JP3138502B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
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- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
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- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像素子に関し、特
に個々の受光部上にレンズを有する固体撮像素子に関す
る。
に個々の受光部上にレンズを有する固体撮像素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のインター・ライン型及びフレーム
・インターライン型の固体撮像素子は、各受光部（フォ
トダイオード）で蓄積された電荷を転送する転送レジス
タが各受光部間に設けられており、この転送レジスタを
遮光するため、受光部の開口率は、実際の受光部の面積
の約２０〜３０％しかなく、十分な感度が得られなかっ
た。また、近年高画素化，チップの小型化によりさらに
開口率が小さくなり、感度を上げるために開口率を上げ
る必要があった。
・インターライン型の固体撮像素子は、各受光部（フォ
トダイオード）で蓄積された電荷を転送する転送レジス
タが各受光部間に設けられており、この転送レジスタを
遮光するため、受光部の開口率は、実際の受光部の面積
の約２０〜３０％しかなく、十分な感度が得られなかっ
た。また、近年高画素化，チップの小型化によりさらに
開口率が小さくなり、感度を上げるために開口率を上げ
る必要があった。
【０００３】こうして発明された技術が図３に示すよう
なレンズパターニング技術であり、現在の固体撮像素子
において欠くことのできない技術となっている。
なレンズパターニング技術であり、現在の固体撮像素子
において欠くことのできない技術となっている。
【０００４】図３はこのようなレンズパターニング技術
により、凸レンズ８を設けた固体撮像素子の断面構造の
模式図を示すもので、半導体基板１上に複数の受光部
（フォトダイオード）２があり、この隣接する受光部２
間に転送レジスタ（図示せず）が設けられ、その上にゲ
ート（図示せず）や層間膜３を形成し、さらに感光領域
を規定する遮光層（例えばアルミニウム）４が構成され
ている。さらに中間層５を介して各受光部２に対応させ
て選択的にパターニングして染色した染色層６（図中で
はマゼンタ（Ｍｇ），シアン（Ｃｙ），イエロー（Ｙ
ｅ））を形成し、その表面を平坦化する透明な平坦化層
７を設け、この平坦化層７上に各受光部２に対向する位
置に入射光を集光させる凸レンズ８を設けている。
により、凸レンズ８を設けた固体撮像素子の断面構造の
模式図を示すもので、半導体基板１上に複数の受光部
（フォトダイオード）２があり、この隣接する受光部２
間に転送レジスタ（図示せず）が設けられ、その上にゲ
ート（図示せず）や層間膜３を形成し、さらに感光領域
を規定する遮光層（例えばアルミニウム）４が構成され
ている。さらに中間層５を介して各受光部２に対応させ
て選択的にパターニングして染色した染色層６（図中で
はマゼンタ（Ｍｇ），シアン（Ｃｙ），イエロー（Ｙ
ｅ））を形成し、その表面を平坦化する透明な平坦化層
７を設け、この平坦化層７上に各受光部２に対向する位
置に入射光を集光させる凸レンズ８を設けている。
【０００５】平坦化層７の屈折率ｎ1 （例えばフェノー
ル・ノボラック樹脂ｎ1 ＝１．６１）と凸レンズ８の屈
折率ｎ0 （例えばフェノール・ノボラック樹脂ｎ0 ＝
１．６１）は、ｎ0 ≧ｎ1 のため両者の境界で凸レンズ
８より入射した光の光路が変えられることなく光路３０
のように受光部２に集光する。このため、固体撮像素子
の開口率が等価的に上がり、図３では凸レンズ８の幅
ａ′の入射光を受光部２へ集光でき、感度を約２倍に向
上できる（１９８４年テレビ全大３−１７石原，谷垣氏
「樹脂レンズアレーを用いた高感度ＣＣＤイメージセン
サ」）。また、感度をさらに向上させるためには、集光
率を保ちながら凸レンズの幅ａ′を単位画素ピッチｃま
で広げ、隣接する凸レンズ８間の距離２ｂ′をできるだ
け小さくすることが望ましい（ｃ≧ａ′＋２ｂ′）。
ル・ノボラック樹脂ｎ1 ＝１．６１）と凸レンズ８の屈
折率ｎ0 （例えばフェノール・ノボラック樹脂ｎ0 ＝
１．６１）は、ｎ0 ≧ｎ1 のため両者の境界で凸レンズ
８より入射した光の光路が変えられることなく光路３０
のように受光部２に集光する。このため、固体撮像素子
の開口率が等価的に上がり、図３では凸レンズ８の幅
ａ′の入射光を受光部２へ集光でき、感度を約２倍に向
上できる（１９８４年テレビ全大３−１７石原，谷垣氏
「樹脂レンズアレーを用いた高感度ＣＣＤイメージセン
サ」）。また、感度をさらに向上させるためには、集光
率を保ちながら凸レンズの幅ａ′を単位画素ピッチｃま
で広げ、隣接する凸レンズ８間の距離２ｂ′をできるだ
け小さくすることが望ましい（ｃ≧ａ′＋２ｂ′）。
【０００６】ここで図４の固体撮像素子の断面構造の模
式図に示すように、単位画素ピッチｃと凸レンズ８の幅
ａ′を同じ（ｃ＝ａ′、図中破線部分のレンズ形状）と
なるように形成するときにレンズ・パターニング時に隣
接する凸レンズ８間でレンズが接触しレンズパターン未
形成部分４１ができてしまう。このため、図３よりも集
光できるレンズの幅が小さくなる（ａ″＜ａ′）と同時
にレンズの幅ａ″に対するレンズ高さも低くなり、等価
的な開口率は小さくなってしまう。
式図に示すように、単位画素ピッチｃと凸レンズ８の幅
ａ′を同じ（ｃ＝ａ′、図中破線部分のレンズ形状）と
なるように形成するときにレンズ・パターニング時に隣
接する凸レンズ８間でレンズが接触しレンズパターン未
形成部分４１ができてしまう。このため、図３よりも集
光できるレンズの幅が小さくなる（ａ″＜ａ′）と同時
にレンズの幅ａ″に対するレンズ高さも低くなり、等価
的な開口率は小さくなってしまう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の各受
光部に対向する位置に入射光を集光させる凸レンズを設
けた固体撮像素子では、光電変換有効領域の入射光を効
率よく集光するために、凸レンズの幅を単位画素ピッチ
にできるだけ近づけるように形成すると、隣接する凸レ
ンズ間で、レンズパターンが接触してくずれ、等価的な
開口率が小さくなという問題点があった。またこれらが
光電変換有効領域で部分的に発生している場合は、感度
が低下した部分ができて、感度が不均一となったり、あ
るいは、感度差が大きいときに感度低下部分が画素欠陥
のように見えてしまうといった問題点があった。
光部に対向する位置に入射光を集光させる凸レンズを設
けた固体撮像素子では、光電変換有効領域の入射光を効
率よく集光するために、凸レンズの幅を単位画素ピッチ
にできるだけ近づけるように形成すると、隣接する凸レ
ンズ間で、レンズパターンが接触してくずれ、等価的な
開口率が小さくなという問題点があった。またこれらが
光電変換有効領域で部分的に発生している場合は、感度
が低下した部分ができて、感度が不均一となったり、あ
るいは、感度差が大きいときに感度低下部分が画素欠陥
のように見えてしまうといった問題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子
は、半導体基板上に配列した複数の受光部と、受光部で
生成した電荷を転送・出力する転送レジスタと、前記受
光部の表面に積層した透明平坦化層と、前記透明平坦化
層の上にさらに重ねて複数の凸レンズを前記複数の受光
部にそれぞれ対向する位置に形成した固体撮像素子にお
いて、前記複数の凸レンズのうち一の凸レンズが隣接す
る他の凸レンズとレンズパターンが接触してくずれない
ように前記一の凸レンズと前記他の凸レンズとの間の前
記透明平坦化層の表面に溝を掘り下げたことを特徴とす
る。
は、半導体基板上に配列した複数の受光部と、受光部で
生成した電荷を転送・出力する転送レジスタと、前記受
光部の表面に積層した透明平坦化層と、前記透明平坦化
層の上にさらに重ねて複数の凸レンズを前記複数の受光
部にそれぞれ対向する位置に形成した固体撮像素子にお
いて、前記複数の凸レンズのうち一の凸レンズが隣接す
る他の凸レンズとレンズパターンが接触してくずれない
ように前記一の凸レンズと前記他の凸レンズとの間の前
記透明平坦化層の表面に溝を掘り下げたことを特徴とす
る。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の固体撮像素子の断面
構成の模式図である。従来と同様に、半導体基板１上に
設けられた各受光部２に対向する位置に入射光を集光さ
せる凸レンズ８を形成している。層間膜３，遮光層４，
中間層５，染色層６，平坦化層７も従来通りである。こ
こで平坦化層７の屈折率ｎ1 （例えばフェノール・ノボ
ラック樹脂ｎ1 ＝１．６１）と凸レンズ８の屈折率ｎ0
（例えばフェノール・ノボラック樹脂ｎ0 ＝１．６１）
はｎ０≧ｎ1のため、両者の境界で幅ａをもつ凸レンズ
８より入射した光の光路が変えられることなく、光路１
１のように受光部２に集光する。さらに本発明では、隣
接する凸レンズ８間の幅２ｂに溝を設け、図中では凹レ
ンズ９を平坦化層７内に形成している。この凹レンズ９
は平坦化層７と同一の屈折率ｎ1 からなり、上面の空気
（屈折率ｎair ≒１）より幅２ｂをもつ凹レンズ９に入
射する光は、固体撮像素子の開口率を等価的にほぼ単位
画素ピッチｃ近傍まで上げ、光路１０のように受光部２
に集光する。また凸レンズ８の形状，高さおよび凹レン
ズ９の形状は、平坦化層７から受光部２までの距離や受
光部２の実際の開口幅や撮像系側のレンズの設定（絞り
値）などによって、最適値を決める。このように凹レン
ズ９を平坦化層７を形成した後に、エッチング手法によ
り例えば０．１〜０．５μｍの深さをもつ溝を設けて形
成し、さらに凹レンズ９が形成されていない幅ａなる部
分に凸レンズ８（たとえば２．０〜２．５μｍ）に形成
する。これらにより、感度は、レンズ形成前より約２．
５〜２．８倍に上げることができる。また凹レンズ９の
形成により、凸レンズ８間を入射する光が受光部２へ集
光するためスミア成分を低減できる。また、凹レンズ９
を形成することにより凸レンズ８を形成する幅ａが確保
でき隣接する凸レンズが接触し、レンズ・パターンがく
ずれるといった問題がなくなる。さらには、幅ｂを小さ
くし凹レンズ９を小さくすることによって、凸レンズ８
のレンズ・パターンをくずすことなく凸レンズ８の幅ａ
を単位画素ピッチｃに近づけ、開口率を上げることも可
能となる。
る。図１は本発明の第１の実施例の固体撮像素子の断面
構成の模式図である。従来と同様に、半導体基板１上に
設けられた各受光部２に対向する位置に入射光を集光さ
せる凸レンズ８を形成している。層間膜３，遮光層４，
中間層５，染色層６，平坦化層７も従来通りである。こ
こで平坦化層７の屈折率ｎ1 （例えばフェノール・ノボ
ラック樹脂ｎ1 ＝１．６１）と凸レンズ８の屈折率ｎ0
（例えばフェノール・ノボラック樹脂ｎ0 ＝１．６１）
はｎ０≧ｎ1のため、両者の境界で幅ａをもつ凸レンズ
８より入射した光の光路が変えられることなく、光路１
１のように受光部２に集光する。さらに本発明では、隣
接する凸レンズ８間の幅２ｂに溝を設け、図中では凹レ
ンズ９を平坦化層７内に形成している。この凹レンズ９
は平坦化層７と同一の屈折率ｎ1 からなり、上面の空気
（屈折率ｎair ≒１）より幅２ｂをもつ凹レンズ９に入
射する光は、固体撮像素子の開口率を等価的にほぼ単位
画素ピッチｃ近傍まで上げ、光路１０のように受光部２
に集光する。また凸レンズ８の形状，高さおよび凹レン
ズ９の形状は、平坦化層７から受光部２までの距離や受
光部２の実際の開口幅や撮像系側のレンズの設定（絞り
値）などによって、最適値を決める。このように凹レン
ズ９を平坦化層７を形成した後に、エッチング手法によ
り例えば０．１〜０．５μｍの深さをもつ溝を設けて形
成し、さらに凹レンズ９が形成されていない幅ａなる部
分に凸レンズ８（たとえば２．０〜２．５μｍ）に形成
する。これらにより、感度は、レンズ形成前より約２．
５〜２．８倍に上げることができる。また凹レンズ９の
形成により、凸レンズ８間を入射する光が受光部２へ集
光するためスミア成分を低減できる。また、凹レンズ９
を形成することにより凸レンズ８を形成する幅ａが確保
でき隣接する凸レンズが接触し、レンズ・パターンがく
ずれるといった問題がなくなる。さらには、幅ｂを小さ
くし凹レンズ９を小さくすることによって、凸レンズ８
のレンズ・パターンをくずすことなく凸レンズ８の幅ａ
を単位画素ピッチｃに近づけ、開口率を上げることも可
能となる。
【００１０】次に本発明の第２の実施例の固体撮像素子
の断面構成の模式図を図２に示す。この場合、隣接する
凸レンズ８間の溝を平坦化層７に深く形成し、染色層
６，中間層５に沿って上部に凹レンズ９を形成する。等
価的な開口率は実施例１と同様になる。このように溝を
深くすることにより、レンズ・パターンをくずすことな
く凸レンズ８のパターン精度がさらに向上し、単位画素
ピッチｃ近傍でパターンを切ることができる。
の断面構成の模式図を図２に示す。この場合、隣接する
凸レンズ８間の溝を平坦化層７に深く形成し、染色層
６，中間層５に沿って上部に凹レンズ９を形成する。等
価的な開口率は実施例１と同様になる。このように溝を
深くすることにより、レンズ・パターンをくずすことな
く凸レンズ８のパターン精度がさらに向上し、単位画素
ピッチｃ近傍でパターンを切ることができる。
【００１１】さらに前記凹レンズ９を設けた溝を隣接す
るレンズパターンをくずさない最小寸法とし、遮光層４
上まで設けると、凸レンズ８の幅ａを単位画素ピッチｃ
近傍まで開口率を上げるとともに、隣接した凸レンズか
ら斜め入射光が混入してくることを防止でき、フレアや
スミアを低減できるという効果がある。
るレンズパターンをくずさない最小寸法とし、遮光層４
上まで設けると、凸レンズ８の幅ａを単位画素ピッチｃ
近傍まで開口率を上げるとともに、隣接した凸レンズか
ら斜め入射光が混入してくることを防止でき、フレアや
スミアを低減できるという効果がある。
【００１２】またこれらは染色層６をもたない白黒デバ
イスに適用することも可能であることは言うまでもな
い。
イスに適用することも可能であることは言うまでもな
い。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、各受光部
に対向する位置に入射光を集光させる隣接した凸レンズ
間に、溝を設けて凹レンズにすることにより、隣接した
凸レンズどうしが接触しレンズパターン未形成部分がで
きるといったことを防ぐことにより、安定したレンズ・
パターニング形成ができ、入射光を単位画素ピッチ近傍
の幅で有効的に集光でき、感度を向上させることができ
る。
に対向する位置に入射光を集光させる隣接した凸レンズ
間に、溝を設けて凹レンズにすることにより、隣接した
凸レンズどうしが接触しレンズパターン未形成部分がで
きるといったことを防ぐことにより、安定したレンズ・
パターニング形成ができ、入射光を単位画素ピッチ近傍
の幅で有効的に集光でき、感度を向上させることができ
る。
【図１】本発明の第１の実施例の固体撮像素子の断面構
造の模式図。
造の模式図。
【図２】本発明の第２の実施例の固体撮像素子の断面構
造の模式図。
造の模式図。
【図３】従来の固体撮像素子の断面構造の模式図。
【図４】従来の問題点を示した固体撮像素子の断面構造
の模式図。
の模式図。
１ 半導体基板 ２ 受光部 ３ 層間膜 ４ 遮光層 ５ 中間層 ６ 染色層 ７ 平坦化層 ８ 凸レンズ ９ 凹レンズ １０，１１，２０，３０，４０ 光路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−154164（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−152972（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−218067（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−200136（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03B 27/00 H01L 27/14 H04N 5/335
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に配列した複数の受光部
と、受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジス
タと、前記受光部の表面に積層した透明平坦化層と、前
記透明平坦化層の上にさらに重ねて複数の凸レンズを前
記複数の受光部にそれぞれ対向する位置に形成した固体
撮像素子において、前記複数の凸レンズのうち一の凸レ
ンズが隣接する他の凸レンズとレンズパターンが接触し
てくずれないように前記一の凸レンズと前記他の凸レン
ズとの間の前記透明平坦化層の表面に溝を掘り下げたこ
とを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 前記溝は、凹レンズとなるように形成さ
れた溝であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03185994A JP3138502B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03185994A JP3138502B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0527196A JPH0527196A (ja) | 1993-02-05 |
| JP3138502B2 true JP3138502B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=16180510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03185994A Expired - Lifetime JP3138502B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3138502B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2820074B2 (ja) * | 1995-07-31 | 1998-11-05 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| KR100521969B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2006-01-12 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 높은 광감도를 갖는 이미지센서 및 그 제조방법 |
| CN102998730B (zh) * | 2012-12-24 | 2014-10-22 | 四川省宜宾普什集团3D有限公司 | 一种立体光栅 |
| JP2021097189A (ja) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| TWI792173B (zh) * | 2021-02-04 | 2023-02-11 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 指紋感測系統 |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP03185994A patent/JP3138502B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0527196A (ja) | 1993-02-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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