WO2016181786A1 - 光センサ装置、光センサ装置を含む電子機器及び赤外線吸収性組成物、並びに赤外線カットフィルタ層の作製方法 - Google Patents

光センサ装置、光センサ装置を含む電子機器及び赤外線吸収性組成物、並びに赤外線カットフィルタ層の作製方法 Download PDF

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compound
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optical sensor
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義寛 清水
耕治 畠山
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    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device

Definitions

  • Embodiments described herein relate generally to an optical sensor device and an electronic apparatus including the optical sensor device.
  • One embodiment of the present invention relates to an infrared absorbing composition used in an optical sensor device.
  • one Embodiment of this invention is related with the preparation methods of an infrared cut filter layer.
  • a display panel provided in a high-function mobile phone called a smart phone or a tablet-type terminal device has a function as a display device for visualizing and displaying information and a function as an input device such as a touch pad.
  • Many of these electronic devices are equipped with an optical sensor device in order to control brightness control and operation of a display panel.
  • the optical sensor device has a characteristic of outputting a signal corresponding to the amount of incident light.
  • the electronic device uses the characteristics of the optical sensor device to cause the optical sensor device to function as an illuminance sensor or as a proximity sensor or a color sensor.
  • an illuminance sensor is used to detect the brightness of a space where an electronic device is placed and control the brightness of the screen.
  • Electronic devices aim to improve visibility and reduce power consumption by controlling the brightness of the screen with an optical sensor device.
  • a proximity sensor it is used to prevent malfunction of the device by detecting the distance between the main body of the electronic device and an object close thereto.
  • an electronic device controls the operation using a proximity sensor so that the display panel is turned off when the display panel is close to the head and the touch panel does not malfunction.
  • a proximity sensor it can be used for simple color detection to be used for the determination of non-defective / defective products at the factory and the degree of contamination after cleaning, or for color correction of electronic devices such as mobile phones, Used for color monitoring, visible light communication, maturity determination of vegetables and fruits, etc.
  • the optical sensor device performs an important function in an electronic device.
  • a proximity illuminance sensor having a light receiving element for illuminance detection and a light receiving element for distance detection mounted on the same surface as the light emitting element mounted on the substrate and provided with an optical filter on the light receiving surface Is disclosed (Patent Document 1).
  • an infrared cut filter made of a metal multilayer film is provided on the upper surface of a translucent resin that molds a light receiving element for detecting illuminance.
  • the height of the optical sensor device built in the device is also reduced, and the distance between the infrared cut filter and the optical sensor device is reduced. As a result, light from a wider angle enters the optical sensor device.
  • the spectral waveform of the optical multilayer film tends to shift to the ultraviolet region side as the incident angle of light increases.
  • the cut-off wavelength band of the infrared cut filter is shifted, the output of the illuminance sensor is affected, and accurate illuminance cannot be detected.
  • the present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide an optical sensor device with reduced incident angle dependency of external light and an electronic apparatus including the optical sensor device. Another object of the present invention is to provide an infrared absorbing composition that can be used in an optical sensor device.
  • a light receiving element having spectral sensitivity from a visible light wavelength band to an infrared wavelength band, and a light in a visible light wavelength band by blocking light in an infrared wavelength band provided on a light receiving surface of the light receiving element.
  • an infrared cut filter layer that transmits the light.
  • a first light receiving element and a second light receiving element having spectral sensitivity from a visible light wavelength band to an infrared wavelength band, and an infrared wavelength band provided on a light receiving surface of the first light receiving element.
  • An optical sensor comprising: an infrared cut filter layer that blocks light and transmits light in a visible light wavelength band; and an infrared pass filter layer that has a transmission band in the infrared wavelength region provided on the light receiving surface of the second light receiving element.
  • a cured film that covers the light receiving surface of the light receiving element may be provided, and the infrared cut filter layer may be provided in contact with the cured film.
  • the light sensor device may be an illuminance sensor, a proximity sensor, or a color sensor.
  • a color filter layer may be provided on the light receiving surface of the light receiving element, and the infrared cut filter layer may be provided in contact with the color filter layer.
  • the infrared cut filter layer may have a thickness of 0.1 to 50 ⁇ m.
  • the infrared cut filter layer includes an infrared shielding material having a maximum absorption wavelength in a wavelength range of 600 to 2000 nm, and the ratio of the infrared shielding material is 0.1 to 80% by mass with respect to the total solid mass. Also good.
  • the infrared cut filter layer was formed using an infrared absorbing composition containing an infrared shielding material having a maximum absorption wavelength in a wavelength range of 600 to 2000 nm, and at least one selected from a binder resin and a polymerizable compound. It may be a thing.
  • the binder resin may be at least one selected from the group consisting of acrylic resin, polyimide resin, polyamide resin, polyurethane resin, epoxy resin, and polysiloxane.
  • Infrared shielding materials include diiminium compounds, squarylium compounds, cyanine compounds, phthalocyanine compounds, naphthalocyanine compounds, quaterylene compounds, aminium compounds, iminium compounds, azo compounds, anthraquinone compounds, porphyrin compounds, Even at least one compound selected from the group consisting of pyrrolopyrrole compounds, oxonol compounds, croconium compounds, hexaphyrin compounds, metal dithiol compounds, copper compounds, metal oxides, metal borides, and noble metals Good.
  • an electronic apparatus having an optical sensor device is provided.
  • the optical sensor device includes an infrared shielding material having a maximum absorption wavelength within a wavelength range of 600 to 2000 nm, and at least one selected from a binder resin and a polymerizable compound.
  • An infrared absorbing composition used for forming an infrared cut filter layer is provided.
  • the coating is carried out by an infrared absorbing composition
  • an infrared shielding material having a maximum absorption wavelength within a wavelength range of 600 to 2000 nm, and at least one selected from a binder resin and a polymerizable compound.
  • a method for producing an infrared cut filter layer comprising a step of forming a film, a step of irradiating a part of the coating film with radiation, a step of developing the coating film irradiated with radiation, and a step of heating the developed coating film.
  • the electronic device includes a device having a function of digitally processing or analyzing various information including video and audio, and includes an electric product to which a technology belonging to electronics is applied.
  • an optical sensor device in which the incident angle dependency of external light is reduced by laminating an infrared cut filter layer on the light receiving surface of the light receiving element.
  • the top view of the photosensor device concerning one embodiment of the present invention is shown.
  • 1 is a cross-sectional view of an optical sensor device according to an embodiment of the present invention.
  • 1 is a cross-sectional view of an optical sensor device according to an embodiment of the present invention.
  • 1 is a cross-sectional view of an optical sensor device according to an embodiment of the present invention.
  • 1 is a cross-sectional view of an optical sensor device according to an embodiment of the present invention.
  • the top view of the photosensor device concerning one embodiment of the present invention is shown.
  • 1 is a cross-sectional view of an optical sensor device according to an embodiment of the present invention.
  • the top view of the photosensor device concerning one embodiment of the present invention is shown.
  • 1 is a cross-sectional view of an optical sensor device according to an embodiment of the present invention.
  • the top view of the photosensor device concerning one embodiment of the present invention is shown.
  • 1 is a cross-sectional view of an optical sensor device according to an embodiment of the present invention.
  • the top view of the photosensor module concerning one embodiment of the present invention is shown.
  • 1 is a cross-sectional view of an optical sensor module according to an embodiment of the present invention. It is a top view which shows an example of the electronic device which concerns on one Embodiment of this invention. It is a front view which shows an example of the electronic device which concerns on one Embodiment of this invention.
  • FIG. 1A and 1B show an optical sensor device 100a according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A shows a schematic plan view of the optical sensor device
  • FIG. 1B shows a cross-sectional structure corresponding to the line AB shown in the schematic plan view.
  • the optical sensor device 100 a includes a light receiving element 102 and an infrared cut filter layer 118.
  • the light receiving element 102 generates a current and a voltage by the photovoltaic effect when light enters the light receiving portion.
  • the infrared cut filter layer 118 is provided on the light receiving surface of the light receiving element 102.
  • the light receiving element 102 includes a photoelectric conversion layer and electrodes that extract current and voltage from the photoelectric conversion layer.
  • a semiconductor material is used for the photoelectric conversion layer of the light receiving element 102.
  • the semiconductor material a typical semiconductor material such as silicon or germanium, or a compound semiconductor material such as GaP, GaAsP, CdS, CdTe, or CuInSe 2 is used.
  • the light receiving element 102 uses these semiconductor materials to form a diode-type element structure (photodiode) or a photoconductive-type element structure (also referred to as a photoresistor, a light-dependent resistor, a photoconductor, or a photocell). have.
  • FIG. 1B shows an example in which the light receiving element 102 is a photodiode type.
  • the light receiving element 102 includes a first electrode 104, a photoelectric conversion layer 106, and a second electrode 112.
  • the photoelectric conversion layer 106 is provided with a region in which an impurity of a conductivity type opposite to the one conductivity type is added to a base formed of a semiconductor of one conductivity type.
  • FIG. 1B illustrates an aspect in which the p-type semiconductor region 108 is provided in the n-type semiconductor region 110. Among these, the p-type semiconductor region 108 is disposed on the light receiving surface side of the light receiving element 102.
  • the light receiving element 102 includes a pn junction in the photoelectric conversion layer 106, an electromotive force is generated by light incidence, and a voltage or a current is generated.
  • the relationship between the n-type semiconductor region and the p-type semiconductor region may be opposite to that shown in FIG. 1B, and the n-type semiconductor region may be provided on the light receiving surface side of the p-type semiconductor region.
  • the semiconductor junction is not limited to the pn junction, and may have a pin junction.
  • the light receiving element 102 is not limited to a photodiode type or a photoconductive type, and may be a three-terminal element such as a phototransistor type.
  • the first electrode 104 is in contact with one end of the p-type semiconductor region 108 so as not to block the light receiving surface.
  • the second electrode 112 is in contact with the n-type semiconductor region 110 on the back surface side (the side opposite to the light receiving surface) of the photoelectric conversion layer 106.
  • an insulating layer 114 is provided on substantially the entire light receiving surface side in order to protect the photoelectric conversion layer 106.
  • the insulating layer 114 provided on the light receiving surface side of the light receiving element 102 has a function as a protective film and a function as an antireflection film. Note that the insulating layer 114 is formed of silicon oxide, silicon nitride, or the like.
  • the insulating layer 114 may have a thickness of 100 nm to 1000 nm.
  • the light receiving element 102 has sensitivity to light in the visible light band to the infrared light band.
  • the band gap energy is 1.12 eV. Therefore, in principle, light having a wavelength shorter than 1100 nm can be absorbed.
  • the light receiving element 102 has an advantage of having sensitivity to light in a wide wavelength range, but cannot detect light of a specific wavelength or a specific wavelength band.
  • the infrared cut filter layer 118 is disposed close to the light receiving surface of the light receiving element 102.
  • the infrared cut filter layer 118 includes an infrared shielding material having a maximum absorption wavelength within a wavelength range of 600 to 2000 nm.
  • the infrared cut filter layer 118 is formed by applying and curing a composition containing an infrared shielding material on the light receiving surface of the light receiving element 102.
  • Such an infrared cut filter layer 118 is in the form of a film, and the thickness is usually 0.1 to 50 ⁇ m.
  • the thickness of the infrared cut filter layer can be controlled by changing the viscosity of the composition containing the infrared shielding material and the coating conditions, and is 0.1 to 15 ⁇ m, further 0.2 to 3 ⁇ m, and further 0.3 to Even if the thickness is 2 ⁇ m, and further 0.5 to 1.5 ⁇ m, light in the infrared wavelength band can be sufficiently blocked, and the optical sensor device 100a can be thinned.
  • the infrared cut filter layer 118 is provided so as to cover the p-type impurity region on the light receiving surface.
  • the light incident on the p-type semiconductor region 108 is not incident on the light receiving element 102 in the infrared wavelength band, and sometimes in the near infrared wavelength band (800 nm to 2500 nm).
  • the light receiving element 102 can react only to light in the visible light band, and the external light intensity corresponding to human visibility can be set as a detection target.
  • the infrared cut filter layer 118 can be disposed in contact with the insulating layer 114. That is, the light receiving element 102 can be disposed close to the p-type semiconductor region 108 that is the light receiving surface. Further, since the infrared cut filter layer 118 is in the form of a film, the optical sensor device 100a can be thinned. By disposing the infrared cut filter layer 118 close to the light receiving surface of the light receiving element 102, the change in the optical path length is suppressed even for obliquely incident light, and the shift of the incident light spectrum to the short wavelength side is reduced. The Thereby, accurate illuminance can be detected even for external light incident at a wide angle.
  • FIG. 2A shows a mode in which a cured film 120 is provided between the infrared cut filter layer 118 and the light receiving element 102.
  • the cured film 120 may be provided directly on the light receiving surface of the light receiving element 102 or may be provided via the insulating layer 114.
  • the cured film 120 is an organic film.
  • the organic film is preferably formed using a curable composition for planarization film formation.
  • the surface of the infrared cut filter layer 118 provided on the cured film 120 is also flattened because the base surface is flat. Since there is no step or unevenness on the upper and lower surfaces of the infrared cut filter layer 118, it is possible to prevent the incident light from being scattered on the front and lower surfaces.
  • the cured film 120 acts to reduce the angle dependency of incident light on the output characteristics of the optical sensor device 100a. Further, since the infrared cut filter layer 118 is not affected by the step of the base surface, it can be made thin.
  • FIG. 2B shows one mode of the optical sensor device 100a in which the color filter layer 122 is provided.
  • the color filter layer 122 is provided between the light receiving element 102 and the infrared cut filter layer 118.
  • the color filter layer 122 has a function as a band-pass filter that transmits light in a specific wavelength band in the visible light band.
  • the color filter layer 122 is formed by adding a dye (pigment or dye) having absorption in a specific wavelength band to a resin material such as a binder resin and a curing agent.
  • dye contained in a resin material is used combining one type or multiple types.
  • the color filter layer 122 for example, a material corresponding to red light (approximately 610 to 780 nm), green light (approximately 500 to 570 nm), and blue light (approximately 430 to 460 nm) that is the three primary colors of light is appropriately selected. Can be provided. By providing the color filter layer 122, the optical sensor device 100a can be used to detect light intensity in a specific wavelength band.
  • a cured film 120 may be provided between the color filter layer 122 and the infrared cut filter layer 118, as shown in FIG. 3A.
  • the cured film 120 is used as a planarizing film that relieves surface irregularities caused by the color filter layer 122.
  • the infrared cut filter layer 118 can be provided as a flat layer without being affected by a step or unevenness of the base surface.
  • a second cured film 121 may be further provided on the upper surface of the infrared cut filter layer 118. The infrared cut filter layer 118 can be protected by the second cured film 121.
  • 4A and 4B show a mode in which a sealing material 130 and lead terminals 126a and 126b are added to the optical sensor device 100a.
  • 4A shows a plan view of the optical sensor device 100a
  • FIG. 4B shows a cross-sectional structure corresponding to the line CD.
  • the light receiving element 102 and the infrared cut filter layer 118 are enclosed in a translucent sealing material 130.
  • the light receiving element 102 is mounted on the frame 124.
  • Terminals 126 a and 126 b are provided on the back side of the frame 124 (the side opposite to the light receiving element 102).
  • One of the pair of terminals 126 a and 126 b is electrically connected to the first electrode 104, and the other is electrically connected to the second electrode 112.
  • 4A and 4B show a mode in which the first electrode 104 and one terminal 126a are connected by a bonding wire 128.
  • the sealing material 130 seals both the light receiving element 102 and the infrared cut filter layer 118.
  • both members can be provided inside the sealing material 130.
  • the infrared cut filter layer 118 can be provided closer to the light receiving element 102 than when the infrared cut filter is provided as a separate member on the outside of the sealing material.
  • the optical sensor device 100a according to the present embodiment can accurately detect the brightness by suppressing the change in the incident light spectrum even for light incident from an oblique direction.
  • FIG. 5A and 5B show an example of an optical sensor device 100b having a plurality of light receiving elements.
  • 5A shows a plan view
  • FIG. 5B shows a cross-sectional structure along the line EF.
  • the optical sensor device 100 is provided with a first light receiving element 102 and a second light receiving element 103.
  • An infrared cut filter layer 118 is provided on the light receiving surface of the first light receiving element 102.
  • an infrared pass filter layer 132 is provided on the light receiving surface of the second light receiving element 103.
  • the 1st light receiving element 102 and the infrared cut filter layer 118 have the same structure as FIG. 1A and FIG. 1B.
  • the second light receiving element 103 has the same configuration as the first light receiving element 102.
  • the first light receiving element 102 and the second light receiving element 103 are separated by an element isolation insulating layer 116.
  • the first light receiving element 102 includes a photoelectric conversion layer 106, a first electrode 104, and a second electrode 112.
  • the first electrode 104 is in contact with the p-type semiconductor region 108
  • the second electrode 112 is in contact with the n-type semiconductor region 110.
  • the second light receiving element 103 includes a first electrode 105, a photoelectric conversion layer 106, and a second electrode 112.
  • the first electrode 105 is in contact with the p-type semiconductor region 109
  • the second electrode 112 is in contact with the n-type semiconductor region 110.
  • the first light receiving element 102 and the second light receiving element 103 share the second electrode 112.
  • the infrared pass filter layer 132 provided close to the light receiving surface of the second light receiving element 102 is a pass filter that transmits light in the near infrared wavelength region.
  • the infrared pass filter layer 132 is formed by adding a dye (pigment or dye) having absorption at a wavelength in the visible light wavelength region to a binder resin or a polymerizable compound.
  • the infrared pass filter layer 132 absorbs (cuts) light having a wavelength of less than 700 nm, preferably less than 750 nm, more preferably less than 800 nm, and transmits light having a wavelength of 700 nm or more, preferably 750 nm or more, more preferably 800 nm or more. It has transmission characteristics.
  • Such an infrared pass filter layer 132 is formed by applying a composition containing a binder resin, a polymerizable compound, and a dye (pigment or dye) having absorption in the visible light wavelength region onto the second light receiving element 103 and curing. Can be produced.
  • the present embodiment it is possible to integrate two light receiving elements in the optical sensor device 100 by producing the infrared cut filter layer 118 and the infrared pass filter layer 132 by the step of applying the composition. .
  • the infrared cut filter layer By arranging 118 close to the first light receiving element 102, it is possible to prevent infrared light from entering.
  • the infrared pass filter layer 132 is provided in the vicinity of the second light receiving element 103, so that visible light can be prevented from entering.
  • FIG. 6A and 6B show an example of the optical sensor device 100c.
  • the optical sensor device 100c includes first light receiving elements 102a to 102c, color filter layers 122a to 122c, an infrared cut filter layer 118, a second light receiving element 103, and an infrared pass filter layer 132.
  • 6A is a plan view of the optical sensor device 100c
  • FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line GH.
  • a color filter layer 122a that transmits light in the red light band is provided on the light receiving surface of the first light receiving element 102a, and a color filter layer 122b that transmits light in the green light band is formed on the light receiving surface of the first light receiving element 102b.
  • a color filter layer 122c that transmits light in the blue light band is provided on the light receiving surface of the first light receiving element 102c.
  • an infrared cut filter layer 118 is provided on the color filter layers 122a to 122c.
  • the first light receiving elements 102a to 102c have the same structure as that shown in FIGS. 3A and 3B, except that the first light receiving elements 102a to 102c are insulated from each other by the element isolation insulating layer 116.
  • the first light receiving elements 102a to 102c can be used as a color sensor by being integrated with the color filter layers 122a to 122c and the infrared cut filter layer 118.
  • the color sensor can not only detect ambient light by splitting it into light of multiple wavelength bands, but it is also dark (low transmittance is low) that conventional color sensors cannot detect accurately due to the influence of infrared rays. ) Applicable to optical windows.
  • An infrared pass filter layer 132 is provided on the light receiving surface of the second light receiving element 103. As shown in FIGS. 6A and 6B, an infrared cut filter layer 118 is provided in the vicinity of the light receiving surfaces of the first light receiving elements 102a to 102c, and an infrared pass filter is formed on the light receiving surface of the second light receiving element 103 adjacent thereto. A layer 132 is provided. As described above, according to this embodiment, the first light receiving elements 102a to 102c that detect light in the visible light band and the second light receiving element 103 that detects light in the infrared light band are arranged close to each other. be able to.
  • FIG. 7A and 7B show an example of the optical sensor module 101 including the optical sensor device 100b, the light emitting diode 134, and the drive circuit 138.
  • FIG. 7A shows a plan view of the optical sensor module 101
  • FIG. 7B shows a cross-sectional structure taken along line IJ.
  • the optical sensor module 101 functions as an illuminance sensor in the optical sensor device 100b in which the first light receiving element 102 detects the brightness of ambient light.
  • the light emitting diode 134 emits infrared light
  • the second light receiving element 103 receives the reflected light. That is, the light emitting diode 134 and the second light receiving element 103 cooperate to function as a proximity sensor.
  • the drive circuit unit 138 reads output signals from the first light receiving element 102 and the second light receiving element 103 and controls the operation of the light emitting diode 134.
  • the first light receiving element 102 and the second light receiving element 102 and the light emitting diode 134 are partitioned by a light shielding member 136.
  • Such an optical sensor module 101 is mounted on the electronic device 140, detects the brightness of ambient light by a function as an illuminance sensor, and detects an object close to the main body of the electronic device by a function as a proximity sensor. It becomes possible.
  • the electronic device 140 having a touch panel integrated display screen controls the brightness of the screen according to the brightness of the surrounding environment, and turns off the display screen according to the distance from the object. It is possible to support the operation of turning off the touch panel function and turning off the screen.
  • the optical sensor module 101 is mounted on the electronic device 140, and the function as a color sensor enables the ambient light to be split into a plurality of wavelength bands and detected. With these functions in the optical sensor module 101, the electronic device 140 can support monitoring of maturity of vegetables and fruits in a plant factory, for example.
  • the optical sensor device 100b is replaced with the optical sensor device 100c shown in FIGS. 6A and 6B, and the function as an illuminance sensor is replaced with the function as a color sensor. Good. Thereby, the spectral intensity ratio (RGB ratio) of ambient light can be detected, and the brightness and image quality of the screen can be finely controlled.
  • RGB ratio spectral intensity ratio
  • the infrared cut filter layer can be provided close to the light receiving surface by laminating the infrared cut filter film on the light receiving element.
  • the light intensity for example, illuminance
  • the infrared cut filter layer 118 is a pass filter that transmits light in the visible wavelength region and blocks light in the infrared wavelength region.
  • the infrared cut filter layer 118 preferably contains a compound having a maximum absorption wavelength in the wavelength range of 600 to 2000 nm (hereinafter, also referred to as “infrared shielding material”), for example, an infrared shielding material, a binder resin, and a polymerization agent. It can form using the infrared rays absorptive composition containing at least 1 sort (s) chosen from an active compound.
  • the infrared shielding material preferably has a maximum absorption wavelength within a wavelength range of 650 to 1500 nm, and more preferably has a maximum absorption wavelength within a wavelength range of 700 to 1200 nm.
  • the infrared shielding material examples include diiminium compounds, squarylium compounds, cyanine compounds, phthalocyanine compounds, naphthalocyanine compounds, quaterylene compounds, aminium compounds, iminium compounds, azo compounds, anthraquinone compounds, porphyrins. At least one compound selected from the group consisting of a compound, a pyrrolopyrrole compound, an oxonol compound, a croconium compound, a hexaphyrin compound, a metal dithiol compound, a copper compound, a metal oxide, a metal boride, and a noble metal Can be used. These can be used alone or in combination of two or more.
  • diiminium (diimmonium) compound examples include, for example, JP-A No. 1-113482, JP-A No. 10-180922, International Publication No. 2003/5076, International Publication No. 2004/48480, International Publication No. 2005. No. 4,44782, International Publication No. 2006/120888, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-246464, International Publication No. 2007/148595, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-038007, Paragraph [0118] of International Publication No. 2011/118171, etc. And the compounds described.
  • EPOLIGHT series such as EPOLIGHT 1178 (manufactured by Epolin)
  • CIR-108X series such as CIR-1085 and CIR-96X series (manufactured by Nippon Carlit)
  • IRG022, IRG023, PDC-220 Nippon Kayaku
  • squarylium compound examples include, for example, Japanese Patent No. 3094037, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-228448, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-146846, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-222896, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-215806.
  • Examples include compounds described in paragraph [0178] of the publication.
  • cyanine compound examples include, for example, paragraphs [0041] to [0042] of JP 2007-271745 A, paragraphs [0016] to [0018] of JP 2007-334325 A, and JP 2009-108267 A.
  • NK series manufactured by Hayashibara Biochemical Laboratories
  • Daito D chmix 1371F manufactured by Daitokemix
  • NK-3212 manufactured by Daitokemix
  • NK-5060 and the like.
  • phthalocyanine compound examples include, for example, JP-A-60-224589, JP-T-2005-537319, JP-A-4-23868, JP-A-4-39361, JP-A-5-78364.
  • Examples of commercially available products include FB series (manufactured by Yamada Chemical Industry Co., Ltd.) such as FB-22, 24, Excolor series, Excolor TX-EX 720, 708K (manufactured by Nippon Shokubai), Lumogen IR788 (manufactured by BASF), ABS643, AB S654, ABS667, ABS670T, IRA693N, IRA735 (manufactured by Exciton), SDA3598, SDA6075, SDA8030, SDA8303, SDA8470, SDA3039, SDA3040, SDA3922, SDA7257 (manufactured by H.W.SANDS), TAP-15, IR-70 (Made by industry) etc. can be mentioned.
  • naphthalocyanine compounds include, for example, paragraphs [0046] to [0046] in JP-A Nos. 11-152413, 11-152414, 11-152415, and 2009-215542. [0049] and the like.
  • quaterrylene compound examples include compounds described in paragraph [0021] of JP-A-2008-009206.
  • Lumogen IR765 made by BASF
  • BASF BASF
  • aminium compound examples include compounds described in paragraph [0018] of JP-A No. 08-027371, JP-A No. 2007-039343, and the like.
  • IRG002, IRG003 made by Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • IRG003 made by Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • iminium-based compound examples include compounds described in paragraph [0116] of International Publication No. 2011/118171.
  • azo compound examples include compounds described in paragraphs [0114] to [0117] of JP2012-215806A.
  • anthraquinone compounds include compounds described in paragraphs [0128] and [0129] of JP 2012-215806 A, for example.
  • porphyrin-based compound examples include, for example, a compound represented by the formula (1) in Japanese Patent No. 3834479.
  • pyrrolopyrrole compounds include compounds described in paragraphs [0014] to [0027] of JP2011-068731A and JP2014130343A.
  • oxonol-based compound examples include compounds described in paragraph [0046] of JP-A-2007-271745.
  • croconium-based compound examples include compounds described in paragraph [0049] of JP-A No. 2007-271745, JP-A No. 2007-31644, JP-A No. 2007-169315, and the like.
  • hexaphyrin-based compound examples include a compound represented by the formula (1) in International Publication No. 2002/016144 pamphlet.
  • metal dithiol compound examples include, for example, JP-A No. 1-114801, JP-A No. 64-74272, JP-A No. 62-39682, JP-A No. 61-80106, and JP-A No. Sho 61-80106. Examples thereof include compounds described in JP-A No. 61-42585 and JP-A No. 61-32003.
  • Examples of the copper compound include copper metal, copper complex, and copper phosphate.
  • a copper complex is preferable, and specific examples thereof include, for example, JP2013-253224A, JP2014-032380A, JP2014-026070A, JP20140261678A, JP2014-139616A. And the compounds described in JP-A No. 2014-139617 and the like.
  • Examples of copper phosphate include KCuPO 4 .
  • Metallic copper can also be used as copper particles.
  • Metal oxides include zinc oxide, silicon oxide, aluminum oxide, zirconium dioxide, titanium oxide, cerium dioxide, tungsten oxide, yttrium oxide, indium oxide, tin oxide, and these metal oxides doped with other metals Compounds.
  • tungsten oxide is preferable, cesium tungsten oxide and rubidium tungsten oxide are more preferable, and cesium tungsten oxide is more preferable.
  • Examples of the composition formula of cesium tungsten oxide include Cs 0.33 WO 3
  • examples of the composition formula of rubidium tungsten oxide include Rb 0.33 WO 3 .
  • the tungsten oxide compound is also available as a dispersion of tungsten fine particles such as YMF-02A manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.
  • metal oxides doped with other metals include ITO (indium oxide doped with tin), ATO (tin oxide doped with antimony), AZO (zinc oxide doped with antimony), and the like. These are preferably in the form of particles of 1 to 1000 nm, more preferably 1 to 100 nm.
  • metal boride examples include compounds described in paragraph [0049] of JP 2012-068418 A, for example. Among these, lanthanum boride is preferable.
  • noble metal examples include gold, silver, platinum, palladium, rhodium, iridium, ruthenium and osmium, and gold, silver and palladium are particularly preferable. These are preferably particulate or colloidal.
  • infrared shielding material when the above-mentioned infrared shielding material is a compound soluble in the organic solvent described later, it can be raked and used as an infrared shielding material insoluble in the organic solvent.
  • a known method can be adopted as the rake method, and for example, JP-A-2007-271745 can be referred to.
  • the infrared cut filter layer 118 can improve the infrared absorption characteristics as the film thickness is increased if the type and the content ratio of the infrared shielding material are constant. Thereby, the optical sensor device can obtain a higher S / N ratio and can perform photometry with high sensitivity.
  • the film thickness of the infrared cut filter layer 118 is increased, there is a problem that the optical sensor device 100 cannot be thinned. If the infrared cut filter layer 118 is thinned in order to reduce the thickness of the optical sensor device, there is a problem in that the infrared blocking capability is reduced and the visible light detection pixels are easily affected by noise from infrared rays.
  • the content ratio of the infrared shielding material is increased, for example, the ratio of the polymerizable compound that is one of the other components forming the infrared cut filter layer is decreased, and the curability of the infrared cut filter layer 118 is decreased. Resulting in. If it does so, it will cause peeling of the layer which touches the infrared cut filter layer 118, or a crack. For example, there is a problem that the adhesiveness between the infrared cut filter layer 118 and the base in contact with the substrate decreases, and the film is easily peeled off.
  • the ratio of the infrared shielding material selected from the above is preferably 0.1 to 80% by mass in the infrared cut filter layer 118, more preferably 1 to 70% by mass, and still more preferably 3 to 60% by mass. % Is preferred.
  • the infrared cut filter layer 118 that can sufficiently block infrared rays can be produced even if the film thickness of the infrared cut filter layer 118 is reduced.
  • the preferable content rate of the infrared shielding material with respect to the total solid content mass of an infrared absorptive composition is the infrared shielding material in the infrared cut filter layer 118. It is the same as the ratio. Solid content in this case is components other than a solvent which comprise an infrared absorptive composition.
  • the infrared absorbing composition preferably contains a binder resin.
  • binder resin At least 1 sort (s) chosen from the group which consists of an acrylic resin, a polyimide resin, a polyamide resin, a polyurethane resin, an epoxy resin, and polysiloxane is preferable.
  • an acrylic resin having an acidic functional group such as a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group is preferable.
  • an acrylic resin having an acidic functional group By using an acrylic resin having an acidic functional group, when exposed to form an infrared cut filter layer obtained from an infrared absorbing composition in a predetermined pattern, the unexposed area is more reliably removed with an alkaline developer. And a more excellent pattern can be formed by alkali development.
  • a polymer having a carboxyl group hereinafter, also referred to as “carboxyl group-containing polymer” is preferable, for example, an ethylenically unsaturated monomer having one or more carboxyl groups.
  • unsaturated monomer (1) and other copolymerizable ethylenically unsaturated monomers (hereinafter also referred to as “unsaturated monomer (2)”). Mention may be made of copolymers.
  • unsaturated monomer (1) examples include (meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, succinic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl], ⁇ -carboxypolycaprolactone mono (meta ) Acrylate, p-vinylbenzoic acid and the like. These unsaturated monomers (1) can be used alone or in admixture of two or more.
  • Examples of the unsaturated monomer (2) include N-substituted maleimides such as N-phenylmaleimide and N-cyclohexylmaleimide, styrene, ⁇ -methylstyrene, p-hydroxystyrene, and p-hydroxy- ⁇ .
  • N-substituted maleimides such as N-phenylmaleimide and N-cyclohexylmaleimide
  • styrene ⁇ -methylstyrene
  • p-hydroxystyrene p-hydroxy- ⁇
  • -Aromatic vinyl compounds such as methylstyrene, p-vinylbenzylglycidyl ether, acenaphthylene; alkyl (meth) acrylates such as methyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate; Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate; (meth) acrylic acid esters of unsaturated alcohols such as vinyl (meth) acrylate and allyl (meth) acrylate; phenyl ( Meta ) Acrylate, aryl (meth) acrylate such as benzyl (meth) acrylate; polyethylene glycol (degree of polymerization 2 to 10) methyl ether (meth) acrylate, polypropylene glycol (degree of polymerization 2 to 10) methyl
  • the unsaturated monomer (2) a (meth) acrylic acid ester having an oxygen-containing saturated heterocyclic group can also be used.
  • the “oxygen-containing saturated heterocyclic group” means a saturated heterocyclic group having an oxygen atom as a hetero atom constituting the hetero ring, and a cyclic ether group having 3 to 7 atoms constituting the ring. preferable.
  • the cyclic ether group include an oxiranyl group, an oxetanyl group, and a tetrahydrofuranyl group. Among these, an oxiranyl group and an oxetanyl group are preferable, and an oxiranyl group is more preferable.
  • Examples of the (meth) acrylic acid ester having an oxygen-containing saturated heterocyclic group include glycidyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate glycidyl ether, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate glycidyl ether, 3-hydroxy It has an oxiranyl group such as propyl (meth) acrylate glycidyl ether, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate glycidyl ether, polyethylene glycol-polypropylene glycol (meth) acrylate glycidyl ether, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth) acrylate (meta ) Acrylic acid ester; 3-[(meth) acryloyloxymethyl] oxetane, 3-[(meth) acryloyloxymethyl] -3-ethyloxetane, etc. Having Setaniru group (meth) acrylic acid este
  • (meth) acrylic acid ester having a blocked isocyanate group can also be used as the unsaturated monomer (2).
  • the blocked isocyanate group is converted into an active isocyanate group rich in reactivity by removing the blocking group by heating. Thereby, a crosslinked structure can be formed.
  • Specific examples of the (meth) acrylic acid ester having a blocked isocyanate group include compounds described in paragraph [0024] of JP2012-118279A. Among them, methacrylic acid 2- ( 3,5-dimethylpyrazolylcarbonylamino) ethyl and 2- (1-methylpropylideneaminooxycarbonylamino) ethyl methacrylate are preferred.
  • These unsaturated monomers (2) can be used alone or in admixture of two or more.
  • the copolymerization ratio of the unsaturated monomer (1) in the copolymer is preferably 5 to 50% by mass. More preferably, it is 10 to 40% by mass.
  • copolymer of the unsaturated monomer (1) and the unsaturated monomer (2) include, for example, JP-A-7-140654, JP-A-8-259876, and JP-A-10-31308. No. 10, JP-A-10-300902, JP-A-11-174224, JP-A-11-258415, JP-A-2000-56118, JP-A-2004-101728, etc. Coalescence can be mentioned.
  • a carboxyl group-containing polymer having a polymerizable unsaturated group such as a (meth) acryloyl group in the side chain can also be used as a binder resin.
  • the infrared cut filter layer 118 excellent in adhesiveness with the insulating layer 114, the cured film 120, the cured film 121, and the color filter layer 122 can be formed.
  • Examples of the carboxyl group-containing polymer having a polymerizable unsaturated group in the side chain include the following polymers (a) to (d).
  • (D) A monomer (co) polymer containing a polymerizable unsaturated compound having an oxiranyl group is reacted with the unsaturated monomer (1) and further reacted with a polybasic acid anhydride. The resulting (co) polymer.
  • the term “(co) polymer” includes a polymer and a copolymer.
  • the polymerizable unsaturated compound having a hydroxyl group a compound having a hydroxyl group and an ethylenically unsaturated group in the molecule, such as hydroxyalkyl (meth) acrylate, can be used.
  • the unsaturated isocyanate compound include 2- (meth) acryloyloxyphenyl isocyanate and compounds described in paragraph [0049] of JP-A-2014-098140.
  • the polymerizable unsaturated compound having an oxiranyl group the (meth) acrylic acid ester having the oxiranyl group can be used.
  • polybasic acid anhydride examples include dibasic acid anhydrides and tetrabasic acid dianhydrides exemplified in the polymerizable compound described later, and compounds described in paragraph [0038] of JP-A No. 2014-142582. Can be mentioned.
  • the acrylic resin has a polystyrene-equivalent weight average molecular weight (Mw) measured by gel permeation chromatography (hereinafter abbreviated as “GPC”), and is usually 1,000 to 100,000, preferably 3,000 to 50, 000, more preferably 5,000 to 30,000.
  • Mw / Mn polystyrene-equivalent weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography
  • Mw and Mn refer to polystyrene-reduced weight average molecular weight and number average molecular weight measured by GPC (elution solvent: tetrahydrofuran).
  • the acid value of the acrylic resin having an acidic functional group is preferably 10 to 300 mgKOH / g, more preferably 30 to 250 mgKOH / g, and still more preferably 50 to 200 mgKOH / g, from the viewpoint of adhesion to the cured film.
  • an infrared cut filter layer having a low contact angle and excellent wettability can be formed, and therefore, adhesion with the insulating layer 114, the cured film 120, the cured film 121, and the color filter layer 122 can be improved.
  • the “acid value” in this specification is the number of mg of KOH necessary for neutralizing 1 g of acrylic resin having an acidic functional group.
  • the acrylic resin can be produced by a known method, for example, by a method disclosed in JP 2003-222717 A, JP 2006-259680 A, International Publication No. 2007/029871, etc.
  • the structure, Mw, and Mw / Mn can also be controlled.
  • any of the following (1-I) to (1-IV) is preferable.
  • (1-I) a copolymer of an ethylenically unsaturated monomer having one or more carboxyl groups and a (meth) acrylic acid ester having an oxygen-containing saturated heterocyclic group
  • (1-II) a copolymer of an ethylenically unsaturated monomer having one or more carboxyl groups and a (meth) acrylic acid ester having a blocked isocyanate group
  • (1-III) a carboxyl group-containing polymer having a (meth) acryloyl group in the side chain
  • (1-IV) a copolymer of an ethylenically unsaturated monomer having one or more carboxyl groups and another copolymerizable ethylenically unsaturated monomer having an acid value of 10 to 300 mgKOH /
  • Preferred embodiments of (1-I) to (1-IV)
  • the polyamide resin and the polyimide resin will be described.
  • the polyamide resin include polyamic acid (polyamic acid).
  • the polyimide resin include a silicon-containing polyimide resin, a polyimide siloxane resin, a polymaleimide resin, and the like.
  • the polyimide resin is formed by heating and ring-closing imidization of the polyamic acid as a precursor.
  • Specific examples of the polyamide resin and the polyimide resin include compounds described in paragraphs [0118] to [0120] of JP2012-189632A.
  • the polyurethane resin is not particularly limited as long as it has a urethane bond as a repeating unit, and can be produced by a reaction of a diisocyanate compound and a diol compound.
  • diisocyanate compound examples include compounds described in paragraph [0043] of JP-A No. 2014-189746.
  • diol compound examples include compounds described in paragraph [0022] of JP 2014-189746 A.
  • the epoxy resin examples include a bisphenol type epoxy resin, a hydrogenated bisphenol type epoxy resin, and a novolac type epoxy resin, and among them, a bisphenol type epoxy resin and a novolac type epoxy resin are preferable.
  • examples of the bisphenol type epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, and bisphenol S type epoxy resin.
  • a novolak-type epoxy resin a phenol novolak-type epoxy resin and a cresol novolak-type epoxy resin are mentioned.
  • Such an epoxy resin can be obtained as a commercial product, and examples thereof include a commercial product described in paragraph [0121] of Japanese Patent No. 5213944.
  • the polysiloxane is preferably a hydrolysis condensate of a hydrolyzable silane compound.
  • Specific examples include hydrolysis condensates of hydrolyzable silane compounds represented by the following formula (1).
  • x represents an integer of 0 to 3
  • R 1 and R 2 each independently represent a monovalent organic group.
  • Examples of the monovalent organic group in R 1 and R 2 include a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon group, a substituted or unsubstituted alicyclic hydrocarbon group, and a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group. Can do.
  • the “alicyclic hydrocarbon group” refers to a hydrocarbon group having no cyclic structure.
  • Substituents in aliphatic hydrocarbon groups, alicyclic hydrocarbon groups and aromatic hydrocarbon groups include oxiranyl group, oxetanyl group, episulfide group, vinyl group, allyl group, (meth) acryloyl group, carboxyl group, hydroxyl group , Sulfanyl group, isocyanate group, amino group, ureido group and the like.
  • at least one substituent selected from the group consisting of an oxiranyl group, a (meth) acryloyl group, and a sulfanyl group is preferable.
  • hydrolyzable silane compounds include the compounds described in paragraphs [0047] to [0051] and paragraphs [0060] to [0069] of JP 2010-055066 A.
  • hydrolyzable silane compound having a substituent include hydrolyzable silane compounds described in paragraphs [0077] to [0088] of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-242078.
  • bis (trimethoxysilyl) methane bis (triethoxysilyl) methane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1,8-bis (tri A hexafunctional hydrolyzable silane compound such as ethoxysilyl) octane can also be used in combination.
  • Polysiloxane can be synthesized by a known method.
  • the Mw by GPC is usually 500 to 20,000, preferably 1,000 to 10,000, more preferably 1,500 to 7,000, still more preferably 2,000 to 5,000.
  • Mw / Mn is preferably 1.0 to 4.0, more preferably 1.0 to 3.0.
  • the binder resin can be used alone or in admixture of two or more.
  • the binder resin constituting the infrared absorbing composition is preferably an acrylic resin, a polyimide resin, a polyamide resin, an epoxy resin, or a polysiloxane.
  • An acrylic resin, a polyimide resin, a polyamide resin, and an epoxy resin are more preferable, and an acrylic resin is still more preferable.
  • the content of the binder resin is usually 5 to 1,000 parts by weight, preferably 10 to 500 parts by weight, and more preferably 20 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the infrared shielding material.
  • the infrared absorbing composition preferably contains a polymerizable compound (excluding the binder resin).
  • the polymerizable compound refers to a compound having two or more polymerizable groups.
  • the molecular weight of the polymerizable compound is preferably 4,000 or less, more preferably 2,500 or less, and further preferably 1,500 or less.
  • the polymerizable group include an ethylenically unsaturated group, an oxiranyl group, an oxetanyl group, an N-hydroxymethylamino group, and an N-alkoxymethylamino group.
  • the polymerizable compound is preferably a compound having two or more (meth) acryloyl groups or a compound having two or more N-alkoxymethylamino groups.
  • specific examples of compounds having two or more (meth) acryloyl groups include polyfunctional (meth) acrylates obtained by reacting aliphatic polyhydroxy compounds with (meth) acrylic acid. , Polyfunctional (meth) acrylate modified with caprolactone, polyfunctional (meth) acrylate modified with alkylene oxide, polyfunctional urethane (meth) acrylate obtained by reacting (meth) acrylate having hydroxyl group with polyfunctional isocyanate, hydroxyl group And a polyfunctional (meth) acrylate having a carboxyl group obtained by reacting a (meth) acrylate having an acid with an acid anhydride.
  • examples of the aliphatic polyhydroxy compound include divalent aliphatic polyhydroxy compounds such as ethylene glycol, propylene glycol, polyethylene glycol, and polypropylene glycol; and 3 such as glycerin, trimethylolpropane, pentaerythritol, and dipentaerythritol. Mention may be made of aliphatic polyhydroxy compounds having a valence higher than that.
  • Examples of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, and glycerol diester. A methacrylate etc. can be mentioned.
  • Examples of the polyfunctional isocyanate include tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, diphenylmethylene diisocyanate, and isophorone diisocyanate.
  • acid anhydrides examples include succinic anhydride, maleic anhydride, glutaric anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, dibasic acid anhydrides such as hexahydrophthalic anhydride, pyromellitic anhydride, biphenyltetracarboxylic acid.
  • acid anhydrides include succinic anhydride, maleic anhydride, glutaric anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, dibasic acid anhydrides such as hexahydrophthalic anhydride, pyromellitic anhydride, biphenyltetracarboxylic acid.
  • dianhydrides and tetrabasic acid dianhydrides such as benzophenone tetracarboxylic dianhydride.
  • Examples of the caprolactone-modified polyfunctional (meth) acrylate include compounds described in paragraphs [0015] to [0018] of JP-A No. 11-44955.
  • the alkylene oxide-modified polyfunctional (meth) acrylate is at least one selected from bisphenol A di (meth) acrylate modified with at least one selected from ethylene oxide and propylene oxide, ethylene oxide and propylene oxide.
  • Examples of the compound having two or more N-alkoxymethylamino groups include compounds having a melamine structure, a benzoguanamine structure, and a urea structure.
  • the melamine structure and the benzoguanamine structure refer to a chemical structure having one or more triazine rings or phenyl-substituted triazine rings as a basic skeleton, and is a concept including melamine, benzoguanamine or a condensate thereof.
  • Specific examples of the compound having two or more N-alkoxymethylamino groups include N, N, N ′, N ′, N ′′, N ′′ -hexa (alkoxymethyl) melamine, N, N, N ′. , N′-tetra (alkoxymethyl) benzoguanamine, N, N, N ′, N′-tetra (alkoxymethyl) glycoluril, and the like.
  • an aliphatic compound having an epoxy group or an alicyclic compound having an epoxy group can also be used as the polymerizable compound.
  • an aliphatic compound having an epoxy group an aliphatic compound having 2 to 4 epoxy groups is preferable, and specific examples include the compounds described in paragraph [0042] of JP-A-2010-053330.
  • the alicyclic compound having an epoxy group is preferably an alicyclic compound having 2 to 4 epoxy groups, and specific examples include the compounds described in paragraph [0043] of JP 2010-053330 A. .
  • a compound having two or more N-hydroxymethylamino groups such as hexamethylolmelamine can also be used.
  • compounds having two or more (meth) acryloyl groups, compounds having two or more N-alkoxymethylamino groups are preferred, and trivalent or higher aliphatic polyhydroxy compounds and (meth) Polyfunctional (meth) acrylate obtained by reacting acrylic acid, polyfunctional (meth) acrylate modified with caprolactone, polyfunctional (meth) acrylate modified with alkylene oxide, polyfunctional urethane (meth) acrylate, carboxyl group Multifunctional (meth) acrylate, N, N, N ′, N ′, N ′′, N ′′ -hexa (alkoxymethyl) melamine, N, N, N ′, N′-tetra (alkoxymethyl) benzoguanamine are more Preferably, it is obtained by reacting a trivalent or higher aliphatic polyhydroxy compound with (meth) acrylic acid.
  • Polyfunctional (meth) acrylate polyfunctional (meth) acrylate which is an alkylene oxide-modified, multifunctional urethane (meth) acrylate, polyfunctional (meth) acrylate having a carboxyl group more preferable.
  • polyfunctional (meth) acrylates obtained by reacting trivalent or higher aliphatic polyhydroxy compounds with (meth) acrylic acid, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipenta Among polyfunctional (meth) acrylates modified with alkylene oxide, erythritol hexaacrylate is selected from trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ethylene oxide and propylene oxide modified with at least one selected from ethylene oxide and propylene oxide.
  • At least one selected from pentaerythritol tetra (meth) acrylate, ethylene oxide and propylene oxide modified by at least one selected Dipentaerythritol penta (meth) acrylate modified with at least one selected from dipentaerythritol penta (meth) acrylate, ethylene oxide and propylene oxide is a polyfunctional (meth) having a carboxyl group
  • the acrylates compounds obtained by reacting pentaerythritol triacrylate and succinic anhydride, and compounds obtained by reacting dipentaerythritol pentaacrylate and succinic anhydride are excellent in the strength and surface smoothness of infrared cut filters.
  • a polymeric compound can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • the content of the polymerizable compound in the present embodiment is preferably 10 to 1,000 parts by mass, more preferably 15 to 500 parts by mass, and preferably 20 to 150 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the infrared shielding material.
  • the infrared absorbing composition is usually prepared as a liquid composition by blending a solvent.
  • a solvent as long as the component which comprises an infrared absorptive composition is disperse
  • Ethylene glycol monomethyl ether Ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono-n-propyl ether, diethylene glycol mono-n- Butyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, propylene glycol mono-n-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, di Propylene glycol mono Chirueteru, dipropylene glycol mono -n- propyl ether, dipropylene glycol mono -n- butyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether,
  • propylene glycol monomethyl ether propylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, 3-methoxybutyl Acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 1,3-butylene glycol diacetate, 1,6-hexanediol diacetate, ethyl lactate, ethyl 3-methoxypropionate, 3- Methyl ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, 3-methyl-3-methoxybutylpropionate Acetate n- butyl acetate i- butyl, formic acid n- amyl acetate,
  • the solvent can be used alone or in admixture of two or more.
  • the content of the solvent is not particularly limited, but the total concentration of each component excluding the solvent of the infrared absorbing composition is preferably 5 to 50% by mass, and preferably 10 to 30% by mass. The amount is more preferred.
  • paintability can be obtained.
  • the infrared absorbing composition can contain a photosensitizer.
  • the “photosensitive agent” refers to a compound having a property of changing the solubility of the infrared absorbing composition in a solvent by light irradiation. Examples of such a compound include a photopolymerization initiator and an acid generator.
  • a photosensitizer can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • the photopolymerization initiator is not particularly limited as long as it can generate an acid or a radical by light.
  • a thioxanthone compound, an acetophenone compound, a biimidazole compound, a triazine compound, an O-acyloxime compound examples include onium salt compounds, benzoin compounds, benzophenone compounds, ⁇ -diketone compounds, polynuclear quinone compounds, diazo compounds, and imide sulfonate compounds.
  • a photoinitiator can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • the photopolymerization initiator is preferably at least one selected from the group consisting of biimidazole compounds, thioxanthone compounds, acetophenone compounds, triazine compounds, and O-acyloxime compounds.
  • a hydrogen donor such as 2-mercaptobenzothiazole may be used in combination.
  • the “hydrogen donor” as used herein means a compound that can donate a hydrogen atom to a radical generated from a biimidazole compound by exposure.
  • a photopolymerization initiator other than a biimidazole compound is used, a sensitizer such as ethyl 4-dimethylaminobenzoate can be used in combination.
  • the acid generator is not particularly limited as long as it is a compound that generates an acid by heat or light, but it is an onium salt such as sulfonium salt, benzothiazolium salt, ammonium salt, phosphonium salt, N-hydroxyimide sulfonate compound, oxime. Examples thereof include sulfonates, o-nitrobenzyl sulfonates, and quinonediazide compounds.
  • An acid generator can be used individually or in combination of 2 or more types. Of these, sulfonium salts, benzothiazolium salts, oxime sulfonates, and quinonediazide compounds are preferable.
  • sulfonium salt and benzothiazolium salt include, for example, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-hydroxyphenyl benzyl methylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyl benzyl methylsulfonium Hexafluoroantimonate, 4-hydroxyphenyldibenzylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldibenzylsulfonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazolium hexafluoroantimonate, 1- (4,7-dibutoxy- And 1-naphthalenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate.
  • oxime sulfonate examples include compounds described in paragraphs [0122] to [0131] of JP-A No. 2014-115438.
  • quinonediazide compound examples include, for example, compounds described in paragraphs [0040] to [0048] of JP-A-2008-156393, and paragraphs [0172] to [0186] of JP-A-2014-174406. A compound can be mentioned.
  • the content of the photosensitizer is preferably 0.03 to 10% by mass, more preferably 0.1 to 8% by mass, and still more preferably 0.5 to 6% by mass in the solid content of the infrared absorbing composition. is there. By setting it as such an aspect, sclerosis
  • the infrared absorbing composition can contain a dispersant.
  • the dispersant include a urethane dispersant, a polyethyleneimine dispersant, a polyoxyalkylene alkyl ether dispersant, a polyoxyalkylene alkyl phenyl ether dispersant, a poly (alkylene glycol) diester dispersant, and a sorbitan fatty acid ester.
  • Disperbyk-2000, Disperbyk-2001, BYK-LPN6919, BYK-LPN21116, BYK-LPN22102 (above, Big Chemie).
  • urethane dispersants such as Disperbyk-182 (manufactured by BYK Corporation), Solsperse 76500 (manufactured by Lubrizol Corporation), and polyethyleneimine systems such as Solsperse 24000 (manufactured by Lubrizol Corporation)
  • polyester dispersants such as dispersants, Azisper PB821, Azisper PB822, Azisper PB880, Azisper PB881 (Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.), BYK-LPN21324 (Bikchem (BYK), Inc.
  • a dispersant containing a repeating unit having an alkylene oxide structure is preferable from the viewpoint of forming the infrared cut filter layer 118 with little development residue.
  • Dispersants can be used alone or in admixture of two or more.
  • the content of the dispersant is preferably 5 to 200 parts by weight, more preferably 10 to 100 parts by weight, and still more preferably 20 to 70 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total solid content of the infrared absorbing composition.
  • the infrared absorbing composition may contain various additives as required.
  • additives include fillers such as glass and alumina; polymer compounds such as polyvinyl alcohol and poly (fluoroalkyl acrylates); surfactants such as fluorosurfactants and silicon surfactants; vinyl Trimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (2-methoxyethoxy) silane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxy Silane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-chloropropylmethyl Dimeth
  • an adhesion promoter a surfactant having a polymerizable unsaturated group, a polyfunctional thiol, and a blocked isocyanate compound are used. It is preferable to contain.
  • silane compounds having an oxiranyl group such as 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane; Silane compounds having an ethylenically unsaturated bond such as vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (2-methoxyethoxy) silane, 3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane are preferred.
  • the content of the adhesion promoter is preferably 1 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the binder resin.
  • the surfactant having a polymerizable unsaturated group include, for example, the compounds described in paragraphs [0041] to [0055] of Japanese Patent No. 4996583, and as a commercial product, Japanese Patent No. 5626063. Examples include compounds described in paragraph [0032] of the specification, compounds described in paragraph [0057] of Japanese Patent No. 5552364, and the like.
  • the content of the surfactant having a polymerizable unsaturated group is preferably 1 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the infrared shielding material.
  • the polyfunctional thiol is a compound having two or more sulfanyl groups.
  • a hydrocarbon having two or more sulfanyl groups as a substituent a poly (mercaptoacetate) polyhydric alcohol, a poly (polycapto (polycaptoacetate)) 3-mercaptopropionate), poly (2-mercaptopropionate) of polyhydric alcohol, poly (3-mercaptobutyrate) of polyhydric alcohol, complex having two or more sulfanyl groups as substituents
  • Examples include rings, polysiloxanes having two or more sulfanyl groups, and the like. Specific examples thereof include compounds described in paragraphs [0073] to [0079] of JP2013-083932A.
  • the content of the polyfunctional thiol is preferably 1 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the binder resin.
  • a blocked isocyanate compound is a compound in which an isocyanate group is reacted with an active hydrogen group-containing compound (blocking agent) to make it inactive at room temperature. When heated, the blocking agent dissociates and the isocyanate group is regenerated. It is what you have.
  • Examples of commercially available products include those in which isocyanate groups are blocked with an oxime of methyl ethyl ketone, Duranate TPA-B80E, TPA-B80X, E402-B80T, MF-B60XN, MF-B60X, MF-B80M (above, Asahi Kasei Kogyo Co., Ltd.); As an isocyanate group blocked with active methylene, Duranate MF-K60X (Asahi Kasei Kogyo Co., Ltd.); As a block of an isocyanate compound having a (meth) acryloyl group, Karenz MOI-BP, Karenz MOI-BM (above, Showa Denko) ).
  • the content of the blocked isocyanate compound is preferably 5 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the binder resin.
  • the infrared cut filter layer 118 can be formed using, for example, the above-described infrared absorbing composition, and has a high light shielding property (infrared shielding property) in the infrared wavelength region, and the insulating layer 114 or the cured film.
  • the adhesiveness with 120, the cured film 121, and the color filter layer 122 is also excellent.
  • a method for forming the infrared cut filter layer 118 using the infrared absorbing composition will be described step by step.
  • the infrared cut filter layer 118 according to the present embodiment is formed in the order of the following steps (1) to (4) or by performing the step (5) after the steps including the steps (1) and (4).
  • (1) a step of forming a coating film by applying an infrared absorbing composition on a substrate; (2) A step of irradiating at least a part of the coating film with radiation, (3) Step of developing the coating film (developing step), (4) Step of heating the coating film (heating step), (5) The process of removing a part of infrared cut filter layer obtained at the process (4).
  • an infrared ray absorbing composition is applied onto a substrate, and preferably, the solvent is removed by heating (pre-baking) the coated surface to form a coating film.
  • the substrate here is a concept encompassing the photoelectric conversion layer 106 or the light receiving surface of the photodiode on which the insulating layer 114, the cured film 120, the cured film 121, or the color filter layer 122 is formed. It can be changed accordingly.
  • the method for applying the infrared absorbing composition is not particularly limited.
  • an appropriate method such as a spray method, a roll coating method, a spin coating method (spin coating method), a slit die coating method, or a bar coating method may be employed. Can do.
  • the spin coating method is preferable.
  • Pre-baking performed as necessary can use known heating means such as an oven, a hot plate, an IR heater, etc., and may be performed in combination with vacuum drying and heat drying.
  • the heating conditions vary depending on the type of each component, the blending ratio, etc., but can be, for example, at a temperature of 60 to 200 ° C. for about 30 seconds to 15 minutes.
  • Step (2)- Step (2) is a step of irradiating a part or all of the coating film formed in step (1) with radiation.
  • the photomask which has a predetermined pattern, for example.
  • the first electrode 104 is disposed adjacent to the infrared cut filter 118 in the configuration 1 of the optical sensor device. Accordingly, when the infrared cut filter 118 is formed using an infrared absorbing composition imparted with alkali developability, the photomask pattern may correspond to the pattern of the first electrode 104.
  • Examples of radiation used for exposure include ultraviolet rays and visible light such as electron beams, KrF, ArF, g rays, h rays, and i rays, and among these, KrF, g rays, h rays, and i rays are preferable.
  • Examples of the exposure method include stepper exposure and exposure with a high-pressure mercury lamp. Exposure is preferably 5 ⁇ 3000mJ / cm 2, more preferably 10 ⁇ 2000mJ / cm 2, more preferably 50 ⁇ 1000mJ / cm 2.
  • the exposure apparatus is not particularly limited, and a known apparatus can be appropriately selected. Examples thereof include a UV exposure machine such as an ultrahigh pressure mercury lamp.
  • step (3) the coating film obtained in step (2) is developed using an alkali developer, so that an unnecessary portion (radiation portion in the case of positive type. Radiation in the case of negative type). Non-irradiated part)).
  • the alkaline developer include sodium carbonate, sodium bicarbonate, sodium hydroxide, potassium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, choline, 1,8-diazabicyclo- [5.4.0] -7-undecene, , 5-diazabicyclo- [4.3.0] -5-nonene and the like are preferable.
  • a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol, a surfactant, or the like
  • a surfactant such as methanol or ethanol
  • it is usually washed with water after alkali development.
  • a development processing method a shower development method, a spray development method, a dip (immersion) development method, a paddle (liquid accumulation) development method, or the like can be applied.
  • the development conditions are preferably 5 to 300 seconds at room temperature.
  • the infrared cut filter layer in this embodiment is formed by heating the non-patterned coating film obtained by (1) at a relatively high temperature. Thereby, the mechanical strength and crack resistance of the infrared cut filter layer can be enhanced.
  • the heating temperature in this step is, for example, 120 ° C. to 250 ° C.
  • the heating time varies depending on the type of heating equipment. For example, when the heating process is performed on a hot plate, it may be 1 minute to 30 minutes, and when the heating process is performed in an oven, it may be 5 minutes to 90 minutes. it can. Moreover, the step baking method etc. which perform a heating process 2 times or more can also be used.
  • the insulating layer 114 and the cured film 120 have translucency for both the visible light wavelength region and the infrared wavelength region. In the optical sensor device 100, it is preferable that light transmitted through the insulating layer 114 and the cured film 120 is not attenuated as much as possible.
  • the insulating layer 114 and the cured film 120 have excellent adhesion with a layer in contact therewith. For example, if the adhesiveness between the cured film 120 and the infrared cut filter layer 118 is poor, peeling occurs and the infrared cut filter layer 118 is damaged.
  • the surfaces of the insulating layer 114 and the cured film 120 are planarized. That is, the insulating layer 114 and the cured film 120 are preferably used as a planarizing film.
  • the use of an organic film as the insulating layer 114 and the cured film 120 has a light-transmitting and flat insulating layer 114 and the cured film 120.
  • a leveling effect after applying the curable composition described later can provide a planarized film (insulating layer and cured film) having a flat surface even if the underlying surface includes irregularities.
  • a curable composition containing a curable compound and a solvent is preferable.
  • a solvent in a curable composition the thing similar to what was described as a solvent in an infrared absorptive composition can be used, and a preferable aspect is also the same as the above-mentioned.
  • the curable compound constituting the curable composition may be a compound that can be cured by light or heat, for example, a resin having an oxygen-containing saturated heterocyclic group, a resin having a polymerizable unsaturated group in the side chain, Examples thereof include polysiloxane, polyimide resin, polyamide resin, and polymerizable compound. Specific examples and preferred embodiments of these various resins and polymerizable compounds are the same as described above.
  • the insulating layer and the cured film of the optical sensor device 100 in the present embodiment can be formed using, for example, the curable composition described above.
  • the insulating layer and the cured film in the present embodiment are formed by a process including the above-described steps (1) and (4) except that the curable composition is used instead of the infrared absorbing composition in the above-described step (1). it can. Moreover, you may perform process (2) and (3) as needed. Details and preferred embodiments of these steps are the same as those in the above steps (1) to (4).
  • the infrared cut filter layer 118 of the optical sensor device 100 can sufficiently absorb infrared rays, the thickness of the infrared cut filter layer 118 can be reduced.
  • the adhesion at the interface between the layers is lowered, which may lead to peeling.
  • the infrared absorbing composition and curable composition in the present embodiment as described above, even at the infrared cut filter layer 118, the insulating layer 114, and the cured film 120 are thin films, the adhesion at the laminated interface. This is suitable for manufacturing the optical sensor device 100 in that the optical sensor device 100 can be thinned.
  • the color filter layer 122 is a pass filter that transmits visible light in different wavelength bands.
  • the color filter layer 122a transmits light in the wavelength band of red light (approximately 610 to 780 nm)
  • the color filter layer 122b transmits light in the wavelength band of green light (approximately 500 to 570 nm).
  • Each of the layers 122c can be constituted by a pass filter that can transmit light in a wavelength band of blue light (approximately 430 to 460 nm in wavelength). Light transmitted through the color filter layers 122a to 122c is incident on the light receiving elements 102a to 102c, respectively.
  • the color filter layers 122a to 122c can be formed by adding a dye (pigment or dye) having absorption in a specific wavelength band to a resin material such as a binder resin and a curing agent.
  • a dye pigment or dye
  • dye contained in a resin material can be used 1 type or in combination of multiple types.
  • the light receiving elements 102a to 102c are silicon photodiodes, they have sensitivity over a wide range from the visible light wavelength region to the infrared wavelength region. Therefore, light corresponding to each color can be detected by providing the color filter layers 122a to 122c corresponding to the light receiving elements 102a to 102c.
  • the color filter layers 122a to 122c can be formed using a known color filter layer forming composition.
  • the infrared pass filter layer 132 is a pass filter that transmits at least light in the near infrared wavelength region.
  • the infrared pass filter layer 132 can be formed by adding a dye (pigment or dye) having absorption at a wavelength in the visible light wavelength region to a binder resin, a polymerizable compound, or the like.
  • the infrared pass filter layer 132 absorbs (cuts) light having a wavelength of less than 700 nm, preferably less than 750 nm, more preferably less than 800 nm, and transmits light having a wavelength of 700 nm or more, preferably 750 nm or more, more preferably 800 nm or more. It has transmission characteristics.
  • the infrared pass filter layer 132 blocks light having a wavelength less than a predetermined wavelength (for example, less than 750 nm) and transmits near infrared light in a predetermined wavelength region (for example, 750 to 950 nm), whereby the second light receiving element. 103 can be made to receive near-infrared rays. Thereby, the 2nd light receiving element 103 can detect infrared rays accurately, without receiving the influence of the noise etc. resulting from visible light. Thus, by providing the infrared pass filter layer 132, the second light receiving element 103 can be used for infrared light detection.
  • the infrared pass filter layer 132 can be formed using, for example, a photosensitive composition described in JP-A-2014-130332.
  • FIG. 8A is a top view illustrating an example of the electronic device 140
  • FIG. 8B is a front view.
  • the electronic device 140 includes a housing 142, a display panel 144, a microphone unit 146, a speaker unit 148, and the optical sensor device 100.
  • the display panel 144 employs a touch panel and has an input function in addition to a display function.
  • the optical sensor device 100 is provided with the optical sensor device 100 or the optical sensor module 101 described in the present embodiment. Light enters the optical sensor device 100 through the surface panel of the housing 142.
  • the optical sensor device 100 detects the intensity of ambient light on which the electronic device 140 is placed. In the case of the optical sensor module 101, in addition to the measurement of ambient light, the distance to an object close to the front panel of the electronic device 140 is measured.
  • the electronic device 140 controls the brightness of the display panel 144 by the optical sensor device 100, and controls on / off of the display panel and on / off of the input function.
  • the electronic device 140 is not provided with an opening in consideration of design, but a structure in which light is applied to the optical sensor device 100 through the surface panel of the housing 142 is adopted. In this case, there is a problem that the amount of transmitted visible light is reduced and buried in infrared information.
  • the infrared cut filter layer 118 is provided in the optical sensor device 100, visible light can be detected by removing infrared noise. For this reason, even when the optical sensor device 100 functions as a color sensor, it is possible to suppress color tone shift and accurately detect ambient light.
  • the infrared cut filter layer 118 is provided close to the light receiving surface of the light receiving element 102, the illuminance is accurately measured even for light incident at a wide angle. can do.
  • Example 1 24.0 parts by mass of YMF-02A (18.5% by mass dispersion of cesium tungsten oxide (Cs 0.33 WO 3 , average dispersed particle size 800 nm or less)) manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. as an infrared shielding material, binder resin 45.0 parts by mass of binder resin solution A prepared by the following method, 10.7 parts by mass of dipentaerythritol hexaacrylate as a polymerizable compound, and 1.50 NCI-930 (manufactured by ADEKA Corporation) as a polymerization initiator.
  • YMF-02A 18.5% by mass dispersion of cesium tungsten oxide (Cs 0.33 WO 3 , average dispersed particle size 800 nm or less) manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. as an infrared shielding material
  • An evaluation substrate in which the optical sensor device 100a according to FIGS. 1A and 1B is schematically reproduced was produced by the following procedure.
  • a curable composition (S-114) prepared by a method described later on two glass substrates using an automatic coating and developing apparatus (clean track manufactured by Tokyo Electron Ltd., trade name “MARK-Vz”). ) Were applied by spin coating, followed by baking at 250 ° C. for 2 minutes to form an insulating layer 114 having a thickness of 0.6 ⁇ m.
  • a single glass substrate was coated with an infrared absorbing composition (S-118-1) on the insulating layer 114 by spin coating, and then pre-baked for 2 minutes on a hot plate at 100 ° C. Formed. Then, the glass substrate which has the infrared cut filter layer 118 with a film thickness of 25 micrometers was produced by performing post-baking for 5 minutes with a 200 degreeC hotplate. This is a glass substrate A.
  • a glass substrate on which the infrared cut filter layer 118 is not formed is referred to as a glass substrate B.
  • the spectral transmittance (% T) at a wavelength of 400 to 1600 nm was measured in 1 nm increments, and the transmittance at the maximum absorption wavelength of the glass substrate A was measured. It was measured.
  • the evaluation results are shown in Table 2.
  • the transmittance was calculated by comparing with the glass substrate B, and the condition of an incident angle of 0 ° with respect to the glass substrate, that is, the light transmitted perpendicular to the glass substrate was measured. If the transmittance at the maximum absorption wavelength is 2% or less, it can be said that practically good infrared shielding properties are exhibited.
  • the adhesion between the insulating layer 114 and the infrared cut filter layer 118 is 1 mm square, a total of 100 pieces, in accordance with the grid cellophane tape peeling test in JISK5400. Adhesion was evaluated according to the following criteria in terms of the remaining film ratio in the grid. The evaluation results are shown in Table 2. “ ⁇ ” when the remaining film rate is 100-90% “ ⁇ ” when the remaining film ratio is less than 90-50% “ ⁇ ” when the remaining film rate is less than 50% to 0%
  • the binder resin solution A was prepared by the following procedure.
  • 159 g of 1-methoxy-2-propanol was placed in a 1,000 mL three-necked flask and heated to 85 ° C. under a nitrogen stream.
  • a solution prepared by adding 63.4 g of benzyl methacrylate, 72.3 g of methacrylic acid and 4.15 g of V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) to 159 g of 1-methoxy-2-propanol was added dropwise over 2 hours. did. After completion of the dropwise addition, the reaction was further continued by heating for 5 hours.
  • Filler dispersion A comprises 30 parts by mass of silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd., SO-C2) (filler), 48.2 parts by mass of the binder resin solution A, and 59.0 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. After mixing in advance, the mixture was prepared by dispersing for 3 hours at a peripheral speed of 9 m / s using zirconia beads having a diameter of 1.0 mm with a motor mill M-250 (manufactured by Eiger).
  • (Mass ratio) copolymer was prepared by mixing 25 parts by mass and 75 parts by mass of diethylene glycol dimethyl ether as a solvent.
  • Example 2 A glass substrate A was prepared in the same manner as in Example 1 except that the infrared absorbing composition (S-118-2) prepared by the following method was used instead of the infrared absorbing composition (S-118-1). Were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 2.
  • the dithiol nickel compound was synthesized by the following procedure.
  • reaction solution was cooled to room temperature, 22.9 g (0.1 mol) of nickel (II) chloride hexahydrate was added, and the mixture was reacted at room temperature for 3 hours. Furthermore, 32.2 g (0.1 mol) of tetrabutylammonium bromide was added to the reaction solution, and the mixture was reacted for 2 hours while blowing air at room temperature.
  • the obtained reaction solution was concentrated and purified by silica gel column chromatography.
  • the target dithiol nickel compound tetra-n-butylammonium bis [4- (N, N-diisobutylaminosulfonyl) -1,2, -Benzenedithiolate-S, S '] 40.5 g of nickel was obtained.
  • Example 3 A glass substrate A was prepared in the same manner as in Example 1 except that the infrared absorbing composition (S-118-3) prepared by the following method was used in place of the infrared absorbing composition (S-118-1). Were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 2.
  • Infrared absorbing composition (S-118-3) is KHF-7 (manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd., 3.5 mass% dispersion of lanthanum boride (average dispersion particle size 0.3 ⁇ m)) as an infrared shielding material.
  • Filler dispersion B was prepared by mixing 30 parts by mass of silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd., SO-C1) (filler) and 48.2 parts by mass of the binder resin solution A, and then mixing with motor mill M-250 (Eiger And zirconia beads having a diameter of 1.0 mm, and dispersed for 3 hours at a peripheral speed of 9 m / s.
  • silica manufactured by Admatechs Co., Ltd., SO-C1
  • motor mill M-250 Eiger And zirconia beads having a diameter of 1.0 mm
  • Example 4 A glass substrate A was prepared in the same manner as in Example 1 except that the infrared absorbing composition (S-118-4) prepared by the following method was used in place of the infrared absorbing composition (S-118-1). Were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 2.
  • the mixture was prepared by mixing 69.8 parts by mass, 0.2 part by mass of F-781 (manufactured by DIC Corporation) as a surfactant, and 100 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether.
  • Copper compound A was synthesized by the following method.
  • Example 5 A glass substrate A was prepared in the same manner as in Example 1 except that the infrared absorbing composition (S-118-5) prepared by the following method was used instead of the infrared absorbing composition (S-118-1). Were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 2.
  • the infrared absorbing composition (S-118-5) is phthalocyanine compound Excolor TX-EX 720 (manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd., maximum absorption wavelength 720 nm) as an infrared shielding material, and a cyanine compound.
  • the spectral transmittance was measured from the condition of an incident angle of 30 °, that is, from the angle of 30 ° with respect to the glass substrate. Confirmed to do. That is, in Examples 2 to 5, it can be said that the infrared cut filter layer has no incident angle dependency.
  • Example 1 In Example 1, except that YMF-02A (manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd., 18.5 mass% dispersion of cesium tungsten oxide (Cs 0.33 WO 3 , average dispersed particle size 800 nm or less)) was not used. Infrared absorbing composition (S-118-6) was prepared in the same manner as in Example 1 and evaluated in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 2. In addition, since the glass substrate A of the comparative example 1 does not have an infrared cut filter layer, evaluation of incident angle dependency is not performed.
  • Example 2 In Example 1, instead of using the infrared absorbing composition (S-118-1) to form an infrared cut filter layer, an infrared shielding filter having a dielectric multilayer film produced by the following method was formed on the insulating layer 114. The glass substrate A was produced by mounting. The obtained glass substrate A was evaluated in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 2. Since the method for producing the infrared cut filter layer is different from those in Examples 1 to 5 and Comparative Example 1, the adhesion evaluation is not performed.
  • a method for producing an infrared shielding filter having a dielectric multilayer film is as follows.
  • a coating liquid (1) was prepared by dissolving in 4.25 g.
  • This coating solution (1) is spin-coated on one main surface side of a glass substrate made of copper-containing fluorophosphate glass (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., trade name NF-501, thickness 0.3 mm).
  • the infrared shielding filter was obtained by apply
  • the average film thickness of the infrared absorbing layer was 5.0 ⁇ m.
  • silica SiO 2 , refractive index 1.45 (wavelength 550 nm) is formed on both the main surfaces of the infrared shielding filter (on the surface of the glass substrate where the infrared absorption layer is not formed and on the infrared absorption layer) by sputtering.
  • Layers and titania TiO 2 , refractive index 2.32 (wavelength 550 nm)) layers were alternately laminated to form a dielectric multilayer film (34 layers) having the structure shown in Table 1.
  • a dielectric multilayer film 34 layers having the structure shown in Table 1.
  • DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Optical sensor apparatus, 101 ... Optical sensor module, 102 ... Light receiving element, 103 ... Light receiving element, 104 ... 1st electrode, 105 ... 1st electrode, 106 ... Photoelectric conversion layer, 108 ... p-type semiconductor region, 109 ... p-type semiconductor region, 110 ... n-type semiconductor region, 112 ... second electrode, 114 ... insulating layer, 116 ... Element isolation insulating layer, 118 ... infrared cut filter layer, 120 ... cured film, 121 ... second cured film, 122 ... color filter layer, 124 ... frame, 126 ... terminal, 128 ... bonding wire, 130 ...
  • sealing material 132 ... infrared pass filter layer, 134 ... light emitting diode, 136 ... light shielding member, 138 ... drive circuit, 140 ... electronic Equipment, 142 ... Body, 144 ... display panel, 146 ... microphone unit, 148 ... speaker unit

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Abstract

外光の入射角依存性が低減された光センサ装置、当該光センサ装置を含む電子機器を提供することを目的の一つとする。可視光線波長帯域から赤外線波長帯域にかけて分光感度を有する受光素子と、受光素子の受光面上に設けられた赤外線波長帯域の光を遮断して可視光線波長帯域の光を透過させる赤外線カットフィルタ層とを含むことを特徴とする光センサ装置が提供される。赤外線カットフィルタ層は赤外線遮蔽材、バインダー樹脂、重合性化合物を含む組成物を、受光素子の受光面上に塗布して形成されたものであることが好ましい。

Description

光センサ装置、光センサ装置を含む電子機器及び赤外線吸収性組成物、並びに赤外線カットフィルタ層の作製方法
 本発明の一実施形態は、光センサ装置及び光センサ装置を含む電子機器に関する。本発明の一実施形態は、光センサ装置に用いられる赤外線吸収性組成物に関する。また、本発明の一実施形態は、赤外線カットフィルタ層の作製方法に関する。
 スマートフォンと呼ばれる高機能携帯電話、タブレット型の端末装置に設けられる表示パネルは、情報を視覚化して表示する表示装置としての機能と、タッチパッドのような入力装置としての機能を兼ね備えている。これらの電子機器は、表示パネルの明るさ制御や動作を制御するために、光センサ装置が搭載されているものが多い。
 光センサ装置は入射光量に応じた信号を出力する特性を有している。電子機器は、光センサ装置の特性を利用して、照度センサとして、あるいは近接センサやカラーセンサとして光センサ装置を機能させている。例えば、照度センサとしては、電子機器が置かれている空間の明るさを検知して、画面の明るさを制御するために用いられている。電子機器は、光センサ装置によって画面の明るさを制御することで、視認性の向上や消費電力の削減を図っている。また、近接センサとしては、電子機器の本体とそれに近接する物体の距離を検知することで、機器の誤動作を防止するのに用いられている。例えば、電子機器は、利用者が通話をする際に、表示パネルが頭部に近接したときに、表示パネルを消灯し、タッチパネルが誤動作をしないように、近接センサを用いて動作を制御している。更に、カラーセンサとしては、工場での良品・不良品の判定や洗浄後の汚れ度合いの検査等に利用するための簡易色検出用として、あるいは携帯電話等の電子機器の色補正、液晶ディスプレイの色監視、可視光通信、野菜や果物の成熟度判定等に用いられる。このように、光センサ装置は電子機器において重要な機能を果たしている。
 光センサ装置の利用形態として、例えば、基板に実装された発光素子と同一面に実装され、受光面に光学フィルタが設けられた照度検知用の受光素子及び距離検知用受光素子を有する近接照度センサが開示されている(特許文献1)。この近接照度センサ装置は、照度検知用の受光素子をモールドする透光性樹脂の上面に、金属多層膜でなる赤外線カットフィルタが設けられている。
特開2011-060788号公報
 スマートフォン等の電子機器は、薄型化により当該機器に内蔵される光センサ装置も低背化がされ、赤外線カットフィルタと光センサ装置との間隔が小さくなっている。その影響で光センサ装置にはより広い角度からの光が入射する。
 ところで、光学多層膜による光学フィルタは、光の入射角度の増加に伴い、光学多層膜の分光波形が紫外域側にシフトする傾向がある。例えば、赤外線カットフィルタのカットオフ波長帯域がずれることにより、照度センサの出力に影響を与え、正確な照度を検知できないことが問題となる。
 本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、外光の入射角依存性が低減された光センサ装置、当該光センサ装置を含む電子機器を提供することを目的の一つとする。また、本発明は、光センサ装置に用いることのできる赤外線吸収性組成物を提供することを目的の一つとする。
 本発明の一実施形態によれば、可視光線波長帯域から赤外線波長帯域にかけて分光感度を有する受光素子と、受光素子の受光面上に設けられた赤外線波長帯域の光を遮断して可視光線波長帯域の光を透過させる赤外線カットフィルタ層と、を含む光センサ装置が提供される。
 本発明の一実施形態によれば、可視光線波長帯域から赤外線波長帯域にかけて分光感度を有する第1受光素子及び第2受光素子と、第1受光素子の受光面上に設けられた赤外線波長帯域の光を遮断して可視光線波長帯域の光を透過させる赤外線カットフィルタ層と、第2受光素子の受光面上に設けられた赤外線波長領域に透過帯域を有する赤外線パスフィルタ層と、を含む光センサ装置が提供される。
 本発明の一実施形態において、受光素子の受光面を被覆する硬化膜が設けられていてもよく、赤外線カットフィルタ層は硬化膜に接して設けられていてもよい。
 本発明の一実施形態において、光センサ装置が、照度センサ、近接センサ又はカラーセンサであってもよい。
 本発明の一実施形態において、受光素子の受光面上にカラーフィルタ層が設けられ、赤外線カットフィルタ層はカラーフィルタ層に接して設けられていてもよい。
 本発明の一実施形態において、赤外線カットフィルタ層は、膜厚が0.1~50μmであってもよい。赤外線カットフィルタ層は、波長600~2000nmの範囲内に極大吸収波長を有する赤外線遮蔽材を含み、且つ赤外線遮蔽材の割合が、全固形分質量に対して0.1~80質量%であってもよい。赤外線カットフィルタ層は、波長600~2000nmの範囲内に極大吸収波長を有する赤外線遮蔽材と、バインダー樹脂及び重合性化合物から選ばれる少なくとも1種とを含む赤外線吸収性組成物を用いて形成されたものであってもよい。
 本発明の一実施形態において、バインダー樹脂はアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂およびポリシロキサンよりなる群から選ばれる少なくとも1種であってもよい。赤外線遮蔽材は、ジイミニウム系化合物、スクアリリウム系化合物、シアニン系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クアテリレン系化合物、アミニウム系化合物、イミニウム系化合物、アゾ系化合物、アントラキノン系化合物、ポルフィリン系化合物、ピロロピロール系化合物、オキソノール系化合物、クロコニウム系化合物、ヘキサフィリン系化合物、金属ジチオール系化合物、銅化合物、金属酸化物、金属ホウ化物、貴金属からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物であってもよい。
 本発明の一実施形態によれば、光センサ装置を有する電子機器が提供される。
 本発明の一実施形態によれば、波長600~2000nmの範囲内に極大吸収波長を有する赤外線遮蔽材と、バインダー樹脂及び重合性化合物から選ばれる少なくとも1種とを含む、光センサ装置に用いることのできる、赤外線カットフィルタ層の形成に用いられる赤外線吸収性組成物が提供される。
 本発明の一実施形態によれば、波長600~2000nmの範囲内に極大吸収波長を有する赤外線遮蔽材と、バインダー樹脂及び重合性化合物から選ばれる少なくとも1種とを含む赤外線吸収性組成物によって塗膜を形成する工程、塗膜の一部に放射線を照射する工程、放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び現像された塗膜を加熱する工程を含む赤外線カットフィルタ層の作製方法が提供される。
 なお、本発明において電子機器には、映像・音声を含む各種情報をデジタル処理又はアナルグ処理をする機能を有する機器であって、電子工学に属する技術を応用した電気製品が含まれるものとする。
 本発明によれば、受光素子の受光面上に赤外線カットフィルタ層を積層させることにより、外光の入射角依存性が低減された光センサ装置を得ることができる。
本発明の一実施形態に係る光センサ装置の平面図を示す。 本発明の一実施形態に係る光センサ装置の断面図を示す。 本発明の一実施形態に係る光センサ装置の断面図を示す。 本発明の一実施形態に係る光センサ装置の断面図を示す。 本発明の一実施形態に係る光センサ装置の断面図を示す。 本発明の一実施形態に係る光センサ装置の断面図を示す。 本発明の一実施形態に係る光センサ装置の平面図を示す。 本発明の一実施形態に係る光センサ装置の断面図を示す。 本発明の一実施形態に係る光センサ装置の平面図を示す。 本発明の一実施形態に係る光センサ装置の断面図を示す。 本発明の一実施形態に係る光センサ装置の平面図を示す。 本発明の一実施形態に係る光センサ装置の断面図を示す。 本発明の一実施形態に係る光センサモジュールの平面図を示す。 本発明の一実施形態に係る光センサモジュールの断面図を示す。 本発明の一実施形態に係る電子機器の一例を示す上面図である。 本発明の一実施形態に係る電子機器の一例を示す正面図である。
 以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
 本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に(又は下に)」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上(又は直下)にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方(又は下方)にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方(又は下方)において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
[光センサ装置の構成1]
 図1A及び図1Bは、本発明の一実施形態に係る光センサ装置100aを示す。図1Aは光センサ装置の平面概略図を示し、図1Bは平面概略図に示されるA-B線に対応する断面構造を示す。
 光センサ装置100aは、受光素子102及び赤外線カットフィルタ層118を含む。受光素子102は受光部に光が入射すると光起電力効果により電流や電圧を発生する。赤外線カットフィルタ層118は、受光素子102の受光面上に設けられている。
 受光素子102は、光電変換層と、光電変換層から電流、電圧を取り出す電極によって構成されている。受光素子102の光電変換層には半導体材料が用いられる。半導体材料としては、シリコン又はゲルマニウムなどの典型的な半導体材料、GaP、GaAsP、CdS、CdTe、CuInSe2などの化合物半導体材料が用いられる。受光素子102は、これらの半導体材料を用いて、ダイオード型の素子構造(フォトダイオード)又は光導電型の素子構造(フォトレジスタ、光依存性抵抗、光導電体、フォトセルとも呼ばれる)の素子構造を有している。
 図1Bは、受光素子102がフォトダイオード型である場合の一例を示す。受光素子102は、第1電極104、光電変換層106、第2電極112を有している。光電変換層106は、一導電型の半導体で構成される基体に、一導電型とは反対の導電型の不純物が添加された領域が設けられている。図1Bは、n型半導体領域110に、p型半導体領域108が設けられている態様を例示する。このうち、受光素子102の受光面側にp型半導体領域108が配置されている。受光素子102は光電変換層106にpn接合を含むことにより、光入射によって起電力が生じ、電圧又は電流が発生する。なお、n型半導体領域とp型半導体領域との関係は図1Bに示すものと逆の関係であってもよく、p型半導体領域の受光面側にn型半導体領域が設けられていてもよい。また、フォトダイオード型の素子構造において、半導体接合はpn接合に限定されず、pin接合を有していてもよい。また、受光素子102はフォトダイオード型、光導電型に限定されず、フォトトランジスタ型のように3端子素子であってもよい。
 図1A及び図1Bで示す受光素子102において、第1電極104は、受光面を遮らないように、p型半導体領域108の一端と接触している。第2電極112は、光電変換層106の裏面側(受光面とは反対側)で、n型半導体領域110と接触している。受光素子102は、光電変換層106を保護するため、受光面側の略全面に絶縁層114が設けられている。受光素子102の受光面側に設けられる絶縁層114は、保護膜としての機能と、反射防止膜としての機能を兼ね備えている。なお、絶縁層114は、酸化シリコン、窒化シリコンなどによって形成される。絶縁層114の厚さは、100nm~1000nmの厚さを有していればよい。
 受光素子102は、可視光線帯域から赤外線帯域の光に対して感度を有する。例えば、光電変換層106としてシリコン半導体を用いた場合、バンドギャップエネルギーは1.12eVであるので、原理的には光の波長で1100nmより短い波長の光を吸収し得る。受光素子102は、広い波長範囲の光に対して感度を有するという利点を有する一方、特定の波長又は特定の波長帯域の光を検知することはできない。
 本実施形態に係る光センサ装置100aは、赤外線カットフィルタ層118が受光素子102の受光面上に近接して配置されている。赤外線カットフィルタ層118は、波長600~2000nmの範囲内に極大吸収波長を有する赤外線遮蔽材を含む。赤外線カットフィルタ層118は、赤外線遮蔽材を含む組成物を、受光素子102の受光面上に塗布し硬化することによって形成される。このような赤外線カットフィルタ層118は膜状であり、厚さは通常0.1~50μmである。赤外線カットフィルタ層の厚さは、赤外線遮蔽材を含む組成物の粘度や塗布条件を変えることにより制御することができ、0.1~15μm、更に0.2~3μm、更には0.3~2μm、更に0.5~1.5μmの厚さであっても、赤外線波長帯域の光を十分に遮断することができ、光センサ装置100aの薄型化が可能となる。
 赤外線カットフィルタ層118は、受光面においてp型不純物領域を覆うように設けられている。赤外線カットフィルタ層118の作用により、p型半導体領域108に入射する光は赤外線波長帯域、時に近赤外線波長帯域(800nm~2500nm)の光が受光素子102に入射されなくなる。それにより、受光素子102は可視光線帯域の光にのみ反応できるようになり、人間の視感度に対応した外光強度を検知対象とすることができる。
 本実施形態において、赤外線カットフィルタ層118は、絶縁層114に接して配置することができる。すなわち、受光素子102の受光面であるp型半導体領域108に近接して配置することができる。また、赤外線カットフィルタ層118が膜状であることにより、光センサ装置100aの薄型化が可能となる。赤外線カットフィルタ層118が受光素子102の受光面に近接して配置されることにより、斜め入射光に対しても光路長の変化が抑制され、入射光スペクトルの短波長側へのシフトが軽減される。それにより、広角で入射する外光に対しても、正確な照度を検知することができる。
 なお、本実施形態に係る光センサ装置100aにおいて、赤外線カットフィルタ層118と受光素子102との間に、他の透光性の層が介在していてもよい。図2Aは、赤外線カットフィルタ層118と受光素子102との間に硬化膜120が設けられた態様を示す。硬化膜120は、受光素子102の受光面上に直接設けられていてもよいし、絶縁層114を介して設けられていてもよい。硬化膜120は有機膜である。有機膜は平坦化膜形成用硬化性組成物を用いて形成されることが好ましい。それにより、受光素子102上に硬化膜120を設けることにより、赤外線カットフィルタ層118を形成する下地面を平坦化することが可能となる。
 硬化膜120上に設けられる赤外線カットフィルタ層118は、下地面が平坦であることにより、表面も平坦化される。赤外線カットフィルタ層118の上面及び下面に段差や凹凸がないことにより、表面及び下面で入射光が散乱することを防ぐことができる。硬化膜120は、赤外線カットフィルタ層118の下地側に設けられることにより、光センサ装置100aの出力特性に対し、入射光の角度依存性を低減するように作用する。また、赤外線カットフィルタ層118は、下地面の段差の影響を受けないので、薄膜化を図ることができる。
 図2Bは、カラーフィルタ層122が設けられた光センサ装置100aの一態様を示す。光センサ装置100aにおいて、カラーフィルタ層122は、受光素子102と赤外線カットフィルタ層118との間に設けられている。カラーフィルタ層122は可視光線帯域において、特定の波長帯域の光を透過するバンドパスフィルタとしての機能を有している。カラーフィルタ層122は、バインダー樹脂及び硬化剤等の樹脂材料に、特定の波長帯域に吸収を有する色素(顔料や染料)を加えて形成される。樹脂材料に含有させる色素は一種類又は複数種類を組み合わせて用いられる。
 カラーフィルタ層122は、例えば、光の三原色である赤色光(概ね波長610~780nm)、緑色光(概ね波長500~570nm)、青色光(概ね波長430~460nm)に対応するものを適宜選択して設けることができる。光センサ装置100aは、カラーフィルタ層122が設けられることにより、特定の波長帯域の光強度を検知するのに利用することができる。
 本実施形態に係る光センサ装置100aは、図3Aに示すように、カラーフィルタ層122と、赤外線カットフィルタ層118との間には硬化膜120が設けられていてもよい。硬化膜120は、カラーフィルタ層122による表面の凹凸を緩和する、平坦化膜として用いられる。硬化膜120により、赤外線カットフィルタ層118を、下地面の段差や凹凸の影響を受けず、平坦な層として設けることができる。また、図3Bで示すように、赤外線カットフィルタ層118の上面にさらに第2硬化膜121を設けてもよい。第2硬化膜121により赤外線カットフィルタ層118を保護することができる。
 図4A及び図4Bは、光センサ装置100aに、封止材130及びリード端子126a、126bが付加された態様を示す。なお、図4Aは光センサ装置100aの平面図を示し、図4Bは、C-D線に対応する断面構造を示す。
 受光素子102及び赤外線カットフィルタ層118は、透光性の封止材130に封入されている。受光素子102はフレーム124に載置されている。フレーム124の裏面側(受光素子102とは反対側)には端子126a、126bが設けられている。一対の端子126a、126bは、一方が第1電極104と電気的に接続され、他方が第2電極112と電気的に接続される。図4A及び図4Bでは、第1電極104と一方の端子126aがボンディングワイヤ128で接続される態様を示す。
 封止材130には、透光性の樹脂材料が用いられる。樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂などが用いられる。封止材130は、受光素子102と赤外線カットフィルタ層118の双方を封止している。このように、本実施形態によれば、受光素子102の受光面上に、赤外線カットフィルタ層118を膜状に設けることにより、双方の部材を封止材130の内部に設けることが可能となる。本実施形態に係る光センサ装置100aは、赤外線カットフィルタを別部材として封止材の外側に設ける場合に比べ、赤外線カットフィルタ層118を受光素子102に近接して設けることができる。本実施形態に係る光センサ装置100aは、斜め方向から入射する光に対しても、入射光スペクトルの変化が抑制され、明るさを正確に検知できる。
[光センサ装置の構成2]
 図5A及び図5Bは、複数の受光素子を有する光センサ装置100bの一例を示す。図5Aは平面図を示し、図5Bは、E-F線に沿った断面構造を示す。
 光センサ装置100は、第1受光素子102と第2受光素子103が設けられている。第1受光素子102の受光面には赤外線カットフィルタ層118が設けられている。一方、第2受光素子103の受光面には赤外線パスフィルタ層132が設けられている。第1受光素子102及び赤外線カットフィルタ層118は、図1A及び図1Bと同じ構造を有している。また、第2受光素子103は、第1受光素子102と同様の構成を有している。
 図5Bに示すように、第1受光素子102と、第2受光素子103は素子分離絶縁層116で分離されている。第1受光素子102は、光電変換層106、第1電極104、第2電極112によって構成されている。第1電極104はp型半導体領域108と接触し、第2電極112はn型半導体領域110と接触している。第2受光素子103は、第1電極105、光電変換層106、第2電極112によって構成されている。第1電極105はp型半導体領域109と接触し、第2電極112はn型半導体領域110と接触している。第1受光素子102と、第2受光素子103は第2電極112を共通にしている。
 第2受光素子102の受光面に近接して設けられる赤外線パスフィルタ層132は、近赤外線波長領域の光を透過するパスフィルタである。赤外線パスフィルタ層132は、バインダー樹脂や重合性化合物等に可視光線波長領域の波長に吸収を有する色素(顔料や染料)を加えて形成される。赤外線パスフィルタ層132は、概略700nm未満、好ましくは750nm未満、より好ましくは800nm未満の光を吸収(カット)し、波長700nm以上、好ましくは750nm以上、より好ましくは800nm以上の光を透過する分光透過特性を有している。このような赤外線パスフィルタ層132は、バインダー樹脂、重合性化合物、可視光線波長領域の波長に吸収を有する色素(顔料や染料)を含む組成物を第2受光素子103上に塗布し、硬化することで作製することができる。
 本実施形態によれば、赤外線カットフィルタ層118及び赤外線パスフィルタ層132を、組成物を塗布する工程により作製することで、光センサ装置100に2つの受光素子を集積化することが可能となる。図5A及び図5Bで示すように、可視光線帯域の光を検知する第1受光素子102と赤外線波長帯域の光を検知する第2受光素子103を隣接して配置した場合でも、赤外線カットフィルタ層118が第1受光素子102に近接して配置されることで、赤外光が入射するのを防ぐことができる。同様に、赤外線パスフィルタ層132が第2受光素子103に近接して設けられることで、可視光が入射するのを防ぐことができる。
 図6A及び図6Bは、光センサ装置100cの一例を示す。光センサ装置100cは、第1受光素子102a~102cと、カラーフィルタ層122a~122c、赤外線カットフィルタ層118、第2受光素子103、赤外線パスフィルタ層132を含んでいる。図6Aは光センサ装置100cの平面図を示し、図6BはG-H線に沿った断面図を示す。
 第1受光素子102aの受光面上には赤色光帯域の光を透過するカラーフィルタ層122aが設けられ、第1受光素子102bの受光面上には緑色光帯域の光を透過するカラーフィルタ層122bが設けられ、第1受光素子102cの受光面上には青色光帯域の光を透過するカラーフィルタ層122cが設けられている。さらに、カラーフィルタ層122a~122c上には、赤外線カットフィルタ層118が設けられている。これら第1受光素子102a~102cの構成は、相互に素子分離絶縁層116で絶縁されていることを除き、図3A及び図3Bで示すものと同様の構成を備えている。
 第1受光素子102a~102cは、カラーフィルタ層122a~122c及び赤外線カットフィルタ層118と一体となることにより、カラーセンサとして用いることが可能となる。カラーセンサは、周囲光を複数の波長帯域の光に分光して検知するこができるだけでなく、従来のカラーセンサでは赤外線の影響を受けて正確に検知ができなくなっていた暗い(透過率の低い)光学窓にも適用できるようになる。
 第2受光素子103の受光面には、赤外線パスフィルタ層132が設けられている。図6A及び図6Bで示すように、第1受光素子102a~102cの受光面に近接して赤外線カットフィルタ層118を設け、これらに隣接して第2受光素子103の受光面上に赤外線パスフィルタ層132を設けている。このように、本実施形態によれば、可視光線帯域の光を検知する第1受光素子102a~102cと、赤外光線帯域の光を検知する第2受光素子103と、を近接して配置することができる。
 図7A及び図7Bは、光センサ装置100bと、発光ダイオード134、および駆動回路138を備えた光センサモジュール101の一例を示す。なお、図7Aは光センサモジュール101の平面図を示し、図7BはI-J線に沿った断面構造を示す。
 光センサモジュール101は、光センサ装置100bにおいて、第1受光素子102が周囲光の明るさを検知し、照度センサとして機能する。発光ダイオード134は赤外光を出射し、その反射光を第2受光素子103が受光する。すなわち、発光ダイオード134と第2受光素子103は協働することにより近接センサとして機能する。駆動回路部138は、第1受光素子102及び第2受光素子103の出力信号を読取り、また発光ダイオード134の動作を制御する。第1受光素子102及び第2受光素子102と、発光ダイオード134との間は遮光部材136で仕切られている。
 このような光センサモジュール101は、電子機器140に実装されて、照度センサとしての機能により周囲光の明るさを検知し、近接センサとしての機能により、電子機器の本体に近接する物体を検知することが可能となる。光センサモジュール101におけるこれらの機能により、タッチパネル一体型表示画面を有する電子機器140は、周囲環境の明るさに応じて画面の明るさを制御し、物体との距離に応じて表示画面の消灯及び、タッチパネル機能をオフにして、画面を消灯する動作する動作を支援することが可能となる。
 あるいは、光センサモジュール101は電子機器140に実装されて、カラーセンサとしての機能により周囲光を複数の波長帯域の光に分光して検知することが可能となる。光センサモジュール101におけるこれらの機能により、電子機器140は、例えば植物工場における野菜や果実の成熟度のモニタリングを支援することが可能となる。
 なお、図7A及び図7Bで示す光センサモジュール101において、光センサ装置100bを、図6A及び図6Bで示す光センサ装置100cに置き換えて、照度センサとしての機能を、カラーセンサとしての機能に置き換えてのよい。それにより、周囲光の分光強度比(RGB比)を検出して、画面の明るさや画質をきめ細かく制御することができる。
 本実施形態によれば、受光素子に赤外線カットフィルタの被膜を積層させることで、赤外線カットフィルタ層を受光面上に近接して設けることができる。それにより、光センサ装置に垂直に入射する光のみならず、斜め方向から入射する光に対しても、波長シフトの影響を受けずに正確に光強度(例えば、照度)を検知することができる。次に、本実施形態で用いるのに好適な赤外線カットフィルタ層について例示する。
[赤外線カットフィルタ層]
 赤外線カットフィルタ層118は、可視光線波長領域の光を透過し、赤外線波長領域の光を遮断するパスフィルタである。赤外線カットフィルタ層118は、波長600~2000nmの範囲内に極大吸収波長を有する化合物(以下、「赤外線遮蔽材」とも称する。)を含むことが好ましく、例えば、赤外線遮蔽材と、バインダー樹脂及び重合性化合物から選ばれる少なくとも1種とを含む赤外線吸収性組成物を用いて形成することができる。なお、赤外線遮蔽材は、波長650~1500nmの範囲内に極大吸収波長を有することが好ましく、波長700~1200nmの範囲内に極大吸収波長を有することがより好ましい。
-赤外線遮蔽材-
 赤外線遮蔽材としては、例えば、ジイミニウム系化合物、スクアリリウム系化合物、シアニン系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クアテリレン系化合物、アミニウム系化合物、イミニウム系化合物、アゾ系化合物、アントラキノン系化合物、ポルフィリン系化合物、ピロロピロール系化合物、オキソノール系化合物、クロコニウム系化合物、ヘキサフィリン系化合物、金属ジチオール系化合物、銅化合物、金属酸化物、金属ホウ化物、貴金属からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を用いることができる。これらは、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
 赤外線遮蔽材として用いることのできる化合物を以下に例示する。
 ジイミニウム(ジインモニウム)系化合物の具体例としては、例えば、特開平1-113482号公報、特開平10-180922号公報、国際公開第2003/5076号、国際公開第2004/48480号、国際公開第2005/44782号、国際公開第2006/120888号、特開2007-246464号公報、国際公開第2007/148595号、特開2011-038007号公報、国際公開第2011/118171号の段落[0118]等に記載の化合物等が挙げられる。市販品としては、例えば、EPOLIGHT1178等のEPOLIGHTシリーズ(Epolin社製)、CIR-1085等のCIR-108Xシリーズ及びCIR-96Xシリーズ(日本カーリット社製)、IRG022、IRG023、PDC-220(日本化薬社製)等を挙げることができる。
 スクアリリウム系化合物の具体例としては、例えば、特許第3094037号明細書、特開昭60-228448号公報、特開平1-146846号明細書、特開平1-228960号公報、特開2012-215806号公報の段落[0178]等に記載の合物が挙げられる。
 シアニン系化合物の具体例としては、例えば、特開2007-271745号公報の段落[0041]~[0042]、特開2007-334325号公報の段落[0016]~[0018]、特開2009-108267号公報、特開2009-185161号公報、特開2009-191213号公報、特開2012-215806号公報の段落[0160]、特開2013-155353号公報の段落[0047]~[0049]等に記載の化合物が挙げられる。市販品としては、例えば、Daito chmix 1371F(ダイトーケミックス社製)、NK-3212、NK-5060等のNKシリーズ(林原生物化学研究所製)等を挙げることができる。
 フタロシアニン系化合物の具体例としては、例えば、特開昭60-224589号公報、特表2005-537319号公報、特開平4-23868号公報、特開平4-39361号公報、特開平5-78364号公報、特開平5-222047号公報、特開平5-222301号公報、特開平5-222302号公報、特開平5-345861号公報、特開平6-25548号公報、特開平6-107663号公報、特開平6-192584号公報、特開平6-228533号公報、特開平7-118551号公報、特開平7-118552号公報、特開平8-120186号公報、特開平8-225751号公報、特開平9-202860号公報、特開平10-120927号公報、特開平10-182995号公報、特開平11-35838号公報、特開2000-26748号公報、特開2000-63691号公報、特開2001-106689号公報、特開2004-18561号公報、特開2005-220060号公報、特開2007-169343号公報、特開2013-195480号公報の段落[0026]~[0027]等に記載の化合物等が挙げられる。市販品としては、例えば、FB-22、24等のFBシリーズ(山田化学工業社製)、Excolorシリーズ、Excolor TX-EX 720、同708K(日本触媒製)、Lumogen IR788(BASF製)、ABS643、AB
S654、ABS667、ABS670T、IRA693N、IRA735(Exciton製)、SDA3598、SDA6075、SDA8030、SDA8303、SDA8470、SDA3039、SDA3040、SDA3922、SDA7257(H.W.SANDS製)、TAP-15、IR-706(山田化学工業製)等を挙げることができる。
 ナフタロシアニン系化合物の具体例としては、例えば、特開平11-152413号公報、特開平11-152414号公報、特開平11-152415号公報、特開2009-215542号公報の段落[0046]~[0049]等に記載の化合物が挙げられる。
 クアテリレン系化合物の具体例としては、例えば、特開2008-009206号公報の段落[0021]等に記載の化合物等が挙げられる。市販品としては、例えば、Lumogen IR765(BASF社製)等を挙げることができる。
 アミニウム系化合物の具体例としては、例えば、特開平08-027371号公報の段落[0018]、特開2007-039343号公報等に記載の化合物が挙げられる。市販品としては、例えばIRG002、IRG003(日本化薬社製)等を挙げることができる。
 イミニウム系化合物の具体例としては、例えば、国際公開第2011/118171号の段落[0116]等に記載の化合物が挙げられる。
 アゾ系化合物の具体例としては、例えば、特開2012-215806号公報の段落[0114]~[0117]等に記載の化合物が挙げられる。
 アントラキノン系化合物の具体例としては、例えば、特開2012-215806号公報の段落[0128]及び[0129]等に記載の化合物が挙げられる。
 ポルフィリン系化合物の具体例としては、例えば、特許第3834479号明細書の式(1)で表される化合物が挙げられる。
 ピロロピロール系化合物の具体例としては、例えば、特開2011-068731号公報、特開2014-130343号公報の段落[0014]~[0027]等に記載の化合物が挙げられる。
 オキソノール系化合物の具体例としては、例えば、特開2007-271745号公報の段落[0046]等に記載の化合物が挙げられる。
 クロコニウム系化合物の具体例としては、例えば、特開2007-271745号公報の段落[0049]、特開2007-31644号公報、特開2007-169315号公報等に記載の化合物が挙げられる。
 ヘキサフィリン系化合物の具体例としては、例えば、国際公開第2002/016144号パンフレットの式(1)で表される化合物が挙げられる。
 金属ジチオール系化合物の具体例としては、例えば、特開平1-114801号公報、特開昭64-74272号公報、特開昭62-39682号公報、特開昭61-80106号公報、特開昭61-42585号公報、特開昭61-32003号公報等に記載の化合物が挙げられる。
 銅化合物としては金属銅、銅錯体、リン酸銅が挙げられる。中でも銅錯体が好ましく、具体例としては、例えば、特開2013-253224号公報、特開2014-032380号公報、特開2014-026070号公報、特開2014-026178号公報、特開2014-139616号公報、特開2014-139617号公報等に記載の化合物が挙げられる。なおリン酸銅としては、KCuPO4等が挙げられる。また金属銅は、銅粒子として利用することも可能である。
 金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、酸化チタン、二酸化セリウム、酸化タングステン、酸化イットリウム、酸化インジウム、酸化スズ、およびこれらの金属酸化物が他の金属でドープされた化合物が挙げられる。中でも酸化タングステンが好ましく、セシウム酸化タングステン、ルビジルム酸化タングステンがより好ましく、セシウム酸化タングステンが更に好ましい。セシウム酸化タングステンの組成式としてはCs0.33WO3等が挙げられ、またルビジルム酸化タングステンの組成式としてはRb0.33WO3等を挙げることができる。酸化タングステン系化合物は、例えば、住友金属鉱山株式会社製のYMF-02A等のタングステン微粒子の分散物としても、入手可能である。
 なお、他の金属でドープされた金属酸化物としては、ITO(スズがドープされた酸化インジウム)、ATO(アンチモンがドープされた酸化スズ)、AZO(アンチモンがドープされた酸化亜鉛)等が挙げられ、これらは1~1000nm、更に1~100nmの粒子状であることが好ましい。
 金属ホウ化物の具体例としては、例えば、特開2012-068418号公報の段落[0049]等に記載の化合物が挙げられる。その中でも、ホウ化ランタンが好ましい。
 貴金属としては金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムが挙げられ、中でも金、銀、パラジウムが好ましい。これらは粒子状またはコロイド状であることが好ましい。
 上記例示した赤外線遮蔽材以外にも、特開2000-302972号公報の段落0083に記載の化合物を利用することもできる。
 なお、上記した赤外線遮蔽材が、後掲の有機溶媒に可溶な化合物である場合には、それをレーキ化して有機溶媒に不溶な赤外線遮蔽材として用いることもできる。レーキ化する方法は公知の方法を採用することが可能であり、例えば、特開2007-271745号公報等を参照することができる。
 このような赤外線遮蔽材の中でも、ジイミニウム系化合物、スクアリリウム系化合物、シアニン系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クアテリレン系化合物、アミニウム系化合物、イミニウム系化合物、ピロロピロール系化合物、クロコニウム系化合物、金属ジチオール系化合物、銅化合物及び金属酸化物よりなる群から選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましい。更に好ましくは、ジイミニウム系化合物、スクアリリウム系化合物、シアニン系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クアテリレン系化合物、アミニウム系化合物、イミニウム系化合物、ピロロピロール系化合物、クロコニウム系化合物、金属ジチオール系化合物及び銅化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種と酸化タングステンとを含むか、ジイミニウム系化合物、スクアリリウム系化合物、シアニン系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クアテリレン系化合物、アミニウム系化合物、イミニウム系化合物、ピロロピロール系化合物、クロコニウム系化合物、金属ジチオール系化合物及び銅化合物よりなる群から選ばれる2種以上を含むことが好ましい。このような態様により、受光素子に入射する赤外線をより効率的に遮断することができる。
 ところで、赤外線カットフィルタ層118は、赤外線遮蔽材の種類及び含有割合が一定であれば、膜厚を増加させるほど赤外線の吸収特性を向上させることができる。それによって、光センサ装置はより高いS/N比を得ることができ、高感度の測光を行うことが可能となる。しかし、赤外線カットフィルタ層118の膜厚を増加させると、光センサ装置100の薄型化を図ることができないという問題がある。光センサ装置の薄型化を図るため、赤外線カットフィルタ層118を薄膜化すると、赤外線遮断能力が低下してしまい可視光検出用画素が赤外線によるノイズの影響を受けやすくなってしまうという問題がある。
 一方、赤外線遮蔽材の含有割合を増加させると、例えば、赤外線カットフィルタ層を形成する他の成分の一つである重合性化合物の割合が減ってしまい、赤外線カットフィルタ層118の硬化性が低下してしまう。そうすると、赤外線カットフィルタ層118と接する層の剥離や、クラックが発生する原因となる。例えば、赤外線カットフィルタ層118と接する下地との密着性が低下し、剥離しやすくなることが問題となる。
 上記から選択される赤外線遮蔽材の割合は、赤外線カットフィルタ層118中に0.1~80質量%の割合であることが好ましく、より好ましくは1~70質量%、更に好ましくは3~60質量%であることが好ましい。このような範囲で化合物を含ませることにより、赤外線カットフィルタ層118の膜厚を薄くしても、十分に赤外線を遮蔽することができる赤外線カットフィルタ層118を作製することができる。
 なお、赤外線吸収性組成物を用いて赤外線カットフィルタを作製する場合の、赤外線吸収性組成物の全固形分質量に対する赤外線遮蔽材の好ましい含有割合は、赤外線カットフィルタ層118中の赤外線遮蔽材の割合と同様である。この場合の固形分とは、赤外線吸収性組成物を構成する、溶媒以外の成分である。
 以下、本発明に係る赤外線カットフィルタ層118の作製に好適に用いることのできる赤外線吸収性組成物を構成する、他の成分について説明する。
-バインダー樹脂-
 赤外線吸収性組成物は、バインダー樹脂を含有することが好ましい。バインダー樹脂としては特に限定されるものではないが、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリシロキサンよりなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましい。
 まず、アクリル樹脂について説明する。アクリル樹脂の中でも、カルボキシル基、フェノール性水酸基等の酸性官能基を有するアクリル樹脂が好ましい。酸性官能基を有するアクリル樹脂を用いることにより、赤外線吸収性組成物から得られる赤外線カットフィルタ層を所定のパターンに形成すべく露光を行った場合、未露光部をアルカリ現像液でより確実に除去することができ、アルカリ現像によってより優れたパターンを形成できる。酸性官能基を有するアクリル樹脂としては、カルボキシル基を有する重合体(以下、「カルボキシル基含有重合体」とも称する。)が好ましく、例えば、1個以上のカルボキシル基を有するエチレン性不飽和単量体(以下、「不飽和単量体(1)」とも称する。)と他の共重合可能なエチレン性不飽和単量体(以下、「不飽和単量体(2)」とも称する。)との共重合体を挙げることができる。
 上記不飽和単量体(1)としては、例えば、(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、こはく酸モノ〔2-(メタ)アクリロイロキシエチル〕、ω-カルボキシポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート、p-ビニル安息香酸等を挙げることができる。これらの不飽和単量体(1)は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。
 また、上記不飽和単量体(2)としては、例えば、N-フェニルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド等のN-位置換マレイミド、スチレン、α-メチルスチレン、p-ヒドロキシスチレン、p-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、p-ビニルベンジルグリシジルエーテル、アセナフチレン等の芳香族ビニル化合物;メチル(メタ)アクリレート、n-ブチル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート;2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート;ビニル(メタ)アクリレート、アリル(メタ)アクリレート等の不飽和アルコールの(メタ)アクリル酸エステル;フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート等のアリール(メタ)アクリレート;ポリエチレングルコール(重合度2~10)メチルエーテル(メタ)アクリレート、ポリプロピレングルコール(重合度2~10)メチルエーテル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(重合度2~10)モノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(重合度2~10)モノ(メタ)アクリレート、グリセロールモノ(メタ)アクリレート等の多価アルコールの(メタ)アクリル酸エステル;シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート等の脂環式炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸エステル;4-ヒドロキシフェニル(メタ)アクリレート、パラクミルフェノールのエチレンオキサイド変性(メタ)アクリレート等のアリールアルコールの(メタ)アクリル酸エステル;シクロヘキシルビニルエーテル、イソボルニルビニルエーテル、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルビニルエーテル、ペンタシクロペンタデカニルビニルエーテル、3-(ビニルオキシメチル)-3-エチルオキセタン等のビニルエーテル;ポリスチレン、ポリメチル(メタ)アクリレート、ポリ-n-ブチル(メタ)アクリレート、ポリシロキサン等の重合体分子鎖の末端にモノ(メタ)アクリロイル基を有するマクロモノマー;1,3-ブタジエン等の共役ジエン化合物等を挙げることができる。
 また、上記不飽和単量体(2)として、含酸素飽和複素環基を有する(メタ)アクリル酸エステルを使用することもできる。ここで、「含酸素飽和複素環基」とは、ヘテロ環を構成するヘテロ原子として酸素原子を有する飽和複素環基を意味し、環を構成する原子数が3~7個の環状エーテル基が好ましい。環状エーテル基としては、オキシラニル基、オキセタニル基、テトラヒドロフラニル基等を挙げられる。その中でも、オキシラニル基、オキセタニル基が好ましく、オキシラニル基がより好ましい。
 含酸素飽和複素環基を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、グリシジル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートグリシジルエーテル、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレートグリシジルエーテル、3-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレートグリシジルエーテル、4-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレートグリシジルエーテル、ポリエチレングリコール-ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレートグリシジルエーテル、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート等のオキシラニル基を有する(メタ)アクリル酸エステル;3-〔(メタ)アクリロイルオキシメチル〕オキセタン、3-〔(メタ)アクリロイルオキシメチル〕-3-エチルオキセタン等のオキセタニル基を有する(メタ)アクリル酸エステル;テトラヒドロフルフリルメタクリレート等のテトラヒドロフラニル基を有する(メタ)アクリル酸エステルを挙げることができる。
 更に、上記不飽和単量体(2)として、ブロックイソシアネート基を有する(メタ)アクリル酸エステルを使用することもできる。ブロックイソシアネート基は、加熱によりブロック基が脱離し、反応性に富む活性なイソシアネート基に変換される。これにより、架橋構造を形成することができる。ブロックイソシアネート基を有する(メタ)アクリル酸エステルの具体例としては、特開2012-118279号公報の段落[0024]に記載されている化合物を挙げることができるが、その中でも、メタクリル酸2-(3,5-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノ)エチル、メタクリル酸2-(1-メチルプロピリデンアミノオキシカルボニルアミノ)エチルが好ましい。
 これらの不飽和単量体(2)は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。
 不飽和単量体(1)と不飽和単量体(2)の共重合体において、該共重合体中の不飽和単量体(1)の共重合割合は、好ましくは5~50質量%、更に好ましくは10~40質量%である。このような範囲で不飽和単量体(1)を共重合させることにより、アルカリ現像性、保存安定性に優れた赤外線吸収性組成物を得ることができる。
不飽和単量体(1)と不飽和単量体(2)の共重合体の具体例としては、例えば、特開平7-140654号公報、特開平8-259876号公報、特開平10-31308号公報、特開平10-300922号公報、特開平11-174224号公報、特開平11-258415号公報、特開2000-56118号公報、特開2004-101728号公報等に開示されている共重合体を挙げることができる。
 また、例えば、特開平5-19467号公報、特開平6-230212号公報、特開平7-207211号公報、特開平9-325494号公報、特開平11-140144号公報、特開2008-181095号公報等に開示されているように、側鎖に(メタ)アクリロイル基等の重合性不飽和基を有するカルボキシル基含有重合体を、バインダー樹脂として使用することもできる。これにより、絶縁層114や硬化膜120、硬化膜121、カラーフィルタ層122との密着性に優れる赤外線カットフィルタ層118を形成することができる。
 側鎖に重合性不飽和基を有するカルボキシル基含有重合体としては、例えば、下記(a)~(d)の重合体が挙げられる。
 (a)不飽和単量体(1)及び水酸基を有する重合性不飽和化合物を含有してなる単量体の共重合体に、不飽和イソシアネート化合物を反応させて得られる重合体、
 (b)不飽和単量体(1)を含有してなる単量体の(共)重合体に、オキシラニル基を有する重合性不飽和化合物を反応させて得られる(共)重合体、
 (c)オキシラニル基を有する重合性不飽和化合物及び不飽和単量体(1)を含有してなる単量体の共重合体に、不飽和単量体(1)を反応させて得られる重合体、
 (d)オキシラニル基を有する重合性不飽和化合物を含有してなる単量体の(共)重合体に、不飽和単量体(1)を反応させ、更に多塩基酸無水物を反応させて得られる(共)重合体。
 なお本明細書において「(共)重合体」とは、重合体及び共重合体を包含する用語である。
 水酸基を有する重合性不飽和化合物としては、前記ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート等の、分子内に水酸基及びエチレン性不飽和基を有する化合物を用いることができる。不飽和イソシアネート化合物としては、2-(メタ)アクリロイルオキシフェニルイソシアネートの他、特開2014-098140号公報の段落[0049]に記載の化合物を挙げることができる。オキシラニル基を有する重合性不飽和化合物としては、前記オキシラニル基を有する(メタ)アクリル酸エステルを用いることができる。多塩基酸無水物としては、後述する重合性化合物のところに例示する二塩基酸の無水物、四塩基酸二無水物の他、特開2014-142582号公報の段落[0038]に記載の化合物を挙げることができる。
 アクリル樹脂は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(以下、「GPC」と略す。)で測定したポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が、通常1,000~100,000、好ましくは3,000~50,000、より好ましくは5,000~30,000である。また、Mwと数平均分子量(Mn)との比(Mw/Mn)は、通常1.0~5.0、好ましくは1.0~3.0である。このような態様とすることで、硬化性、密着性に優れる赤外線カットフィルタを形成することができる。なお、ここでいうMw、Mnは、GPC(溶出溶媒:テトラヒドロフラン)で測定したポリスチレン換算の重量平均分子量、数平均分子量をいう。
 酸性官能基を有するアクリル樹脂の酸価は、硬化膜との密着性の観点から、好ましくは10~300mgKOH/g、より好ましくは30~250mgKOH/g、更に好ましくは50~200mgKOH/gである。このような態様により、接触角が低く、濡れ性に優れる赤外線カットフィルタ層を形成できるので、絶縁層114や硬化膜120、硬化膜121、カラーフィルタ層122との密着性を高めることができる。ここで、本明細書において「酸価」とは、酸性官能基を有するアクリル樹脂1gを中和するのに必要なKOHのmg数である。
 アクリル樹脂は、公知の方法により製造することができるが、例えば、特開2003-222717号公報、特開2006-259680号公報、国際公開第2007/029871号パンフレット等に開示されている方法により、その構造やMw、Mw/Mnを制御することもできる。
 アクリル樹脂の中では、以下の(1-I)~(1-IV)のいずれかであることが好ましい。
 (1-I)1個以上のカルボキシル基を有するエチレン性不飽和単量体と含酸素飽和複素環基を有する(メタ)アクリル酸エステルとの共重合体、
 (1-II)1個以上のカルボキシル基を有するエチレン性不飽和単量体とブロックイソシアネート基を有する(メタ)アクリル酸エステルとの共重合体、
 (1-III)側鎖に(メタ)アクリロイル基を有するカルボキシル基含有重合体、
 (1-IV)1個以上のカルボキシル基を有するエチレン性不飽和単量体と他の共重合可能なエチレン性不飽和単量体との共重合体であって、酸価が10~300mgKOH/gである共重合体。
 これら(1-I)~(1-IV)における好ましい態様は、それぞれ上記した通りである。
 次に、ポリアミド樹脂およびポリイミド樹脂について説明する。ポリアミド樹脂としては、ポリアミド酸(ポリアミック酸)を挙げることができる。また、ポリイミド樹脂としては、ケイ素含有ポリイミド樹脂、ポリイミドシロキサン樹脂、ポリマレイミド樹脂等が挙げられ、例えば、前駆体としての前記ポリアミック酸を加熱閉環イミド化することによって形成される。ポリアミド樹脂およびポリイミド系樹脂の具体例としては、特開2012-189632号公報の段落[0118]~[0120]に記載の化合物を挙げることができる。
 ポリウレタン樹脂は、繰り返し単位としてウレタン結合を有するものであれば特に限定されず、ジイソシアネート化合物とジオール化合物の反応により生成することができる。ジイソシアネート化合物としては、特開2014-189746号公報の段落[0043]に記載の化合物が挙げられる。ジオール化合物としては、例えば、特開2014-189746号公報の段落[0022]に記載の化合物が挙げられる。
 エポキシ樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂を挙げることができ、その中でもビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。好ましいエポキシ樹脂のうち、ビスフェノール型エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂等が挙げられる。またノボラック型エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。このようなエポキシ樹脂は市販品として入手でき、例えば特許5213944号明細書の段落[0121]に記載の市販品が挙げられる。
 ポリシロキサンは、加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物であることが好ましい。具体的には、下記式(1)で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 なお式(1)において、xは0~3の整数を示し、R1およびR2は、相互に独立に、1価の有機基を示す。
 R1およびR2における1価の有機基としては、置換若しくは非置換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは非置換の脂環式炭化水素基、置換若しくは非置換の芳香族炭化水素基を挙げることができる。なお「脂環式炭化水素基」とは、環状構造を有さない炭化水素基を指す。
 脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基および芳香族炭化水素基における置換基としては、オキシラニル基、オキセタニル基、エピスルフィド基、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリロイル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、スルファニル基、イソシアネート基、アミノ基、ウレイド基等を挙げることができる。その中でも、オキシラニル基、(メタ)アクリロイル基及びスルファニル基よりなる群から選ばれる少なくとも1種の置換基が好ましい。
 このような加水分解性シラン化合物の具体例としては、特開2010-055066号公報の段落[0047]~[0051]および段落[0060]~[0069]に記載の化合物を挙げることができる。また、前記置換基を有する加水分解性シラン化合物としては、特開2008-242078号公報の段落[0077]~[0088]に記載された加水分解性シラン化合物が挙げられる。このほか、ビス(トリメトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、1,2-ビス(トリメトキシシリル)エタン、1,2-ビス(トリエトキシシリル)エタン、1,8-ビス(トリエトキシシリル)オクタン等の6官能の加水分解性シラン化合物も併用できる。
 ポリシロキサンは公知の方法により合成することができる。GPCによるMwは、通常500~20,000、好ましくは1,000~10,000、より好ましくは1,500~7,000、更に好ましくは2,000~5,000である。また、Mw/Mnは、好ましくは1.0~4.0、より好ましくは1.0~3.0である。このような態様とすることにより、塗布性に優れるとともに、十分な密着性を発現することができる。
 本実施形態において、バインダー樹脂は単独で又は2種以上を混合して使用することができる。その中でも、硬化膜との密着性に優れる赤外線カットフィルタ層を形成する観点から、赤外線吸収性組成物を構成するバインダー樹脂としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリシロキサンが好ましく、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂がより好ましく、アクリル樹脂が更に好ましい。
 本実施形態において、バインダー樹脂の含有量は、赤外線遮蔽材100質量部に対して、通常5~1,000質量部、好ましくは10~500質量部、より好ましくは20~150質量部である。このような態様とすることで、塗布性及び保存安定性に優れる赤外線吸収性組成物を得ることができ、アルカリ現像性を付与した場合には、アルカリ現像性に優れる赤外線吸収性組成物とすることができる。
-重合性化合物-
 赤外線吸収性組成物は、重合性化合物(但し、前記バインダー樹脂を除く。)を含有することが好ましい。本明細書において重合性化合物とは、2個以上の重合可能な基を有する化合物をいう。重合性化合物の分子量は、4,000以下、更に2,500以下、更に1,500以下であることが好ましい。重合可能な基としては、例えば、エチレン性不飽和基、オキシラニル基、オキセタニル基、N-ヒドロキシメチルアミノ基、N-アルコキシメチルアミノ基等を挙げることができる。本発明において、重合性化合物としては、2個以上の(メタ)アクリロイル基を有する化合物、又は2個以上のN-アルコキシメチルアミノ基を有する化合物が好ましい。
 重合性化合物における好ましい化合物のうち、2個以上の(メタ)アクリロイル基を有する化合物の具体例としては、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と(メタ)アクリル酸を反応させて得られる多官能(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性された多官能(メタ)アクリレート、アルキレンオキサイド変性された多官能(メタ)アクリレート、水酸基を有する(メタ)アクリレートと多官能イソシアネートを反応させて得られる多官能ウレタン(メタ)アクリレート、水酸基を有する(メタ)アクリレートと酸無水物を反応させて得られるカルボキシル基を有する多官能(メタ)アクリレート等を挙げることができる。
 ここで、脂肪族ポリヒドロキシ化合物としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールの如き2価の脂肪族ポリヒドロキシ化合物;グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトールの如き3価以上の脂肪族ポリヒドロキシ化合物を挙げることができる。上記水酸基を有する(メタ)アクリレートとしては、例えば、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールジメタクリレート等を挙げることができる。上記多官能イソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等を挙げることができる。酸無水物としては、例えば、無水こはく酸、無水マレイン酸、無水グルタル酸、無水イタコン酸、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸の如き二塩基酸の無水物、無水ピロメリット酸、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物の如き四塩基酸二無水物を挙げることができる。
 また、カプロラクトン変性された多官能(メタ)アクリレートとしては、例えば、特開平11-44955号公報の段落[0015]~[0018]に記載されている化合物を挙げることができる。上記アルキレンオキサイド変性された多官能(メタ)アクリレートとしては、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたイソシアヌル酸トリ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等を挙げることができる。
 また、2個以上のN-アルコキシメチルアミノ基を有する化合物としては、例えば、メラミン構造、ベンゾグアナミン構造、ウレア構造を有する化合物等を挙げることができる。なお、メラミン構造、ベンゾグアナミン構造とは、1以上のトリアジン環又はフェニル置換トリアジン環を基本骨格として有する化学構造をいい、メラミン、ベンゾグアナミン又はそれらの縮合物をも含む概念である。2個以上のN-アルコキシメチルアミノ基を有する化合物の具体例としては、N,N,N’,N’,N’’,N’’-ヘキサ(アルコキシメチル)メラミン、N,N,N’,N’-テトラ(アルコキシメチル)ベンゾグアナミン、N,N,N’,N’-テトラ(アルコキシメチル)グリコールウリル等を挙げることができる。
 上記の他、重合性化合物として、エポキシ基を有する脂肪族化合物、エポキシ基を有する脂環式化合物を用いることもできる。エポキシ基を有する脂肪族化合物としては2~4個のエポキシ基を有する脂肪族化合物が好ましく、具体的には、特開2010-053330号公報の段落[0042]に記載の化合物が挙げられる。エポキシ基を有する脂環式化合物としては2~4個のエポキシ基を有する脂環式化合物が好ましく、具体的には、特開2010-053330号公報の段落[0043]に記載の化合物が挙げられる。また、ヘキサメチロールメラミン等の2個以上のN-ヒドロキシメチルアミノ基を有する化合物を用いることもできる。
 これらの重合性化合物のうち、2個以上の(メタ)アクリロイル基を有する化合物、2個以上のN-アルコキシメチルアミノ基を有する化合物が好ましく、3価以上の脂肪族ポリヒドロキシ化合物と(メタ)アクリル酸を反応させて得られる多官能(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性された多官能(メタ)アクリレート、アルキレンオキサイド変性された多官能(メタ)アクリレート、多官能ウレタン(メタ)アクリレート、カルボキシル基を有する多官能(メタ)アクリレート、N,N,N’,N’,N’’,N’’-ヘキサ(アルコキシメチル)メラミン、N,N,N’,N’-テトラ(アルコキシメチル)ベンゾグアナミンがより好ましく、3価以上の脂肪族ポリヒドロキシ化合物と(メタ)アクリル酸を反応させて得られる多官能(メタ)アクリレート、アルキレンオキサイド変性された多官能(メタ)アクリレート、多官能ウレタン(メタ)アクリレート、カルボキシル基を有する多官能(メタ)アクリレートが更に好ましい。3価以上の脂肪族ポリヒドロキシ化合物と(メタ)アクリル酸を反応させて得られる多官能(メタ)アクリレートの中では、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートが、アルキレンオキサイド変性された多官能(メタ)アクリレートの中では、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートが、カルボキシル基を有する多官能(メタ)アクリレートの中では、ペンタエリスリトールトリアクリレートと無水こはく酸を反応させて得られる化合物、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートと無水こはく酸を反応させて得られる化合物が、赤外線カットフィルタの強度、表面平滑性に優れ、かつ、赤外線吸収性組成物にアルカリ現像性を付与した場合には、未露光部の基板上に地汚れ、膜残り等を発生し難い点で特に好ましい。本実施形態において、重合性化合物は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。
 本実施形態における重合性化合物の含有量は、赤外線遮蔽材100質量部に対して、10~1,000質量部が好ましく、15~500質量部がより好ましく、20~150質量部が好ましい。このような態様とすることで、硬化性、密着性がより高められる。
-溶媒-
 赤外線吸収性組成物は、通常、溶媒を配合して液状組成物として調製される。溶媒としては、赤外線吸収性組成物を構成する成分を分散又は溶解し、かつこれらの成分と反応せず、適度の揮発性を有するものである限り、適宜に選択して使用することができる。
 このような溶媒としては、例えば、
 エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル等の(ポリ)アルキレングリコールモノアルキルエーテル;
 乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸アルキルエステル;
 メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、イソプロパノール、イソブタノール、t-ブタノール、オクタノール、2-エチルヘキサノール、シクロヘキサノール等の(シクロ)アルキルアルコール;
 ジアセトンアルコール等のケトアルコール;
エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート等の(ポリ)アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート;
 ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等のグリコールエーテル;
テトラヒドロフラン等の環状エーテル;
 メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン等のケトン;
 プロピレングリコールジアセテート、1,3-ブチレングリコールジアセテート、1,6-ヘキサンジオールジアセテート等のジアセテート;
 3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、3-メチル-3-メトキシブチルプロピオネート等のアルコキシカルボン酸エステル;
 酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、ぎ酸n-アミル、酢酸i-アミル、プロピオン酸n-ブチル、酪酸エチル、酪酸n-プロピル、酪酸i-プロピル、酪酸n-ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸n-プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、2-オ キソブタン酸エチル等の脂肪酸アルキルエステル;
 トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素;
 N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド又はラクタム;
等を挙げることができる。
 これらの溶媒のうち、溶解性、塗布性等の観点から、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、3-メトキシブチルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、シクロヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、1,3-ブチレングリコールジアセテート、1,6-ヘキサンジオールジアセテート、乳酸エチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メチル-3-メトキシブチルプロピオネート、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、ぎ酸n-アミル、酢酸i-アミル、プロピオン酸n-ブチル、酪酸エチル、酪酸i-プロピル、酪酸n-ブチル、ピルビン酸エチル等が好ましい。
 本実施形態において、溶媒は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。
 溶媒の含有量は、特に限定されるものではないが、赤外線吸収性組成物の溶媒を除いた各成分の合計濃度が、5~50質量%となる量が好ましく、10~30質量%となる量がより好ましい。このような態様とすることにより、塗布性の良好な赤外線吸収性組成物を得ることができる。
-感光剤-
 本実施形態において、赤外線吸収性組成物には、感光剤を含有することができる。ここで、本明細書において「感光剤」とは、光照射により赤外線吸収性組成物の溶媒に対する溶解性を変化させる性質を有する化合物をいう。このような化合物としては、例えば、光重合開始剤、酸発生剤等を挙げることができる。感光剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
 光重合開始剤としては、光により酸又はラジカルを発生できるものであれば特に限定されないが、例えば、チオキサントン系化合物、アセトフェノン系化合物、ビイミダゾール系化合物、トリアジン系化合物、O-アシルオキシム系化合物、オニウム塩系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、α-ジケトン系化合物、多核キノン系化合物、ジアゾ系化合物、イミドスルホナート系化合物等を挙げることができる。光重合開始剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
 その中でも、光重合開始剤としては、ビイミダゾール系化合物、チオキサントン系化合物、アセトフェノン系化合物、トリアジン系化合物、O-アシルオキシム系化合物の群から選ばれる少なくとも1種が好ましい。なお、ビイミダゾール系化合物を用いる場合、2-メルカプトベンゾチアゾール等の水素供与体を併用してもよい。ここでいう「水素供与体」とは、露光によりビイミダゾール系化合物から発生したラジカルに対して、水素原子を供与することができる化合物を意味する。また、ビイミダゾール系化合物以外の光重合開始剤を用いる場合には、4-ジメチルアミノ安息香酸エチル等の増感剤を併用することもできる。
 酸発生剤としては、熱又は光により酸を発生する化合物であれば特に限定されないが、スルホニウム塩、ベンゾチアゾリウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩等のオニウム塩、N-ヒドロキシイミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート、o-ニトロベンジルスルホネート、キノンジアジド化合物等を挙げられる。酸発生剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。その中でも、スルホニウム塩、ベンゾチアゾリウム塩、オキシムスルホネート、キノンジアジド化合物が好ましい。スルホニウム塩、ベンゾチアゾリウム塩の具体例としては、例えば、4-アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4-ヒドロキシフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-アセトキシフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-ヒドロキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3-ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、1-(4,7-ジブトキシ-1-ナフタレニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナート等を挙げることができる。オキシムスルホネートの具体例としては、例えば、特開2014-115438号公報の段落[0122]~[0131]に記載の化合物を挙げることができる。キノンジアジド化合物の具体例としては、例えば、特開2008-156393号公報の段落[0040]~[0048]に記載の化合物、特開2014-174406号公報の段落[0172]~[0186]に記載の化合物を挙げることができる。
 感光剤の含有量は、赤外線吸収性組成物の固形分中に、好ましくは0.03~10質量%、より好ましくは0.1~8質量%、更に好ましくは0.5~6質量%である。このような態様とすることで、硬化性、密着性をより一層良好にすることができる。
-分散剤-
 赤外線吸収性組成物には、分散剤を含有せしめることができる。分散剤としては、例えば、ウレタン系分散剤、ポリエチレンイミン系分散剤、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル系分散剤、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル系分散剤、ポリ(アルキレングリコール)ジエステル系分散剤、ソルビタン脂肪酸エステル系分散剤、ポリエステル系分散剤、(メタ)アクリル系分散剤等が挙げられ、市販品として、例えば、Disperbyk-2000、Disperbyk-2001、BYK-LPN6919、BYK-LPN21116、BYK-LPN22102(以上、ビックケミー(BYK)社製)等の(メタ)アクリル系分散剤、Disperbyk-161、Disperbyk-162、Disperbyk-165、Disperbyk-167、Disperbyk-170、Disperbyk-182(以上、ビックケミー(BYK)社製)、ソルスパース76500(ルーブリゾール(株)社製)等のウレタン系分散剤、ソルスパース24000(ルーブリゾール(株)社製)等のポリエチレンイミン系分散剤、アジスパーPB821、アジスパーPB822、アジスパーPB880、アジスパーPB881(以上、味の素ファインテクノ(株)社製)等のポリエステル系分散剤の他、BYK-LPN21324(ビックケミー(BYK)社製)を使用することができる。
 これらの中でも、赤外線吸収性組成物にアルカリ現像性を付与した場合には、現像残渣の少ない赤外線カットフィルタ層118を形成する観点から、アルキレンオキサイド構造を有する繰り返し単位を含む分散剤が好ましい。
 分散剤は単独で又は2種以上を混合して使用することができる。分散剤の含有量は、赤外線吸収性組成物の全固形分100質量部に対して、5~200質量部が好ましく、10~100質量部がより好ましく、20~70質量部が更に好ましい。
-添加剤-
 赤外線吸収性組成物には、必要に応じて、種々の添加剤を含有することもできる。添加剤としては、例えば、ガラス、アルミナ等の充填剤;ポリビニルアルコール、ポリ(フロオロアルキルアクリレート)類等の高分子化合物;フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤等の界面活性剤;ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(2-メトキシエトキシ)シラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3-クロロプロピルメチルジメトキシシラン、3-クロロプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロイロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン等の密着促進剤;2,2-チオビス(4-メチル-6-t-ブチルフェノール)、2,6-ジ-t-ブチルフェノール、ペンタエリスリトールテトラキス[3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、3,9-ビス[2-[3-(3-t-ブチル-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)-プロピオニルオキシ]-1,1-ジメチルエチル]-2,4,8,10-テトラオキサ-スピロ[5・5]ウンデカン、チオジエチレンビス[3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]等の酸化防止剤;2-(3-t-ブチル-5-メチル-2-ヒドロキシフェニル)-5-クロロベンゾトリアゾール、アルコキシベンゾフェノン類等の紫外線吸収剤;ポリアクリル酸ナトリウム等の凝集防止剤;マロン酸、アジピン酸、イタコン酸、シトラコン酸、フマル酸、メサコン酸、2-アミノエタノール、3-アミノ-1-プロパノール、5-アミノ-1-ペンタノール、3-アミノ-1,2-プロパンジオール、2-アミノ-1,3-プロパンジオール、4-アミノ-1,2-ブタンジオール等の残渣改善剤;こはく酸モノ〔2-(メタ)アクリロイロキシエチル〕、フタル酸モノ〔2-(メタ)アクリロイロキシエチル〕、ω-カルボキシポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート等の現像性改善剤;ブロックイソシアネート化合物等を挙げることができる。
 絶縁層114や硬化膜120、硬化膜121、カラーフィルタ層122との密着性を向上する観点からは、密着促進剤、重合性不飽和基を有する界面活性剤、多官能チオール、ブロックイソシアネート化合物を含有することが好ましい。
 密着促進剤の中では、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のオキシラニル基を有するシラン化合物;ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(2-メトキシエトキシ)シラン、3-メタクリロイロキシプロピルトリメトキシシラン等のエチレン性不飽和結合を有するシラン化合物が好ましい。密着促進剤の含有量としては、バインダー樹脂100質量部に対して、1~30質量部が好ましい。
 重合性不飽和基を有する界面活性剤の具体例としては、例えば、特許4965083号明細書の段落[0041]~[0055]に記載の化合物を挙げることができ、市販品としては、特許5626063号明細書の段落[0032]に記載の化合物、特許5552364号明細書の段落[0057]に記載の化合物等を挙げることができる。重合性不飽和基を有する界面活性剤の含有量としては、赤外線遮蔽材100質量部に対して、1~50質量部が好ましい。
 多官能チオールは2個以上のスルファニル基を有する化合物であり、例えば、置換基として2個以上のスルファニル基を有する炭化水素類、多価アルコールのポリ(メルカプトアセテート)類、多価アルコールのポリ(3-メルカプトプロピオネート)類、多価アルコールのポリ(2-メルカプトプロピオネート)類、多価アルコールのポリ(3-メルカプトブチレート)類、置換基として2個以上のスルファニル基を有する複素環類、2個以上のスルファニル基を有するポリシロキサン類等を挙げることができる。具体的には、特開2013-083932号公報の段落[0073]~[0079]に記載の化合物を挙げることができる。多官能チオールの含有量としては、バインダー樹脂100質量部に対して、1~50質量部が好ましい。
 ブロックイソシアネート化合物は、イソシアネート基を活性水素基含有化合物(ブロック剤)と反応させて常温で不活性としたものであり、これを加熱するとブロック剤が解離してイソシアネート基が再生されるという性質を持つものである。市販品としては、例えばイソシアネート基をメチルエチルケトンのオキシムでブロックしたものとして、デュラネートTPA-B80E、TPA-B80X、E402-B80T、MF-B60XN、MF-B60X、MF-B80M(以上、旭化成工業社);イソシアネート基を活性メチレンでブロックしたものとして、デュラネートMF-K60X(旭化成工業社);(メタ)アクリロイル基を有するイソシアネート化合物のブロック体として、カレンズMOI-BP、カレンズMOI-BM(以上、昭和電工社)が挙げられる。ブロックイソシアネート化合物の含有量としては、バインダー樹脂100質量部に対して、5~100質量部が好ましい。
-赤外線カットフィルタ層の製造方法-
 本実施形態に係る赤外線カットフィルタ層118は、例えば、上記した赤外線吸収性組成物を用いて形成することができ、赤外線波長領域における遮光性(赤外線遮蔽性)が高く、絶縁層114や硬化膜120、硬化膜121、カラーフィルタ層122との密着性にも優れる。
 赤外線吸収性組成物を用いて赤外線カットフィルタ層118を形成する方法について、工程毎に説明する。本実施形態に係る赤外線カットフィルタ層118は、以下の工程(1)~(4)の順に行うか、工程(1)及び(4)を含む工程の後に工程(5)を行って形成することができる。
 (1)本実施形態において、赤外線吸収性組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程、
 (2)塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
 (3)塗膜を現像する工程(現像工程)、
 (4)塗膜を加熱する工程(加熱工程)、
 (5)工程(4)で得られた赤外線カットフィルタ層の一部を除去する工程。
-工程(1)-
 まず、基板上に、赤外線吸収性組成物を塗布し、好ましくは塗布面を加熱(プレベーク)することにより溶媒を除去して、塗膜を形成する。ここでいう基板とは、光電変換層106、又は、絶縁層114、硬化膜120、硬化膜121若しくはカラーフィルタ層122が形成されたフォトダイオードの受光面等を包括する概念であり、実施形態に応じて適宜変更されうる。
 赤外線吸収性組成物の塗布方法としては特に限定されず、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法(スピンコート法)、スリットダイ塗布法、バー塗布法等の適宜の方法を採用することができる。特に、スピンコート法が好ましい。
 必要に応じて行われるプリベークは、オーブン、ホットプレート、IRヒーター等公知の加熱手段を用いることが可能であり、減圧乾燥と加熱乾燥を組み合わせて行ってもよい。加熱条件は、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、例えば、温度60~200℃で30秒~15分程度とすることができる。
-工程(2)-
 工程(2)は、工程(1)で形成された塗膜の一部又は全部に放射線を照射する工程である。この場合、塗膜の一部を露光する際には、例えば、所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。前述の通り、光センサ装置の構成1における赤外線カットフィルタ118に隣接して第1電極104が配置されている。従って、赤外線カットフィルタ118を、アルカリ現像性を付与した赤外線吸収性組成物を用いて形成する場合には、フォトマスクのパターンを第1電極104のパターンに対応するものとすればよい。
 露光に使用される放射線としては、電子線、KrF、ArF、g線、h線、i線等の紫外線や可視光が挙げられ、その中でも、KrF、g線、h線、i線が好ましい。露光方式としては、ステッパー露光や高圧水銀灯による露光等が挙げられる。露光量は、5~3000mJ/cm2が好ましく、10~2000mJ/cm2がより好ましく、50~1000mJ/cm2が更に好ましい。露光装置としては特に制限はなく、公知の装置を適宜選択することができるが、例えば、超高圧水銀灯等のUV露光機が挙げられる。
-工程(3)-
 工程(3)は、工程(2)で得られた塗膜を、アルカリ現像液を用いて現像することにより、不要な部分(ポジ型の場合は放射線の照射部分。ネガ型の場合は放射線の非照射部分。)を溶解除去する工程である。
 アルカリ現像液としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等の水溶液が好ましい。
 アルカリ現像液には、例えば、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活性剤等を適量添加することもできる。なお、アルカリ現像後は、通常、水洗する。
 現像処理法としては、シャワー現像法、スプレー現像法、ディップ(浸漬)現像法、パドル(液盛り)現像法等を適用することができる。現像条件は、常温で5~300秒が好ましい。
-工程(4)-
 工程(4)では、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、工程(1)~(3)により得られるパターニングされた塗膜、又は、工程(1)及び必要に応じて行われる工程(2)により得られるパターニングされていない塗膜を、比較的高温で加熱することによって、本実施形態における赤外線カットフィルタ層を形成する。これにより、赤外線カットフィルタ層の機械的強度、耐クラック性を高めることができる。
 本工程における加熱温度は、例えば、120℃~250℃である。加熱時間は、加熱機器の種類により異なるが、例えば、ホットプレート上で加熱工程を行う場合には1分間~30分間、オーブン中で加熱工程を行う場合には5分間~90分間とすることができる。また、2回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。
[絶縁層および硬化膜]
 絶縁層114及び硬化膜120は可視光線波長領域及び赤外線波長領域の双方に対し透光性を有することが好ましい。光センサ装置100において、絶縁層114及び硬化膜120を透過する光はなるべく減衰しないことが好ましい。
 また、絶縁層114及び硬化膜120は、それと接する層との密着性に優れていることが望まれる。例えば、硬化膜120と赤外線カットフィルタ層118との密着性が悪いと、剥離が起こり、赤外線カットフィルタ層118が損傷してしまう。
 さらに、絶縁層114及び硬化膜120は、表面が平坦化されていることが望ましい。すなわち、絶縁層114及び硬化膜120は平坦化膜としても用いられることが好ましい。
 このように要求される特性に対して、絶縁層114及び硬化膜120としては、有機膜を用いることが、透光性を有し、かつ平坦性を有する絶縁層114及び硬化膜120を得る観点から好ましい。即ち、後述する硬化性組成物を塗布した後のレベリング作用により、下地面に凹凸を含んでいても平坦な表面を有する平坦化膜(絶縁層及び硬化膜)を得ることができる。
 絶縁層114及び硬化膜120を作製するための組成物としては、硬化性化合物及び溶媒を含む硬化性組成物が好ましい。硬化性組成物における溶媒としては、赤外線吸収性組成物における溶媒として記載したものと同様のものを用いることができ、好ましい態様も、前述と同様である。
-硬化性化合物-
 硬化性組成物を構成する硬化性化合物としては、光又は熱により硬化しうる化合物であればよく、例えば、含酸素飽和複素環基を有する樹脂、側鎖に重合性不飽和基を有する樹脂、ポリシロキサン、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、重合性化合物等を挙げることができる。これらの各種樹脂や重合性化合物の具体例や好ましい態様は、前述と同様である。
-絶縁層及び硬化膜の製造方法-
 本実施形態における光センサ装置100の絶縁層及び硬化膜は、例えば、上記した硬化性組成物を用いて形成することができる。
 本実施形態における絶縁層及び硬化膜は、前述の工程(1)において赤外線吸収性組成物に代えて硬化性組成物を用いる以外は、前述の工程(1)及び(4)を含む工程により形成できる。また、必要に応じて工程(2)、(3)を行ってもよい。これら工程の詳細及び好ましい態様は、前述の工程(1)~(4)と同様である。
 上述の通り、本実施形態における光センサ装置100の赤外線カットフィルタ層118は十分に赤外線を吸収することができるため、赤外線カットフィルタ層118の膜厚を薄くすることが可能である。
 また、赤外線カットフィルタ層118や絶縁層114、硬化膜120がそれぞれ薄膜化すると、それらの積層界面での密着性が低下し、剥離に繋がるおそれがある。しかし本実施形態における赤外線吸収性組成物や硬化性組成物を上記のようにすることで、赤外線カットフィルタ層118や絶縁層114、硬化膜120が薄膜であっても、積層界面での密着性に優れ、ひいては光センサ装置100の薄型化を図ることができるという点で、光センサ装置100の作製に好適である。
[カラーフィルタ層]
 カラーフィルタ層122は、それぞれ異なる波長帯域の可視光線を透過するパスフィルタである。例えば、カラーフィルタ層122aは赤色光(概ね波長610~780nm)の波長帯域の光を透過し、カラーフィルタ層122bは緑色光(概ね波長500~570nm)の波長帯域の光を透過し、カラーフィルタ層122cは青色光(概ね波長430~460nm)の波長帯域の光を透過することができるパスフィルタによって、それぞれを構成することができる。受光素子102a~102cには、それぞれカラーフィルタ層122a~122cの透過光が入射される。
 カラーフィルタ層122a~122cは、バインダー樹脂及び硬化剤等の樹脂材料に、特定の波長帯域に吸収を有する色素(顔料や染料)を加えて形成することができる。樹脂材料に含有させる色素は一種類又は複数種類を組み合わせて用いることができる。
 受光素子102a~102cがシリコンフォトダイオードであれば、可視光線波長領域から赤外線波長領域の広い範囲にわたって感度を有する。そのため、受光素子102a~102cに対応してカラーフィルタ層122a~122cを設けることで、各色に対応した光を検知することができる。なお、カラーフィルタ層122a~122cは、公知のカラーフィルタ層形成用組成物を用いて形成することができる。
[赤外線パスフィルタ層]
 赤外線パスフィルタ層132は、少なくとも近赤外線波長領域の光を透過するパスフィルタである。赤外線パスフィルタ層132は、バインダー樹脂や重合性化合物等に、可視光線波長領域の波長に吸収を有する色素(顔料や染料)を加えて形成することができる。赤外線パスフィルタ層132は、概略700nm未満、好ましくは750nm未満、より好ましくは800nm未満の光を吸収(カット)し、波長700nm以上、好ましくは750nm以上、より好ましくは800nm以上の光を透過する分光透過特性を有している。
 赤外線パスフィルタ層132は、上記したような所定波長未満(例えば、波長750nm未満)の光を遮断し、所定波長領域(例えば、750~950nm)の近赤外線を透過することで、第2受光素子103に近赤外線が入射されるようにすることができる。これにより、第2受光素子103は、可視光に起因するノイズ等の影響を受けずに、精度良く赤外線を検出することができる。このように、赤外線パスフィルタ層132を設けることで、第2受光素子103を赤外光検出用に使用することができる。赤外線パスフィルタ層132は、例えば、特開2014-130332号公報に記載の感光性組成物を用いて形成することができる。
[電子機器]
 図8Aは電子機器140の一例を示す上面図であり、図8Bは正面図を示す。電子機器140は筐体142、表示パネル144、マイクロホン部146、スピーカ部148、光センサ装置100を含む。表示パネル144はタッチパネルが採用され、表示機能に加え入力機能を兼ね備えている。
 光センサ装置100は、本実施形態で説明される光センサ装置100、または光センサモジュール101が設けられている。光センサ装置100は筐体142の表面パネルを通して光が入射する。光センサ装置100は電子機器140が置かれている周囲光の強度を検知する。また、光センサモジュール101の場合は周囲光の測光の他に、電子機器140の表面パネルに近接する物体までの距離を測距する。電子機器140は光センサ装置100により、表示パネル144の明るさを制御し、また、表示パネルのオンオフ、入力機能のオンオフを制御する。
 電子機器140は、デザイン性を考慮して開孔を設けるのではなく、筐体142の表面パネルを透過させて光センサ装置100に光が当たる構造が採用されるようになっている。この場合、可視光線の透過光量が低下し、赤外線の情報に埋もれてしまうという問題が生じる。しかしながら、本実施形態によれば、光センサ装置100に赤外線カットフィルタ層118が設けられていることにより、赤外線のノイズを除外して、可視光線を検知することができる。そのため、光センサ装置100をカラーセンサとして機能させる場合でも、色調のずれを抑制し、正確に周囲光を検知することができる。
 本実施形態によれば、光センサ装置100において、赤外線カットフィルタ層118が受光素子102の受光面に近接して設けられていることにより、広角で入射する光に対しても正確に照度を測定することができる。
 以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、下記実施例に限定されるものではない。
[実施例1]
 赤外線遮蔽材としてYMF-02A(住友金属鉱山株式会社製。セシウムタングステン酸化物(Cs0.33WO3、平均分散粒径800nm以下)の18.5質量%分散液)を24.0質量部、バインダー樹脂として下記方法により調製したバインダー樹脂溶液Aを45.0質量部、重合性化合物としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレートを10.7質量部、重合開始剤としてNCI-930(株式会社ADEKA製)を1.50質量部、添加剤としてフッ素系界面活性剤であるフタージェントFTX-218(株式会社ネオス社製)を0.13質量部および下記方法により調製したフィラー分散液Aを35.7質量部混合し、赤外線吸収性組成物(S-118-1)を調製した。
 図1A及び図1Bに係る光センサ装置100aを模式的に再現した評価用基板を、次の手順で作製した。
 まず、2枚のガラス基板上に、自動塗布現像装置(東京エレクトロン(株)製クリーントラック、商品名「MARK-Vz」)を用いて、後述の方法により調製した硬化性組成物(S-114)をスピンコート法にてそれぞれ塗布した後、250℃で2分間ベークを行い、膜厚0.6μmの絶縁層114を形成した。
 1枚のガラス基板について、絶縁層114上に赤外線吸収性組成物(S-118-1)をスピンコート法にて塗布した後、100℃のホットプレートで2分間プレベークを行って、塗膜を形成した。その後、200℃のホットプレートで5分間ポストベークを行うことにより、膜厚25μmの赤外線カットフィルタ層118を有するガラス基板を作製した。これをガラス基板Aとする。
 また、赤外線カットフィルタ層118を形成していないガラス基板をガラス基板Bとする。
 分光光度計(日本分光(株)製、V-7300)を用いて、波長400~1600nmでの分光透過率(%T)を1nm刻みで測定し、ガラス基板Aの極大吸収波長における透過率を測定した。評価結果を表2に示す。なお、透過率はガラス基板B対比で算出し、ガラス基板に対して入射角0°の条件、即ちガラス基板に対して垂直に透過した光を測定した。極大吸収波長における透過率が2%以下であれば、実用上良好な赤外線遮蔽性を示すといえる。
 この透過率測定において、入射角30°の条件、即ちガラス基板に対して30°の角度から分光透過率を測定したところ、入射角0°の条件で測定した分光透過率と一致することを確認した。即ち、実施例1においては、赤外線カットフィルタ層は入射角依存性を有さないといえる。
 次に、赤外線カットフィルタ層118を形成したガラス基板Aについて、絶縁層114と赤外線カットフィルタ層118との密着性を、JISK5400における碁盤目セロハンテープ剥離試験に準拠し、1mm角、計100個の碁盤目における残膜率で以下の基準で密着性を評価した。評価結果を表2に示す。
 残膜率が100~90%の場合を「○」
 残膜率が90未満~50%の場合を「△」
 残膜率が50未満~0%の場合を「×」
 バインダー樹脂溶液Aは次の手順により調製した。
 1,000mL三口フラスコに1-メトキシ-2-プロパノール159gを入れ、窒素気流下、85℃まで加熱した。これに、ベンジルメタクリレート63.4g、メタクリル酸72.3g、V-601(和光純薬製)4.15gを1-メトキシ-2-プロパノール159gに添加して調製した溶液を、2時間かけて滴下した。滴下終了後、更に5時間加熱して反応させた。
 次いで、加熱を止め、ベンジルメタクリレート/メタクリル酸=30/70(モル比)の共重合体を得た。
 次に、前記共重合体溶液の内、120.0gを300mL三口フラスコに移し、グリシジルメタクリレート16.6g、p-メトキシフェノール0.16gを加え、撹拌し溶解させた。溶解後、トリフェニルホスフィン3.0gを加え、100℃に加熱し、付加反応を行った。グリシジルメタクリレートが消失したことを、ガスクロマトグラフィーで確認し、加熱を止めた。1-メトキシ-2-プロパノール38gを加え、酸性官能基含有量2meq/g(酸価112mgKOH/g)、重合性不飽和基含有量2.23meq/g、重量平均分子量24,000(GPC法によりポリスチレン換算値)、固形分46質量%のバインダー樹脂溶液Aを調製した。
 フィラー分散液Aは、シリカ(アドマテックス(株)製、SO-C2)(フィラー)30質量部と、前記バインダー樹脂溶液A48.2質量部と、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート59.0質量部とを予め混合した後、モーターミルM-250(アイガー社製)で、直径1.0mmのジルコニアビーズを用い、周速9m/sにて3時間分散して調製した。
 硬化性組成物(S-114)は、含酸素飽和複素環基を有するアクリル樹脂であるスチレン/メタクリル酸/ジシクロペンタニルメタクリレート/グリシジルメタクリレート=22.5/44.5/56.25/90(質量比)の共重合体を25質量部、及び溶媒としてジエチレングリコールジメチルエーテル75質量部を混合して調製した。
[実施例2]
 赤外線吸収性組成物(S-118-1)に代えて、以下の方法で調製した赤外線吸収性組成物(S-118-2)を用いた以外は実施例1と同様にして、ガラス基板Aを作製し、実施例1と同様にして評価した。評価結果を表2に示す。
 赤外線吸収性組成物(S-118-2)は、メチルエチルケトン20質量部、下記の方法で合成したジチオールニッケル化合物を1質量部、ベンジルメタクリレート/メタクリル酸=30/70(質量比)の共重合体を24質量部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート1.5質量部、および2-メチル-1-(4-メチルチオフェニル)-2-モルフォリノプロパン-1-オン0.3質量部を混合して調製した。
 ジチオールニッケル化合物は次の手順で合成した。
 4-(N,N-ジイソブチルアミノスルホニル)-1,2-ジクロロベンゼン66.7g(0.2モル)に、N,N-ジメチルホルムアミド146g、70%硫化水素ナトリウム33.6g(0.42モル)を加え、65℃で3時間反応させた。この溶液に鉄粉5.9g(0.11モル)および硫黄末6.7g(0.21モル)を添加し、110℃で6時間反応させた。
 この反応液を室温まで冷却し、塩化ニッケル(II)6水和物22.9g(0.1モル)を添加して室温で3時間反応させた。更に、反応液にテトラブチルアンモニウムブロマイド32.2g(0.1モル)を添加し、室温で空気を吹き込みながら2時間反応させた。
 得られた反応液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製を行い、目的とするジチオールニッケル化合物である、テトラ-n-ブチルアンモニウム ビス[4-(N,N-ジイソブチルアミノスルホニル)-1,2-ベンゼンジチオラート-S,S’]ニッケルを40.5g得た。
[実施例3]
 赤外線吸収性組成物(S-118-1)に代えて、以下の方法で調製した赤外線吸収性組成物(S-118-3)を用いた以外は実施例1と同様にして、ガラス基板Aを作製し、実施例1と同様にして評価した。評価結果を表2に示す。
 赤外線吸収性組成物(S-118-3)は、赤外線遮蔽材としてKHF-7(住友金属鉱山株式会社製。ホウ化ランタン(平均分散粒径0.3μm)の3.5質量%分散液)を26.97質量部、バインダー樹脂として前記バインダー樹脂溶液Aを14.9質量部、重合性化合物としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレートを7.72質量部、重合開始剤としてIrgacure 907を2.03質量部および2,4-ジエチルチオキサントン0.43質量部、添加剤としてフッ素系界面活性剤であるフタージェントFTX-218(株式会社ネオス社製)を0.14質量部、並びに下記方法により調製したフィラー分散液Bを45.09質量部混合して調製した。
 フィラー分散液Bは、シリカ(アドマテックス(株)製、SO-C1)(フィラー)30質量部と、前記バインダー樹脂溶液A48.2質量部とを予め混合した後、モーターミルM-250(アイガー社製)で、直径1.0mmのジルコニアビーズを用い、周速9m/sにて3時間分散して調製した。
[実施例4]
 赤外線吸収性組成物(S-118-1)に代えて、以下の方法で調製した赤外線吸収性組成物(S-118-4)を用いた以外は実施例1と同様にして、ガラス基板Aを作製し、実施例1と同様にして評価した。評価結果を表2に示す。
 赤外線吸収性組成物(S-118-4)は、赤外線遮蔽材として下記方法により合成した銅化合物Aを30質量部、バインダー樹脂としてベンジルメタクリレート/メタクリル酸=70/30(モル比)の共重合体を69.8質量部、界面活性剤であるF-781(DIC株式会社製)を0.2質量部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルを100質量部混合して調製した。
 銅化合物Aは次の方法により合成した。
 無水安息香酸銅5g、およびビス(2-メタクリロイルオキシエチル)ホスフェート(城北化学工業株式会社製)7gをアセトン25mL中に溶解し、室温で4時間攪拌しながら反応を進行させた。得られた反応生成物を、ヘキサン中に滴下し、沈殿物を濾過により抽出、乾燥することで、錯体である銅化合物Aを得た。
[実施例5]
 赤外線吸収性組成物(S-118-1)に代えて、以下の方法で調製した赤外線吸収性組成物(S-118-5)を用いた以外は実施例1と同様にして、ガラス基板Aを作製し、実施例1と同様にして評価した。評価結果を表2に示す。
 赤外線吸収性組成物(S-118-5)は、赤外線遮蔽材としてフタロシアニン系化合物であるExcolor TX-EX 720(日本触媒株式会社製。極大吸収波長720nm)0.25質量部およびシアニン系化合物であるDaito chmix 1371F(ダイトーケミックス株式会社製。極大吸収波長805nm)0.25質量部、重合性化合物としてペンタエリスリトールテトラアクリレートを25質量部および下記式(2)で表される重合性化合物25質量部、並びにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート49.5質量部を混合して調製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 実施例2~5における透過率測定において入射角30°の条件、即ちガラス基板に対して30°の角度から分光透過率を測定したところ、入射角0°の条件で測定した分光透過率と一致することを確認した。即ち、実施例2~5においては、赤外線カットフィルタ層は入射角依存性を有さないといえる。
[比較例1]
 実施例1において、YMF-02A(住友金属鉱山株式会社製。セシウムタングステン酸化物(Cs0.33WO3、平均分散粒径800nm以下)の18.5質量%分散液)を用いなかった以外は実施例1と同様にして赤外線吸収性組成物(S-118-6)を調製し、実施例1と同様にして評価を行った。評価結果を表2に示す。
 なお、比較例1のガラス基板Aは赤外線カットフィルタ層を有さないので、入射角依存性の評価は行っていない。
[比較例2]
 実施例1において、赤外線吸収性組成物(S-118-1)を用いて赤外線カットフィルタ層を形成する代わりに、下記方法により作製した誘電体多層膜を有する赤外線遮蔽フィルタを絶縁層114上に載置することにより、ガラス基板Aを作製した。そして得られたガラス基板Aについて、実施例1と同様にして評価を行った。評価結果を表2に示す。なお、赤外線カットフィルタ層の作製方法が実施例1~5及び比較例1とは異なるため、密着性評価は行っていない。
 誘電体多層膜を有する赤外線遮蔽フィルタの作製方法は次の通りである。
 ポリエステル樹脂(東洋紡績株式会社製、商品名VYRONl03)0.75g、およびジイモニウム系化合物(日本化薬株式会社製、商品名IRG-0691。ジクロロメタン中における極大吸収波長1108nm。)0.0145gを、シクロヘキサノン4.25gに溶解して塗工液(1)を調製した。
 この塗工液(1)を、銅含有弗燐酸塩ガラス(AGCテクノグラス(株)製、商品名NF-501、厚さ0.3mm。)からなるガラス基板の一方の主面側に、スピンコート法により塗布し、150℃で30分間加熱して赤外線吸収層を形成することにより、赤外線遮蔽フィルタを得た。赤外線吸収層の平均膜厚は、5.0μmであった。
 次に、上記赤外線遮蔽フィルタの両主面(ガラス基板の赤外線吸収層が形成されていない面と赤外線吸収層上)にそれぞれ、スパッタリング法により、シリカ(SiO2、屈折率1.45(波長550nm))層とチタニア(TiO2、屈折率2.32(波長550nm))層とを交互に積層して、表1に示すような構成からなる誘電体多層膜(34層)を形成した。これにより、誘電体多層膜を有する赤外線遮蔽フィルタを得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 比較例2における透過率測定において入射角30°の条件、即ちガラス基板に対して30°の角度から分光透過率を測定したところ、入射角0°の条件で測定した分光透過率とは一致しないことを確認した。即ち、比較例2においては、赤外線カットフィルタ層は入射角依存性を有するため、低背化された光センサ装置の作製に適さないといえる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
100・・・光センサ装置、101・・・光センサモジュール、102・・・受光素子、103・・・受光素子、104・・・第1電極、105・・・第1電極、106・・・光電変換層、108・・・p型半導体領域、109・・・p型半導体領域、110・・・n型半導体領域、112・・・第2電極、114・・・絶縁層、116・・・素子分離絶縁層、118・・・赤外線カットフィルタ層、120・・・硬化膜、121・・・第2硬化膜、122・・・カラーフィルタ層、124・・・フレーム、126・・・端子、128・・・ボンディングワイヤ、130・・・封止材、132・・・赤外線パスフィルタ層、134・・・発光ダイオード、136・・・遮光部材、138・・・駆動回路、140・・・電子機器、142・・・筐体、144・・・表示パネル、146・・・マイクロホン部、148・・・スピーカ部

Claims (13)

  1.  可視光線波長帯域から赤外線波長帯域にかけて分光感度を有する受光素子と、前記受光素子の受光面上に設けられた赤外線波長帯域の光を遮断して可視光線波長帯域の光を透過させる赤外線カットフィルタ層と、を含むことを特徴とする光センサ装置。
  2.  可視光線波長帯域から赤外線波長帯域にかけて分光感度を有する第1受光素子及び第2受光素子と、前記第1受光素子の受光面上に設けられた赤外線波長帯域の光を遮断して可視光線波長帯域の光を透過させる赤外線カットフィルタ層と、前記第2受光素子の受光面上に設けられた赤外線波長領域に透過帯域を有する赤外線パスフィルタ層と、を含むことを特徴とする光センサ装置。
  3.  前記受光素子の受光面を被覆する硬化膜が設けられ、前記赤外線カットフィルタ層は前記硬化膜に接して設けられている、請求項1又は2に記載の光センサ装置。
  4.  前記光センサ装置が、照度センサ、近接センサ又はカラーセンサである、請求項1又は2に記載の光センサ装置。
  5.  前記受光素子の受光面上にカラーフィルタ層が設けられ、前記赤外線カットフィルタ層は前記カラーフィルタ層に接して設けられている、請求項1又は2に記載の光センサ装置。
  6.  前記赤外線カットフィルタ層は、膜厚が0.1~50μmである、請求項1又は2に記載の光センサ装置。
  7.  前記赤外線カットフィルタ層は、波長600~2000nmの範囲内に極大吸収波長を有する赤外線遮蔽材を含み、且つ前記赤外線遮蔽材の割合が、全固形分質量に対して0.1~80質量%である、請求項1又は2に記載の光センサ装置。
  8.  前記赤外線カットフィルタ層は、波長600~2000nmの範囲内に極大吸収波長を有する赤外線遮蔽材と、バインダー樹脂及び重合性化合物から選ばれる少なくとも1種とを含む赤外線吸収性組成物を用いて形成されたものである、請求項1又は2に記載の光センサ装置。
  9.  前記バインダー樹脂が、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂およびポリシロキサンよりなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項8に記載の光センサ装置。
  10.  前記赤外線遮蔽材が、ジイミニウム系化合物、スクアリリウム系化合物、シアニン系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クアテリレン系化合物、アミニウム系化合物、イミニウム系化合物、アゾ系化合物、アントラキノン系化合物、ポルフィリン系化合物、ピロロピロール系化合物、オキソノール系化合物、クロコニウム系化合物、ヘキサフィリン系化合物、金属ジチオール系化合物、銅化合物、金属酸化物、金属ホウ化物、貴金属からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物である、請求項7又は8に記載の光センサ装置。
  11.  請求項1乃至10のいずれか一項に記載の光センサ装置を有することを特徴とする電子機器。
  12.  波長600~2000nmの範囲内に極大吸収波長を有する赤外線遮蔽材と、バインダー樹脂及び重合性化合物から選ばれる少なくとも1種とを含む、請求項1又は2に記載の赤外線カットフィルタ層の形成に用いられる赤外線吸収性組成物。
  13.  基板上に請求項12に記載の赤外線吸収性組成物によって塗膜を形成する工程、
     前記塗膜の一部に放射線を照射する工程、
     前記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
     前記現像された塗膜を加熱する工程
    を含む赤外線カットフィルタ層の作製方法。
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