JP2004335803A - Mos型固体撮像装置とその駆動方法 - Google Patents
Mos型固体撮像装置とその駆動方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】ダイナミックレンジを拡大できる構造を持ったMOS型固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に複数の受光部がアレー状に配列され各受光部の信号を受光部毎に読み出すMOS型固体撮像装置において、各受光部に、入射光量に応じた信号を検出する第1信号電荷検出部31と、第1信号電荷検出部31による検出信号が飽和したとき第1信号電荷検出部31の過剰電荷の一部を捕獲し捕獲電荷量に応じた信号を検出する第2信号電荷検出部32とを設ける。好適には、第2信号電荷検出部32は、遮光膜開口部34aを避けた完全遮光位置に設ける。
【選択図】 図2
【解決手段】半導体基板の表面に複数の受光部がアレー状に配列され各受光部の信号を受光部毎に読み出すMOS型固体撮像装置において、各受光部に、入射光量に応じた信号を検出する第1信号電荷検出部31と、第1信号電荷検出部31による検出信号が飽和したとき第1信号電荷検出部31の過剰電荷の一部を捕獲し捕獲電荷量に応じた信号を検出する第2信号電荷検出部32とを設ける。好適には、第2信号電荷検出部32は、遮光膜開口部34aを避けた完全遮光位置に設ける。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はCMOSイメージセンサ等のMOS型固体撮像装置に係り、特に、ダイナミックレンジの広いMOS型固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図10は、例えば下記の非特許文献1に開示されている従来のCMOS型カラー固体撮像装置の構成図であり、図11は、その等価回路図である。半導体基板10の表面側にはPウェル層11が形成され、このPウェル層11の表面側にN+層12が形成されている。このPウェル層11とN+層12との間に形成されるPN接合フォトダイオードに、図示しないマイクロレンズを通し、且つ、カラーフィルタ13と遮光膜14の開口14aを通して光が入射すると、PN接合フォトダイオードの容量に変化が生じる。
【0003】
CMOS型カラー固体撮像装置では、PN接合フォトダイオードの容量変化を、図11に示すソースフォロアアンプM1,M2で検出することを基本としている。即ち、受光部のPN接合フォトダイオード(D)の容量成分(C)に予めリセットトランジスタ(M3)をオンにすることによって所定電荷を蓄えておき、この蓄積電荷が、入射光によってPN接合フォトダイオード部近傍で発生したフォトキャリアによって放電した後、その放電後の容量Cの電荷量変化を、ソースフォロアアンプM1,M2によって読み出す。
【0004】
この様な構成のCMOS型固体撮像装置や、CCD型固体撮像装置を用いて被写体を撮像する場合、撮像画像中の高輝度部分が白つぶれしたり低輝度部分が黒つぶれしないことが望ましい。すなわち、低輝度から高輝度にわたる撮像を可能にするため、固体撮像装置や信号処理回路において広いダイナミックレンジを実現する必要がある。
【0005】
そこで、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大する方法が従来から種々提案されている。例えば、下記特許文献1に記載された従来技術では、CCD型固体撮像装置の表面に高感度画素と低感度画素の両方を設け、高感度画素による撮像画像と低感度画素による撮像画像とを合成することで、広ダイナミックレンジ化を実現している。
【0006】
高感度画素と低感度画素の間に感度差を設ける方法としては、たとえば、一方の画素上にNDフィルタを積層する方法や、一方の画素上の遮光膜の開口を狭める方法などが考えられる。しかし、固体撮像装置表面において高感度画素と低感度画素とを隣接して設けるため、固体撮像装置表面への入射光角度や光強度分布によって、高感度画素と低感度画素の感度比が異なってしまうという問題がある。
【0007】
下記特許文献2に記載された従来技術では、固体撮像装置を用いて同一画像を2回撮像し、各撮像画像を合成することで、ダイナミックレンジを拡大している。即ち、この従来技術では、露光時間の長短によって感度差を実現し、短時間露光(蓄積時間が短い)によって得られた低感度画像信号と、長時間露光(蓄積時間が長い)によって得られた高感度画像信号とを合成している。しかし、この従来技術では、短時間露光による画像情報と長時間露光による画像情報との間に時間的なずれが存在するため、特に静止画像を撮影する場合に、動く被写体の撮像、高速シャッタ動作やストロボ撮影等に適さないという問題がある。
【0008】
下記特許文献3及び特許文献4に記載された従来技術では、高感度画像情報の特性曲線と低感度画像情報の特性曲線とが滑らかにつなぎ合わさる様に信号処理し、低露光エネルギ領域では高感度画像情報を主に使用し、高露光エネルギ領域では低感度側の画像情報を主に使用するようにすることで、出力信号が飽和する露光エネルギ値を従来よりも高露光エネルギ側にシフトし、広ダイナミックレンジ化を実現している。
【0009】
【特許文献1】
特開昭59―210775号公報
【特許文献2】
特開昭62―108678号公報
【特許文献3】
特開平5―64083号公報
【特許文献4】
特開平6―141229号公報
【特許文献5】
特開平11―298798号公報
【非特許文献1】
SPIE Vol.3019,pp115−124(1997)
【非特許文献2】
C.H.Sequin Blooming Suppression in Charge Coupled Area Imaging Devices,Bell Syst.Tech.J.,51,pp1923−1926(1972)
【非特許文献3】
Y.Ishihara他 Interline CCD Image Sensor with Anti Blooming Structure,ISSCC Dig,Tech.Papers,pp168−169(1982)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
固体撮像装置は、銀塩フィルムに比べ、露光エネルギに対するラティチュード(許容範囲)が狭いと言われている。たとえば、CCD型固体撮像装置では、強い光が入射し、受光部に蓄積できる蓄積電荷量を超える電荷が発生すると、光が入射していない隣接画素にもあふれた電荷が流入し、このため、光が入射した部分を中心に白い領域が広がってしまうというブルーミング現象が知られている。
【0011】
このブルーミング現象を改善するために、従来から、過剰電荷が隣接受光部に流入する前に、この過剰電荷を外部に排出する構造が採用されている。例えば、上記の非特許文献2にその構造の一例が記載されている。すなわち、受光部電荷蓄積部の横にオーバーフロードレイン(OD)呼ばれる同じ導電型の別の電荷蓄積領域を設け、過剰な電荷をここに集め、素子外部に一括して掃き出すようにした構造である。この構造は、一般に、横型オーバーフロードレイン(LOD)と呼ばれ、この構造により、上記のブルーミング現象は大幅に改善される。
【0012】
しかし、横型オーバーフロードレイン構造を固体撮像装置に採用する場合、半導体基板のチップ全体にオーバーフロードレインを格子状に敷設しなければならず、チップ面積を有効に利用できないという問題が生じる。
【0013】
そこで、上記の非特許文献3に記載されている様に、縦型オーバーフロードレイン(VOD)が開発された。これは、受光部の基板深さ方向にN+PN構造を形成することにより、過剰電荷を基板側に流出させる構造である。すなわち、基板のN層とPウェル層との間にバイアス電圧を印加することで、受光部ポテンシャルウエルから流出した過剰電荷をN型基板に排出するものである。
【0014】
この縦型オーバーフロードレイン構造では、基板電位は各受光部について一様に制御することが容易なため、基板電圧および印加時間によってオーバーフローのレベルを制御することができる。また、チップ表面の面積を犠牲にすることがないため、現在の固体撮像装置では、殆ど全てが縦型オーバーフロードレイン構造を採用し、過大な入射光に対するブルーミングあるいはスミアと呼ばれる現象を大幅に改善している。
【0015】
しかし、オーバーフロードレインの構造を固体撮像装置に設けても、一定の光量を超える入射光に対しては出力信号が飽和するため、入射光エネルギの広い範囲において信号差(濃淡)を判別することができず、上述のラティチュードを狭くする原因の一つになっていることに変わりはない。
【0016】
上記の特許文献5には、上述の様な受光部の入射光エネルギを制御する方法や半導体基板で発生した過剰電荷をオーバーフロードレインに排出することで高照度部における出力信号の飽和を抑制する方法のいずれとも異なる方法により、即ち、対数圧縮技術を使うことで、広ダイナミックレンジ化を図るCMOSイメージセンサが記載されている。
【0017】
この特許文献5に記載の方法によれば、広範囲にわたる光量の差(104〜105倍)に対してもリニアな出力特性を得ることができるが、低照度領域では、ノイズの影響を受けやすく、また高照度領域では、その動作点が対数圧縮特性を左右するMOSトランジスタのサブスレッシュホルド特性からずれてしまうという問題がある。
【0018】
また、各画素の特性、特にMOSトランジスタのサブスレッシュホルド特性のバラツキにより、カラーフィルタを用いた複数の画素信号から忠実な色再現を行うことが難しい等の問題がある。従って、この従来技術は、極端に輝度に差がある被写体に対して連続的にモノクロ映像を撮像する、例えば車載用モニタ、暗視カメラ、工業計測用途などに適し、汎用のデジタルカメラには不向きであると考えられる。
【0019】
本発明の目的は、対数圧縮技術を用いることなく、ダイナミックレンジを拡大できる構造を持ったMOS型固体撮像装置を提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】
本発明のMOS型固体撮像装置は、半導体基板の表面に複数の受光部がアレー状に配列され各受光部の信号を受光部毎に読み出すMOS型固体撮像装置において、前記各受光部に、入射光量に応じた信号を検出する第1信号電荷検出部と、該第1信号電荷検出部による検出信号が飽和したとき該第1信号電荷検出部の過剰電荷の一部を捕獲し捕獲電荷量に応じた信号を検出する第2信号電荷検出部とを設けたことを特徴とする。
【0021】
この構成により、対数圧縮技術を用いることなく、ダイナミックレンジを拡大することが可能となる。
【0022】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記半導体基板の表面側において前記第2信号電荷検出部が前記第1信号電荷検出部とバリアを介して隣接配置されることを特徴とする。この構成により、固体撮像装置の設計が容易となる。
【0023】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記バリアの不純物濃度が前記半導体基板に設けたPウェル層の不純物濃度より高いことを特徴とする。この構成により、第2信号電荷検出部への流入電荷量を調整することが容易となる。
【0024】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記第2信号電荷検出部が前記第1信号電荷検出部の周囲を囲むように設けられることを特徴とする。この構成により、第1信号電荷検出部の過剰電荷量に応じた電荷を第2信号電荷検出部が捕獲可能となる。
【0025】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記第2信号電荷検出部が前記第1信号電荷検出部の基板深さ方向に配置されることを特徴とする。この構成により、縦型オーバーフロードレイン構造によって廃棄される過剰電荷の一部を第2信号電荷検出部が捕獲する構成にすることができる。
【0026】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記第1信号電荷検出部及び前記第2信号電荷検出部の不純物濃度が、信号を読み出す信号線とのコンタクト部に近いほど高濃度に形成されていることを特徴とする。この構成により、コンタクト部37,38におけるオーミックコンタクトが容易になる。
【0027】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記第1信号電荷検出部の前記コンタクト部と前記第2信号電荷検出部の前記コンタクト部とが別々に設けられることを特徴とする。この構成により、この構成により、受光部の信号読み出しが容易となる。
【0028】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記第2信号電荷検出部が遮光膜開口部を避けた下部に設けられることを特徴とする。この構成により、基板深部にまで到達する入射光や迷光の影響を受け難くできる。
【0029】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記第2信号電荷検出部の面積が前記第1信号電荷検出部の面積よりも小さいことを特徴とする。この構成により、面積比によってダイナミックレンジの幅を容易に制御可能となる。
【0030】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記の各受光部の上部には夫々オンチップ集光光学系が設けられ、前記の各受光部に夫々遮光膜の1つの開口部が対応し、各1つの開口部に対して前記第1信号電荷検出部と前記第2信号電荷検出部とが設けられることを特徴とする。この構成により、入射光のロスがなくなり、高感度化と高解像度化が可能になる。
【0031】
本発明のMOS型固体撮像装置の駆動方法は、上記のいずれかに記載のMOS型固体撮像装置の駆動方法であって、前記第1信号電荷検出部の信号と前記第2信号電荷検出部の信号とを面順次に独立に読み出すことを特徴とする。この構成により、独立に読み出された信号を、ユーザの好みに応じて加算処理することができ、ユーザのニーズに合わせることが容易となる。
【0032】
本発明の画像信号処理方法は、上記の駆動方法によって前記MOS型固体撮像装置から出力された前記第1信号電荷検出部の検出信号と前記第2信号電荷検出部の検出信号とを前記受光部毎に加算処理することを特徴とする。この構成により、面倒な信号処理を信号処理部が自動的に行うため、ダイナミックレンジの広い撮像画像を得ることが可能となる。
【0033】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。
【0034】
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るCMOS型カラー固体撮像装置の表面模式図である。このCMOS型カラー固体撮像装置は、n型半導体基板20の表面上に形成され、受光領域21と、受光領域21脇に形成された垂直走査回路22と、半導体基板20の底辺側に形成された水平走査回路等(信号増幅回路,A/D変換回路,同期信号発生回路等)23とを備える。
【0035】
受光領域21には、多数の後述する受光部が二次元アレー状に、この例では正方格子状に配列形成されており、各受光部の上面に夫々一色のカラーフィルタが積層されている。カラーフィルタとしては、補色系カラーフィルタであるシアン(Cy)、イエロー(Ye)、マゼンタ(Mg)、グリーン(G)の4色のカラーフィルタが用いられ、奇数行にはGフィルタとMgフィルタが交互に、偶数行にはYeフィルタとCyフィルタが交互に配列されている。これは、一般に、色差順次配列と呼ばれるカラーフィルタ配列であるが、Gフィルタを含まないYe,Cy,Mg(3色)のカラーフィルタの組み合わせも可能である。本実施形態では、各受光部の構造は同じであり、各受光部の上面側に積層されたカラーフィルタの色が異なる。
【0036】
図2は、図1のII―II線断面図である。本実施形態に係るCMOS型カラー固体撮像装置は、n型半導体基板20に形成される。n型半導体基板20の表面側にはPウェル層30が形成され、Pウェル層30の表面側に、N+領域(n1層)でなる第1信号電荷検出部31及び同じくN+領域(n2層)でなる第2信号電荷検出部32が隣接して形成され、第2信号電荷検出部31と第2信号電荷検出部32との間は、逆導電型であるP+領域のバリア層33で分離される。
【0037】
半導体基板20の表面は遮光膜34で覆われ、第1信号電荷検出部31の上方のみに遮光膜開口部34aが設けられ、バリア層33及び第2信号電荷検出部32は遮光膜34で覆われた遮光位置に設けられる。本実施形態の個々の受光部は、第1信号電荷検出部31及び第2信号電荷検出部32とで構成され、各受光部は、素子分離帯35により隣接受光部から分離される。
【0038】
半導体基板20の最表面は、SiO2膜36によって覆われ、遮光膜34の上部には図示しない配線層を介してカラーフィルタ(図示省略)が積層され、カラーフィルタの上部に、マイクロレンズ(図示省略)が配置される。
【0039】
Pウェル層30は、第1信号電荷検出部31の形成位置において第1信号電荷検出部31に近くなるように盛り上がる様に形成され、基板20のPウェル層30との間に印加されるバイアス電圧Vsubにより、第1信号電荷検出部31から溢れた過剰電荷の大部分が、矢印Aに示すように、速やかに基板20側に廃棄される縦型オーバーフロードレイン構造となっている。
【0040】
各受光部の第1信号電荷検出部31及び第2信号電荷検出部32は、遮光膜34による遮光位置において、高濃度不純物領域(N+領域)でなるコンタクト部37,38により、周辺回路を構成するオンチップのソースフォロアアンプ39,40に接続される。
【0041】
この様に、本実施形態の受光部は、第1信号電荷検出部31のみが遮光膜34の1つの開口部34aに対面し、第2信号電荷検出部32は遮光膜34によって完全に遮光されるため、第2信号電荷検出部32では、入射光による電荷生成は行われない。
【0042】
本実施形態の第1信号電荷検出部31,第2信号電荷検出部32の不純物濃度は、例えば、1×1017〜5×1019/cm3に設定される。また、外部配線とのコンタクト部37,38は、更に高濃度に設定される。半導体基板20の表面側において水平方向に隣接する第1信号電荷検出部31と第2信号電荷検出部32とを分離するバリア33のP+層の不純物濃度は、Pウェル層30の不純物濃度よりも高くなるように設定される。Pウェル層30の不純物濃度は、例えば、1×1015〜3×1016/cm3の間に設定される。
【0043】
図3は、本実施形態に係るカラー固体撮像装置の4画素分(Mg,Cy,Ye,G)に対応する二次元平面模式図である。半導体基板20の表面は、縦横に延びるLOCOSによる素子分離帯30によって碁盤の目の様に各受光部が素子分離されてする。図示する例では、各受光部はほぼ正方形をなしている。
【0044】
各受光部面積のうち、大部分に上述した各第1信号電荷検出部31が形成される。各受光部の右端には短冊状の周辺回路領域41が設けられ、この周辺回路領域41内に、上述したソースフォロアアンプ39,40が形成され、ソースフォロアアンプ39を介して、第1信号電荷検出部31の画像信号が読み出される。
【0045】
遮光膜34の開口部34aを避けた遮光位置には、バリア33を介して第2信号電荷検出部32が設けられており、この第2信号電荷検出部32の画像信号が、コンタクトホール38及びソースフォロアアンプ40を介して読み出される。
【0046】
図面上、縦方向に設けられた素子分離帯35の上に、信号出力線43と電源線44とリセット線45が敷設され、横方向に設けられた素子分離帯35の上に、選択信号線42が設けられる。信号出力線43は各アンプ39,40の出力に接続され、電源線44には電源電圧が印加され、リセット線43にはリセット信号が印加される。
【0047】
これらの選択信号やリセット信号は、図1に示す垂直走査回路22や水平走査回路等23等によって制御される。各受光部上に記載した点線矩形枠34aは遮光膜開口部位置を示しており、この内側のみに光が通過し、その外側すなわち第2信号電荷検出部32やコンタクトホール37,38、アンプ39,40は完全に遮光されている。
【0048】
図4(a)は、図3のA点からB点に横切る方向のポテンシャルプロファイルを示す図であり、図4(b)は、図3のA点の基板深さ方向のポテンシャルプロファイルを示す図である。
【0049】
本実施形態のCMOS型固体撮像装置では、第1信号電荷検出部31への入射光が過剰になり、第1信号電荷検出部31が飽和する過剰電荷が発生したとき、この過剰電荷の一部は、バリア33を拡散して第2信号電荷検出部32に流入する。このバリア33を拡散する過剰電荷の移動速度は、バリア33の不純物濃度を制御することで調整可能である。一方、基板深さ方向においては、縦型オーバーフロードレイン構造(N+層31―Pウェル層30―N型基板20)により過剰電荷はそのまま基板20に排出される。
【0050】
即ち、本実施形態のCMOS型固体撮像装置では、高輝度入射光が第1信号電荷検出部31に入射し第1信号電荷検出部31の飽和電荷量を超える過剰電荷が発生したとき、この過剰電荷の一部が第2信号電荷検出部32に流入する。このため、この第2信号電荷検出部32の信号を第1信号電荷検出部31の信号と区別して読み出し、その後の信号処理において加算することで、高輝度入射光の光量に応じた信号が得られる。
【0051】
図5は、上述した実施形態に係るCMOS型固体撮像装置を搭載したデジタルスチルカメラによって被写体を撮像するときのシーケンス図である。上述し実施形態に係る固体撮像装置を搭載したデジタルスチルカメラでは、先ず、固体撮像装置をリセットする(ステップS1)。そして、メカニカルシャッタが「開」になって露光を開始する(ステップS2)。これにより、受光部(第1信号電荷検出部31)に入射光量に応じた光電荷が発生し、第1信号電荷検出部31のPN接合部に予め蓄積された電荷を放電する(ステップS3)。
【0052】
入射光量が過剰となり過剰電荷が発生したときは、過剰電荷の一部がバリア33を拡散して第2信号電荷検出部32に流入し、第2信号電荷検出部32のPN接合部に予め蓄積された電荷を放電する(ステップS3)。
【0053】
自動露光制御によって決められた露光時間が経過した後は、メカニカルシャッタが「閉」となる(ステップS4)。そして、本実施形態では、先ず、第1信号電荷検出部31の信号を読み出し(ステップS5)、次に、第2信号電荷検出部32の信号を読み出す(ステップS6)。
【0054】
次のステップS7では、第1信号電荷検出部31の検出信号qと第2信号電荷検出部32の検出信号q’をアナログ信号処理(例えばサンプルホールド処理やアナログ/デジタル変換処理)し、各受光部(画素)毎の画像信号q,q’をメモリ部に蓄積する(ステップS8)。
【0055】
そして、図示しないデジタル信号処理回路がメモリ部に格納されている画像信号qと画像信号q’とを加算処理して合成し、更にガンマ補正やホワイトバランス補正を行って画像データを生成し(ステップS9)、最後に画像データを出力する(ステップS10)。
【0056】
図6は、本実施形態に係るCMOS型固体撮像装置によって撮影され出力される信号の特性を示すグラフである。図6の特性線Iは、第1信号電荷検出部31から検出される信号の特性を示している。入射光量が小さいときは入射光量に応じて信号出力は増大している。しかし、入射光量が過剰になり、第1信号電荷検出部31のPN接合部で発生する光電荷が過剰になると、過剰な入射光に応じた信号は出力されず、一定値となる。
【0057】
これに対し、図6の特性線IIは、第2信号電荷検出部32から読み出される信号の特性を示す。入射光量に応じた信号が第1信号電荷検出部31から出力される間は、第2信号電荷検出部32からは信号は出力されず、第1信号電荷検出部31から第2信号電荷検出部32に過剰電荷が溢れた以降、徐々に第2信号電荷検出部32からの信号が増大する。即ち、第2信号電荷検出部32からは、過剰な入射光量に応じた信号が出力されることになる。
【0058】
図6に示す特性線IIIは、本実施形態に係る固体撮像装置の出力信号を加算処理(図5のステップS9)したときの特性を示している。即ち、第1信号電荷検出部31の出力信号が飽和した以降における信号値として、第2信号電荷検出部32の信号値を加算している。このため、本実施形態に係るCMOS型固体撮像装置では、第1信号電荷検出部31の飽和電荷量の数倍から数百倍(何倍にするかは、第2信号電荷検出部32の面積やバリア層33の不純物濃度の値すなわち設計値による。)の電荷量に対しても入射光量に応じた画像信号を得ることができ、ダイナミックレンジを大幅に拡大することができる。
【0059】
この様に、本実施形態では、入射光量の高エネルギ(高輝度)側において特性曲線の傾きが小さくなるため、出力信号の飽和点を高エネルギ側に設定でき、白つぶれのない画像データを得ることが可能となる。また、第1信号電荷検出部31及び第2信号電荷検出部32を基板表面に形成するため、第1信号電荷検出部31を半導体基板表面に形成するときのレイアウトパターンを変更するだけで第2信号電荷検出部32を形成でき、製造が容易になるという利点がある。
【0060】
尚、上述した実施形態では、メカニカルシャッタを搭載したデジタルスチルカメラを例に説明したが、メカニカルシャッタを搭載しない電子シャッタのみを搭載したデジタルカメラ一般に本実施形態の固体撮像装置を搭載し、同様の効果を得ることが可能である。
【0061】
また、第1信号電荷検出部31や第2信号電荷検出部32において、信号読み出し部すなわちコンタクト部37,38を設ける部分に近いほど不純物濃度を相対的に高めるのが良い。これにより、コンタクト部37,38におけるオーミックコンタクトが容易になると共に、信号の読み出しも容易となる。
【0062】
(第2の実施形態)
図7は、本発明の第2実施形態に係るCMOS型固体撮像装置における受光部の断面図であり、第1実施形態に係る図2に相当する図であるが、図7では、カラーフィルタ54及びマイクロレンズ55も図示している。
【0063】
本実施形態では、第1実施形態の第2信号電荷検出部32に代えて、第1信号電荷検出部31の下側の基板深部にN+層でなる第2信号電荷検出部46を設け、第2信号電荷検出部46の端部においてN+層46aを半導体基板表面のコンタクト部38まで立ち上げるようにしている点のみが第1実施形態と異なり、他の構成は第1実施形態と同様である。
【0064】
本実施形態でも、第1信号電荷検出部31及び第2信号電荷検出部46の不純物濃度は、例えば、1×1017〜5×1019/cm3に設定され、基板表面側において、第1信号電荷検出部31と第2信号電荷検出部32とは、逆導電型のP+層でなるバリア33で分離されている。バリア33の不純物濃度は、通常、Pウェル層30の不純物濃度よりも高く設定され、Pウェル層30の不純物濃度は、例えば、1×1015〜5×1016/cm3の間に設定される。
【0065】
図8は、第2実施形態に係るCMOS型固体撮像装置の1画素分に対応する二次元平面模式図である。本実施形態の第2信号電荷検出部46は、第1信号電荷検出部31の周囲を取り囲む様に矩形枠形状に形成され、そして、図7に示す様に、基板深部において断面L字形となるように第1信号電荷検出部31の下部に回り込む腕部46bが形成されている。本実施形態でも、第2信号電荷検出部46は、遮光膜開口部34aの内側に露出しない様に完全な遮光位置に設けられる。
【0066】
図9(a)は、図8に示すA点(第1信号電荷検出部31の下側に第2信号電荷検出部32が設けられた位置)における基板深さ方向のポテンシャルプロファイルを示す図であり、図9(b)は、図8に示すB点(第1信号電荷検出部31の下側に第2信号電荷検出部32が設けられていない位置)における基板深さ方向のポテンシャルプロファイルを示す図である。
【0067】
本実施形態では、第1信号電荷検出部31に過剰な入射光が入り込んだとき、過剰電荷の大部分は、図9(b)に示されるように、縦型オーバーフロードレイン構造によって基板20側に排出されるが、このとき、過剰電荷の一部が、図9(a)に示されるように、第2信号電荷検出部46の上記腕部46bで捕獲される。従って、本実施形態でも、過剰な入射光量に応じた画像信号を第2信号電荷検出部46から読み出すことが可能となる。また、本実施形態では、第2信号電荷検出部46の上記腕部46aに捕獲される電荷量は、基板に印加するバイアス電圧Vsubを変えることにより制御可能となる。
【0068】
また、第2信号電荷検出部46の面積(図8に示す様に、上方から見た面積)は、相対的に第1信号電荷検出部31の面積よりも小さく設定されるが、第1実施形態に比べて第2信号電荷検出部46の面積を広くするが可能となる。この第2信号電荷検出部46の面積を設計時に調整することで、縦型オーバーフロードレイン構造によって基板側に排出される過剰電荷量に対する上記の捕獲される電荷量の割合を制御可能である。
【0069】
本実施形態によれば、第2信号電荷検出部46において電荷が飽和した場合にも、縦型オーバーフロードレイン構造によって基板側に過剰電荷を排出できるため、過大な高輝度信号が入射した場合においても第2信号電荷検出部から溢れ出るた過剰電荷が周辺画素部に混入することがない。
【0070】
尚、第2信号電荷検出部46のレイアウトは、第1実施形態と同様に、図8に示すように、遮光膜開口部34aの直下ではなく、完全に遮光された領域に設けるのが好ましい。これにより、基板深部に到達する入射光や迷光の影響を受け難くできるという利点がある。また、第2信号電荷検出部46は入射光に対して感度を有していないので、光の入射角等よって感度特性が影響を受けて問題となるシェーディング現象が起きにくいという利点がある。これは第1実施形態でも同様である。
【0071】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
(1)入射光の角度依存性や輝度、色シェーディングの影響の少ない広ダイナミックレンジのMOS型固体撮像装置を得ることが可能となる。
(2)飽和露光量の設定が容易で、且つ、従来の固体撮像装置の飽和レベルの10倍から数百倍の飽和露光量に対応できる広ダイナミックレンジのMOS型固体撮像装置を得ることが可能となる。
(3)高感度領域の特性曲線と低感度領域の特性曲線を合成する信号処理回路を簡略化することができる。
(4)画素の微細化(多画素化)と広ダイナミックレンジ化の両立が容易なMOS型固体撮像装置を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係るCMOS型カラー固体撮像装置の表面模式図である。
【図2】図1に示すII―II線断面模式図である。
【図3】図1に示すCMOS型カラー固体撮像装置の4画素分の表面拡大模式図である。
【図4】(a)は図3に示すA点からB点までの基板横方向のポテンシャルプロファイルを示す図である。
(b)は図3に示すA点の基板深さ方向のポテンシャルプロファイルを示す図である。
【図5】図1に示すCMOS型カラー固体撮像装置を搭載したデジタルカメラの撮像シーケンスを示す図である。
【図6】図1に示すCMOS型カラー固体撮像装置の信号出力を加算処理したときの信号特性を示すグラフである。
【図7】本発明の第2実施形態に係るCMOS型固体撮像装置の1画素分の断面図である。
【図8】図7に示すCMOS型固体撮像装置の1画素分の表面拡大模式図である。
【図9】(a)は図8に示すA点における基板深さ方向のポテンシャルプロファイルを示す図である。
(b)は図8に示すB点における基板深さ方向のポテンシャルプロファイルを示す図である。
【図10】従来のCMOS型固体撮像装置の1画素分の断面模式図である。
【図11】CMOS型固体撮像装置の等価回路図である。
【符号の説明】
20 n型半導体基板
21 受光部
30 Pウェル層
31 第1信号電荷検出部(N+層)
32,46 第2信号電荷検出部(N+層)
33 バリア(P+層)
34 遮光膜
34a 遮光膜開口部
35 素子分離帯
37,38 コンタクト部
39,40 ソースフォロアアンプ
41 周辺回路領域
【発明の属する技術分野】
本発明はCMOSイメージセンサ等のMOS型固体撮像装置に係り、特に、ダイナミックレンジの広いMOS型固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図10は、例えば下記の非特許文献1に開示されている従来のCMOS型カラー固体撮像装置の構成図であり、図11は、その等価回路図である。半導体基板10の表面側にはPウェル層11が形成され、このPウェル層11の表面側にN+層12が形成されている。このPウェル層11とN+層12との間に形成されるPN接合フォトダイオードに、図示しないマイクロレンズを通し、且つ、カラーフィルタ13と遮光膜14の開口14aを通して光が入射すると、PN接合フォトダイオードの容量に変化が生じる。
【0003】
CMOS型カラー固体撮像装置では、PN接合フォトダイオードの容量変化を、図11に示すソースフォロアアンプM1,M2で検出することを基本としている。即ち、受光部のPN接合フォトダイオード(D)の容量成分(C)に予めリセットトランジスタ(M3)をオンにすることによって所定電荷を蓄えておき、この蓄積電荷が、入射光によってPN接合フォトダイオード部近傍で発生したフォトキャリアによって放電した後、その放電後の容量Cの電荷量変化を、ソースフォロアアンプM1,M2によって読み出す。
【0004】
この様な構成のCMOS型固体撮像装置や、CCD型固体撮像装置を用いて被写体を撮像する場合、撮像画像中の高輝度部分が白つぶれしたり低輝度部分が黒つぶれしないことが望ましい。すなわち、低輝度から高輝度にわたる撮像を可能にするため、固体撮像装置や信号処理回路において広いダイナミックレンジを実現する必要がある。
【0005】
そこで、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大する方法が従来から種々提案されている。例えば、下記特許文献1に記載された従来技術では、CCD型固体撮像装置の表面に高感度画素と低感度画素の両方を設け、高感度画素による撮像画像と低感度画素による撮像画像とを合成することで、広ダイナミックレンジ化を実現している。
【0006】
高感度画素と低感度画素の間に感度差を設ける方法としては、たとえば、一方の画素上にNDフィルタを積層する方法や、一方の画素上の遮光膜の開口を狭める方法などが考えられる。しかし、固体撮像装置表面において高感度画素と低感度画素とを隣接して設けるため、固体撮像装置表面への入射光角度や光強度分布によって、高感度画素と低感度画素の感度比が異なってしまうという問題がある。
【0007】
下記特許文献2に記載された従来技術では、固体撮像装置を用いて同一画像を2回撮像し、各撮像画像を合成することで、ダイナミックレンジを拡大している。即ち、この従来技術では、露光時間の長短によって感度差を実現し、短時間露光(蓄積時間が短い)によって得られた低感度画像信号と、長時間露光(蓄積時間が長い)によって得られた高感度画像信号とを合成している。しかし、この従来技術では、短時間露光による画像情報と長時間露光による画像情報との間に時間的なずれが存在するため、特に静止画像を撮影する場合に、動く被写体の撮像、高速シャッタ動作やストロボ撮影等に適さないという問題がある。
【0008】
下記特許文献3及び特許文献4に記載された従来技術では、高感度画像情報の特性曲線と低感度画像情報の特性曲線とが滑らかにつなぎ合わさる様に信号処理し、低露光エネルギ領域では高感度画像情報を主に使用し、高露光エネルギ領域では低感度側の画像情報を主に使用するようにすることで、出力信号が飽和する露光エネルギ値を従来よりも高露光エネルギ側にシフトし、広ダイナミックレンジ化を実現している。
【0009】
【特許文献1】
特開昭59―210775号公報
【特許文献2】
特開昭62―108678号公報
【特許文献3】
特開平5―64083号公報
【特許文献4】
特開平6―141229号公報
【特許文献5】
特開平11―298798号公報
【非特許文献1】
SPIE Vol.3019,pp115−124(1997)
【非特許文献2】
C.H.Sequin Blooming Suppression in Charge Coupled Area Imaging Devices,Bell Syst.Tech.J.,51,pp1923−1926(1972)
【非特許文献3】
Y.Ishihara他 Interline CCD Image Sensor with Anti Blooming Structure,ISSCC Dig,Tech.Papers,pp168−169(1982)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
固体撮像装置は、銀塩フィルムに比べ、露光エネルギに対するラティチュード(許容範囲)が狭いと言われている。たとえば、CCD型固体撮像装置では、強い光が入射し、受光部に蓄積できる蓄積電荷量を超える電荷が発生すると、光が入射していない隣接画素にもあふれた電荷が流入し、このため、光が入射した部分を中心に白い領域が広がってしまうというブルーミング現象が知られている。
【0011】
このブルーミング現象を改善するために、従来から、過剰電荷が隣接受光部に流入する前に、この過剰電荷を外部に排出する構造が採用されている。例えば、上記の非特許文献2にその構造の一例が記載されている。すなわち、受光部電荷蓄積部の横にオーバーフロードレイン(OD)呼ばれる同じ導電型の別の電荷蓄積領域を設け、過剰な電荷をここに集め、素子外部に一括して掃き出すようにした構造である。この構造は、一般に、横型オーバーフロードレイン(LOD)と呼ばれ、この構造により、上記のブルーミング現象は大幅に改善される。
【0012】
しかし、横型オーバーフロードレイン構造を固体撮像装置に採用する場合、半導体基板のチップ全体にオーバーフロードレインを格子状に敷設しなければならず、チップ面積を有効に利用できないという問題が生じる。
【0013】
そこで、上記の非特許文献3に記載されている様に、縦型オーバーフロードレイン(VOD)が開発された。これは、受光部の基板深さ方向にN+PN構造を形成することにより、過剰電荷を基板側に流出させる構造である。すなわち、基板のN層とPウェル層との間にバイアス電圧を印加することで、受光部ポテンシャルウエルから流出した過剰電荷をN型基板に排出するものである。
【0014】
この縦型オーバーフロードレイン構造では、基板電位は各受光部について一様に制御することが容易なため、基板電圧および印加時間によってオーバーフローのレベルを制御することができる。また、チップ表面の面積を犠牲にすることがないため、現在の固体撮像装置では、殆ど全てが縦型オーバーフロードレイン構造を採用し、過大な入射光に対するブルーミングあるいはスミアと呼ばれる現象を大幅に改善している。
【0015】
しかし、オーバーフロードレインの構造を固体撮像装置に設けても、一定の光量を超える入射光に対しては出力信号が飽和するため、入射光エネルギの広い範囲において信号差(濃淡)を判別することができず、上述のラティチュードを狭くする原因の一つになっていることに変わりはない。
【0016】
上記の特許文献5には、上述の様な受光部の入射光エネルギを制御する方法や半導体基板で発生した過剰電荷をオーバーフロードレインに排出することで高照度部における出力信号の飽和を抑制する方法のいずれとも異なる方法により、即ち、対数圧縮技術を使うことで、広ダイナミックレンジ化を図るCMOSイメージセンサが記載されている。
【0017】
この特許文献5に記載の方法によれば、広範囲にわたる光量の差(104〜105倍)に対してもリニアな出力特性を得ることができるが、低照度領域では、ノイズの影響を受けやすく、また高照度領域では、その動作点が対数圧縮特性を左右するMOSトランジスタのサブスレッシュホルド特性からずれてしまうという問題がある。
【0018】
また、各画素の特性、特にMOSトランジスタのサブスレッシュホルド特性のバラツキにより、カラーフィルタを用いた複数の画素信号から忠実な色再現を行うことが難しい等の問題がある。従って、この従来技術は、極端に輝度に差がある被写体に対して連続的にモノクロ映像を撮像する、例えば車載用モニタ、暗視カメラ、工業計測用途などに適し、汎用のデジタルカメラには不向きであると考えられる。
【0019】
本発明の目的は、対数圧縮技術を用いることなく、ダイナミックレンジを拡大できる構造を持ったMOS型固体撮像装置を提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】
本発明のMOS型固体撮像装置は、半導体基板の表面に複数の受光部がアレー状に配列され各受光部の信号を受光部毎に読み出すMOS型固体撮像装置において、前記各受光部に、入射光量に応じた信号を検出する第1信号電荷検出部と、該第1信号電荷検出部による検出信号が飽和したとき該第1信号電荷検出部の過剰電荷の一部を捕獲し捕獲電荷量に応じた信号を検出する第2信号電荷検出部とを設けたことを特徴とする。
【0021】
この構成により、対数圧縮技術を用いることなく、ダイナミックレンジを拡大することが可能となる。
【0022】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記半導体基板の表面側において前記第2信号電荷検出部が前記第1信号電荷検出部とバリアを介して隣接配置されることを特徴とする。この構成により、固体撮像装置の設計が容易となる。
【0023】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記バリアの不純物濃度が前記半導体基板に設けたPウェル層の不純物濃度より高いことを特徴とする。この構成により、第2信号電荷検出部への流入電荷量を調整することが容易となる。
【0024】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記第2信号電荷検出部が前記第1信号電荷検出部の周囲を囲むように設けられることを特徴とする。この構成により、第1信号電荷検出部の過剰電荷量に応じた電荷を第2信号電荷検出部が捕獲可能となる。
【0025】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記第2信号電荷検出部が前記第1信号電荷検出部の基板深さ方向に配置されることを特徴とする。この構成により、縦型オーバーフロードレイン構造によって廃棄される過剰電荷の一部を第2信号電荷検出部が捕獲する構成にすることができる。
【0026】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記第1信号電荷検出部及び前記第2信号電荷検出部の不純物濃度が、信号を読み出す信号線とのコンタクト部に近いほど高濃度に形成されていることを特徴とする。この構成により、コンタクト部37,38におけるオーミックコンタクトが容易になる。
【0027】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記第1信号電荷検出部の前記コンタクト部と前記第2信号電荷検出部の前記コンタクト部とが別々に設けられることを特徴とする。この構成により、この構成により、受光部の信号読み出しが容易となる。
【0028】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記第2信号電荷検出部が遮光膜開口部を避けた下部に設けられることを特徴とする。この構成により、基板深部にまで到達する入射光や迷光の影響を受け難くできる。
【0029】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記第2信号電荷検出部の面積が前記第1信号電荷検出部の面積よりも小さいことを特徴とする。この構成により、面積比によってダイナミックレンジの幅を容易に制御可能となる。
【0030】
本発明のMOS型固体撮像装置は、前記の各受光部の上部には夫々オンチップ集光光学系が設けられ、前記の各受光部に夫々遮光膜の1つの開口部が対応し、各1つの開口部に対して前記第1信号電荷検出部と前記第2信号電荷検出部とが設けられることを特徴とする。この構成により、入射光のロスがなくなり、高感度化と高解像度化が可能になる。
【0031】
本発明のMOS型固体撮像装置の駆動方法は、上記のいずれかに記載のMOS型固体撮像装置の駆動方法であって、前記第1信号電荷検出部の信号と前記第2信号電荷検出部の信号とを面順次に独立に読み出すことを特徴とする。この構成により、独立に読み出された信号を、ユーザの好みに応じて加算処理することができ、ユーザのニーズに合わせることが容易となる。
【0032】
本発明の画像信号処理方法は、上記の駆動方法によって前記MOS型固体撮像装置から出力された前記第1信号電荷検出部の検出信号と前記第2信号電荷検出部の検出信号とを前記受光部毎に加算処理することを特徴とする。この構成により、面倒な信号処理を信号処理部が自動的に行うため、ダイナミックレンジの広い撮像画像を得ることが可能となる。
【0033】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。
【0034】
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るCMOS型カラー固体撮像装置の表面模式図である。このCMOS型カラー固体撮像装置は、n型半導体基板20の表面上に形成され、受光領域21と、受光領域21脇に形成された垂直走査回路22と、半導体基板20の底辺側に形成された水平走査回路等(信号増幅回路,A/D変換回路,同期信号発生回路等)23とを備える。
【0035】
受光領域21には、多数の後述する受光部が二次元アレー状に、この例では正方格子状に配列形成されており、各受光部の上面に夫々一色のカラーフィルタが積層されている。カラーフィルタとしては、補色系カラーフィルタであるシアン(Cy)、イエロー(Ye)、マゼンタ(Mg)、グリーン(G)の4色のカラーフィルタが用いられ、奇数行にはGフィルタとMgフィルタが交互に、偶数行にはYeフィルタとCyフィルタが交互に配列されている。これは、一般に、色差順次配列と呼ばれるカラーフィルタ配列であるが、Gフィルタを含まないYe,Cy,Mg(3色)のカラーフィルタの組み合わせも可能である。本実施形態では、各受光部の構造は同じであり、各受光部の上面側に積層されたカラーフィルタの色が異なる。
【0036】
図2は、図1のII―II線断面図である。本実施形態に係るCMOS型カラー固体撮像装置は、n型半導体基板20に形成される。n型半導体基板20の表面側にはPウェル層30が形成され、Pウェル層30の表面側に、N+領域(n1層)でなる第1信号電荷検出部31及び同じくN+領域(n2層)でなる第2信号電荷検出部32が隣接して形成され、第2信号電荷検出部31と第2信号電荷検出部32との間は、逆導電型であるP+領域のバリア層33で分離される。
【0037】
半導体基板20の表面は遮光膜34で覆われ、第1信号電荷検出部31の上方のみに遮光膜開口部34aが設けられ、バリア層33及び第2信号電荷検出部32は遮光膜34で覆われた遮光位置に設けられる。本実施形態の個々の受光部は、第1信号電荷検出部31及び第2信号電荷検出部32とで構成され、各受光部は、素子分離帯35により隣接受光部から分離される。
【0038】
半導体基板20の最表面は、SiO2膜36によって覆われ、遮光膜34の上部には図示しない配線層を介してカラーフィルタ(図示省略)が積層され、カラーフィルタの上部に、マイクロレンズ(図示省略)が配置される。
【0039】
Pウェル層30は、第1信号電荷検出部31の形成位置において第1信号電荷検出部31に近くなるように盛り上がる様に形成され、基板20のPウェル層30との間に印加されるバイアス電圧Vsubにより、第1信号電荷検出部31から溢れた過剰電荷の大部分が、矢印Aに示すように、速やかに基板20側に廃棄される縦型オーバーフロードレイン構造となっている。
【0040】
各受光部の第1信号電荷検出部31及び第2信号電荷検出部32は、遮光膜34による遮光位置において、高濃度不純物領域(N+領域)でなるコンタクト部37,38により、周辺回路を構成するオンチップのソースフォロアアンプ39,40に接続される。
【0041】
この様に、本実施形態の受光部は、第1信号電荷検出部31のみが遮光膜34の1つの開口部34aに対面し、第2信号電荷検出部32は遮光膜34によって完全に遮光されるため、第2信号電荷検出部32では、入射光による電荷生成は行われない。
【0042】
本実施形態の第1信号電荷検出部31,第2信号電荷検出部32の不純物濃度は、例えば、1×1017〜5×1019/cm3に設定される。また、外部配線とのコンタクト部37,38は、更に高濃度に設定される。半導体基板20の表面側において水平方向に隣接する第1信号電荷検出部31と第2信号電荷検出部32とを分離するバリア33のP+層の不純物濃度は、Pウェル層30の不純物濃度よりも高くなるように設定される。Pウェル層30の不純物濃度は、例えば、1×1015〜3×1016/cm3の間に設定される。
【0043】
図3は、本実施形態に係るカラー固体撮像装置の4画素分(Mg,Cy,Ye,G)に対応する二次元平面模式図である。半導体基板20の表面は、縦横に延びるLOCOSによる素子分離帯30によって碁盤の目の様に各受光部が素子分離されてする。図示する例では、各受光部はほぼ正方形をなしている。
【0044】
各受光部面積のうち、大部分に上述した各第1信号電荷検出部31が形成される。各受光部の右端には短冊状の周辺回路領域41が設けられ、この周辺回路領域41内に、上述したソースフォロアアンプ39,40が形成され、ソースフォロアアンプ39を介して、第1信号電荷検出部31の画像信号が読み出される。
【0045】
遮光膜34の開口部34aを避けた遮光位置には、バリア33を介して第2信号電荷検出部32が設けられており、この第2信号電荷検出部32の画像信号が、コンタクトホール38及びソースフォロアアンプ40を介して読み出される。
【0046】
図面上、縦方向に設けられた素子分離帯35の上に、信号出力線43と電源線44とリセット線45が敷設され、横方向に設けられた素子分離帯35の上に、選択信号線42が設けられる。信号出力線43は各アンプ39,40の出力に接続され、電源線44には電源電圧が印加され、リセット線43にはリセット信号が印加される。
【0047】
これらの選択信号やリセット信号は、図1に示す垂直走査回路22や水平走査回路等23等によって制御される。各受光部上に記載した点線矩形枠34aは遮光膜開口部位置を示しており、この内側のみに光が通過し、その外側すなわち第2信号電荷検出部32やコンタクトホール37,38、アンプ39,40は完全に遮光されている。
【0048】
図4(a)は、図3のA点からB点に横切る方向のポテンシャルプロファイルを示す図であり、図4(b)は、図3のA点の基板深さ方向のポテンシャルプロファイルを示す図である。
【0049】
本実施形態のCMOS型固体撮像装置では、第1信号電荷検出部31への入射光が過剰になり、第1信号電荷検出部31が飽和する過剰電荷が発生したとき、この過剰電荷の一部は、バリア33を拡散して第2信号電荷検出部32に流入する。このバリア33を拡散する過剰電荷の移動速度は、バリア33の不純物濃度を制御することで調整可能である。一方、基板深さ方向においては、縦型オーバーフロードレイン構造(N+層31―Pウェル層30―N型基板20)により過剰電荷はそのまま基板20に排出される。
【0050】
即ち、本実施形態のCMOS型固体撮像装置では、高輝度入射光が第1信号電荷検出部31に入射し第1信号電荷検出部31の飽和電荷量を超える過剰電荷が発生したとき、この過剰電荷の一部が第2信号電荷検出部32に流入する。このため、この第2信号電荷検出部32の信号を第1信号電荷検出部31の信号と区別して読み出し、その後の信号処理において加算することで、高輝度入射光の光量に応じた信号が得られる。
【0051】
図5は、上述した実施形態に係るCMOS型固体撮像装置を搭載したデジタルスチルカメラによって被写体を撮像するときのシーケンス図である。上述し実施形態に係る固体撮像装置を搭載したデジタルスチルカメラでは、先ず、固体撮像装置をリセットする(ステップS1)。そして、メカニカルシャッタが「開」になって露光を開始する(ステップS2)。これにより、受光部(第1信号電荷検出部31)に入射光量に応じた光電荷が発生し、第1信号電荷検出部31のPN接合部に予め蓄積された電荷を放電する(ステップS3)。
【0052】
入射光量が過剰となり過剰電荷が発生したときは、過剰電荷の一部がバリア33を拡散して第2信号電荷検出部32に流入し、第2信号電荷検出部32のPN接合部に予め蓄積された電荷を放電する(ステップS3)。
【0053】
自動露光制御によって決められた露光時間が経過した後は、メカニカルシャッタが「閉」となる(ステップS4)。そして、本実施形態では、先ず、第1信号電荷検出部31の信号を読み出し(ステップS5)、次に、第2信号電荷検出部32の信号を読み出す(ステップS6)。
【0054】
次のステップS7では、第1信号電荷検出部31の検出信号qと第2信号電荷検出部32の検出信号q’をアナログ信号処理(例えばサンプルホールド処理やアナログ/デジタル変換処理)し、各受光部(画素)毎の画像信号q,q’をメモリ部に蓄積する(ステップS8)。
【0055】
そして、図示しないデジタル信号処理回路がメモリ部に格納されている画像信号qと画像信号q’とを加算処理して合成し、更にガンマ補正やホワイトバランス補正を行って画像データを生成し(ステップS9)、最後に画像データを出力する(ステップS10)。
【0056】
図6は、本実施形態に係るCMOS型固体撮像装置によって撮影され出力される信号の特性を示すグラフである。図6の特性線Iは、第1信号電荷検出部31から検出される信号の特性を示している。入射光量が小さいときは入射光量に応じて信号出力は増大している。しかし、入射光量が過剰になり、第1信号電荷検出部31のPN接合部で発生する光電荷が過剰になると、過剰な入射光に応じた信号は出力されず、一定値となる。
【0057】
これに対し、図6の特性線IIは、第2信号電荷検出部32から読み出される信号の特性を示す。入射光量に応じた信号が第1信号電荷検出部31から出力される間は、第2信号電荷検出部32からは信号は出力されず、第1信号電荷検出部31から第2信号電荷検出部32に過剰電荷が溢れた以降、徐々に第2信号電荷検出部32からの信号が増大する。即ち、第2信号電荷検出部32からは、過剰な入射光量に応じた信号が出力されることになる。
【0058】
図6に示す特性線IIIは、本実施形態に係る固体撮像装置の出力信号を加算処理(図5のステップS9)したときの特性を示している。即ち、第1信号電荷検出部31の出力信号が飽和した以降における信号値として、第2信号電荷検出部32の信号値を加算している。このため、本実施形態に係るCMOS型固体撮像装置では、第1信号電荷検出部31の飽和電荷量の数倍から数百倍(何倍にするかは、第2信号電荷検出部32の面積やバリア層33の不純物濃度の値すなわち設計値による。)の電荷量に対しても入射光量に応じた画像信号を得ることができ、ダイナミックレンジを大幅に拡大することができる。
【0059】
この様に、本実施形態では、入射光量の高エネルギ(高輝度)側において特性曲線の傾きが小さくなるため、出力信号の飽和点を高エネルギ側に設定でき、白つぶれのない画像データを得ることが可能となる。また、第1信号電荷検出部31及び第2信号電荷検出部32を基板表面に形成するため、第1信号電荷検出部31を半導体基板表面に形成するときのレイアウトパターンを変更するだけで第2信号電荷検出部32を形成でき、製造が容易になるという利点がある。
【0060】
尚、上述した実施形態では、メカニカルシャッタを搭載したデジタルスチルカメラを例に説明したが、メカニカルシャッタを搭載しない電子シャッタのみを搭載したデジタルカメラ一般に本実施形態の固体撮像装置を搭載し、同様の効果を得ることが可能である。
【0061】
また、第1信号電荷検出部31や第2信号電荷検出部32において、信号読み出し部すなわちコンタクト部37,38を設ける部分に近いほど不純物濃度を相対的に高めるのが良い。これにより、コンタクト部37,38におけるオーミックコンタクトが容易になると共に、信号の読み出しも容易となる。
【0062】
(第2の実施形態)
図7は、本発明の第2実施形態に係るCMOS型固体撮像装置における受光部の断面図であり、第1実施形態に係る図2に相当する図であるが、図7では、カラーフィルタ54及びマイクロレンズ55も図示している。
【0063】
本実施形態では、第1実施形態の第2信号電荷検出部32に代えて、第1信号電荷検出部31の下側の基板深部にN+層でなる第2信号電荷検出部46を設け、第2信号電荷検出部46の端部においてN+層46aを半導体基板表面のコンタクト部38まで立ち上げるようにしている点のみが第1実施形態と異なり、他の構成は第1実施形態と同様である。
【0064】
本実施形態でも、第1信号電荷検出部31及び第2信号電荷検出部46の不純物濃度は、例えば、1×1017〜5×1019/cm3に設定され、基板表面側において、第1信号電荷検出部31と第2信号電荷検出部32とは、逆導電型のP+層でなるバリア33で分離されている。バリア33の不純物濃度は、通常、Pウェル層30の不純物濃度よりも高く設定され、Pウェル層30の不純物濃度は、例えば、1×1015〜5×1016/cm3の間に設定される。
【0065】
図8は、第2実施形態に係るCMOS型固体撮像装置の1画素分に対応する二次元平面模式図である。本実施形態の第2信号電荷検出部46は、第1信号電荷検出部31の周囲を取り囲む様に矩形枠形状に形成され、そして、図7に示す様に、基板深部において断面L字形となるように第1信号電荷検出部31の下部に回り込む腕部46bが形成されている。本実施形態でも、第2信号電荷検出部46は、遮光膜開口部34aの内側に露出しない様に完全な遮光位置に設けられる。
【0066】
図9(a)は、図8に示すA点(第1信号電荷検出部31の下側に第2信号電荷検出部32が設けられた位置)における基板深さ方向のポテンシャルプロファイルを示す図であり、図9(b)は、図8に示すB点(第1信号電荷検出部31の下側に第2信号電荷検出部32が設けられていない位置)における基板深さ方向のポテンシャルプロファイルを示す図である。
【0067】
本実施形態では、第1信号電荷検出部31に過剰な入射光が入り込んだとき、過剰電荷の大部分は、図9(b)に示されるように、縦型オーバーフロードレイン構造によって基板20側に排出されるが、このとき、過剰電荷の一部が、図9(a)に示されるように、第2信号電荷検出部46の上記腕部46bで捕獲される。従って、本実施形態でも、過剰な入射光量に応じた画像信号を第2信号電荷検出部46から読み出すことが可能となる。また、本実施形態では、第2信号電荷検出部46の上記腕部46aに捕獲される電荷量は、基板に印加するバイアス電圧Vsubを変えることにより制御可能となる。
【0068】
また、第2信号電荷検出部46の面積(図8に示す様に、上方から見た面積)は、相対的に第1信号電荷検出部31の面積よりも小さく設定されるが、第1実施形態に比べて第2信号電荷検出部46の面積を広くするが可能となる。この第2信号電荷検出部46の面積を設計時に調整することで、縦型オーバーフロードレイン構造によって基板側に排出される過剰電荷量に対する上記の捕獲される電荷量の割合を制御可能である。
【0069】
本実施形態によれば、第2信号電荷検出部46において電荷が飽和した場合にも、縦型オーバーフロードレイン構造によって基板側に過剰電荷を排出できるため、過大な高輝度信号が入射した場合においても第2信号電荷検出部から溢れ出るた過剰電荷が周辺画素部に混入することがない。
【0070】
尚、第2信号電荷検出部46のレイアウトは、第1実施形態と同様に、図8に示すように、遮光膜開口部34aの直下ではなく、完全に遮光された領域に設けるのが好ましい。これにより、基板深部に到達する入射光や迷光の影響を受け難くできるという利点がある。また、第2信号電荷検出部46は入射光に対して感度を有していないので、光の入射角等よって感度特性が影響を受けて問題となるシェーディング現象が起きにくいという利点がある。これは第1実施形態でも同様である。
【0071】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
(1)入射光の角度依存性や輝度、色シェーディングの影響の少ない広ダイナミックレンジのMOS型固体撮像装置を得ることが可能となる。
(2)飽和露光量の設定が容易で、且つ、従来の固体撮像装置の飽和レベルの10倍から数百倍の飽和露光量に対応できる広ダイナミックレンジのMOS型固体撮像装置を得ることが可能となる。
(3)高感度領域の特性曲線と低感度領域の特性曲線を合成する信号処理回路を簡略化することができる。
(4)画素の微細化(多画素化)と広ダイナミックレンジ化の両立が容易なMOS型固体撮像装置を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係るCMOS型カラー固体撮像装置の表面模式図である。
【図2】図1に示すII―II線断面模式図である。
【図3】図1に示すCMOS型カラー固体撮像装置の4画素分の表面拡大模式図である。
【図4】(a)は図3に示すA点からB点までの基板横方向のポテンシャルプロファイルを示す図である。
(b)は図3に示すA点の基板深さ方向のポテンシャルプロファイルを示す図である。
【図5】図1に示すCMOS型カラー固体撮像装置を搭載したデジタルカメラの撮像シーケンスを示す図である。
【図6】図1に示すCMOS型カラー固体撮像装置の信号出力を加算処理したときの信号特性を示すグラフである。
【図7】本発明の第2実施形態に係るCMOS型固体撮像装置の1画素分の断面図である。
【図8】図7に示すCMOS型固体撮像装置の1画素分の表面拡大模式図である。
【図9】(a)は図8に示すA点における基板深さ方向のポテンシャルプロファイルを示す図である。
(b)は図8に示すB点における基板深さ方向のポテンシャルプロファイルを示す図である。
【図10】従来のCMOS型固体撮像装置の1画素分の断面模式図である。
【図11】CMOS型固体撮像装置の等価回路図である。
【符号の説明】
20 n型半導体基板
21 受光部
30 Pウェル層
31 第1信号電荷検出部(N+層)
32,46 第2信号電荷検出部(N+層)
33 バリア(P+層)
34 遮光膜
34a 遮光膜開口部
35 素子分離帯
37,38 コンタクト部
39,40 ソースフォロアアンプ
41 周辺回路領域
Claims (12)
- 半導体基板の表面に複数の受光部がアレー状に配列され各受光部の信号を受光部毎に読み出すMOS型固体撮像装置において、前記各受光部に、入射光量に応じた信号を検出する第1信号電荷検出部と、該第1信号電荷検出部による検出信号が飽和したとき該第1信号電荷検出部の過剰電荷の一部を捕獲し捕獲電荷量に応じた信号を検出する第2信号電荷検出部とを設けたことを特徴とするMOS型固体撮像装置。
- 前記半導体基板の表面側において前記第2信号電荷検出部が前記第1信号電荷検出部とバリアを介して隣接配置されることを特徴とする請求項1に記載のMOS型固体撮像装置。
- 前記バリアの不純物濃度が前記半導体基板に設けたPウェル層の不純物濃度より高いことを特徴とする請求項2に記載のMOS型固体撮像装置。
- 前記第2信号電荷検出部が前記第1信号電荷検出部の周囲を囲むように設けられることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のMOS型固体撮像装置。
- 前記第2信号電荷検出部が前記第1信号電荷検出部の基板深さ方向に配置されることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第1信号電荷検出部及び前記第2信号電荷検出部の不純物濃度が、信号を読み出す信号線とのコンタクト部に近いほど高濃度に形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のMOS型固体撮像装置。
- 前記第1信号電荷検出部の前記コンタクト部と前記第2信号電荷検出部の前記コンタクト部とが別々に設けられることを特徴とする請求項6に記載のMOS型固体撮像装置。
- 前記第2信号電荷検出部が遮光膜開口部を避けた下部に設けられることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のMOS型固体撮像装置。
- 前記第2信号電荷検出部の面積が前記第1信号電荷検出部の面積よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載のMOS型固体撮像装置。
- 前記の各受光部の上部には夫々オンチップ集光光学系が設けられ、前記の各受光部に夫々遮光膜の1つの開口部が対応し、各1つの開口部に対して前記第1信号電荷検出部と前記第2信号電荷検出部とが設けられることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載のMOS型固体撮像装置。
- 請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の固体撮像装置の駆動方法であって、前記第1信号電荷検出部の信号と前記第2信号電荷検出部の信号とを面順次に独立に読み出すことを特徴とするMOS型固体撮像装置の駆動方法。
- 請求項11の駆動方法によって前記MOS型固体撮像装置から出力された前記第1信号電荷検出部の検出信号と前記第2信号電荷検出部の検出信号とを前記受光部毎に加算処理することを特徴とする画像信号処理方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005327858A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP2006197383A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Canon Inc | 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ |
JP2006344753A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびカメラ |
WO2007086352A1 (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Kyocera Corporation | 撮像素子及びカメラモジュール |
JP2007258837A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Sharp Corp | 固体撮像素子、撮像処理方法、欠陥画素補正方法、撮像処理ユニット、及び欠陥画素補正ユニット |
JPWO2007083704A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2009-06-11 | 国立大学法人静岡大学 | 固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法 |
US7872286B2 (en) | 2005-01-14 | 2011-01-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device, its control method, and camera |
US7968888B2 (en) | 2005-06-08 | 2011-06-28 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor and manufacturing method thereof |
JP2013038174A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Canon Inc | 軟x線検出装置、及び軟x線検出システム |
JP2013149743A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
JP2022016576A (ja) * | 2014-12-18 | 2022-01-21 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
-
2003
- 2003-05-08 JP JP2003130732A patent/JP2004335803A/ja active Pending
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005327858A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
US8089545B2 (en) | 2005-01-14 | 2012-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device and control method thereof, and camera |
JP2006197383A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Canon Inc | 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ |
US8421894B2 (en) | 2005-01-14 | 2013-04-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device and control method thereof, and camera |
US7538810B2 (en) | 2005-01-14 | 2009-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device and control method thereof, and camera |
US7872286B2 (en) | 2005-01-14 | 2011-01-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device, its control method, and camera |
US8883526B2 (en) | 2005-01-14 | 2014-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device, its control method, and camera |
US7968888B2 (en) | 2005-06-08 | 2011-06-28 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor and manufacturing method thereof |
JP2006344753A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびカメラ |
JP4649623B2 (ja) * | 2006-01-18 | 2011-03-16 | 国立大学法人静岡大学 | 固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法 |
US8319166B2 (en) | 2006-01-18 | 2012-11-27 | National University Corporation Shizuoka University | Solid-state image pick-up device and pixel signal readout method having dual potential well, dual transfer gate electrode and dual floating-diffusion region for separately transferring and storing charges respectively |
JPWO2007083704A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2009-06-11 | 国立大学法人静岡大学 | 固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法 |
WO2007086352A1 (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Kyocera Corporation | 撮像素子及びカメラモジュール |
JP4907557B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2012-03-28 | 京セラ株式会社 | 撮像素子及びカメラモジュール |
US8119965B2 (en) | 2006-01-25 | 2012-02-21 | Kyocera Corporation | Image sensor having two light receiving elements and camera module having the image sensor |
JP2007258837A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Sharp Corp | 固体撮像素子、撮像処理方法、欠陥画素補正方法、撮像処理ユニット、及び欠陥画素補正ユニット |
JP2013038174A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Canon Inc | 軟x線検出装置、及び軟x線検出システム |
JP2013149743A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
JP2022016576A (ja) * | 2014-12-18 | 2022-01-21 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
JP7279768B2 (ja) | 2014-12-18 | 2023-05-23 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
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