JP2956115B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JP2956115B2 JP2956115B2 JP2077673A JP7767390A JP2956115B2 JP 2956115 B2 JP2956115 B2 JP 2956115B2 JP 2077673 A JP2077673 A JP 2077673A JP 7767390 A JP7767390 A JP 7767390A JP 2956115 B2 JP2956115 B2 JP 2956115B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は固体撮像装置に関し、特に固体撮像装置上に
形成されている遮光膜からの反射を防止した固体撮像装
置に関するものである。
形成されている遮光膜からの反射を防止した固体撮像装
置に関するものである。
［従来の技術］ 従来、固体撮像装置は半導体基板主面に光電変換部及
びアルミニウム膜などの金属からなる遮光膜で遮光され
た信号読み出し部が形成されている。この金属遮光膜は
信号読み出し部に光が直接入射してスミア等の偽信号が
発生することを防止する手段である。しかし強い光が入
射すると、この金属膜で反射した光が固体撮像装置を実
装しているキャップガラスあるいは撮像装置を使用した
カメラのレンズ面で再度反射し、この反射光によりゴー
ストやフレヤーのような画像を損ねる現象が生ずる。
びアルミニウム膜などの金属からなる遮光膜で遮光され
た信号読み出し部が形成されている。この金属遮光膜は
信号読み出し部に光が直接入射してスミア等の偽信号が
発生することを防止する手段である。しかし強い光が入
射すると、この金属膜で反射した光が固体撮像装置を実
装しているキャップガラスあるいは撮像装置を使用した
カメラのレンズ面で再度反射し、この反射光によりゴー
ストやフレヤーのような画像を損ねる現象が生ずる。
第２図は従来の固体撮像装置であるインターライン転
送方式CCDイメージセンサの平面配置図である。同図は
便宜上３×３画素を有する装置が示されている。
送方式CCDイメージセンサの平面配置図である。同図は
便宜上３×３画素を有する装置が示されている。
同図において、１は例えばホトダイオードのような光
電変換素子の受光面、２は光電変換された信号電荷を読
み出す垂直CCDレジスタ、３は同じく水平CCDレジスタ、
４は出力回路であり、ホトダイオード受光面１以外は図
中に斜線で示す金属遮光膜５で被われている。
電変換素子の受光面、２は光電変換された信号電荷を読
み出す垂直CCDレジスタ、３は同じく水平CCDレジスタ、
４は出力回路であり、ホトダイオード受光面１以外は図
中に斜線で示す金属遮光膜５で被われている。
第３は第２図に示したCCDイメージセンサの半導体チ
ップ断面図である。尚、同図では説明の便宜上、概念的
な模式図が示されているにすぎず、寸法的、素子構成は
実際の素子と対応しているわけではない。
ップ断面図である。尚、同図では説明の便宜上、概念的
な模式図が示されているにすぎず、寸法的、素子構成は
実際の素子と対応しているわけではない。
第３図においてｂは例えばシリコンからなるｐ型半導
体基板、７はホトダイオードの素子領域でｎ型の拡散層
からなり、ｐ型半導体基板６との間にｐ−ｎ接合を形成
している。８は垂直CCDレジスタの転送チャネル部で、
通常半導体基板とは逆導電層からなっている。９は例え
ばSiO2等の絶縁膜10を介して形成された垂直CCDの転送
電極である。
体基板、７はホトダイオードの素子領域でｎ型の拡散層
からなり、ｐ型半導体基板６との間にｐ−ｎ接合を形成
している。８は垂直CCDレジスタの転送チャネル部で、
通常半導体基板とは逆導電層からなっている。９は例え
ばSiO2等の絶縁膜10を介して形成された垂直CCDの転送
電極である。
また、垂直CCDレジスタの転送チャネル部８と隣りの
列のホトダイオードの素子領域７はチャネルストッパ11
で電気的に分離されている。５は信号を読み出す垂直CC
Dレジスタの転送チャネル部８に直接光が入射しないよ
うに設けられた例えばアルミニウムのような金属からな
る遮光膜である。このようなインターラインCCDイメー
ジセンサでは前述のように信号読み出し部である垂直CC
Dレジスタ部２を遮光した金属遮光膜５にもホトダイオ
ード７に入射する光13と同様な光が入射し、この光が金
属遮光膜５では反射し、散乱光14としてゴーストやフレ
ヤーの原因となる。
列のホトダイオードの素子領域７はチャネルストッパ11
で電気的に分離されている。５は信号を読み出す垂直CC
Dレジスタの転送チャネル部８に直接光が入射しないよ
うに設けられた例えばアルミニウムのような金属からな
る遮光膜である。このようなインターラインCCDイメー
ジセンサでは前述のように信号読み出し部である垂直CC
Dレジスタ部２を遮光した金属遮光膜５にもホトダイオ
ード７に入射する光13と同様な光が入射し、この光が金
属遮光膜５では反射し、散乱光14としてゴーストやフレ
ヤーの原因となる。
［発明が解決しようとする課題］ 上述したように従来のインターライン転送方式CCDイ
メージセンサでは、金属等の遮光材で遮光膜を設けてい
るが、この遮光膜による光反射が生じ、この反射光によ
ってフレヤー，ゴースト等の偽信号を発生する欠点があ
る。
メージセンサでは、金属等の遮光材で遮光膜を設けてい
るが、この遮光膜による光反射が生じ、この反射光によ
ってフレヤー，ゴースト等の偽信号を発生する欠点があ
る。
本発明の目的はゴーストやフレヤーのような偽信号の
発生を防止した固体撮像装置を提供することにある。
発生を防止した固体撮像装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本願発明の要旨は、光電変換素子群を含む光電変換部
と、絶縁膜で覆われた転送電極と転送チャンネル部とを
含み前記光電変換素子のそれぞれから信号電荷を読み出
す信号読み出し部とを同一半導体基板に設け、前記光電
変換素子の受光面を除いて遮光膜で被われた固体撮像装
置において、染料を含有したフォトレジストから構成さ
れた光を吸収する反射防止膜で前記遮光膜の表面と前記
遮光膜の側面と前記転送電極の側面の前記絶縁膜とを被
ったことである。
と、絶縁膜で覆われた転送電極と転送チャンネル部とを
含み前記光電変換素子のそれぞれから信号電荷を読み出
す信号読み出し部とを同一半導体基板に設け、前記光電
変換素子の受光面を除いて遮光膜で被われた固体撮像装
置において、染料を含有したフォトレジストから構成さ
れた光を吸収する反射防止膜で前記遮光膜の表面と前記
遮光膜の側面と前記転送電極の側面の前記絶縁膜とを被
ったことである。
［実施例］ 次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例に係るインターライン転送
方式CCDイメージセンサを示す半導体チップ断面図であ
る。
方式CCDイメージセンサを示す半導体チップ断面図であ
る。
同図において、６は例えばシリコンからなるｐ型半導
体基板、７はホトダイオードの素子領域で選択的に形成
されたｎ型拡散領域であり、素子領域７はｐ型半導体基
板６との間にｐ−ｎ接合を形成している。８は信号読み
出し部である垂直CCDレジスタの転送チャネルで通常ｎ
型拡散層からなる。すなわち、信号読み出し部は埋め込
みチャネル型CCDからなっている。９はSiO2等の絶縁膜1
0を介して転送チャネル上に形成された転送電極であ
る。11はチャネルストッパで、ｐ型半導体基板６と同じ
導電型で高い不純物濃度のp+領域からなっている。５は
信号読み出し部に光が入射しないように例えば配線金属
であるアルミニウムの様な金属膜からなる遮光膜であ
る。
体基板、７はホトダイオードの素子領域で選択的に形成
されたｎ型拡散領域であり、素子領域７はｐ型半導体基
板６との間にｐ−ｎ接合を形成している。８は信号読み
出し部である垂直CCDレジスタの転送チャネルで通常ｎ
型拡散層からなる。すなわち、信号読み出し部は埋め込
みチャネル型CCDからなっている。９はSiO2等の絶縁膜1
0を介して転送チャネル上に形成された転送電極であ
る。11はチャネルストッパで、ｐ型半導体基板６と同じ
導電型で高い不純物濃度のp+領域からなっている。５は
信号読み出し部に光が入射しないように例えば配線金属
であるアルミニウムの様な金属膜からなる遮光膜であ
る。
以上は第２図に示した従来例と構成および動作におい
て全く同様であり、転送電極９に電圧を印加してホトダ
イオード素子領域７と転送チャネル部８との間にチャネ
ルを形成し、ホトダイオード素子領域７で光電変換され
た信号電荷を垂直CCD及び水平CCDを介して出力回路へ転
送する。
て全く同様であり、転送電極９に電圧を印加してホトダ
イオード素子領域７と転送チャネル部８との間にチャネ
ルを形成し、ホトダイオード素子領域７で光電変換され
た信号電荷を垂直CCD及び水平CCDを介して出力回路へ転
送する。
本実施例が従来例と異なる点は、反射防止膜として染
料を混合した樹脂膜15がホトダイオード７の受光部１以
外を被っていることである。
料を混合した樹脂膜15がホトダイオード７の受光部１以
外を被っていることである。
この染料入り樹脂膜を形成するには、例えば市販のポ
ジ型レジスト（ノボラック系樹脂）に少なくとも380nm
〜780nmの光を吸収する染料を混合し、固体撮像装置を
形成したシリコンウェハーにスピンコート法で塗布す
る。その後、通常のフォトリソグラフィー技術により受
光面上の染料入りレジストを選択的に除去する。尚、反
射防止膜15をどのような波長範囲の吸収が大きくなるよ
うにするかは、機器の設定条件等に応じて、ゴーストや
フレヤーの防止に最も有効なように適機宜設定すればよ
い。
ジ型レジスト（ノボラック系樹脂）に少なくとも380nm
〜780nmの光を吸収する染料を混合し、固体撮像装置を
形成したシリコンウェハーにスピンコート法で塗布す
る。その後、通常のフォトリソグラフィー技術により受
光面上の染料入りレジストを選択的に除去する。尚、反
射防止膜15をどのような波長範囲の吸収が大きくなるよ
うにするかは、機器の設定条件等に応じて、ゴーストや
フレヤーの防止に最も有効なように適機宜設定すればよ
い。
この構成ではホトダイオードの受光面１以外の領域は
全て反射防止膜で被われているので遮光膜５からの反射
を防止して従来問題となっていたゴースト，フレヤーな
どの偽信号の発生をなくすことができる。
全て反射防止膜で被われているので遮光膜５からの反射
を防止して従来問題となっていたゴースト，フレヤーな
どの偽信号の発生をなくすことができる。
尚、上記説明ではインターライン転送方式CCDイメー
ジセンサで説明したが、本発明はMOS型イメージセンサ
など全ての固体撮像装置に適用できることは言うまでも
ない。
ジセンサで説明したが、本発明はMOS型イメージセンサ
など全ての固体撮像装置に適用できることは言うまでも
ない。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明は固体撮像装置の光電変
換素子の受光面以外を反射防止膜で被うようにしたた
め、転送部への無用な光の入射を防ぐために設けられて
いた遮光膜からの反射を防止することができ、ゴース
ト，フレヤー等の偽信号を防止できる。
換素子の受光面以外を反射防止膜で被うようにしたた
め、転送部への無用な光の入射を防ぐために設けられて
いた遮光膜からの反射を防止することができ、ゴース
ト，フレヤー等の偽信号を防止できる。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体チップの断面
図、第２図は従来インターライン転送方式CCD撮像装置
の平面配置図、第３図は第２図に示した従来例の半導体
チップ断面図である。 １……受光面、 ２……垂直CCDレジスタ、 ３……水平CCDレジスタ、 ４……出力回路、 ５……金属遮光膜、 ６……ｐ型半導体基板、 ７……ホトダイオード、 ８……転送チャネル、 ９……転送電極、 10……絶縁層、 11……チャネルストッパ、 13……入射光、 14……反射光、 15……染料入り樹脂膜。
図、第２図は従来インターライン転送方式CCD撮像装置
の平面配置図、第３図は第２図に示した従来例の半導体
チップ断面図である。 １……受光面、 ２……垂直CCDレジスタ、 ３……水平CCDレジスタ、 ４……出力回路、 ５……金属遮光膜、 ６……ｐ型半導体基板、 ７……ホトダイオード、 ８……転送チャネル、 ９……転送電極、 10……絶縁層、 11……チャネルストッパ、 13……入射光、 14……反射光、 15……染料入り樹脂膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 27/14 - 27/148 H01L 29/762 - 29/768 H04N 5/335
Claims (1)
- 【請求項１】光電変換素子群を含む光電変換部と、 絶縁膜で覆われた転送電極と転送チャンネル部とを含み
前記光電変換素子のそれぞれから信号電荷を読み出す信
号読み出し部とを同一半導体基板に設け、前記光電変換
素子の受光面を除いて遮光膜で被われた固体撮像装置に
おいて、 染料を含有したフォトレジストから構成された光を吸収
する反射防止膜で前記遮光膜の表面と前記遮光膜の側面
と前記転送電極の側面の前記絶縁膜とを被ったことを特
徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2077673A JP2956115B2 (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2077673A JP2956115B2 (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276678A JPH03276678A (ja) | 1991-12-06 |
| JP2956115B2 true JP2956115B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=13640401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2077673A Expired - Fee Related JP2956115B2 (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2956115B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007053183A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子 |
-
1990
- 1990-03-26 JP JP2077673A patent/JP2956115B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03276678A (ja) | 1991-12-06 |
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