JP6702197B2 - 赤外線遮蔽性組成物、硬化膜及び固体撮像装置 - Google Patents
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Description
したがって、本発明の課題は、耐クラック性に優れる硬化膜を形成可能なシロキサンポリマー含有赤外線遮蔽性組成物を提供することにある。本発明はまた、当該赤外線遮蔽性組成物を用いて形成された硬化膜、及び該硬化膜を具備する固体撮像装置を提供することにある。ここで、本明細書において「赤外線遮蔽」とは、赤外線を吸収又は反射することをいう。
(B)シロキサンポリマーが芳香族炭化水素基を有するものである、赤外線遮蔽性組成物を提供するものである。
(B)シロキサンポリマーが下記式(1)で表わされる構造単位αと下記式(3)で表わされる構造単位βとを有し、構造単位αと構造単位βとの含有割合[α/β]がモル比で100/0〜5/95である、赤外線遮蔽性組成物を提供するものである。
前記第2光学層は可視光及び赤外光を透過する開口部を有し、かつ前記赤外線遮蔽性組成物を用いて形成された硬化膜からなる、固体撮像装置を提供するものである。
より好適な態様として、可視光及び赤外光の少なくとも一部を透過する第1光学層と、赤外光の少なくとも一部を吸収する第2光学層と、前記第1光学層及び前記第2光学層を透過した前記可視光を検出する第1受光素子、並びに、前記第1光学層を透過した前記赤外光を検出する第2受光素子を含む画素アレイとを備えた固体撮像装置であって、
前記第2光学層は、前記第2受光素子に対応する部分に開口部を有し、前記第2光学層が前記赤外線遮蔽性組成物を用いて形成された硬化膜からなる、固体撮像装置を提供するものである。
赤外光の少なくとも一部を吸収する第2光学層と
を備えた固体撮像装置であって、
第2光学層は可視光及び赤外光を透過する開口部を有し、下記の成分(A)及び(B)を含む赤外線遮蔽性組成物を用いて形成された硬化膜からなる、固体撮像装置を提供するものである。
(A)波長700〜2000nmの範囲内に極大吸収波長を有する赤外線遮蔽剤
(B)芳香族炭化水素基を有するシロキサンポリマー
本発明の赤外線遮蔽性組成物は、(A)成分及び(B)成分を含有するものである。以下、本発明の赤外線遮蔽性組成物の構成成分について詳細に説明する。
(A)成分は、波長700〜2000nmの範囲内に極大吸収波長を有する赤外線遮蔽剤である。
(A)成分としては、波長700〜2000nmの範囲内に極大吸収波長を有するものであれば特に限定されないが、例えば、ジイミニウム系化合物、スクアリリウム系化合物、シアニン系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クアテリレン系化合物、アミニウム系化合物、イミニウム系化合物、アゾ系化合物、アントラキノン系化合物、ポルフィリン系化合物、ピロロピロール系化合物、オキソノール系化合物、クロコニウム系化合物、ヘキサフィリン系化合物、金属ジチオール系化合物、銅化合物、タングステン化合物、金属ホウ化物等を挙げることができる。(A)成分は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
ジイミニウム(ジインモニウム)系化合物の具体例としては、例えば、特開平1−113482号公報、特開平10−180922号公報、国際公開第2003/5076号、国際公開第2004/48480号、国際公開第2005/44782号、国際公開第2006/120888号、特開2007−246464号公報、国際公開第2007/148595号、特開2011−038007号公報、国際公開第2011/118171号の段落[0118]等に記載の化合物等が挙げられる。市販品としては、例えば、EPOLIGHT1178等のEPOLIGHTシリーズ(Epolin社製)、CIR−1085等のCIR−108Xシリーズ及びCIR−96Xシリーズ(日本カーリット社製)、IRG022、IRG023、PDC−220(日本化薬社製)等を挙げることができる。
クアテリレン系化合物の具体例としては、例えば、特開2008−009206号公報の段落[0021]等に記載の化合物等が挙げられる。市販品としては、例えば、Lumogen IR765(BASF社製)等を挙げることができる。
アミニウム系化合物の具体例としては、例えば、特開平08−027371号公報の段落[0018]、特開2007−039343号公報等に記載の化合物が挙げられる。市販品としては、例えばIRG002、IRG003(日本化薬社製)等を挙げることができる。
イミニウム系化合物の具体例としては、例えば、国際公開第2011/118171号の段落[0116]等に記載の化合物が挙げられる。
アゾ系化合物の具体例としては、例えば、特開2012−215806号公報の段落[0114]〜[0117]等に記載の化合物が挙げられる。
アントラキノン系化合物の具体例としては、例えば、特開2012−215806号公報の段落[0128]及び[0129]等に記載の化合物が挙げられる。
ピロロピロール系化合物の具体例としては、例えば、特開2011−068731号公報、特開2014−130343号公報の段落[0014]〜[0027]等に記載の化合物が挙げられる。
オキソノール系化合物の具体例としては、例えば、特開2007−271745号公報の段落[0046]等に記載の化合物が挙げられる。
クロコニウム系化合物の具体例としては、例えば、特開2007−271745号公報の段落[0049]、特開2007−31644号公報、特開2007−169315号公報等に記載の化合物が挙げられる。
ヘキサフィリン系化合物の具体例としては、例えば、国際公開第2002/016144号の式(1)で表される化合物が挙げられる。
銅化合物としては銅錯体が好ましく、具体例としては、例えば、特開2013−253224号公報、特開2014−032380号公報、特開2014−026070号公報、特開2014−026178号公報、特開2014−139616号公報、特開2014−139617号公報等に記載の化合物が挙げられる。
タングステン化合物としては酸化タングステン化合物が好ましく、セシウム酸化タングステン、ルビジルム酸化タングステンがより好ましく、セシウム酸化タングステンが更に好ましい。セシウム酸化タングステンの組成式としてはCs0.33WO3等が挙げられ、またルビジルム酸化タングステンの組成式としてはRb0.33WO3等を挙げることができる。酸化タングステン系化合物は、例えば、住友金属鉱山株式会社製のYMF−02A等のタングステン微粒子の分散物としても、入手可能である。
金属ホウ化物の具体例としては、例えば、特開2012−068418号公報の段落[0049]等に記載の化合物が挙げられる。中でも、ホウ化ランタンが好ましい。
分散剤としては、例えば、ウレタン系分散剤、ポリエチレンイミン系分散剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテル系分散剤、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル系分散剤、ポリエチレングリコールジエステル系分散剤、ソルビタン脂肪酸エステル系分散剤、ポリエステル系分散剤、(メタ)アクリル系分散剤等が挙げられる。市販品として、例えば、Disperbyk−2000、Disperbyk−2001、BYK−LPN6919、BYK−LPN21116、BYK−LPN22102(以上、ビックケミー(BYK)社製)等の(メタ)アクリル系分散剤、Disperbyk−161、Disperbyk−162、Disperbyk−165、Disperbyk−167、Disperbyk−170、Disperbyk−182(以上、ビックケミー(BYK)社製)、ソルスパース76500(ルーブリゾール(株)社製)等のウレタン系分散剤、ソルスパース24000(ルーブリゾール(株)社製)等のポリエチレンイミン系分散剤、アジスパーPB821、アジスパーPB822、アジスパーPB880、アジスパーPB881(以上、味の素ファインテクノ(株)社製)等のポリエステル系分散剤の他、BYK−LPN21324(ビックケミー(BYK)社製)を使用することができる。分散剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
このような態様とすることで、赤外線を十分に遮蔽することができる。ここで、本明細書において「固形分」とは、後述する有機溶媒以外の成分である。
本発明における(B)シロキサンポリマーは、芳香族炭化水素基を有するものである。ここで、本明細書において「芳香族炭化水素基」とは、環構造中に芳香環構造を有する炭化水素基をいい、単環式芳香族炭化水素基、ベンゼン環同士が縮合又はベンゼン環と他の炭化水素環とが縮合した縮合型芳香族炭化水素基、並びにベンゼン環及び縮合環のうちの2個以上が単結合で結合した多環式芳香族炭化水素基も包含する概念である。なお、芳香族炭化水素基は、環構造のみで構成されている必要はなく、環構造の一部が鎖状炭化水素基で置換されていてもよい。鎖状炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基が挙げられ、鎖状炭化水素基の炭素数は、好ましくは1〜6、更に好ましくは1〜4である。
芳香族炭化水素基の炭素数は特に限定されないが、6〜20が好ましく、6〜14がより好ましく、6〜10が更に好ましい。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、1−メチルデシル基、ドデシル基、1−メチルウンデシル基、1−エチルデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、tert−ドデシル基、ペンタデシル基、1−ヘプチルオクチル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、ヘンエイコサン−1−イル基、ドコサン−1−イル基、トリコサン−1−イル基、テトラコサン−1−イル基等を挙げられる。また、アルケニル基としては、例えば、エテニル基、1−プロペニル基、2−プロペニル基、1−ブテニル基、2−ブテニル基、1,3−ブタジエニル基、1−ペンテニル基、2−ペンテニル基、1−ヘキセニル基、2−エチル−2−ブテニル基、2−オクテニル基、(4−エテニル)−5−ヘキセニル基、2−デセニル基等を挙げることができる。更に、アルキニル基としては、例えば、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、1−ペンチニル基、3−ペンチニル基、1−ヘキシニル基、2−エチル-2−ブチニル基、2−オクチニル基、(4−エチニル)−5−ヘキシニル基、2−デシニル基等が挙げられる。
シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。また、シクロアルケニル基としては、シクロヘキセニル基等を挙げることができる。なお「脂環式炭化水素基」とは、環状構造を有さない脂肪族炭化水素基を除く概念である。
また、(B)シロキサンポリマーは、耐クラック性、赤外線遮蔽性のより一層の向上、ヘイズの低減及び現像残渣の発生をより高水準で抑制する観点から、(B)シロキサンポリマー中の構造単位αと構造単位βとの含有割合[α/β]が、100/0〜10/90であることが好ましく、85/15〜20/80がより好ましく、75/25〜25/75が更に好ましく、75/25〜30/70がより更に好ましい。
本発明の赤外線遮蔽性組成物は、(C)感光剤を含有することができる。ここで、本明細書において「感光剤」とは、光照射により赤外線遮蔽性組成物から得られる硬化膜の、溶媒に対する溶解性を変化させる性質を有する化合物をいう。このような化合物としては、例えば、光重合開始剤、光酸発生剤等を挙げることができる。(C)成分は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
中でも、光重合開始剤としては、ビイミダゾール系化合物、チオキサントン系化合物、アセトフェノン系化合物、トリアジン系化合物、O−アシルオキシム系化合物の群から選ばれる少なくとも1種が好ましい。なお、ビイミダゾール系化合物を用いる場合、2−メルカプトベンゾチアゾール等の水素供与体を併用してもよい。ここでいう「水素供与体」とは、露光によりビイミダゾール系化合物から発生したラジカルに対して、水素原子を供与することができる化合物を意味する。また、ビイミダゾール系化合物以外の光重合開始剤を用いる場合には、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル等の増感剤を併用することもできる。
キノンジアジド化合物の具体例としては、例えば、特開2008−156393号公報の段落[0040]〜[0048]に記載の化合物、特開2014−174406号公報の段落[0172]〜[0186]に記載の化合物を挙げることができる。
本発明の赤外線遮蔽性組成物は、(D)重合性化合物を含有することができる。これにより、赤外線遮蔽性組成物の硬化性が高められ、耐クラック性をより一層向上させることができる。ここで、本明細書において「重合性化合物」とは、2個以上の重合可能な基を有する化合物をいう。重合可能な基としては、例えば、エチレン性不飽和基、オキシラニル基、オキセタニル基、N−アルコキシメチルアミノ基等を挙げることができる。(D)成分は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。中でも、(D)成分としては、2個以上の(メタ)アクリロイル基を有する化合物、2個以上のN−アルコキシメチルアミノ基を有する化合物が好ましい。
水酸基を有する(メタ)アクリレートとしては、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールジメタクリレート等を挙げることができる。
多官能イソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等を挙げることができる。酸無水物としては、例えば、無水こはく酸、無水マレイン酸、無水グルタル酸、無水イタコン酸、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸の如き二塩基酸の無水物、無水ピロメリット酸、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物の如き四塩基酸二無水物を挙げることができる。
アルキレンオキサイド変性された多官能(メタ)アクリレートとしては、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたイソシアヌル酸トリ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから選ばれる少なくとも1種により変性されたジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等を挙げることができる。
本発明の赤外線遮蔽性組成物は、(E)バインダー樹脂(前記(B)シロキサンポリマーを除く。)を含有することができる。(E)成分は、アルカリ可溶性であることが好ましく、例えば、酸性基を有する樹脂を挙げることができる。酸性基としては、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、スルホ基等が挙げられる。酸性基を有する樹脂は、1分子中に1個以上の酸性基を有する重合体であれば特に限定されるものではないが、好適な態様として、例えば、カルボキシル基を有する重合体(以下、「カルボキシル基含有重合体」とも称する。)が好ましく、例えば、1個以上のカルボキシル基を有するエチレン性不飽和単量体(以下、「不飽和単量体(e1)」とも称する。)と他の共重合可能なエチレン性不飽和単量体(以下、「不飽和単量体(e2)」とも称する。)との共重合体を挙げることができる。(E)成分は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
不飽和単量体(e1)は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミドの如きN−置換マレイミド;スチレン、α−メチルスチレン、p−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル、アセナフチレンの如き芳香族ビニル化合物;
不飽和単量体(e2)は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
本発明の赤外線遮蔽性組成物は、(A)成分及び(B)成分、並びに任意的に加えられる他の成分を含有するものであるが、通常、有機溶媒を配合して液状組成物として調製される。
(F)成分としては、赤外線遮蔽性組成物を構成する(A)成分及び(B)成分や他の成分を分散又は溶解し、かつこれらの成分と反応せず、適度の揮発性を有するものである限り、適宜選択して使用することができる。(F)成分は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル等の(ポリ)アルキレングリコールモノアルキルエーテル;
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、イソプロパノール、イソブタノール、t−ブタノール、オクタノール、2−エチルヘキサノール、シクロヘキサノール等の(シクロ)アルキルアルコール;
ジアセトンアルコール等のケトアルコール;
ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のグリコールエーテル;
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン等のケトン;
3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート等のアルコキシカルボン酸エステル;
酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、ぎ酸n−アミル、酢酸i−アミル、プロピオン酸n−ブチル、酪酸エチル、酪酸n−プロピル、酪酸i−プロピル、酪酸n−ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸n−プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、2−オキソブタン酸エチル等の脂肪酸アルキルエステル;
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素;
四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム、1,1,1−トリクロロエタン、塩化メチレン、モノクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素;
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド、又はラクタム等を挙げることができる。
本発明の赤外線遮蔽性組成物は、必要に応じて種々の添加剤を含有することができる。
添加剤としては、例えば、シリカ、アルミナ、アクリル系微粒子等の充填剤;ポリビニルアルコール、ポリ(フロオロアルキルアクリレート)類等の高分子化合物;ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の界面活性剤;ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(2−メトキシエトキシ)シラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロイロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等の密着促進剤;2,2−チオビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,6−ジ−t−ブチルフェノール、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、3,9−ビス[2−[3−(3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)−プロピオニルオキシ]−1,1−ジメチルエチル]−2,4,8,10−テトラオキサ−スピロ[5・5]ウンデカン、チオジエチレンビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]等の酸化防止剤;2−(3−t−ブチル−5−メチル−2−ヒドロキシフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、アルコキシベンゾフェノン類等の紫外線吸収剤;ポリアクリル酸ナトリウム等の凝集防止剤;マロン酸、アジピン酸、イタコン酸、シトラコン酸、フマル酸、メサコン酸、2−アミノエタノール、3−アミノ−1−プロパノール、5−アミノ−1−ペンタノール、3−アミノ−1,2−プロパンジオール、2−アミノ−1,3−プロパンジオール、4−アミノ−1,2−ブタンジオール等の残渣改善剤;こはく酸モノ〔2−(メタ)アクリロイロキシエチル〕、フタル酸モノ〔2−(メタ)アクリロイロキシエチル〕、ω−カルボキシポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート等の現像性改善剤;1−(4,7−ジブトキシ−1−ナフタレニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナート等の熱酸発生剤や2,2'−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)等の熱ラジカル発生剤の感熱剤を挙げることができる。
これら添加剤の含有量は、本発明の目的を損なわない範囲内で適宜選択することができる。
本発明の硬化膜は、本発明の赤外線遮蔽性組成物を用いて形成されるため、赤外領域(波長700nm付近の近赤外領域も含む)における遮光性(赤外線遮蔽性)が高く、耐クラック性にも優れる。したがって、本発明の硬化膜は、赤外線遮蔽性硬化膜、例えば、赤外線カットフィルタとして好適に使用することができる。
(1)本発明の赤外線遮蔽性組成物を基板上に塗布し、乾燥して塗膜を形成する工程
(2)前記塗膜を硬化させる工程
工程(1)は、基板上に本発明の赤外線遮蔽性組成物を塗布し、乾燥して塗膜を形成する工程である。基板としては特に限定されず、ガラス、石英、シリコン、樹脂等が挙げられ、適宜選択することができる。樹脂の材質としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル、芳香族ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、シクロオレフィンポリマーを挙げられる。なお、基板は、所望により、シランカップリング剤等による薬品処理、プラズマ処理、イオンプレーティング、スパッタリング、気相反応法、真空蒸着等の適宜の前処理を施しておくこともできる。なお、後述する固体撮像装置に本発明の赤外線遮蔽性組成物を適用する場合、可視光パスフィルタ(カラーフィルタ)やフォトダイオード等の受光素子の受光面に塗布してもよい。可視光パスフィルタ(カラーフィルタ)やフォトダイオード等の受光素子の受光面に本発明の赤外線遮蔽性組成物を塗布することにより、フォトダイオードに入射する赤外線を効率的に遮光することができる点で好ましい。
工程(2)は、工程(1)で形成された塗膜を硬化させる工程である。これにより、硬化膜の機械的強度、耐クラック性を高めることができる。
硬化処理は特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、露光処理、加熱処理等が挙げられる。ここで、本明細書において「露光」とは、各種波長の光のみならず、電子線、X線等の放射線照射をも包含する概念である。
露光は、放射線の照射により行うことが好ましく、放射線としては、電子線、KrF、ArF、g線、h線、i線等の紫外線や可視光が挙げられ、中でも、KrF、g線、h線、i線が好ましい。
露光方式としては、ステッパー露光やアライナー露光等が挙げられる。
露光量は、5〜3000mJ/cm2が好ましく、10〜2000mJ/cm2がより好ましく、50〜1000mJ/cm2が更に好ましい。
露光装置としては特に制限はなく、公知の装置を適宜選択することができるが、例えば、超高圧水銀灯等のUV露光機が挙げられる。
加熱温度は、120〜250℃が好ましく、160〜230℃がより好ましい。
加熱時間は、3分〜180分が好ましく、5分〜120分がより好ましい。
加熱装置としては特に制限はなく、公知の装置を適宜選択することができるが、例えば、ドライオーブン、ホットプレート、IRヒーター等が挙げられる。
具体的には、エッチング法、アルカリ現像法、溶剤現像法等がある。
アルカリ現像液としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、コリン、1,8−ジアザビシクロ−[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−[4.3.0]−5−ノネン等の水溶液が好ましい。
アルカリ現像液には、例えば、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活性剤等を適量添加することもできる。なお、アルカリ現像後は、通常、水洗する。
現像処理法としては、シャワー現像法、スプレー現像法、ディップ(浸漬)現像法、パドル(液盛り)現像法等を適用することができる。現像条件は、常温で5〜300秒が好ましい。
本発明の固体撮像装置は、本発明の硬化膜を具備するものであり、本発明の固体撮像装置は適宜の構造を採ることができる。例えば、1つの実施の形態として、本発明の赤外線遮蔽性組成物を用いて、CMOS基板などの半導体基板上に、前述と同様の操作により硬化膜を形成することにより、特に可視光の検出精度に優れた固体撮像装置を作製することができる。
以下、本発明の一実施形態に係る固体撮像装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。以下に示す実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はここで説明する実施形態に限定されるものではない。
図1は、本発明の一実施形態に係る固体撮像装置の応用例である。具体的には、本実施形態の固体撮像装置をTOF(Time Of Flight)方式の撮像装置(例えば距離画像カメラ)に応用した例を示している。なお、ここで説明する撮像装置はあくまで概略図であり、他の要素が追加若しくは削除されることを妨げるものではない。
次に、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。
図8は、図2に示した画素20をIII−III'に沿って切断された、第2の実施形態に係る固体撮像装置の概略断面図である。第2の実施形態に係る固体撮像装置は、第1の実施形態に係る固体撮像装置と同様の基本構成を有するが、次の点で第1の実施形態に係る固体撮像装置と相違する。即ち、第2の実施形態に係る固体撮像装置は、第1光学層21、フォトダイオード29d及び赤外光パスフィルタ27dが存在せず、かつ第2光学層25がマイクロレンズアレイ23の下方に設置されている点で、第1の実施形態に係る固体撮像装置と相違する。第2光学層25は、第1の実施形態に係る第2光学層と同様に赤外光の少なくとも一部を吸収するものであり、第2光学層25を透過した透過光を検出する第1受光素子を備えた固体撮像装置であって、第2光学層が本発明の赤外線遮蔽性組成物を用いて形成された硬化膜からなる。
第1受光素子は、可視光パスフィルタ27a〜cの下方に設けられるフォトダイオード29a〜29cを指し、該フォトダイオードの上方に第2光学層が配置される。また可視光パスフィルタ27a〜cは、緑色光を透過するパスフィルタ、赤色光を透過するパスフィルタ、及び、青色光を透過するパスフィルタを含むことができる。このように、第2の実施形態に係る固体撮像装置は、第2光学層25が可視光検出用画素の上方に設けられているため、可視光はフォトダイオード29a〜cに入射する赤外光の光量を大幅に低減することができる。また、第1の実施形態に係る固体撮像装置においては第2光学層25の一部に開口部を形成する必要があるのに対し、第2の実施形態に係る固体撮像装置では第2光学層25に開口部を形成する必要がないため、固体撮像装置の製造が簡便になるという利点も有する。
次に、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。
図9は、図2に示した画素20をIII−III'に沿って切断された、第3の実施形態に係る固体撮像装置の概略断面図である。第3の実施形態に係る固体撮像装置は、第2の実施形態に係る固体撮像装置と同様の基本構成を有するが、次の点で第2の実施形態に係る固体撮像装置と相違する。即ち、第3の実施形態に係る固体撮像装置は、第2光学層25がマイクロレンズアレイ23の上方に設置されている点で、第2の実施形態に係る固体撮像装置と相違する。このように、第3の実施形態に係る固体撮像装置は、第2光学層25が可視光検出用画素の上方に設けられているため、可視光はフォトダイオード29a〜cに入射する赤外光の光量を大幅に低減することができる。
無水マレイン酸10.00gをプロピレングリコールモノメチルエーテル(以下「PGME」とも称する)90.00gに加熱溶解させ、10%の無水マレイン酸のPGME溶液を調製した。続いて、10%の無水マレイン酸のPGME溶液1.8gと水72.41gを混合し、酸触媒溶液を調製した。
続いて、フラスコにメチルトリメトキシシランを182.66g、及びPGMEを43.13g加えて、冷却管及びあらかじめ調製した酸触媒溶液を入れた滴下ロートをセットした。次いで、上記フラスコをオイルバスにて50℃に加熱した後、上記酸触媒溶液をゆっくり滴下し、滴下が完了してから60℃で3時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷した。
次に、反応溶液を別のフラスコに移し、エバポレーターで固形分量が50%になるまで濃縮した後、固形分量が30%となるまでPGMEで希釈した。次いで、固形分量50%となるまで再度濃縮を行った後、固形分濃度35質量%となるようにPGMEで希釈する操作を行い、残存している水やメタノールを除去することで、固形分濃度35質量%のシロキサンポリマー(B−1)溶液を得た。シロキサンポリマー(B−1)のMwは2,480、Mnは1,200、Mw/Mnは2.1であった。
合成例1において、10%の無水マレイン酸のPGME溶液1.80g、水69.21gを混合した酸触媒溶液、シラン化合物としてメチルトリメトキシシラン165.86g、フェニルトリメトキシラン12.71g、溶媒であるPGMEを50.43gへ変えた以外は、合成例1と同様にして、固形分濃度35質量%のシロキサンポリマー(B−2)溶液を得た。
合成例1において、10%の無水マレイン酸のPGME溶液1.80g、水63.59gを混合した酸触媒溶液、シラン化合物としてメチルトリメトキシシラン136.35g、フェニルトリメトキシラン35.03g、溶媒であるPGMEを63.23gへ変えた以外は、合成例1と同様にして、固形分濃度35質量%のシロキサンポリマー(B−3)溶液を得た。
合成例1において、10%の無水マレイン酸のPGME溶液1.80g、水58.81gを混合した酸触媒溶液、シラン化合物としてメチルトリメトキシシラン111.27g、フェニルトリメトキシラン53.99g、溶媒であるPGMEを74.13gへ変えた以外は、合成例1と同様にして、固形分濃度35質量%のシロキサンポリマー(B−4)溶液を得た。
合成例1において、10%の無水マレイン酸のPGME溶液1.80g、水49.51gを混合した酸触媒溶液、シラン化合物としてメチルトリメトキシシラン62.45g、フェニルトリメトキシラン90.91g、溶媒であるPGMEを95.32g、反応温度を容器内がRefluxになるように変えた以外は、合成例1と同様にして、固形分濃度35質量%のシロキサンポリマー(B−5)溶液を得た。
合成例1において、10%の無水マレイン酸のPGME溶液1.80g、水43.95gを混合した酸触媒溶液、シラン化合物としてメチルトリメトキシシラン33.26g、フェニルトリメトキシラン112.98g、溶媒であるPGMEを108.00gへ変えた以外は合成例1と同様にして、固形分濃度35質量%のシロキサンポリマー(B−6)溶液を得た。
合成例5において、10%の無水マレイン酸のPGME溶液1.80g、水37.62gを混合した酸触媒溶液、シラン化合物としてフェニルトリメトキシラン138.14g、溶媒であるPGMEを122.44gへ変えた以外は合成例5と同様にして、固形分濃度35質量%のシロキサンポリマー(B−7)溶液を得た。
合成例1において、10%の無水マレイン酸のPGME溶液1.80g、水40.37gを混合した酸触媒溶液、シラン化合物としてメチルトリメトキシシラン30.55g、トリルトリメトキシラン111.11g、溶媒であるPGMEを116.17gへ変えた以外は合成例1と同様にして、固形分濃度35質量%のシロキサンポリマー(B−8)溶液を得た。
合成例1において、10%の無水マレイン酸のPGME溶液1.80g、水43.95gを混合した酸触媒溶液、シラン化合物としてメチルトリメトキシシラン27.72g、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(商品名サイラエースS710、チッソ(株)製)10.11g、フェニルトリメトキシラン112.98g、溶媒であるPGMEを108.00gへ変えた以外は合成例1と同様にして、固形分濃度35質量%のシロキサンポリマー(B−9)溶液を得た。
合成例10
冷却管と攪拌機を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート100質量部を仕込んで窒素置換した。80℃に加熱して、同温度で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート100質量部、メタクリル酸20質量部、スチレン10質量部、ベンジルメタクリレート5質量部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート15質量部、2−エチルヘキシルメタクリレート23質量部、N−フェニルマレイミド12質量部、こはく酸モノ(2−アクリロイロキシエチル)15質量部及び2,2'−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)6質量部の混合溶液を1時間かけて滴下し、この温度を保持して2時間重合した。その後、反応溶液の温度を100℃に昇温させ、さらに1時間重合することにより、バインダー樹脂溶液(固形分濃度33質量%)を得た。得られたバインダー樹脂は、Mwが12,200、Mnが6,500であった。このバインダー樹脂を「バインダー樹脂(E−1)」とする。
調製例1
フラスコ内を窒素置換した後、2,2'−アゾビスイソブチロニトリルを0.6質量部溶解したメチル−3−メトキシプロピオネート溶液を200質量部仕込んだ。引き続きtert−ブチルメタクリレートを37.5質量部、グリシジルメタクリレート62.5質量部を仕込んだ後、撹拌し、70℃にて6時間加熱した。冷却後、重合体を含有する樹脂溶液を得た。
次に、この樹脂溶液を33.3質量部(重合体を10質量部含有)、メチル−3−メトキシプロピオネートを31.9質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルを3.4質量部で希釈したのち、トリメリット酸を0.3質量部、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを0.5質量部、商品名「FC−4432」(住友スリーエム(株)製)0.005質量部を溶解し、下地膜形成用組成物を調製した。
実施例1
(A)成分としてシアニン系化合物であるNK−5060(株式会社林原製、極大吸収波長865nm(膜))を2.53質量部、(B)成分としてシロキサンポリマー(B−2)溶液(固形分濃度35質量%)を100.00質量部、(C)感光剤として、酸発生剤である1−(4,7−ジブトキシ−1−ナフタレニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナートを1.63質量部、添加剤としてフッ素系界面活性剤であるフタージェントFTX−218(株式会社ネオス社製)0.07質量部並びにN−t−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン0.16質量部、及び(F)有機溶媒としてシクロヘキサノンを289.55質量部加えて混合することで、固形分濃度が10質量%の赤外線遮蔽性組成物(S−1)を得た。
ガラス基板上に、自動塗布現像装置(東京エレクトロン(株)製クリーントラック、商品名「MARK−Vz」)を用いて、前記下地膜形成用組成物をスピンコート法にて塗布した後、250℃で2分間ベークを行い、膜厚0.6μmの下地膜を形成した。
この下地膜上に赤外線遮蔽性組成物(S−1)をスピンコート法にて塗布した後、100℃のホットプレートで2分間プレベークを行って、膜厚0.5μmの塗膜を形成した。その後、200℃のホットプレートで5分間ポストベークを行うことにより、硬化膜を有するガラス基板を作製した。
得られた基板を光学顕微鏡で観察し、クラックが全く無い場合を「◎」、1〜3個のクラックがある場合を「○」、4〜10個のクラックがある場合を「△」、11個以上である場合を「×」として評価した。結果を表2に示す。
次に、得られた基板のヘイズを、スガ試験機社製のヘーズメーターを用いてJIS K7136に準じて測定し、ヘイズが0.3%未満の場合を「◎」、0.3%以上0.5%未満の場合を「○」、0.5%以上1.0%未満の場合を「△」、1.0%以上の場合を「×」として評価した。結果を表2に示す。なおヘイズの測定は、硬化膜を形成していないガラス基板との対比で行った。
実施例1において、シロキサンポリマーを(B−3)〜(B−9)とした以外は、実施例1と同様にして赤外線遮蔽性組成物(S−2)〜(S−8)を調製し、硬化膜の形成と評価を行った。その結果を表2に示した。
また、実施例5で得られた硬化膜の透過スペクトルを図7に示す。但し、図7は、ガラス基板上に下地膜だけを形成した基板との対比である。
実施例1において、シロキサンポリマーを(B−1)とした以外は、実施例1と同様にして 赤外線遮蔽性組成物(S−9)を調製し、硬化膜の形成と評価を行った。その結果を表2に示した。
実施例1において、シロキサンポリマー(B−2)溶液(固形分濃度35質量%)100.00質量部に代えてシロキサンポリマー(B−2)溶液(固形分濃度35質量%)50質量部を用い、更に(E)成分としてバインダー樹脂(E−1)溶液(固形分濃度33質量%)50質量部を追加した以外は実施例1と同様にして赤外線遮蔽性組成物(S−10)を調製し、硬化膜の形成と評価を行った。その結果を表3に示す。
実施例9において、シロキサンポリマーの種類を(B−3)〜(B−9)とした以外は、実施例9と同様にして赤外線遮蔽性組成物(S−11)〜(S−17)を調製し、硬化膜の形成と評価を行った。その結果を表3に示す。
実施例9において、シロキサンポリマーの種類を(B−1)とした以外は、実施例9と同様にして 赤外線遮蔽性組成物(S−18)を調製し、硬化膜の形成と評価を行った。その結果を表3に示す。
実施例4において、NK−5060に代えて、表4に記載の(A)成分を用いた以外は実施例4と同様にして赤外線遮蔽性組成物(S−19)〜(S−35)を調製し、硬化膜の形成と評価を行った。その結果を表4に示す。なお、実施例25〜33においては、2種類の(A)成分を表4に記載の質量比で混合して用いた。
実施例12において、NK−5060に代えて、表4に記載の(A)成分を用いた以外は実施例12と同様にして赤外線遮蔽性組成物(S−36)〜(S−47)を調製し、硬化膜の形成と評価を行った。その結果を表4に示す。なお、実施例39〜45においては、2種類の(A)成分を表4に記載の質量比で混合して用いた。
A−1:NK−5060(株式会社林原製。シアニン系化合物。極大吸収波長865nm(膜))
A−2:Excolor TX−EX 708K(日本触媒株式会社製。フタロシアニン系化合物。極大吸収波長755nm(膜))
A−3:特許第5046515号明細書の実施例1に従って合成したフタロシアニン系化合物(極大吸収波長990nm(膜))
A−4:Lumogen IR765(BASF社製。クアテリレン系化合物。極大吸収波長705nm(膜))
A−5:特開2014−139617号公報の段落〔0263〕に記載の方法に従って合成したリン酸エステル銅錯体(銅化合物。極大吸収波長868nm(膜))
A−6:特開2011−68731号公報の合成例2に従って合成したピロロピロール系化合物(極大吸収波長780nm(膜))
A−7:特開昭61−42585号公報の化合物(1)(金属ジチオール系化合物。極大吸収波長908nm(膜))
A−8:特許第4168031号明細書の実施例3に従って合成したビス{ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド酸}N,N,N’,N’−テトラキス(p−ジベンジルアミノフェニル)−p−フェニレンジイモニウム(ジイミニウム系化合物。極大吸収波長1060nm(膜))
A−9:YMF−02(住友金属鉱山株式会社製。セシウム酸化タングステン化合物であるCs0.33WO3(平均分散粒径800nm以下、極大吸収波長1550〜1650nm(膜))の18.5質量%分散液)
2枚のガラス基板上に、自動塗布現像装置(東京エレクトロン(株)製クリーントラック、商品名「MARK−Vz」)を用いて、前記下地膜形成用組成物をスピンコート法にて塗布した後、250℃で2分間ベークを行い、膜厚0.6μmの下地膜をそれぞれ形成した。
1枚目の基板に対して、下地膜上に、実施例12で得られた赤外線遮蔽性組成物(S−13)をスピンコート法にて塗布した後、100℃のホットプレートで2分間プレベークを行って、膜厚0.5μmの塗膜を形成した。続いて、露光機(キヤノン社の「MPA−600FA」(ghi線混合))を用い、フォトマスクを介さずに、塗膜に対し1,000J/m2の露光量で露光した。次に200℃のホットプレートで5分間ポストベークを行って、硬化膜を有する基板を作製した。
得られた基板について実施例1と同様にして評価を行ったところ、耐クラック性は「◎」、ヘイズは「◎」であった。
2枚目の基板に対して、下地膜上に、実施例12で得られた赤外線遮蔽性組成物(S−13)をスピンコート法にて塗布した後、100℃のホットプレートで2分間プレベークを行って、膜厚0.5μmの塗膜を形成した。続いて、露光機(キヤノン社の「MPA−600FA」(ghi線混合))を用い、60μmのライン・アンド・スペース(10対1)のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し1,000J/m2の露光量で露光した。次いで、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、23℃において80秒間液盛り法で現像した。超純水で1分間流水洗浄を行い、スピン乾燥した後、200℃のホットプレートで5分間ポストベークを行ったところ、ライン・アンド・スペースを有する基板を作製することができた。
11:光源
12:固体撮像装置(イメージセンサ)
13:信号処理部
14:主制御部
15:撮像対象物
16:パッケージ
17:画素部
18:端子部
19:拡大部
20:画素
21:第1光学層(2波長バンドパスフィルタ)
22:第1間隙
23:マイクロレンズアレイ
24:第2間隙
25:第2光学層(赤外線カットフィルタ)
26:第3間隙
27a〜27c:可視光パスフィルタ(カラーフィルタ)
27d:赤外光パスフィルタ
28:絶縁体
29a〜29d:フォトダイオード
30:支持基板
Claims (10)
- m及びnが1である、請求項1に記載の赤外線遮蔽性組成物。
- (A)赤外線遮蔽剤がジイミニウム系化合物、スクアリリウム系化合物、シアニン系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クアテリレン系化合物、アミニウム系化合物、イミニウム系化合物、アゾ系化合物、アントラキノン系化合物、ポルフィリン系化合物、ピロロピロール系化合物、オキソノール系化合物、クロコニウム系化合物、ヘキサフィリン系化合物、金属ジチオール系化合物、銅化合物、タングステン化合物及び金属ホウ化物よりなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項1又は2記載の赤外線遮蔽性組成物。
- 更に(C)感光剤を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の赤外線遮蔽性組成物。
- 更に感熱剤を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の赤外線遮蔽性組成物。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の赤外線遮蔽性組成物を用いて形成された硬化膜。
- 膜厚0.5μmにおいて、波長500〜600nmの帯域における光の最小透過率が90%以上であり、かつ波長850nmにおける光の透過率が40%以下である、請求項6に記載の硬化膜。
- 赤外線カットフィルタである、請求項6又は7に記載の硬化膜。
- 請求項6〜8のいずれか1項に記載の硬化膜を具備する固体撮像装置。
- 可視光及び赤外光の少なくとも一部を透過する第1光学層と、
赤外光の少なくとも一部を吸収する第2光学層と
を備えた固体撮像装置であって、
前記第2光学層は可視光及び赤外光を透過する開口部を有し、下記の成分(A)及び(B)を含む赤外線遮蔽性組成物を用いて形成された硬化膜からなり、
(A)波長700〜2000nmの範囲内に極大吸収波長を有する赤外線遮蔽剤
(B)芳香族炭化水素基を有するシロキサンポリマー
成分(B)が下記式(1)で表わされる構造単位αと下記式(3)で表わされる構造単位βとを有し、構造単位αと構造単位βとの含有割合[α/β]がモル比で85/15〜20/80である、固体撮像装置。
R1は、芳香族炭化水素基を示し、
R3は、鎖状炭化水素基を示し、
m及びnは、相互に独立に、1〜3の整数を示す。〕
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