JPH03276677A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH03276677A JPH03276677A JP2077672A JP7767290A JPH03276677A JP H03276677 A JPH03276677 A JP H03276677A JP 2077672 A JP2077672 A JP 2077672A JP 7767290 A JP7767290 A JP 7767290A JP H03276677 A JPH03276677 A JP H03276677A
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- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は固体撮像素子に関し、特に個々の光ダイオード
上にレンズを有する固体撮像素子に関する。
上にレンズを有する固体撮像素子に関する。
[従来の技術]
従来の固体撮像素子のインター・ライン型においては、
光ダイオードと隣接する光ダイオードの間に、転送レジ
スタが構成されるため、開口率は20〜30%しかなく
、十分な感度が得られなかった。このため感度を上げる
ために間口率を上げる必要があフた。
光ダイオードと隣接する光ダイオードの間に、転送レジ
スタが構成されるため、開口率は20〜30%しかなく
、十分な感度が得られなかった。このため感度を上げる
ために間口率を上げる必要があフた。
前記の必要性を満たすものとして、従来発明された技術
が第2図に示すレンズ・バターニング技術である。
が第2図に示すレンズ・バターニング技術である。
第2図に示す固定撮像素子では、N型基板1上にP型層
2を形成し、前記P型層2とN型拡散層3とて光ダイオ
ードを構成している。N型拡散層5は転送レジスタとし
て動作し、P型拡散N4は前記N型拡散層5に蓄積され
た電荷が隣接するN型拡散層3に入らないようにするた
めのチャネル・ストップとして動作する。ゲート6はポ
リシリコンの電極であり、その上に層間膜7を形成し、
更に感光領域を規定する遮光膜8(例えばA9)が構成
される。そして、平坦化層9によって、前記遮光膜8に
よる凹凸を平坦化し、その上にレンズ10を形成する。
2を形成し、前記P型層2とN型拡散層3とて光ダイオ
ードを構成している。N型拡散層5は転送レジスタとし
て動作し、P型拡散N4は前記N型拡散層5に蓄積され
た電荷が隣接するN型拡散層3に入らないようにするた
めのチャネル・ストップとして動作する。ゲート6はポ
リシリコンの電極であり、その上に層間膜7を形成し、
更に感光領域を規定する遮光膜8(例えばA9)が構成
される。そして、平坦化層9によって、前記遮光膜8に
よる凹凸を平坦化し、その上にレンズ10を形成する。
前記平坦化N9の屈折率n(例えばフェノール・ノボラ
ック樹脂n+=1.61)と前記レンズ10の屈折率n
@(例えばフエノーノし・ノボラック樹脂ではna=1
.61)はnθ;nlのため、両者の境界でレンズより
入射した光の光路が変えられることはなく、正規の場合
、光路11のように光ダイオードに集光する。
ック樹脂n+=1.61)と前記レンズ10の屈折率n
@(例えばフエノーノし・ノボラック樹脂ではna=1
.61)はnθ;nlのため、両者の境界でレンズより
入射した光の光路が変えられることはなく、正規の場合
、光路11のように光ダイオードに集光する。
前記、従来技術において光ダイオード上にレンズをパタ
ーン化したため、等測的に開口率が上刃Sす、感度が2
倍に向上した(1984年、テレビ全人3−17、石原
、谷垣「樹脂レンズアレイを用いた高感度CCDイメー
ジセンサ」参照)。
ーン化したため、等測的に開口率が上刃Sす、感度が2
倍に向上した(1984年、テレビ全人3−17、石原
、谷垣「樹脂レンズアレイを用いた高感度CCDイメー
ジセンサ」参照)。
[発明が解決しようとする課題]
しかし第2図の光路12、すなわち隣接画素Cのレンズ
の反射光12が画素への光ダイオードζこ入射するよう
な場合は、画素CとAの間で信号のクロス・トークとな
り、MTFが劣化するほか、モザイク型カラーフィルタ
を用いた固体撮像素子では色変調度が低下するといった
問題点がある。
の反射光12が画素への光ダイオードζこ入射するよう
な場合は、画素CとAの間で信号のクロス・トークとな
り、MTFが劣化するほか、モザイク型カラーフィルタ
を用いた固体撮像素子では色変調度が低下するといった
問題点がある。
また、第2図の光路13や14すなわちレンズの製造上
の正規の光軸からずれた欠陥等ζこよる光光路の場合、
遮光膜8の表面での凹凸により散乱された反射光13や
14は、フレア成分の増加や同反射光の隣接画素Bの光
ダイオードへの再入射によりスミア成分が増大するとい
った問題点があり、高輝度被写体を撮像したときに、画
質が著しく劣化するという欠点がある。
の正規の光軸からずれた欠陥等ζこよる光光路の場合、
遮光膜8の表面での凹凸により散乱された反射光13や
14は、フレア成分の増加や同反射光の隣接画素Bの光
ダイオードへの再入射によりスミア成分が増大するとい
った問題点があり、高輝度被写体を撮像したときに、画
質が著しく劣化するという欠点がある。
本発明はレンズから入射した光を当該レンズに対応する
光ダイオードに効率良く案内することにより、上記問題
を解決した固体撮像素子を提供することを目的とする。
光ダイオードに効率良く案内することにより、上記問題
を解決した固体撮像素子を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明の固体撮像素子は、単位画素上にレンズを有する
固体撮像素子において、受光領域を規定する遮光膜上に
、光ダイオードの受光面を覆う層に接して当該層より屈
折率の小さい層を設けたことを特徴とする。
固体撮像素子において、受光領域を規定する遮光膜上に
、光ダイオードの受光面を覆う層に接して当該層より屈
折率の小さい層を設けたことを特徴とする。
尚、レンズを設けるに際して、光ダイオードの受光面上
を平坦化層で平坦化する場合には、この平坦化層より屈
折率の小さな層が遮光膜上に設けられることとなる。
を平坦化層で平坦化する場合には、この平坦化層より屈
折率の小さな層が遮光膜上に設けられることとなる。
[実施例コ
第1図は本発明の一実施例である。尚、前述した従来例
と同一部分には同一符号を付して重複する説明は省略す
る。
と同一部分には同一符号を付して重複する説明は省略す
る。
本実施例では、遮光膜8上に絶縁膜を介して屈折率n2
の物質(例えばPGMAで屈折率n2:1゜51)から
成る層15を積層した後、屈折率n1なる物質(例えば
フェノール・ノボラック樹脂で屈折率1.61)からな
る平坦化層9を積層して平坦化し、その上に屈折率ns
(例えばフェノール・ノボラック樹脂で屈折率1.61
)なるレンズ10を形成したものである。この時、n@
、 n+、 n2の間係はns≧n I> n 2
を満たしていればよい。
の物質(例えばPGMAで屈折率n2:1゜51)から
成る層15を積層した後、屈折率n1なる物質(例えば
フェノール・ノボラック樹脂で屈折率1.61)からな
る平坦化層9を積層して平坦化し、その上に屈折率ns
(例えばフェノール・ノボラック樹脂で屈折率1.61
)なるレンズ10を形成したものである。この時、n@
、 n+、 n2の間係はns≧n I> n 2
を満たしていればよい。
屈折率n2の物質により、画素Cのレンズでの入射光1
2や画素Aのレンズでの光路からずれた入射光14は、
光ダイオードの受光面を覆っている平坦化層9と屈折率
の小さな層15との界面により、その一部が反射するた
め、画素間での信号のクロス・トークは大幅に減少させ
ることができる。このため、MTFは向上し、モザイク
型カラー・フィルタを用いた固体撮像素子でも色変調度
が向上する。また、画素Aのレンズ端面近くて斜め入射
した光13は、同様に平坦化層9とN15との界面にて
反射して画素Aの光ダイオードに入射するため、遮光膜
8の表面での散乱光が減少し、フレア成分、スミア成分
を低減できる。このため、光輝度被写体を撮像した時で
も、画質の劣化を防ぐことができる。
2や画素Aのレンズでの光路からずれた入射光14は、
光ダイオードの受光面を覆っている平坦化層9と屈折率
の小さな層15との界面により、その一部が反射するた
め、画素間での信号のクロス・トークは大幅に減少させ
ることができる。このため、MTFは向上し、モザイク
型カラー・フィルタを用いた固体撮像素子でも色変調度
が向上する。また、画素Aのレンズ端面近くて斜め入射
した光13は、同様に平坦化層9とN15との界面にて
反射して画素Aの光ダイオードに入射するため、遮光膜
8の表面での散乱光が減少し、フレア成分、スミア成分
を低減できる。このため、光輝度被写体を撮像した時で
も、画質の劣化を防ぐことができる。
なお、第1図において屈折率n2を有するJ’i15の
Wlは底辺の長さ、W2は上辺の長さ、hlは高さを表
し、h2は前記層15の上辺とレンズ10・平坦化層9
の境界面との間の長さ、Xは画素上のレンズの端(例え
ば、第1図の画素Aのレンズの右端)と隣接画素上のレ
ンズの端く例えば、第1図の画素Bのレンズの左端)と
の長さを表す。前記のWl、 W2. h重+
h2+ Xは撮像系、レンズ10の口径とレンズ10
と光ダイオードまでの焦点距離との比、遮光膜8上およ
びレンズ10の何処て反射するか、レンズ10の形状、
平坦化層9の厚さ等によって決まり、各々はh1≠0.
h2≦h+<h + +h2. WI≠0.W1≦W2
≦Xの値をとるのが好ましい。例えば、第1図のN15
のWIT W21hl+ F12+ Xをそれぞ
れW1≠Q、W2=x、 h+=b++h2. t
i2:0とした上底X、下底W、高さhlの台形とすれ
ば、第1図の正規の光路11を通る光が効率良く案内さ
れて光ダイオードに入射するので、光路12,14の影
響をかなり除くことができる。また前記の屈折率n@、
nl、 n2の間係において、nl、n2関係は
nl)>n2の場合、フレア成分、スミア成分のそれぞ
れの低減の効果が大きい。
Wlは底辺の長さ、W2は上辺の長さ、hlは高さを表
し、h2は前記層15の上辺とレンズ10・平坦化層9
の境界面との間の長さ、Xは画素上のレンズの端(例え
ば、第1図の画素Aのレンズの右端)と隣接画素上のレ
ンズの端く例えば、第1図の画素Bのレンズの左端)と
の長さを表す。前記のWl、 W2. h重+
h2+ Xは撮像系、レンズ10の口径とレンズ10
と光ダイオードまでの焦点距離との比、遮光膜8上およ
びレンズ10の何処て反射するか、レンズ10の形状、
平坦化層9の厚さ等によって決まり、各々はh1≠0.
h2≦h+<h + +h2. WI≠0.W1≦W2
≦Xの値をとるのが好ましい。例えば、第1図のN15
のWIT W21hl+ F12+ Xをそれぞ
れW1≠Q、W2=x、 h+=b++h2. t
i2:0とした上底X、下底W、高さhlの台形とすれ
ば、第1図の正規の光路11を通る光が効率良く案内さ
れて光ダイオードに入射するので、光路12,14の影
響をかなり除くことができる。また前記の屈折率n@、
nl、 n2の間係において、nl、n2関係は
nl)>n2の場合、フレア成分、スミア成分のそれぞ
れの低減の効果が大きい。
本発明はインター・ライン型固体撮像素子のみならず、
遮光層を有する全ての固体撮像素子に適用できることは
言うまでもない。また、上記実施例では平坦化層9が光
ダイオードの受光面を覆った例を示したが、本発明はこ
れに限定されず、光ダイオードの受光面を覆った層より
小さな屈折率の層によフて両層の界面での反射を生じさ
せ、これによって、必要な光は光ダイオードに案内し、
不要な光は反射によって除去するようにすればよい。
遮光層を有する全ての固体撮像素子に適用できることは
言うまでもない。また、上記実施例では平坦化層9が光
ダイオードの受光面を覆った例を示したが、本発明はこ
れに限定されず、光ダイオードの受光面を覆った層より
小さな屈折率の層によフて両層の界面での反射を生じさ
せ、これによって、必要な光は光ダイオードに案内し、
不要な光は反射によって除去するようにすればよい。
[発明の効果コ
以上説明したように、本発明は光ダイオードへの集光率
を高めたので固体撮像素子の感度が向上し、フレア成分
、スミア成分は低減する。この結果、解像度が向上し・
、モザイク型カラー・フィルタを用いた固体撮像素子で
も色度調度が向上する。
を高めたので固体撮像素子の感度が向上し、フレア成分
、スミア成分は低減する。この結果、解像度が向上し・
、モザイク型カラー・フィルタを用いた固体撮像素子で
も色度調度が向上する。
また、高輝度被写体を撮像した場合でも画質が劣化しな
い。
い。
第1図は本発明の一実施例に係る固体撮像素子の断面図
、第2図は従来技術による固体撮像素子の断面図である
。 1・・・・・・・・N型基板、 2・・・・・・・・P型層、 3・・・・・・・・N型拡散層、 4・・・・・・・・P型拡散層、 5・・・・・・・・N型拡散層、 6・・・・・・・・ポリシリコン・ゲート電極、7・・
・・・ ・・・層間膜、 8・・・・・・・・遮光膜、 9・・・・・・・・平坦化層、 10・・・・・・・レンズ、 ]5・・・・・・・屈折率の小さな層。
、第2図は従来技術による固体撮像素子の断面図である
。 1・・・・・・・・N型基板、 2・・・・・・・・P型層、 3・・・・・・・・N型拡散層、 4・・・・・・・・P型拡散層、 5・・・・・・・・N型拡散層、 6・・・・・・・・ポリシリコン・ゲート電極、7・・
・・・ ・・・層間膜、 8・・・・・・・・遮光膜、 9・・・・・・・・平坦化層、 10・・・・・・・レンズ、 ]5・・・・・・・屈折率の小さな層。
Claims (1)
- 単位画素上にレンズを有する固体撮像素子において、
受光領域を規定する遮光膜上に、光ダイオードの受光面
を覆う層に接して当該層より屈折率の小さい層を設けた
ことを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2077672A JPH03276677A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2077672A JPH03276677A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03276677A true JPH03276677A (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=13640375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2077672A Pending JPH03276677A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03276677A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO1998012752A1 (de) * | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Photodetektor und farbfilter unter verwendung eines photodetektors |
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GB2403847A (en) * | 2003-07-01 | 2005-01-12 | Micron Technology Inc | Optical channels for multi-level metal optical imagers |
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US7675099B2 (en) | 2006-12-04 | 2010-03-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and method of forming the same |
JP2013150314A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-08-01 | Canon Inc | 固体撮像素子および撮像装置 |
-
1990
- 1990-03-26 JP JP2077672A patent/JPH03276677A/ja active Pending
Cited By (14)
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EP0741418A2 (en) * | 1995-05-02 | 1996-11-06 | Matsushita Electronics Corporation | Solid state imaging device and production method for the same |
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