KR930017195A - 고체촬상소자 및 그 제법 - Google Patents

고체촬상소자 및 그 제법 Download PDF

Info

Publication number
KR930017195A
KR930017195A KR1019930000209A KR930000209A KR930017195A KR 930017195 A KR930017195 A KR 930017195A KR 1019930000209 A KR1019930000209 A KR 1019930000209A KR 930000209 A KR930000209 A KR 930000209A KR 930017195 A KR930017195 A KR 930017195A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
shielding film
light shielding
light
receiving portion
light receiving
Prior art date
Application number
KR1019930000209A
Other languages
English (en)
Inventor
히데시 아베
Original Assignee
오가 노리오
소니 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오가 노리오, 소니 가부시기가이샤 filed Critical 오가 노리오
Publication of KR930017195A publication Critical patent/KR930017195A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14831—Area CCD imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation

Abstract

입사광에 있어서 경사광성분과 반사광성분의 수직레지스터에의 입사를 억제하여, 스미어의 저감을 도모한다. N형 실리콘기판(1)상의 웰영역(2)내에 수광부(3)와 수직레지스터(4)및 채널 스토퍼영역(5)이 형성되고 ,수광부(3) 표면에 양전하 축적영역(6)이, 수직레지스터(4) 직하에 웰영역(7)이 각각 형성되고, 또한 수직레지스터(4)상에 게이트절연막(8)을 통해 전송전극(9)이 선택적으로 형성되고, 이 전송전극(9)상에 층간절연막(10)을 통해 A1차광막(11)이 형성되고, 이 A1차광막(11)을 포함하는 전체면에 표면보호층(12)이 형성된 고체촬상소자에 있어서, A1차광막(11)중 수광부(3) 주연(周緣)상의 부분에 테이퍼(11a)를 형성하여 구성한다.

Description

고체촬상소자 및 그 제법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 실시예에 관한 CCD고체촬상소자의 요부를 도시한 구성도, 제2도는 본 실시예에 관한 CCD 고체촬상소자의 제법을 시한 공정도, 제3도는 비교예, 실시예1및 실시예 2의 작용상의 상위를 도시한 설명도(1).

Claims (2)

  1. 동일기판상에 수광부와 전송레지스터부가 각각 배열·형성되고, 상기 전송레지스터부상에 차광막이 형성되고, 이 차광막을 포함하는 전체면에 표면보호층이 형성된 고체촬상소자에 있어서, 상기 차광막 중 수광부 주연(周緣)상의 부분이 테이퍼형을 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  2. 동일기판상에 수광부와 전송레지스터부가 각각 배열·형성되고, 상기 전송레지스터부상에 차광막이 형성되고, 이 차광막을 포함하는 전체면에 표면보호층이 형성된 고체촬상소자에 있어서, 상기 전송전극을 포함하는 전체면에 층간절연막을 통해 상기 차광막을 형성하는 공정과, 상기 수광부에 대응하는 곳에 개구를 가지는 레지스트막을 마스크로하여 상기 차광막을 등방성 에칭하고, 상기 수광부상의 차광막을 일부 제거하는 공정과, 상기 레지스트막을 마스크로하여 차광막을 이방성 에칭하여, 수광부 개구를 형성하는 공정과, 전체면에 표면보호층을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930000209A 1992-01-23 1993-01-09 고체촬상소자 및 그 제법 KR930017195A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1007492 1992-01-23
JP92-10,074 1992-01-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR930017195A true KR930017195A (ko) 1993-08-30

Family

ID=11740218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930000209A KR930017195A (ko) 1992-01-23 1993-01-09 고체촬상소자 및 그 제법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5343060A (ko)
KR (1) KR930017195A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7045872B2 (en) 2003-04-09 2006-05-16 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light receiving device and manufacturing method for the same

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3456000B2 (ja) * 1993-05-17 2003-10-14 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JP3715353B2 (ja) * 1995-09-01 2005-11-09 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP2816824B2 (ja) * 1995-09-11 1998-10-27 エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド Ｃｃｄ固体撮像素子
JP4604296B2 (ja) * 1999-02-09 2011-01-05 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
US7473977B2 (en) * 2003-03-06 2009-01-06 Sony Corporation Method of driving solid state image sensing device
JP3885769B2 (ja) * 2003-06-02 2007-02-28 ソニー株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
KR100574353B1 (ko) * 2004-02-13 2006-04-27 삼성전자주식회사 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법
JP5194645B2 (ja) * 2007-08-29 2013-05-08 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58138187A (ja) * 1982-02-12 1983-08-16 Toshiba Corp 固体イメ−ジセンサ
US4696021A (en) * 1982-06-03 1987-09-22 Nippon Kogaku K.K. Solid-state area imaging device having interline transfer CCD means
US4914493A (en) * 1986-07-14 1990-04-03 Fuji Electric Co., Ltd. CCD (charge coupled device) solid-state image pickup element
JPH0758772B2 (ja) * 1986-08-12 1995-06-21 松下電子工業株式会社 固体撮像装置の製造方法
JPS6344760A (ja) * 1986-08-12 1988-02-25 Matsushita Electronics Corp 固体撮像装置
JPH03242974A (ja) * 1990-02-21 1991-10-29 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7045872B2 (en) 2003-04-09 2006-05-16 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light receiving device and manufacturing method for the same
KR100607905B1 (ko) * 2003-04-09 2006-08-03 샤프 가부시키가이샤 반도체 수광장치의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5343060A (en) 1994-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100246059B1 (ko) 고체촬상장치
KR950034823A (ko) 씨씨디(ccd) 영상소자 및 제조방법
JPH05335531A (ja) 固体撮像装置
KR880001065A (ko) 고체촬상소자
KR930017195A (ko) 고체촬상소자 및 그 제법
KR920003451A (ko) 자기정렬 방식에 의한 전하 촬상소자의 제조방법
KR100574353B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법
JP3248225B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
KR950013197A (ko) 저저항 게이트전극을 갖는 고체 촬상소자 및 그 제조방법
JPS5910631B2 (ja) 固体撮像装置
JP3153925B2 (ja) 固体撮像素子及びその製法
KR980006448A (ko) 스미어(Smear) 및 블루밍(Blooming) 특성이 개선된 고체 촬상 소자
KR970013393A (ko) 고체촬상소자 및 그의 제조방법
JPS648664A (en) Solid-state image sensing device and manufacture thereof
JP2514941B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPH0214570A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JPH01161757A (ja) 固体撮像素子
JP2964488B2 (ja) 固体撮像素子
JP2956092B2 (ja) 固体撮像素子およびその製造方法
JPH033362A (ja) 固体撮像素子
JPH04225563A (ja) 固体撮像装置
JPS6386474A (ja) 固体撮像装置
JPS63285969A (ja) 固体撮像素子
JPH0590551A (ja) 固体撮像装置
JPS60102769A (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid