JPH03276676A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH03276676A JPH03276676A JP2077671A JP7767190A JPH03276676A JP H03276676 A JPH03276676 A JP H03276676A JP 2077671 A JP2077671 A JP 2077671A JP 7767190 A JP7767190 A JP 7767190A JP H03276676 A JPH03276676 A JP H03276676A
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は固体撮像装置に関し、特に撮像装置に不要な波
長の光を遮断した固体撮像装置に関する。
長の光を遮断した固体撮像装置に関する。
［従来の技術］
従来、固体撮像装置は半導体基板主面に光電変換部及び
信号読み出し部を形成した構成となっている。通常、固
体撮像装置をビデオカメラに使用する場合、光電変換部
を成す光電変換素子の分光感度特性を標準テレビジョン
の色調に合わせるため、撮像装置の前面に赤外カットフ
ィルタを使用している。
信号読み出し部を形成した構成となっている。通常、固
体撮像装置をビデオカメラに使用する場合、光電変換部
を成す光電変換素子の分光感度特性を標準テレビジョン
の色調に合わせるため、撮像装置の前面に赤外カットフ
ィルタを使用している。
第２図は従来の固体撮像装置であるインターライン転送
方式ＣＣＤイメージセンサの平面配置図である。同図は
便宜上３×３画素を有する装置が示されている。
方式ＣＣＤイメージセンサの平面配置図である。同図は
便宜上３×３画素を有する装置が示されている。
同図において、１は例えばホトダイオードのような光電
変換素子の受光面、２は光電変換された信号電荷を読み
出す垂直ＣＣＤレジスタ３は同しく水平ＣＣＤレジスタ
、４は出力回路であり、ホトダイオード受光面１以外は
図中に斜線で示す金属遮光膜５て被われている。
変換素子の受光面、２は光電変換された信号電荷を読み
出す垂直ＣＣＤレジスタ３は同しく水平ＣＣＤレジスタ
、４は出力回路であり、ホトダイオード受光面１以外は
図中に斜線で示す金属遮光膜５て被われている。
第３図は第２図に示したＣＣＤイメージセンサの半導体
チップ断面図である。尚、同図ては説明の便宜上、概念
的な模式図が示されているにすぎず、寸法的、素子構成
は実際の素子と対応しているわけてはない。
チップ断面図である。尚、同図ては説明の便宜上、概念
的な模式図が示されているにすぎず、寸法的、素子構成
は実際の素子と対応しているわけてはない。
第３図においてｂは例えばシリコンからなるｐ型半導体
基板、７はホトダイオードの素子領域でｎ型の拡散層か
らなりｐ型半導体基板６との間にｐ−ｎ接合を形成して
いる。８は垂直ＣＣＤレジスタの転送チャネル部で、通
常半導体基板とは逆導電層からなっている。９は例えば
５１０２等の絶縁膜１０を介して形成された垂直ＣＣＤ
の転送電極である。
基板、７はホトダイオードの素子領域でｎ型の拡散層か
らなりｐ型半導体基板６との間にｐ−ｎ接合を形成して
いる。８は垂直ＣＣＤレジスタの転送チャネル部で、通
常半導体基板とは逆導電層からなっている。９は例えば
５１０２等の絶縁膜１０を介して形成された垂直ＣＣＤ
の転送電極である。
また、垂直ＣＣＤレジスタの転送チャネル部８と隣の列
のホトダイオードの素子領域７はチャネルストッパ１１
で電気的に分離されている。５は信号を読み出す垂直Ｃ
ＣＤレジスタの転送チャネル部８に直接光が入射しない
ように設けられた例えばアルミニウムのような金属から
なる遮光膜である。このようなインターラインＣＣＤイ
メージセン］ノ分光感度特性はホトダイオードの接合深
さ。
のホトダイオードの素子領域７はチャネルストッパ１１
で電気的に分離されている。５は信号を読み出す垂直Ｃ
ＣＤレジスタの転送チャネル部８に直接光が入射しない
ように設けられた例えばアルミニウムのような金属から
なる遮光膜である。このようなインターラインＣＣＤイ
メージセン］ノ分光感度特性はホトダイオードの接合深
さ。
表面再結合速度なとのパラメータで決まるが、基本的に
は基板半導体のシリコンの光吸収特性で決定される。こ
のため、固体撮像装置をテレビジョンカメラに応用する
場合、人間の視感度に合うように赤外カットフィルタを
必要とする。
は基板半導体のシリコンの光吸収特性で決定される。こ
のため、固体撮像装置をテレビジョンカメラに応用する
場合、人間の視感度に合うように赤外カットフィルタを
必要とする。
［発明が解決しようとする課題］
上述したように従来のインターライン転送方式ＣＣＤイ
メージセンサては、人間の視感度に合わせた赤外カット
フィルタが必要になる。このため、テレビジョンカメラ
の小型軽量化を図る上で大きな障害となり、コストの増
大をも招いていた。
メージセンサては、人間の視感度に合わせた赤外カット
フィルタが必要になる。このため、テレビジョンカメラ
の小型軽量化を図る上で大きな障害となり、コストの増
大をも招いていた。
本発明は上記従来の事情に鑑みなされたもので、所定の
波長範囲の光を遮断する目的で赤外カットフィルタのよ
うな別部品を取り付けることを不要とした固体撮像装置
を提供することを目的とする。
波長範囲の光を遮断する目的で赤外カットフィルタのよ
うな別部品を取り付けることを不要とした固体撮像装置
を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明の固体撮像装置は、光電変換素子群を含む光電変
換部と、前記光電変換素子のそｎぞれから信号電荷を読
み出す信号読み出し部とが同一半導体基板に設けられて
いる固体撮像装置において、所定の波長範囲の光を吸収
する被膜が少なくとも前記光電変換素子部の受光面に形
成されていることを特徴とする。
換部と、前記光電変換素子のそｎぞれから信号電荷を読
み出す信号読み出し部とが同一半導体基板に設けられて
いる固体撮像装置において、所定の波長範囲の光を吸収
する被膜が少なくとも前記光電変換素子部の受光面に形
成されていることを特徴とする。
［実施例コ
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例に係るインターライン転送方
式ＣＣＤイメージセンサを示す半導体チッブ断面図であ
る。同図において、６は例えばシリコンからなるｐ型半
導体基板、７はホトダイオードの素子領域で選択的に形
成されたｎ型拡散領域であり、素子領域７はｐ型半導体
基板６と間にｐ−ｎ接合を形成している。８は信号読み
出し部である垂直ＣＣＤレジスタの転送チャネルで通常
ｎ型拡散層からなる。すなわち、信号読み出し部は埋め
込みチャネル型ＣＣＤから成っている。９は５ｉ０２等
の絶縁膜ＩＯを介して転送チャネル上に形成された転送
電極である。１１はチャネルストッパで、ｐ型半導体基
板６と同し導電型で高い不純物濃度のｐ′″領域からな
）ている。５は信号読み出し部に光が入射しないように
例えば配線金属であるアルミニウムの様な金属膜からな
る遮光膜である。
式ＣＣＤイメージセンサを示す半導体チッブ断面図であ
る。同図において、６は例えばシリコンからなるｐ型半
導体基板、７はホトダイオードの素子領域で選択的に形
成されたｎ型拡散領域であり、素子領域７はｐ型半導体
基板６と間にｐ−ｎ接合を形成している。８は信号読み
出し部である垂直ＣＣＤレジスタの転送チャネルで通常
ｎ型拡散層からなる。すなわち、信号読み出し部は埋め
込みチャネル型ＣＣＤから成っている。９は５ｉ０２等
の絶縁膜ＩＯを介して転送チャネル上に形成された転送
電極である。１１はチャネルストッパで、ｐ型半導体基
板６と同し導電型で高い不純物濃度のｐ′″領域からな
）ている。５は信号読み出し部に光が入射しないように
例えば配線金属であるアルミニウムの様な金属膜からな
る遮光膜である。
以上は第２図に示した従来例と構成および動作において
全く同様であり、転送電極９に電圧を印加してホトダイ
オード素子領域７と転送チャネル部８との間にチャネル
を形成し、ホトダイオード素子領域７で光電変換された
信号電荷を垂直ｃｃＤ及び水平ＣＣＤを介して出力回路
へ転送する。
全く同様であり、転送電極９に電圧を印加してホトダイ
オード素子領域７と転送チャネル部８との間にチャネル
を形成し、ホトダイオード素子領域７で光電変換された
信号電荷を垂直ｃｃＤ及び水平ＣＣＤを介して出力回路
へ転送する。
本実施例が従来例と異なる点は、赤外線を吸収する染料
を湛合し、かつ透光性に優れた樹脂膜１３がホトダイオ
ード７の受光部を含めた全領域を被っていることである
。この染料入り樹脂膜１３を形成するには、例えばポジ
系フォトレジスト（ノボラック系樹脂）に少なくとも７
００ ｎｍ−１ｌ１００ｎの光を吸収する染料を混合し
、固体撮像装置を形成したシリコンウェハにスピンコー
ド法で塗布する。その後、通常のフォトリソグラフィー
技術によりボンデンクパット部の樹脂を選択的に除去す
る。
を湛合し、かつ透光性に優れた樹脂膜１３がホトダイオ
ード７の受光部を含めた全領域を被っていることである
。この染料入り樹脂膜１３を形成するには、例えばポジ
系フォトレジスト（ノボラック系樹脂）に少なくとも７
００ ｎｍ−１ｌ１００ｎの光を吸収する染料を混合し
、固体撮像装置を形成したシリコンウェハにスピンコー
ド法で塗布する。その後、通常のフォトリソグラフィー
技術によりボンデンクパット部の樹脂を選択的に除去す
る。
この構成ではシリコンを用いた撮像装置をテレビカメラ
に使用する場合、樹脂膜１３が不要な波長範囲の光を素
子領域７に入射される前に吸収するため分光感度特性を
標準テレビジョン規格に合わせるため使用していた赤外
カットフィルタが不要になる。
に使用する場合、樹脂膜１３が不要な波長範囲の光を素
子領域７に入射される前に吸収するため分光感度特性を
標準テレビジョン規格に合わせるため使用していた赤外
カットフィルタが不要になる。
尚、上記から明らかなように、樹脂膜１３はその機能１
少なくともホトダイオード素子領域の受光面に設けられ
ていれば足りる。但し、上記実施例のように受光面以外
の部分にも膜１３を設けることにより、金属遮光膜５等
による散乱光を防止してコーストやフレヤーのような画
像を損ねる現象を防止できる。
少なくともホトダイオード素子領域の受光面に設けられ
ていれば足りる。但し、上記実施例のように受光面以外
の部分にも膜１３を設けることにより、金属遮光膜５等
による散乱光を防止してコーストやフレヤーのような画
像を損ねる現象を防止できる。
また、赤外線以外にも受光面に設ける膜を調整すること
により種々の波長範囲の不要光を遮断することができる
。
により種々の波長範囲の不要光を遮断することができる
。
また、上記説明ではインターライン転送方式ＣＣＤイメ
ージセンサて説明したが、本発明はＭＯ８型イメージセ
ンサなと全ての固体撮像装置に適用できることは言うま
でもない。
ージセンサて説明したが、本発明はＭＯ８型イメージセ
ンサなと全ての固体撮像装置に適用できることは言うま
でもない。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明は固体撮像装置の光電変換
素子の受光面を所定の波長を吸収する膜で被うようにし
たため、従来テレビジョンカメラシステムで使用してい
たフィルタが不要になり、小型軽量化及び低コスト化を
図ることができる。
素子の受光面を所定の波長を吸収する膜で被うようにし
たため、従来テレビジョンカメラシステムで使用してい
たフィルタが不要になり、小型軽量化及び低コスト化を
図ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体チップの断面図
、第２図は従来インターライン転送方式ＣＣＤ撮像装置
の平面配置図、第３図は第２図に示した従来例の半導体
チップ断面図である。 １・・・・・・・受光面、 ２・・・・・・・垂直ＣＣＤレジスタ、３・・・・・・
・水平ＣＣＤレジスタ、４・・・・・・・出力回路、 ５・・・・・・・金属遮光膜、 ６・・・・・・・ｐ型半導体基板、 ７・・・・・・・ホトダイオード、 ８・・・・・・・転送チャネル、 ９・・・・・・・転送電極、 】０・・・・・・絶縁層、 １１・・・・・・チャネルストッパ、 １３・・・・・・染料入り樹脂膜。
、第２図は従来インターライン転送方式ＣＣＤ撮像装置
の平面配置図、第３図は第２図に示した従来例の半導体
チップ断面図である。 １・・・・・・・受光面、 ２・・・・・・・垂直ＣＣＤレジスタ、３・・・・・・
・水平ＣＣＤレジスタ、４・・・・・・・出力回路、 ５・・・・・・・金属遮光膜、 ６・・・・・・・ｐ型半導体基板、 ７・・・・・・・ホトダイオード、 ８・・・・・・・転送チャネル、 ９・・・・・・・転送電極、 】０・・・・・・絶縁層、 １１・・・・・・チャネルストッパ、 １３・・・・・・染料入り樹脂膜。
Claims (1)
- 光電変換素子群を含む光電変換部と、前記光電変換素
子のそれぞれから信号電荷を読み出す信号読み出し部と
が同一半導体基板に設けられている固体撮像装置におい
て、所定の波長範囲の光を吸収する被膜が少なくとも前
記光電変換素子部の受光面に形成されていることを特徴
とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2077671A JPH03276676A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2077671A JPH03276676A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276676A true JPH03276676A (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=13640347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2077671A Pending JPH03276676A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03276676A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6573503B1 (en) | 1998-03-31 | 2003-06-03 | Intel Corporation | Plastic light selective element for imaging applications |
| EP1096240B1 (de) * | 1999-10-29 | 2008-02-27 | Robert Bosch Gmbh | Infrarotabsorber und damit hergestellter thermischer Sensor |
| WO2016181786A1 (ja) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Jsr株式会社 | 光センサ装置、光センサ装置を含む電子機器及び赤外線吸収性組成物、並びに赤外線カットフィルタ層の作製方法 |
-
1990
- 1990-03-26 JP JP2077671A patent/JPH03276676A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6573503B1 (en) | 1998-03-31 | 2003-06-03 | Intel Corporation | Plastic light selective element for imaging applications |
| US6623666B1 (en) * | 1998-03-31 | 2003-09-23 | Intel Corporation | Plastic light selective element for imaging applications |
| EP1096240B1 (de) * | 1999-10-29 | 2008-02-27 | Robert Bosch Gmbh | Infrarotabsorber und damit hergestellter thermischer Sensor |
| WO2016181786A1 (ja) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Jsr株式会社 | 光センサ装置、光センサ装置を含む電子機器及び赤外線吸収性組成物、並びに赤外線カットフィルタ層の作製方法 |
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