JP2003234456A

JP2003234456A - 半導体撮像装置及びその製造方法

Info

Publication number: JP2003234456A
Application number: JP2002031231A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Uchida; 好則内田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-02-07
Filing date: 2002-02-07
Publication date: 2003-08-22

Abstract

(57)【要約】【課題】センサ部の周辺領域表面における近赤外光の
反射を低減できるようにすると共に、フレア光による撮
像画の悪化を抑制できるようにする。【解決手段】可視光のみならず近赤外光に対する受光
感度を有する撮像装置１００において、シリコン基板１
１と、受けた光を光電変換して信号電荷を出力するため
の複数の固体撮像素子ｐｉｊを有してシリコン基板１１
に設けられたセンサ部２０と、このセンサ部２０の周辺
領域に設けられた周辺配線部２３と、この周辺配線部２
３に接続されてセンサ部２０の周辺領域に設けられたボ
ンディングパッド部２４と、このボンディングパッド部
２４を除く当該センサ部２０の周辺領域表面に設けられ
た所定のフレア防止膜２５とを備え、このフレア防止膜
２５は近赤外光吸収性の色素を含むものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、可視光のみならず
近赤外光に対する受光感度を有する固体撮像素子や電界
効果型の撮像素子に適用して好適な半導体撮像装置及び
その製造方法に関する。詳しくは、所定基板上の電極部
を除く撮像素子アレイの周辺領域表面に、近赤外光吸収
性の色素を含む膜を備え、撮像素子アレイの周辺領域に
設けられた配線部を覆い隠すような配線隠蔽構造を得
て、撮像素子アレイの周辺領域表面における近赤外光の
反射を低減できるようにすると共に、フレア光による撮
像画の悪化を抑制できるようにしたものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、学校、家庭や放送局などにおいて
ビデオカメラ及びデジタルスチルカメラが使用される場
合が多くなってきた。この種のカメラで不可欠なのが半
導体撮像装置である。半導体撮像装置において固体撮像
素子や電界効果型の撮像素子は、光電変換素子としての
ＣＣＤ（Ｃharge Ｃoupled Ｄevice：電荷結合素子）撮
像素子を二次元状に配置し、マイクロレンズ等によって
光を電荷結合素子へ導くようにしたものである。ここ
で、ＣＣＤ撮像素子とは、フォトダイオードやＭＯＳキ
ャパシタなどからなる単位素子を規則正しく並べた構造
の半導体デバイスをいう。半導体撮像装置は半導体基板
表面に蓄積されたある電荷のひとかたまりをＭＯＳキャ
パシタの電極の並びに沿って移動する機能を有してい
る。

【０００３】この種の固体撮像素子ではその表面にセン
サ部、周辺配線部及びボンディングパッド部が設けられ
ている。配線部はアルミニウムなどの金属材料から成
り、配線部で入射した光が反射してフレアと呼ばれる散
乱光の原因となる。このフレアのために撮像画質を低下
させる原因となっている。従来方式ではフレアを防止す
るために、染料や、顔料といった色素から成る膜を配線
表面部に形成していた。なお、染料や顔料等の色素は赤
外光を透過するものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年では近
赤外光領域において受光感度を有する半導体撮像装置が
出現し、ディジタルカメラ等の光学系に装着されている
赤外光カット用のフィルタを外して使用する場合が多く
なってきた。そのため以下のような問題がある。

【０００５】従来方式のフレア防止膜に添加されて
いる色素は赤外光を透過するので、可視光領域の光に対
して吸収効果があるものの、近赤外光に対する吸収効果
が乏しい。従って、近赤外光領域に受光感度を有する半導体撮
像装置において、赤外光カット用のフィルタを外して使
用した場合、フレアによる撮像画質が低下するおそれが
ある。

【０００６】そこで、この発明はこのような従来の課題
を解決したものであって、撮像素子アレイの周辺領域表
面における近赤外光の反射を低減できるようにすると共
に、フレア光による撮像画の悪化を抑制できるようにし
た半導体撮像装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述した課題は、可視光
のみならず近赤外光に対する受光感度を有する半導体撮
像装置において、所定の基板と、受けた光を光電変換し
て信号電荷を出力するための複数の半導体撮像素子を有
して基板に設けられた撮像素子アレイと、この撮像素子
アレイの周辺領域に設けられた配線部と、この配線部に
接続されて撮像素子アレイの周辺領域に設けられた接続
用の電極部と、この電極部を除く当該撮像素子アレイの
周辺領域表面に設けられた所定の膜とを備え、この膜は
近赤外光吸収性の色素を含むことを特徴とする半導体撮
像装置によって解決される。

【０００８】本発明に係る半導体撮像装置によれば、所
定基板上の電極部を除く撮像素子アレイの周辺領域表面
に、近赤外光吸収性の色素を含む膜が設けられるので、
撮像素子アレイの周辺領域に設けられた配線部を近赤外
光吸収性の色素を含む膜によって覆い隠すような配線隠
蔽構造を採ることができる。

【０００９】従って、撮像素子アレイの周辺領域表面に
おける近赤外光の反射が低減され、フレア光による撮像
画の悪化を抑制することができる。これにより、可視光
のみならず近赤外光に対しても高感度かつ高信頼度を有
する半導体撮像装置を提供できる。

【００１０】本発明に係る半導体撮像装置の製造方法は
可視光のみならず近赤外光に対する受光感度を有する半
導体撮像装置を製造する方法において、所定の基板に複
数の半導体撮像素子から成る撮像素子アレイを形成する
工程と、この基板に形成された撮像素子アレイの周辺領
域に配線部及び接続用の電極部を形成する工程と、この
基板上の電極部を除く当該撮像素子アレイの周辺領域表
面に、近赤外光吸収性の色素を含む膜を形成する工程と
を有することを特徴とするものである。

【００１１】本発明に係る半導体撮像装置の製造方法に
よれば、撮像素子アレイの周辺領域に設けられた配線部
を近赤外光吸収性の色素を含む膜によって覆い隠すよう
な配線隠蔽構造を得ることができる。従って、可視光の
みならず近赤外光に対しても高感度かつ高信頼度を有す
る半導体撮像装置を再現性良く製造できる。

【００１２】

【発明の実施の形態】続いて、この発明に係る半導体撮
像装置及びその製造方法の一実施の形態について、図面
を参照しながら説明をする。

【００１３】（１）半導体撮像装置図１は本発明に係る実施形態としての半導体撮像装置１
００の構造例を示す一部破砕の斜視図である。この実施
形態では所定基板上の電極部を除く撮像素子アレイの周
辺領域表面に、近赤外光吸収性の色素を含む膜を備え、
撮像素子アレイの周辺領域に設けられた配線部を覆い隠
すような配線隠蔽構造を採るようにして、撮像素子アレ
イの周辺領域表面における近赤外光の反射を低減できる
ようにすると共に、フレア光による撮像画の悪化を抑制
できるようにしたものである。

【００１４】図１に示す半導体撮像装置１００は可視光
のみならず近赤外光に対する受光感度を有する固体撮像
素子や電界効果型の撮像素子に適用して好適なものであ
る。半導体撮像装置１００は例えば，赤外線ランプを使
用した暗部撮影や、夜間や暗い場所の監視に使用され
る。

【００１５】この半導体撮像装置１００は所定の基板の
一例となるシリコン基板１１を有している。このシリコ
ン基板１１には撮像素子アレイの一例となるセンサ部２
０が設けられている。センサ部２０は半導体撮像素子の
一例となる複数の固体撮像素子ｐｉｊ（ｉ＝１〜Ｍ、ｊ
＝１〜Ｎ）を有しており、受けた光を光電変換して信号
電荷を出力するようになされる。固体撮像素子ｐｉｊは
Ｍ×Ｎ画素個のフォトダイオードを有して行方向ｘにＭ
画素及び列方向ｙにＮ画素のマトリクス状に配置されて
いる。

【００１６】このセンサ部２０の周辺領域には周辺回路
用の配線部（以下、周辺配線部という）２３及び接続用
の電極部（以下、ボンディングパッド部という）２４が
設けられている。周辺配線部２３はボンディングパッド
部２４に接続されている。当該半導体撮像装置１００は
センサ部２０とボンディングパッド部２４を除く部分に
所定の膜の一例となるフレア防止膜２５を有している。
図中、フレア防止膜２５は斜線で示している。つまり、
このフレア防止膜２５はセンサ部２０の周辺領域におい
て、ボンディングパッド部２４を除く周辺領域表面に設
けられている。このフレア防止膜２５は近赤外光吸収性
の色素を含むものである。

【００１７】この近赤外光吸収性の色素を含むフレア防
止膜２５には、所望のレジスト材料に可視光吸収色素材
料及び近赤外光吸収色素材料を所定の割合で分散させた
混合物が使用される。近赤外光によるフレアは色素への
透過率を１０％以下に抑えれば生じないことが確認され
ている。この例で近赤外光領域は波長で示したとき、７
８０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度を想定している。

【００１８】この近赤外光による色素への透過率を例え
ば、１０％以下に抑えるための、膜厚１μｍのフレア防
止膜２５の材料組成比は次の通りである。もちろん、透
過率が１０％以下というのは効果が期待できる目安であ
る。ネガ型フォトレジスト７０ｗｔ％可視光吸収色素１５ｗｔ％赤外光吸収色素１５ｗｔ％この例でフレア防止膜２５は上述の材料組成比により、
ネガ型フォトレジスト中にこれらの色素を添加して形成
される。近赤外光吸収色素材料には（１）式、すなわ
ち、

【００１９】

【化５】

【００２０】から構成されるシアニン系の色素が使用さ
れる。シアニン色素とは２個の含窒素複素環をメチン基
−ＣＨ＝又はその連鎖で結合した陽イオン構造を持つ色
素の総称をいう。複素環は（１）式のキノリンの他にベ
ンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、単環式のピリジ
ンなどが対象となる。メチン基の結合位置は（１）式に
限られない。なお、ｎ＝０でシアニン、ｎ＝１でカルボ
シアニン、ｎ＝２でジカルボシアニンとなる。

【００２１】Ｒ，Ｒ’はアルキル又はアルコキシルであ
る。この例ではＲ，Ｒ’＝（ＣＨ₃）₂である。Ｘ^-はハ
ロゲンの陰イオンであり、この例ではＸ^-＝ＣｌＯ₄ ^-で
ある。これを（１）式に当てはめると、（２）式、すな
わち、

【００２２】

【化６】

【００２３】に示すようになる。もちろん、これに限ら
れることはなく、近赤外光吸収色素材料には（３）式、
すなわち

【００２４】

【化７】

【００２５】から構成されるスクワリウム系の色素を使
用してもよい（文献：Ｄ．Ｊ．Ｇravesteijnetal：Ｏpt
ical Ｓtorage Ｍedia ＳＰＩＥ−４２０，ｐ３２
７，１９８３参照）。なお、赤外光吸収剤が含まれてい
る基材であれば、非感光性のものでも形成可能である。
感光性樹脂の例としてポジ型のレジスト材料を使用して
もよい。

【００２６】図２Ａ〜図２Ｃは可視光及び近赤外光の吸
収に関する比較例である。図２Ａ〜図２Ｃにおいて、波
線は近赤外光であり、実線は可視光である。

【００２７】図２Ａに示す比較例に係る半導体撮像装置
１０によれば、アルミニウム等の金属配線（以下単に配
線部２３という）上にフレア防止膜２５等を一切形成し
ない場合である。この場合は可視光及び近赤外光のいず
れも配線部２３上で反射する。この反射はフレアの原因
となるため画質を落とす原因となる。

【００２８】図２Ｂに示す従来方式に係る半導体撮像装
置１０’によれば、配線部２３上に可視光吸収用のフレ
ア防止膜５を形成した場合である。従来方式ではフレア
防止膜５として染料や、顔料といった色素から成る膜を
配線部２３の表面に形成していた。この種のフレア防止
膜５に添加されている色素は赤外光を透過するので、可
視光領域の光に対してしか効果がない。従って、可視光
は吸収されるが、近赤外光は配線部２３上で反射する。
この反射は近赤外光領域に感度を有する撮像素子におい
て、フレアの原因となるため画質を落とす原因となる。

【００２９】図２Ｃに示す本発明方式に係る半導体撮像
装置１００によれば、配線部２３上に可視光及び近赤外
光吸収用のフレア防止膜２５を形成した場合である。本
発明方式では可視光及び近赤外光のいずれもフレア防止
膜２５により吸収される。従って、可視光及び近赤外光
のいずれも配線部２３から反射されないので、従来方式
のような近赤外光によるフレアを低減することができ
る。

【００３０】このように、本発明に係る実施形態として
の半導体撮像装置１００によれば、シリコン基板１１上
のボンディングパッド部２４を除くセンサ部２０の周辺
領域表面に、近赤外光吸収性の色素を含むフレア防止膜
２５が設けられるので、センサ部２０の周辺配線部２３
をシアニン系色素やスクワリウム系の色素（近赤外光吸
収性の色素）を含むフレア防止膜２５によって覆い隠す
ような配線隠蔽構造を採ることができる。

【００３１】従って、センサ部２０の周辺領域表面にお
ける近赤外光の反射が低減され、フレア光による撮像画
の悪化を抑制することができる。このことで、近赤外光
領域に受光感度を有する半導体撮像装置において、赤外
光カット用のフィルタを外して使用した場合でも、撮像
画において、まわりがぼけて見えなくなる現象を無くす
ことができる。これにより、可視光のみならず近赤外光
に対しても高感度かつ高信頼度を有する半導体撮像装置
１００を提供できる。

【００３２】（２）半導体撮像装置の製造方法図３及び図５は本発明に係る実施例としての半導体撮像
装置の形成例（その１、２）を示す図、図４は固体撮像
素子の１画素の構造例を示す断面図である。図３Ａ及び
図６は半導体撮像装置１００の構成例を示す平面図であ
る。

【００３３】この実施例では可視光のみならず近赤外光
に対する受光感度を有する半導体撮像装置１００を製造
する場合を前提とする。センサ部２０についてはフォト
ダイオードを有する固体撮像素子の場合を例に挙げる。
近赤外光吸収色素材料には（２）式に示したようなシア
ニン系の色素を使用する。

【００３４】これを製造条件にして、まず、図３Ａに示
す所定の基板の一例となるシリコン基板１１に複数の固
体撮像素子から成るセンサ部２０を形成する。固体撮像
素子はその１画素の構造例を図４に示すように、例え
ば、ｎ型のシリコン基板（ｎ−ｓｕｂ）１１を有してい
る。このｎ型シリコン基板１１にはｐ型の埋め込み層
（以下でｐ−ＷＥＬＬという）１２が設けられる。ｐ−
ＷＥＬＬ１２はｎ型シリコン基板１１に広範囲にｐ型の
不純物を拡散して形成したものである。

【００３５】このｐ−ＷＥＬＬ１２にはチャネルストッ
パ１８が設けられている。この例でチャネルストッパ１
８はｐ⁺型の不純物領域から構成されている。センサ部
２０はｐｎｐｎ接合素子（フォトダイオードＰＤ）を構
成するために、シリコン基板１１のｐ−ＷＥＬＬ１２に
ｎ型の不純物領域１３が設けられ、このｎ型の不純物領
域１３上にｐ⁺型の不純物領域１４が接合される。この
ｐ⁺型の純物領域１４上が受光窓部１５となされてい
る。

【００３６】これらのセンサ部２０及び電荷転送領域Ａ
が設けられたシリコン基板１１上にはゲート絶縁膜１６
を介在して電荷転送用の電極１９が設けられている。電
荷転送用の電極１９の上部及び側部はＳｉＯ₂等の絶縁
性の膜１７により絶縁される。電極１９下のシリコン基
板１１にはｎ型の不純物領域２８が設けられ、垂直転送
（ＣＣＤ）レジスタを構成するようになされている。

【００３７】これらの電極１９上には層間絶縁膜２１が
設けられ、この層間絶縁膜２１上にはアルミニウム等の
遮光膜２２が覆われており、スミアと呼ばれるノイズ発
生を防止するようになされている。この遮光膜２２を開
口した部分によって上述の受光窓部１５が画定されてい
る。

【００３８】そして、図３Ａに示すシリコン基板１１に
形成されたセンサ部２０の周辺領域Ｂに周辺配線部２３
及び接続用のボンディングパッド部２４を形成する。そ
の後、素子表面をＣＭＰ（Ｃhemical Ｍechanical Ｐ
olishing）法等により平坦化する。なお、図３Ｂは図３
Ａに示した半導体撮像装置１００のＸ１−Ｘ２矢視断面
図であり、この断面部分に係る形成工程を図５Ａ〜Ｃで
述べる。

【００３９】まず、図５Ａに示すように、平坦化された
シリコン基板１１上にフレア防止膜２５を形成する。フ
レア防止膜２５は可視光及び近赤外光吸収用の色素を添
加して形成したネガ型フォトレジスト液を塗布し、この
フォトレジスト膜２５’をパターニングすることにより
形成される。フレア防止膜２５の材料組成比はネガ型フ
ォトレジストが７０ｗｔ％に対して可視光吸収色素が１
５ｗｔ％、赤外光吸収色素が１５ｗｔ％である。

【００４０】そして、図５Ｂにおいて、ステッパ等の露
光装置を使用してシリコン基板１１上のネガ型のフォト
レジスト膜２５’を露光する。その時、センサ部２０と
ボンディングパッド部２４上にフレア防止膜２５が残ら
ないようにレチクル（乾板）３０等によりマスクをす
る。この例ではｉ線ステッパを使用した。

【００４１】その後、図５Ｃにおいて、ネガ型のフォト
レジスト膜２５’を現像した後、所定の温度でベーク処
理をする。これにより、図５Ｃに示すシリコン基板１１
上のセンサ部２０及びボンディングパッド部２４を除く
当該センサ部２０の周辺領域表面に、近赤外光吸収性の
色素を含むフレア防止膜２５を形成することができる。
なお、図６は図５Ｃに示した半導体撮像装置１００の上
面図である。図中、フレア防止膜２５は斜線で示してい
る。

【００４２】このように、本発明に係る実施例としての
半導体撮像装置の製造方法によれば、センサ部２０の周
辺領域に設けられた周辺配線部２３を近赤外光吸収性の
色素を含むフレア防止膜２５によって覆い隠すような配
線隠蔽構造を得ることができる。従って、可視光のみな
らず近赤外光に対しても高感度かつ高信頼度を有する半
導体撮像装置１００を再現性良く製造できる。

【００４３】この例で近赤外光吸収色素材料には（２）
式に示したようなシニアン系の色素を使用する場合につ
いて説明したが、これに限られることはなく、（３）式
に示したようなスクワリウム系の色素を使用してもよ
い。

【００４４】（３）他の半導体撮像装置図７は本発明に係る他の実施形態としての半導体撮像装
置２００の１画素の構造例を示す断面図である。この実
施形態では固体撮像素子の１画素の受光窓部を画定する
反射防止膜が設けられる場合であって、この反射防止膜
に関して近赤外光吸収性の色素を含むフレア防止膜２５
を兼用するようになされる。

【００４５】図７に示す半導体撮像装置２００は遮光膜
２２＋フレア防止膜２５の複合構造を有している。つま
り、図４に示した半導体撮像装置１００のセンサ部２０
内にはフレア防止膜２５を形成していないが、半導体撮
像装置２００のセンサ部２０内には反射防止膜としてフ
レア防止膜２５が使用されるものである。フレア防止膜
２５には近赤外光吸収性の色素を含む膜が使用される。
フレア防止膜２５上にはアクリル樹脂等から成る平坦化
膜２６及び、平坦化膜２６上にはオンチップレンズ（マ
イクロレンズ）が設けられる。

【００４６】この半導体撮像装置２００で受光窓部１５
に光を照射すると、この光がセンサ部２０のフォトダイ
オードＰＤによって受光される。フォトダイオードＰＤ
では受けた光をｐ型の不純物領域１４からｎ型の不純物
領域１３へ取り込んで不純物領域１３内で光電変換して
信号電荷ｑを発生するようになされる。信号電荷ｑはｎ
型の不純物領域１３の浅い部分に集まる。

【００４７】そして、電荷転送用の電極１９にパルス信
号が印加されると、ｎ型の不純物領域１３から電荷転送
領域Ａ（垂直転送レジスタ）へ信号電荷ｑが読み出され
る。余剰電荷はｎ型の不純物領域１３からＰ−ＷＥＬＬ
１２を通過してシリコン基板１１に抜けるようになされ
る。

【００４８】このように、半導体撮像装置２００によれ
ば、図７に示したようにセンサ部２０の遮光膜２２上に
反射防止膜を兼用するフレア防止膜２５が設けられるの
で、更にフレアを低減することができる。従って、可視
光のみならず近赤外光に対しても高感度かつ高信頼度を
有する半導体撮像装置２００を提供できる。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体撮像装置によれば、撮像素子アレイの周辺領域に設け
られた接続用の電極部を除く当該撮像素子アレイの周辺
領域表面に所定の膜を備え、この膜は近赤外光吸収性の
色素を含むものである。

【００５０】この構成によって、撮像素子アレイの周辺
領域に設けられた配線部を近赤外光吸収性の色素を含む
膜によって覆い隠すような配線隠蔽構造を採れるので、
撮像素子アレイの周辺領域表面における近赤外光の反射
が低減され、フレア光による撮像画の悪化を抑制するこ
とができる。従って、可視光のみならず近赤外光に対し
ても高感度かつ高信頼度を有する半導体撮像装置を提供
できる。

【００５１】本発明に係る半導体撮像装置の製造方法に
よれば、複数の半導体撮像素子から成る撮像素子アレイ
を所定の基板に形成した後、この撮像素子アレイの周辺
領域に配線部及び接続用の電極部を形成し、更に、この
基板上の電極部を除く当該撮像素子アレイの周辺領域表
面に、近赤外光吸収性の色素を含む膜を形成するように
なされる。

【００５２】この構成によって、撮像素子アレイの周辺
領域に設けられた配線部を近赤外光吸収性の色素を含む
膜によって覆い隠すような配線隠蔽構造を得ることがで
きる。従って、近赤外光に対しても高感度かつ高信頼度
を有する半導体撮像装置を再現性良く製造できる。

【００５３】この発明は可視光のみならず近赤外光に対
する受光感度を有する固体撮像素子や電界効果型の撮像
素子に適用して極めて好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る実施形態としての半導体撮像装置
１００の構造例を示す一部破砕の斜視図である。

【図２】Ａ〜Ｃは可視光及び近赤外光の吸収に関する比
較例を示す断面図である。

【図３】Ａ及びＢは本発明に係る実施例としての半導体
撮像装置１００の形成例（その１）を示す平面図及び断
面図である。

【図４】固体撮像素子ｐｉｊの１画素の構造例を示す断
面図である。

【図５】半導体撮像装置１００の形成例（その２）を示
す断面図である。

【図６】半導体撮像装置１００の構成例を示す平面図で
ある。

【図７】本発明に係る他の実施形態としての半導体撮像
装置２００の１画素の構造例を示す断面図である。

【符号の説明】

１１・・・シリコン基板（基板）、１２・・・ｐ−ＷＥ
ＬＬ（半導体埋め込み層）、１３・・・ｎ型の不純物領
域、１４・・・ｐ型の不純物領域、１５・・・受光窓
部、１６・・・ゲート絶縁膜、１７・・・絶縁性の膜
（ＳｉＯ₂膜）、１８・・・チャネルストッパ、１９・
・・電荷転送用の電極部、２０・・・センサ部（撮像素
子アレイ）、２１・・・層間絶縁膜、２２・・・遮光
膜、２３・・・配線部、２４・・・ボンディングパッド
部（接続用の電極部）、２５・・・フレア防止膜（所定
の膜）、２５’・・・レジスト膜、２６・・・平坦化
膜、２７・・・オンチップレンズ、１００，２００・・
・半導体撮像装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】可視光のみならず近赤外光に対する受光
感度を有する半導体撮像装置において、所定の基板と、受けた光を光電変換して信号電荷を出力するための複数
の半導体撮像素子を有して前記基板に設けられた撮像素
子アレイと、前記撮像素子アレイの周辺領域に設けられた配線部と、前記配線部に接続されて前記撮像素子アレイの周辺領域
に設けられた接続用の電極部と、前記電極部を除く当該撮像素子アレイの周辺領域表面に
設けられた所定の膜とを備え、前記膜は近赤外光吸収性の色素を含むことを特徴とする
半導体撮像装置。
【請求項２】前記近赤外光吸収性の色素を含む膜に
は、所望のレジスト材料に可視光吸収色素材料及び近赤外光
吸収色素材料を所定の割合で分散させた混合物が使用さ
れることを特徴とする請求項１に記載の半導体撮像装
置。
【請求項３】前記近赤外光吸収色素材料には次式、【化１】から構成されるシアニン系の色素が使用されることを特
徴とする請求項２に記載の半導体撮像装置。
【請求項４】前記近赤外光吸収色素材料には次式、【化２】から構成されるスクワリウム系の色素が使用されること
を特徴とする請求項２に記載の半導体撮像装置。
【請求項５】前記半導体撮像素子の１画素の受光窓部
を画定する反射防止膜が設けられる場合であって、前記反射防止膜には、前記近赤外光吸収性の色素を含む
膜が使用されることを特徴とする請求項１に記載の半導
体撮像装置。
【請求項６】可視光のみならず近赤外光に対する受光
感度を有する半導体撮像装置を製造する方法であって、所定の基板に複数の半導体撮像素子から成る撮像素子ア
レイを形成する工程と、前記基板に形成された撮像素子アレイの周辺領域に配線
部及び接続用の電極部を形成する工程と、前記基板上の電極部を除く当該撮像素子アレイの周辺領
域表面に、近赤外光吸収性の色素を含む膜を形成する工
程とを有することを特徴とする半導体撮像装置の製造方
法。
【請求項７】前記近赤外光吸収性の色素を含む膜に
は、所望のレジスト材料に可視光吸収色素材料及び近赤外光
吸収色素材料を所定の割合で分散させた混合物を使用す
ることを特徴とする請求項６に記載の半導体撮像装置の
製造方法。
【請求項８】前記近赤外光吸収色素材料には次式、【化３】から構成されるシアニン系の色素を使用することを特徴
とする請求項７に記載の半導体撮像装置の製造方法。
【請求項９】前記近赤外光吸収色素材料には次式、【化４】から構成されるスクワリウム系の色素を使用することを
特徴とする請求項７に記載の半導体撮像装置の製造方
法。
【請求項１０】前記半導体撮像素子の１画素の受光窓
部を画定する反射防止膜が設けられる場合であって、前記反射防止膜には、前記近赤外光吸収性の色素を含む
膜を使用することを特徴とする請求項６に記載の半導体
撮像装置の製造方法。