて出力される。
図２は図１のｌ−ｌ’線によるＣＣＤ固体撮像装置の断面図で、有効画素領域１４６の断面構造を示している。
図２に示すように、Ｎ型シリコン基板１０１上の第１Ｐ型ウエル１０２内にＮ型受光部１０４、Ｎ型垂直伝送レジスト１０６及びＰ型チャンネルストッパー領域１０８が形成されている。
マトリックス状に配列される前記受光部１０４は入力光Ｌが信号電荷に変換され蓄積される光電変換領域として、一つの受光部１０４と一つの垂直伝送レジスト１０６が一つの単位画素を構成する。
前記垂直伝送レジスト１０６は前記受光部１０４に隣接しライン状に配列され、前記受光部１０４によって光電変換された信号電荷（即ち、電気信号）を次の段階に伝送する役割をする。
図２に示すように、Ｎ型シリコン基板１０１上の第１Ｐ型ウエル１０２内にＮ型受光部１０４、Ｎ型垂直伝送レジスト１０６及びＰ型チャンネルストッパー領域１０８が形成されている。
マトリックス状に配列される前記受光部１０４は入力光Ｌが信号電荷に変換され蓄積される光電変換領域として、一つの受光部１０４と一つの垂直伝送レジスト１０６が一つの単位画素を構成する。
前記垂直伝送レジスト１０６は前記受光部１０４に隣接しライン状に配列され、前記受光部１０４によって光電変換された信号電荷（即ち、電気信号）を次の段階に伝送する役割をする。
前記受光部１０４の表面上にはＰ型静電荷蓄積領域１１０が形成され、前記垂直伝送レジスト１０６のすぐ下には第２Ｐ型ウエル１１２が形成されている。
多結晶シリコンからなる伝送電極１１６がゲート絶縁膜１１４を介在し前記垂直伝送レジスト１０６上に選択的に形成されている。前記伝送電極１１６は垂直伝送レジスト１０６と共にライン方向から前記受光部１０４によって光電変換された信号電荷を伝送する領域である。
前記受光部１０４と垂直伝送レジスト１０６との間に形成されたＰ型領域は読み出しゲート１３２に提供される。
前記伝送電極１１６上には層間絶縁膜１１８を介在し複数個の層からなる遮光膜１２５が形成されている。前記遮光膜１２５は受光部１０４を除いたある領域に入ることを遮断する役割をする。
多結晶シリコンからなる伝送電極１１６がゲート絶縁膜１１４を介在し前記垂直伝送レジスト１０６上に選択的に形成されている。前記伝送電極１１６は垂直伝送レジスト１０６と共にライン方向から前記受光部１０４によって光電変換された信号電荷を伝送する領域である。
前記受光部１０４と垂直伝送レジスト１０６との間に形成されたＰ型領域は読み出しゲート１３２に提供される。
前記伝送電極１１６上には層間絶縁膜１１８を介在し複数個の層からなる遮光膜１２５が形成されている。前記遮光膜１２５は受光部１０４を除いたある領域に入ることを遮断する役割をする。
望ましくは、前記遮光膜１２５は、第１層１２０、前記第１層１２０とエッチング選択比を有する第２層１２２、及び前記第１層１２０と同一のエッチング速度を有する第３層１２４が順次に積層された３つの層で構成される。さらに望ましくは、前記第１層１２０と第３層１２４は同一の物質、例えば、チタンナイトライドからなり、前記第２層１２２は前記第１層１２０より速い速度を有する物質、例えば、ダングステンＷからなる。
前記遮光膜を含む全面上には入射光Ｌについて透過性を有する表面保護膜が形成される。望ましくは、前記表面保護膜は低い屈折率を有する物質、例えば、ＢＰＳＧからなる第１保護膜１３４と、高い屈折率を有する物質、例えば、シリコンナイトライドＳｉＮからなる第２保護膜１３５で構成される。
前記遮光膜を含む全面上には入射光Ｌについて透過性を有する表面保護膜が形成される。望ましくは、前記表面保護膜は低い屈折率を有する物質、例えば、ＢＰＳＧからなる第１保護膜１３４と、高い屈折率を有する物質、例えば、シリコンナイトライドＳｉＮからなる第２保護膜１３５で構成される。
前記ＢＰＳＧからなる第１保護膜１３４はリフロー工程を通じてその表面が凹部と突出部を有するように形成され、前記ＳｉＮからなる第２保護膜１３５は平坦な表面を有するように形成される。一般に、ＳｉＮはＢＰＳＧに比べて２倍程度大きい屈折率を有するので、前記第１保護膜１３４と第２保護膜１３５は入射光Ｌを受光部１０４側に集光させる内部レンズの役割をする。
前記第２保護膜１３５上にはカラーフィルター層１３６が形成され、入射光Ｌを受光部１０４に集光させるためのオンチップレンズ１３８がそれぞれの画素、即ち、それぞれの受光部１０４に対して提供される。
一般に、撮像センサーであるＣＣＤは光の強度、即ち、明暗のみを記録することができるので、前記ＣＣＤセンサーの前にカラーフィルターを置き、これを通過した情報を貯蔵しこれを前記ＣＣＤセンサで貯蔵された明暗情報と足してカラーイメージを生成するようになる。
前記第２保護膜１３５上にはカラーフィルター層１３６が形成され、入射光Ｌを受光部１０４に集光させるためのオンチップレンズ１３８がそれぞれの画素、即ち、それぞれの受光部１０４に対して提供される。
一般に、撮像センサーであるＣＣＤは光の強度、即ち、明暗のみを記録することができるので、前記ＣＣＤセンサーの前にカラーフィルターを置き、これを通過した情報を貯蔵しこれを前記ＣＣＤセンサで貯蔵された明暗情報と足してカラーイメージを生成するようになる。
前記遮光膜１２５はエッチング工程を通じて前記受光部１０４上で選択的に除去され、前記エッチング工程によって形成された開口１３１を通じて光が前記受光部１０４内に入射されるようになる。このとき、受光部１０４側に突出され前記開口１３１を形成する遮光膜１２５のエッジ１２５ａは前記遮光膜１２５を構成する層間のエッチング速度の差異を利用した等方性エッチング工程によって凹レンズ形状を有するようになる。
従って、受光部１０４に入射される光Ｌのうち、傾斜光成分Ｌ１が遮光膜１２６のエッジ１２５ａで屈折されても、凹レンズ形状のエッジ１２５ａによって屈折された傾斜光成分Ｌ１の大部分は上部の表面保護膜側に反射されるか下部の基板側に反射される。
即ち、前記遮光膜１２５のエッジ１２５ａに入射される傾斜光成分Ｌ１のうち前記遮光膜１２５の下面の絶縁膜を通じて垂直伝送レジスト１０６に入射される反射光成分Ｌ２が減少されスミアーの発生を最小化することができる。
従って、受光部１０４に入射される光Ｌのうち、傾斜光成分Ｌ１が遮光膜１２６のエッジ１２５ａで屈折されても、凹レンズ形状のエッジ１２５ａによって屈折された傾斜光成分Ｌ１の大部分は上部の表面保護膜側に反射されるか下部の基板側に反射される。
即ち、前記遮光膜１２５のエッジ１２５ａに入射される傾斜光成分Ｌ１のうち前記遮光膜１２５の下面の絶縁膜を通じて垂直伝送レジスト１０６に入射される反射光成分Ｌ２が減少されスミアーの発生を最小化することができる。
以下、本発明によるＣＣＤ固体撮像装置の製造方法を図３ないし図５を参照して詳細に説明する。
図４は遮光膜１２５を形成する段階を示す。
通常のＣＣＤ工程を用いたイオン注入工程及び蒸着工程を通じてＮ型シリコン基板１０１上に第１Ｐ型ウエル１０２、Ｎ型受光部１０４、Ｎ型垂直伝送レジスト１０６、Ｐ型チャンネルストッパー領域１０８、第２Ｐ型ウエル１１２及びＰ型静電荷蓄積領域１１０を形成する。
また、前記垂直伝送レジスト１０６上にゲート絶縁膜１１４を介在し多結晶シリコンからなる伝送電極１１６を形成する。
続いて、前記伝送電極１１６を含む結果物の全面に層間絶縁膜１１８を形成した後、その全面に遮光膜１２５を形成する。
具体的に、前記層間絶縁膜１１８上に、例えば、チタンナイトライドＴｉＮをスパッタリングまたは化学気相蒸着ＣＶＤなどの方法で約３００〜５００Åの厚さに蒸着して遮光膜１２５の第１層１２０を形成する。
図４は遮光膜１２５を形成する段階を示す。
通常のＣＣＤ工程を用いたイオン注入工程及び蒸着工程を通じてＮ型シリコン基板１０１上に第１Ｐ型ウエル１０２、Ｎ型受光部１０４、Ｎ型垂直伝送レジスト１０６、Ｐ型チャンネルストッパー領域１０８、第２Ｐ型ウエル１１２及びＰ型静電荷蓄積領域１１０を形成する。
また、前記垂直伝送レジスト１０６上にゲート絶縁膜１１４を介在し多結晶シリコンからなる伝送電極１１６を形成する。
続いて、前記伝送電極１１６を含む結果物の全面に層間絶縁膜１１８を形成した後、その全面に遮光膜１２５を形成する。
具体的に、前記層間絶縁膜１１８上に、例えば、チタンナイトライドＴｉＮをスパッタリングまたは化学気相蒸着ＣＶＤなどの方法で約３００〜５００Åの厚さに蒸着して遮光膜１２５の第１層１２０を形成する。
前記第１層１２０上に任意の等方性エッチング工程に対して前記第１層１２０を構成する物質とエッチング選択比を有する物質、望ましくはダングステンＷのように前記第１層１２０に比べて速い速度を有する物質をスパッタリングまたはＣＶＤ方法によって約５００〜１０００Åの厚さに蒸着し遮光膜１２５の第２層１２２を形成する。
前記第２層１２２上の任意の等方性エッチング工程に対して前記第１層１２０を構成する物質と同一のエッチング速度を有する物質、望ましくは、前記第１層１２０と同一の物質をスパッタリングまたはＣＶＤ方法によって約３００〜５００Åの厚さに蒸着し遮光膜１２５の第３層１２４を形成する。
図４は開口１２８を形成する段階を示す。
前述したように第３層の膜からなる遮光膜１２５を形成した後、前記遮光膜１２５上にフォトレジスト膜を塗布する。続いて、前記フォトレジスト膜を露光及び現像し前記受光部１０４に対応する開口領域を限定するフォトレジストパターン１２６を形成する。
前記第２層１２２上の任意の等方性エッチング工程に対して前記第１層１２０を構成する物質と同一のエッチング速度を有する物質、望ましくは、前記第１層１２０と同一の物質をスパッタリングまたはＣＶＤ方法によって約３００〜５００Åの厚さに蒸着し遮光膜１２５の第３層１２４を形成する。
図４は開口１２８を形成する段階を示す。
前述したように第３層の膜からなる遮光膜１２５を形成した後、前記遮光膜１２５上にフォトレジスト膜を塗布する。続いて、前記フォトレジスト膜を露光及び現像し前記受光部１０４に対応する開口領域を限定するフォトレジストパターン１２６を形成する。
その後、前記フォトレジストパターン１２６をエッチングマスクとして用いて前記遮光膜１２５の第３層１２４、第２層１２２及び第１層１２０を連続的に異方性エッチング（乾式エッチング）することで前記受光部１０４を露出する開口１２８を形成する。
図５は遮光膜１２５を等方性エッチングする段階を示す。
前述したように開口１２８を形成した後、続けて前記フォトレジストパターン１２６をエッチングマスクとして用いて等方性エッチング（湿式エッチング）工程を実施する。前記等方性エッチング工程は前記遮光膜１２５の第１及び第３層１２０、１２４に比べて前記第２層１２２のエッチング速度の速いエッチャント、例えば、過酸化水素Ｈ２Ｏ２を使用する。
図５は遮光膜１２５を等方性エッチングする段階を示す。
前述したように開口１２８を形成した後、続けて前記フォトレジストパターン１２６をエッチングマスクとして用いて等方性エッチング（湿式エッチング）工程を実施する。前記等方性エッチング工程は前記遮光膜１２５の第１及び第３層１２０、１２４に比べて前記第２層１２２のエッチング速度の速いエッチャント、例えば、過酸化水素Ｈ２Ｏ２を使用する。
前記等方性エッチング工程によって前記フォトレジストパターン１２６の下で前記遮光膜１２５の側面エッチングが進行されるが、このとき前記第２層１２２が下部の第１層１２０及び上部の第３層１２４に比べて速くエッチングされることによって、前記開口部１２８を形成する遮光膜１２５のエッジ１２５ａが凹レンズ形状を有するようになる。
このように、受光部１０４側に突出され前記開口１３１を形成する遮光膜１２５のエッジ１２５ａを凹レンズ形状に作るようになると、受光部１０４に入射される光Ｌのうち傾斜光成分Ｌ１の遮光膜１２５のエッジ１２５ａで屈折されても前記遮光膜１２５の下面の絶縁膜を通じて垂直伝送レジスト１０６に入射される反射光成分Ｌ２が減少されスミアーの発生を最小化する。
このように、受光部１０４側に突出され前記開口１３１を形成する遮光膜１２５のエッジ１２５ａを凹レンズ形状に作るようになると、受光部１０４に入射される光Ｌのうち傾斜光成分Ｌ１の遮光膜１２５のエッジ１２５ａで屈折されても前記遮光膜１２５の下面の絶縁膜を通じて垂直伝送レジスト１０６に入射される反射光成分Ｌ２が減少されスミアーの発生を最小化する。
続いて、アッシングおよびストリッピング工程で前記フォトレジストパターン１２６を除去した後、図２に示されたように前記受光部１０４及び遮光膜１２５をカバーするように入射光Ｌに対して透過性を有する物質からなる表面保護膜を形成する。
望ましくは、前記表面保護膜は低い屈折率を有する物質、例えば、ＢＰＳＧからなる第１保護膜１３４と、高い屈折率を有する物質、例えば、シリコンナイトライドからなる第２保護膜１３５からなる。
前記第１保護膜１３４はリフロー工程を通じてその表面が凹部と突出部を有するように形成され、前記第２保護膜１３５は平坦な表面を有するように形成される。従って、前記第１保護膜１３４と第２保護膜１３５は入射光Ｌを受光部１０４側に集光させる内部レンズとしての役割をする。
望ましくは、前記表面保護膜は低い屈折率を有する物質、例えば、ＢＰＳＧからなる第１保護膜１３４と、高い屈折率を有する物質、例えば、シリコンナイトライドからなる第２保護膜１３５からなる。
前記第１保護膜１３４はリフロー工程を通じてその表面が凹部と突出部を有するように形成され、前記第２保護膜１３５は平坦な表面を有するように形成される。従って、前記第１保護膜１３４と第２保護膜１３５は入射光Ｌを受光部１０４側に集光させる内部レンズとしての役割をする。
その後、前記第２保護膜１３５上にカラーフィルター層１３６を形成し、その上にオンチップレンズ１３８を形成することによって本発明によるＣＣＤ固体撮像装置を完成する。
前述した固体撮像装置の製造方法によると、同一のフォトレジストパターンを用いて遮光膜１２５の異方性エッチング及び等方性エッチングを実施し受光部１０４のすぐ上に開口１２８を形成する凹レンズ形状のエッジ１２５ａを有する遮光膜１２５が得るようになる。
前記遮光膜１２５のエッジ１２５ａの凹レンズ形状は、等方性エッチング工程の側面エッチング特性によって形成されるので、前記エッジ１２５ａの凹レンズ形状は実質的に均一に形成されることができる。
前述した固体撮像装置の製造方法によると、同一のフォトレジストパターンを用いて遮光膜１２５の異方性エッチング及び等方性エッチングを実施し受光部１０４のすぐ上に開口１２８を形成する凹レンズ形状のエッジ１２５ａを有する遮光膜１２５が得るようになる。
前記遮光膜１２５のエッジ１２５ａの凹レンズ形状は、等方性エッチング工程の側面エッチング特性によって形成されるので、前記エッジ１２５ａの凹レンズ形状は実質的に均一に形成されることができる。
前述したように、図３ないし図５に示すように本発明の実施形態においては、遮光膜１２５を異方性エッチングした後等方性エッチング工程を実施し遮光膜１２５のエッジを凹レンズ形状にする場合について説明している。しかし、本発明の他の実施形態によると別途の等方性エッチング工程なしに前記表面保護膜の前−洗浄（ｐｒｅ-ｃｌｅａｎｉｎｇ）工程のみで前記遮光膜１２５のエッジ１２５ａを凹レンズ形状にすることができる。
具体的に、図４の方法と同一に前記フォトレジストパターン１２６をエッチングマスクとして用いて前記遮光膜１２５の第３層１２４、第２層１２２及び第１層１２０を連続的に異方性エッチングして前記受光部１０４のすぐ上に開口１２８を形成する。その後、アッシングおよびストリッピング工程で前記フォトレジストパターン１２６を除去し、通常の洗浄工程、例えば、ＳＣ−１（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｌｅａｎ１）を利用した洗浄工程を用いて前記遮光膜１２５の表面及び前記受光部１０４の表面に形成されている異物質などを除去する。
具体的に、図４の方法と同一に前記フォトレジストパターン１２６をエッチングマスクとして用いて前記遮光膜１２５の第３層１２４、第２層１２２及び第１層１２０を連続的に異方性エッチングして前記受光部１０４のすぐ上に開口１２８を形成する。その後、アッシングおよびストリッピング工程で前記フォトレジストパターン１２６を除去し、通常の洗浄工程、例えば、ＳＣ−１（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｌｅａｎ１）を利用した洗浄工程を用いて前記遮光膜１２５の表面及び前記受光部１０４の表面に形成されている異物質などを除去する。
前記ＳＣ−１はＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２及びＨ２Ｏの混合物であるので、前記遮光膜１２５の第１層１２０及び第３層１２４をチタンナイトライドＴｉＮで形成し、第２層１２２をダングステンＷから形成するン場合、前記ダングステンからなる第２層１２２がＳＣ−１を構成するＨ２Ｏ２溶液による他の層１２０、１２４に比べて速く側面エッチングされる。従って、別途の等方性エッチング工程を実施せずに前記表面保護膜の前洗浄工程のみで前記遮光膜１２５のエッジ１２５ａを凹レンズ形状にすることができる。
また、前述した実施形態はＩＴ型ＣＣＤ固体撮像装置に適用したが、フレーム・インターライン・トランスファー（ｆｒａｍｅ ｉｎｔｅｒｌｉｎｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ；ＦＩＴ）型のＣＣＤ固体撮像装置などにも本発明を適用することのは勿論のことである。
また、前述した実施形態はＩＴ型ＣＣＤ固体撮像装置に適用したが、フレーム・インターライン・トランスファー（ｆｒａｍｅ ｉｎｔｅｒｌｉｎｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ；ＦＩＴ）型のＣＣＤ固体撮像装置などにも本発明を適用することのは勿論のことである。
前述した本発明の固体撮像装置及びその製造方法によると、遮光膜を複数個の膜、望ましくは、３層の膜から形成した後、異方性エッチング工程で前記遮光膜をパターニングし受光部のすぐの上に開口を形成する。
その後、第２層のエッチング速度が第１及び第３層に比べて速いエッチャントを用いて前記遮光膜を等方性エッチングする。それにより、前記等方性エッチングの間前記遮光膜の第２層が上部の第３層及び下部の第１層に比べて速く側面エッチングされ前記開口を形成する遮光膜のエッジ部が凹レンズ形態を有する。
また、本発明の他の実施形態によると、前記等方性エッチングを別途に実施せず保護膜の前処理洗浄工程に代替することができる。
従って、受光部に入射される光のうち傾斜光成分が遮光膜のエッジ部に入射されても、前記凹レンズ形状のエッジ部によって光が屈折される量が少なくなる。その結果、垂直伝送レジストに斜めに入射される傾斜光成分及び基板と遮光膜との間に反射され垂直伝送レジストに入射される反射光成分が減少されスミアーの発生を最小化することができる。
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
その後、第２層のエッチング速度が第１及び第３層に比べて速いエッチャントを用いて前記遮光膜を等方性エッチングする。それにより、前記等方性エッチングの間前記遮光膜の第２層が上部の第３層及び下部の第１層に比べて速く側面エッチングされ前記開口を形成する遮光膜のエッジ部が凹レンズ形態を有する。
また、本発明の他の実施形態によると、前記等方性エッチングを別途に実施せず保護膜の前処理洗浄工程に代替することができる。
従って、受光部に入射される光のうち傾斜光成分が遮光膜のエッジ部に入射されても、前記凹レンズ形状のエッジ部によって光が屈折される量が少なくなる。その結果、垂直伝送レジストに斜めに入射される傾斜光成分及び基板と遮光膜との間に反射され垂直伝送レジストに入射される反射光成分が減少されスミアーの発生を最小化することができる。
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
１００ ＣＣＤ固体撮像装置
１０１ 半導体基板
１０２ 第１Ｐ型ウエル
１０４ Ｎ型受光部
１０６ 垂直伝送レジスト
１０８ Ｐ型チャンネルストッパー領域
１１０ Ｐ型静電荷蓄積領域
１１２ 第２Ｐ型ウエル
１１４ ゲート絶縁膜
１１６ 伝送電極
１１８ 層間絶縁膜
１２５ 遮光膜
１２６ フォトレジストパターン
１２８ 開口
１３２ 読み出しゲート
１３４ 第１保護膜
１３５ 第２保護膜
１３６ カラーフィルター層
１３８ レンズ
１４０ 撮像部
１４２ 水平伝送レジスト
１４４ 出力回路
１４６ 有効画素領域
１４８ 光学ブラック領域
１０１ 半導体基板
１０２ 第１Ｐ型ウエル
１０４ Ｎ型受光部
１０６ 垂直伝送レジスト
１０８ Ｐ型チャンネルストッパー領域
１１０ Ｐ型静電荷蓄積領域
１１２ 第２Ｐ型ウエル
１１４ ゲート絶縁膜
１１６ 伝送電極
１１８ 層間絶縁膜
１２５ 遮光膜
１２６ フォトレジストパターン
１２８ 開口
１３２ 読み出しゲート
１３４ 第１保護膜
１３５ 第２保護膜
１３６ カラーフィルター層
１３８ レンズ
１４０ 撮像部
１４２ 水平伝送レジスト
１４４ 出力回路
１４６ 有効画素領域
１４８ 光学ブラック領域
Claims (20)
- 半導体基板上に形成された受光部と、
前記受光部と連通する開口を含む遮光膜と、を具備し、
前記開口を限定する前記遮光膜の側壁は凹んでいる形状であることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記半導体基板上で前記受光部に隣接して形成された伝送手段をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
- 前記伝送手段は、前記半導体基板上に形成された伝送レジスタと、前記伝送レジスタ上に絶縁膜を介在し配列された伝送電極と、を含むことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
- 前記遮光膜は、第１層と、前記第１層上に形成された第２層と、前記第２層上に形成された第３層と、を含むことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
- 前記第１層と第３層は、前記第２層より前記開口の内部にさらに突出したことを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置。
- 前記第１層及び第３層は、同一のエッチング比を有し、前記第２層とは相異するエッチング比を有することを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置。
- 前記第１層及び第３層は、同一の物質からなり、前記第２層は前記第１層及び第３層と相異する物質からなることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
- 前記受光部と遮光膜をカバーする保護膜をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
- 前記固体撮像装置は、ＣＣＤ（ｃｈａｒｇｅｄ ｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
- 半導体基板上に受光部を形成する段階と、
前記受光部の上部に遮光膜を形成する段階と、
前記遮光膜を部分的にエッチングし前記受光部と連通する開口を形成する段階と、
前記開口を限定する前記遮光膜の側壁を凹んでいるように形成する段階と、
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記遮光膜を形成する段階は、第１層を積層する段階と、前記第１層の上部に第２層を積層する段階と、前記第２層の上部に第３層を積層する段階と、を含むことを特徴とする請求項１０記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第１層と第３層は同一の物質からなり、前記第２層は前記第１層及び第３層とは相異する物質からなることを特徴とする請求項１１記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第１層及び第３層は、チタン窒化膜ＴｉＮからなり、前記第２層はダングステンからなることを特徴とする請求項１２記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第１層及び第３層は同一のエッチング比を有し、前記第２層は前記第１層及び第３層とは相異するエッチング比を有することを特徴とする請求項１１記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記開口を形成する段階は、
前記第１膜、第２膜及び第３膜を順次に異方性エッチングエッチングする段階と、
前記第１膜及び第３膜の材料が前記第２膜の材料より遅くエッチングされるように第１膜、第２膜及び第３膜を等方性エッチングエッチングする段階と、
を含むことを特徴とする請求項１１記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記等方性エッチングの後、洗浄工程をさらに実施することを特徴とする請求項１５記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記洗浄液は、水酸化アンモニウムＮＨ４ＯＨ、過酸化水素Ｈ２Ｏ２及び脱イオン水を含むことを特徴とする請求項１６記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記半導体基板上に伝送レジストを形成する段階と、
前記伝送レジスト上に絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜上に伝送電極を形成する段階と、をさらに含み、前記伝送電極は前記遮光膜の下部に位置することを特徴とする請求項１０記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記受光部と前記遮光部をカバーするように保護膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記固体撮像装置は、ＣＣＤであることを特徴とする請求項１０記載の固体撮像装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2004-009657 | 2004-02-13 | ||
| KR1020040009657A KR100574353B1 (ko) | 2004-02-13 | 2004-02-13 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005229116A true JP2005229116A (ja) | 2005-08-25 |
| JP4964418B2 JP4964418B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
ID=34909944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005032184A Expired - Fee Related JP4964418B2 (ja) | 2004-02-13 | 2005-02-08 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7550393B2 (ja) |
| JP (1) | JP4964418B2 (ja) |
| KR (1) | KR100574353B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028101A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 |
| JP2009111225A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4433528B2 (ja) * | 1998-12-08 | 2010-03-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| KR20080010900A (ko) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자, 그 동작 방법 및 그 제조 방법 |
| KR100763918B1 (ko) * | 2006-07-28 | 2007-10-05 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
| KR100937654B1 (ko) * | 2006-12-12 | 2010-01-19 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100843969B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| US8610229B2 (en) * | 2011-04-14 | 2013-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Sidewall for backside illuminated image sensor metal grid and method of manufacturing same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10209412A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-07 | Nec Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JPH1145989A (ja) * | 1997-04-08 | 1999-02-16 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2003234467A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01192167A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | センサー |
| KR930017195A (ko) | 1992-01-23 | 1993-08-30 | 오가 노리오 | 고체촬상소자 및 그 제법 |
| JP2571018B2 (ja) * | 1994-05-31 | 1997-01-16 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP3204216B2 (ja) * | 1998-06-24 | 2001-09-04 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2001148480A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Nec Corp | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造装置、および薄膜トランジスタその製造方法 |
| JP2002353434A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2005175442A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
-
2004
- 2004-02-13 KR KR1020040009657A patent/KR100574353B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-01-31 US US11/046,957 patent/US7550393B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-08 JP JP2005032184A patent/JP4964418B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10209412A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-07 | Nec Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JPH1145989A (ja) * | 1997-04-08 | 1999-02-16 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2003234467A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028101A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 |
| JP2009111225A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4964418B2 (ja) | 2012-06-27 |
| US20050194611A1 (en) | 2005-09-08 |
| KR20050081423A (ko) | 2005-08-19 |
| KR100574353B1 (ko) | 2006-04-27 |
| US7550393B2 (en) | 2009-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4964418B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| CN1835243A (zh) | Mos图像传感器 | |
| JP2012169530A (ja) | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 | |
| US10192916B2 (en) | Methods of fabricating solid-state imaging devices having flat microlenses | |
| JPH0964325A (ja) | 固体撮像素子とその製造方法 | |
| JP2009065098A (ja) | 裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法 | |
| TWI294179B (ja) | ||
| JP2005158940A (ja) | 光電変換装置及び撮像システム | |
| JP2010199154A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2000164839A (ja) | 固体撮像装置 | |
| CN108630714B (zh) | 图像传感器及其形成方法、工作方法 | |
| JP4549195B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP5224685B2 (ja) | 光電変換装置、その製造方法、撮像モジュール及び撮像システム | |
| KR20100025880A (ko) | 불순물 거름막을 갖는 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| JP2021114538A (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
| JP2007287818A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JPH05226631A (ja) | Ｃｃｄ映像素子の製造方法 | |
| JP2006344914A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ | |
| KR100868653B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| US20090068599A1 (en) | Method of manufacturing image sensor | |
| JP2000106425A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2008028101A (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 | |
| KR20100045239A (ko) | 굴절률이 다른 혼색 방지 절연막 구조를 갖는 이미지 센서및 그 제조 방법 | |
| JP2008027980A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH08306895A (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080131 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110518 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110524 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110818 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120131 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120228 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120328 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |