JPS5862529A - 光検出装置 - Google Patents
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- JPS5862529A JPS5862529A JP16225081A JP16225081A JPS5862529A JP S5862529 A JPS5862529 A JP S5862529A JP 16225081 A JP16225081 A JP 16225081A JP 16225081 A JP16225081 A JP 16225081A JP S5862529 A JPS5862529 A JP S5862529A
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、カメラなどの自動露出計に用いられる光検
出装置に関するものである。
出装置に関するものである。
カメラなとの自動露出計に用いられている光検出装置の
受光素子としては現在、主にシリコンフォトダイオード
（以下、ＳＰＤと略称する）が使用されている。ＳＰＤ
の各波長に対する出力の相対値（分光感度）および比視
感度曲線を第１図に示す。
受光素子としては現在、主にシリコンフォトダイオード
（以下、ＳＰＤと略称する）が使用されている。ＳＰＤ
の各波長に対する出力の相対値（分光感度）および比視
感度曲線を第１図に示す。
図中、（イ）は比視感度曲線であ夛、（ロ）はＥＩＦＤ
本体の作用スペクトルである。露出計用としてＳＰＤを
使用するためには、人間の目に感じない近赤外線領域の
光をカットし、ＳＰＤ本体の分光感度曲線を比視感度曲
線に相似させる必要がある。とくに、目に感じない７０
０〜１０００ ｎｍの領域の光に対する日ＰＤ本体の出
力が大きいことから、この領域の光は露出計の誤動作の
大きな原因の一つとなる。このために、７００〜１００
０ ｎｍの領域の光を何らかの方法で力゛シトする必要
がある。
本体の作用スペクトルである。露出計用としてＳＰＤを
使用するためには、人間の目に感じない近赤外線領域の
光をカットし、ＳＰＤ本体の分光感度曲線を比視感度曲
線に相似させる必要がある。とくに、目に感じない７０
０〜１０００ ｎｍの領域の光に対する日ＰＤ本体の出
力が大きいことから、この領域の光は露出計の誤動作の
大きな原因の一つとなる。このために、７００〜１００
０ ｎｍの領域の光を何らかの方法で力゛シトする必要
がある。
従来、この種の光検出装置は、無機系の近赤外線吸収剤
を用いたガラス製の近赤外線カットフィルターを使用し
ておシ、このために近赤外線カットフィルターと受光素
子との一体化が難しく、単に光の採り入れ窓にカットフ
ィルターを機械的に取付けて実用に供している。さらに
、無機質の近赤外線カットフィルターは製造コストが高
く、光検出装置としてのコストを大幅に上昇させてしま
う。
を用いたガラス製の近赤外線カットフィルターを使用し
ておシ、このために近赤外線カットフィルターと受光素
子との一体化が難しく、単に光の採り入れ窓にカットフ
ィルターを機械的に取付けて実用に供している。さらに
、無機質の近赤外線カットフィルターは製造コストが高
く、光検出装置としてのコストを大幅に上昇させてしま
う。
以上のように、従来の光検出装置では無機質の近赤外線
カットフィルターを用いているため、光検出装置の製造
上、柔軟性に欠け、製造コストおよび製造工程の観点か
らは著しい欠点を有している。
カットフィルターを用いているため、光検出装置の製造
上、柔軟性に欠け、製造コストおよび製造工程の観点か
らは著しい欠点を有している。
本発明は、上述の欠点に鑑みてなさｎたもので、有機質
近赤外線吸収剤と可視領域で殆んど光の吸収を示さない
樹脂を含んだ溶液を用いてキャスティング、コーティン
グ、ディッピングおよびボッティング等の方法で受光素
子上にまたは可視領域で殆んど光の吸収を示さない樹脂
でモールドした受光素子上に近赤外線カット能をもたせ
た薄膜を形成させ、受光素子自身に近赤外線のカット機
能をもたせることによって製造工程を改善し、製造コス
トを大幅に低減した光検出装置を提供することを目的と
する。
近赤外線吸収剤と可視領域で殆んど光の吸収を示さない
樹脂を含んだ溶液を用いてキャスティング、コーティン
グ、ディッピングおよびボッティング等の方法で受光素
子上にまたは可視領域で殆んど光の吸収を示さない樹脂
でモールドした受光素子上に近赤外線カット能をもたせ
た薄膜を形成させ、受光素子自身に近赤外線のカット機
能をもたせることによって製造工程を改善し、製造コス
トを大幅に低減した光検出装置を提供することを目的と
する。
上述の有機系近赤外線吸収剤としては、金属錯体および
有機塩が良好である。□ 例えば、次に示すような化学式の化合物が挙げられる。
有機塩が良好である。□ 例えば、次に示すような化学式の化合物が挙げられる。
〔ただし、Ｒ１はメチル基（０Ｈｓ） ＋水素原子（刊
。
。
塩素原子（Ｃ１）または臭素原子（Ｂｒ）、Ｘは第４級
アンモニウムイオン（ｌｉＲ４） 、Ｍはニッケル（Ｎ
１）・パラジウム（Ｍ）および白金（Ｐｔ）から選ばれ
る金属原子を示す。〕 〔ただし、Ｒ２はＨ，ａｌまたはＢｒ、ＭはＮｉ、Ｐ（
１およびｐｔから選ばれる金ｆ１Ｎ７Ｌ子を示す。〕〔
ただし、Ｒ３はメ誉ル基またはフェニル基Ｃ−Ｃ６Ｈ５
）、ＶはＮｉ、 Ｐｄ、 Ｐｔ、 ％リブデ：／ （Ｍ
ｏ）、タングステン（ト）およびレニウム（Ｒｅ）から
選ばれる金属原子を示す。〕 〔ただし、Ｙ−はヨウ素イオン（ニー）またはテトラフ
ルオロボレートイオン（ＢＩＦ ）を示す。〕なお、上
記（１）〜（財）の化学式で示す化合物に限らず、可視
領域で＃魯とんど光の吸収を示さずに近赤外線領域で大
きな近赤外線の吸収を示すものであれはよく、種々の色
素化合物も使用できろ。また、これらの色素化合物の単
独では近赤外線領域全部をカットできない場合には、近
赤外線吸収極大の異なる二つ以上の色素化合物を併用し
て近赤外線領域全部をカットするようにしてもよい。
アンモニウムイオン（ｌｉＲ４） 、Ｍはニッケル（Ｎ
１）・パラジウム（Ｍ）および白金（Ｐｔ）から選ばれ
る金属原子を示す。〕 〔ただし、Ｒ２はＨ，ａｌまたはＢｒ、ＭはＮｉ、Ｐ（
１およびｐｔから選ばれる金ｆ１Ｎ７Ｌ子を示す。〕〔
ただし、Ｒ３はメ誉ル基またはフェニル基Ｃ−Ｃ６Ｈ５
）、ＶはＮｉ、 Ｐｄ、 Ｐｔ、 ％リブデ：／ （Ｍ
ｏ）、タングステン（ト）およびレニウム（Ｒｅ）から
選ばれる金属原子を示す。〕 〔ただし、Ｙ−はヨウ素イオン（ニー）またはテトラフ
ルオロボレートイオン（ＢＩＦ ）を示す。〕なお、上
記（１）〜（財）の化学式で示す化合物に限らず、可視
領域で＃魯とんど光の吸収を示さずに近赤外線領域で大
きな近赤外線の吸収を示すものであれはよく、種々の色
素化合物も使用できろ。また、これらの色素化合物の単
独では近赤外線領域全部をカットできない場合には、近
赤外線吸収極大の異なる二つ以上の色素化合物を併用し
て近赤外線領域全部をカットするようにしてもよい。
上記可視領域で殆んど光の吸収を示さない樹脂としては
アクリル樹脂、シリコン系樹脂、ポリカーボネイト樹脂
およびポパール等可視領域の光を殆んど透過する可視光
透過樹脂であれはいずれも便用可能である。
アクリル樹脂、シリコン系樹脂、ポリカーボネイト樹脂
およびポパール等可視領域の光を殆んど透過する可視光
透過樹脂であれはいずれも便用可能である。
また、上記受光素子をモールドする樹脂とじて、 もエ
ポキシ樹脂やシリコン系樹脂をはじめとする可視領域の
光を殆んど吸収しない樹脂であればいずれも使用できる
。
ポキシ樹脂やシリコン系樹脂をはじめとする可視領域の
光を殆んど吸収しない樹脂であればいずれも使用できる
。
以下、実施例を上けて本発明を説明する。
実施例１゜
ＰＭＭＡ（１２ｇ）をトルエン（２０ｇ）とアセトン（
２０ｇ）の混合溶媒に溶解させた後、 の化学式で示す近赤外線吸収剤（０，２５ｇ）のｎｖｙ
（２，ｓｇ）溶液を加えて近赤外線吸収剤溶解樹脂液を
調整する。このようにして調整した近赤外線吸収剤溶解
樹脂液を室温下で８ＰＤ上にキャスティングで塗付し、
６０℃で２時間乾燥後、同温度で真空乾燥（１時間）を
行なって、４０μｍ厚の近赤外線カット機能をもつ薄膜
を８ＰＤ上に作成した。
２０ｇ）の混合溶媒に溶解させた後、 の化学式で示す近赤外線吸収剤（０，２５ｇ）のｎｖｙ
（２，ｓｇ）溶液を加えて近赤外線吸収剤溶解樹脂液を
調整する。このようにして調整した近赤外線吸収剤溶解
樹脂液を室温下で８ＰＤ上にキャスティングで塗付し、
６０℃で２時間乾燥後、同温度で真空乾燥（１時間）を
行なって、４０μｍ厚の近赤外線カット機能をもつ薄膜
を８ＰＤ上に作成した。
このようにして作成した５ＰＩ）の分光感度曲線を第２
因に示す。第２図において、ｆ→はこの実施例のＥＩＰ
Ｄの分光感度曲線である。一点鎖線で示す（イ）は第１
図と同様の比視感度曲線である。また、点線で示すに）
は従来の無機質近赤外線カットフィルターを用いた時の
８ＦＤの分光感度曲線である。
因に示す。第２図において、ｆ→はこの実施例のＥＩＰ
Ｄの分光感度曲線である。一点鎖線で示す（イ）は第１
図と同様の比視感度曲線である。また、点線で示すに）
は従来の無機質近赤外線カットフィルターを用いた時の
８ＦＤの分光感度曲線である。
第２図から判るように、この実施例のＳＦＤの分光感度
曲線（ハ）の形状は、比視感度曲線（イ）の形状に良く
合っておシ、従来の無機質近赤外線カットフィルターを
用いた時のＳＦＤの分光感度曲線に）と類似し、特性上
変らない。しかも、本実施例で示したＳＰＤでは、ＳＰ
Ｄ本体に近赤外線領域の光のカット機能をもたせたもの
で、従来の無機質近赤外線カットフィルター付き８ＰＤ
のように無機質近赤外線カットフィルターを取シ付ける
必要がなく、光検出装置の製造工程を改善することがで
き、これに伴って製造コストを低減できる。
曲線（ハ）の形状は、比視感度曲線（イ）の形状に良く
合っておシ、従来の無機質近赤外線カットフィルターを
用いた時のＳＦＤの分光感度曲線に）と類似し、特性上
変らない。しかも、本実施例で示したＳＰＤでは、ＳＰ
Ｄ本体に近赤外線領域の光のカット機能をもたせたもの
で、従来の無機質近赤外線カットフィルター付き８ＰＤ
のように無機質近赤外線カットフィルターを取シ付ける
必要がなく、光検出装置の製造工程を改善することがで
き、これに伴って製造コストを低減できる。
実施例２゜
ヘキサハイドロフタル酸１４０ ｇ 、テトラグリシジ
ルイソシアヌレート４０ｇ 、 ０Ｘ−２２１（チツ索
（株）社線品名〕６０ｇお・よびイミダゾニ、ル０．８
ｇを混合した可視光透過樹脂を用いてＢＰＤをモールド
した。
ルイソシアヌレート４０ｇ 、 ０Ｘ−２２１（チツ索
（株）社線品名〕６０ｇお・よびイミダゾニ、ル０．８
ｇを混合した可視光透過樹脂を用いてＢＰＤをモールド
した。
このような可視光透過樹脂を用いてＳＰＤ本体を（−ル
ドする場合には、あらかじめ１５０℃程度の温度にあた
ためられたモールド金型内にＳＰＤ本体をセットし、こ
のモールド金型内に上記可視光透過樹脂をＳＦＤ本体の
表面上の厚さが２ｍｍ程度になるように流し込み、５分
間キュアさせ、その後上記可視光透過樹脂でモールドさ
ｎたＳＰＤをモールド金型から取り出し、さらに１５０
℃程度の温度で２時間アフターキュアーを行なう。
ドする場合には、あらかじめ１５０℃程度の温度にあた
ためられたモールド金型内にＳＰＤ本体をセットし、こ
のモールド金型内に上記可視光透過樹脂をＳＦＤ本体の
表面上の厚さが２ｍｍ程度になるように流し込み、５分
間キュアさせ、その後上記可視光透過樹脂でモールドさ
ｎたＳＰＤをモールド金型から取り出し、さらに１５０
℃程度の温度で２時間アフターキュアーを行なう。
次に、ＰＭＭＡ（１６ｇ）をア十トン（２８ｇ） 、
）ルエン（２８ｇ）およびｐｕｔ（２ｏｇ）からなる混
合溶媒に均一に溶解して得たＰＭＭＡ溶液に、化学式で
表わされる近赤外線吸収剤０．１５ｇと化学式□、１１
゜ で表わさｎる近赤外線吸収剤０．１５ ｇを加えて溶解
し、近赤外線吸収剤溶解樹脂液を調整した。このように
して調整した近赤外線吸収剤溶解樹脂液を、室温下で上
記可視光透過樹脂モールドしたＢＰＤ上にキャスティン
グ法によって塗付し、実施例１．と同様の方法で処理し
、可視光透過樹脂モーリレドＢＰＤ上に５０μｍＰ＃の
近赤外線カット機能を有する薄膜を作成した。
）ルエン（２８ｇ）およびｐｕｔ（２ｏｇ）からなる混
合溶媒に均一に溶解して得たＰＭＭＡ溶液に、化学式で
表わされる近赤外線吸収剤０．１５ｇと化学式□、１１
゜ で表わさｎる近赤外線吸収剤０．１５ ｇを加えて溶解
し、近赤外線吸収剤溶解樹脂液を調整した。このように
して調整した近赤外線吸収剤溶解樹脂液を、室温下で上
記可視光透過樹脂モールドしたＢＰＤ上にキャスティン
グ法によって塗付し、実施例１．と同様の方法で処理し
、可視光透過樹脂モーリレドＢＰＤ上に５０μｍＰ＃の
近赤外線カット機能を有する薄膜を作成した。
このようにして作成した８ＰＤの分光感度曲線を第８図
に示す。第８図において（ホ）はこの実施例のＳＦＤの
分光感度曲線である。一点鎖線で示す（イ）は第１図と
同様の比視感度曲線である。また、点線で小すに）は第
２図と同様の無機質近赤外線カットフィルターを用いた
時の８ＦＤの分光感度曲線である。
に示す。第８図において（ホ）はこの実施例のＳＦＤの
分光感度曲線である。一点鎖線で示す（イ）は第１図と
同様の比視感度曲線である。また、点線で小すに）は第
２図と同様の無機質近赤外線カットフィルターを用いた
時の８ＦＤの分光感度曲線である。
第８図から判るように、この実施例の８ＦＤの分光感度
曲線（ホ）の形状は比視感度曲線（イ）の形状に良く合
っており、従来の無Ｓ＊近赤外線カットフィルターを用
いた時のＳＦＤの分光感度曲線に）とも類、似し、特性
上変らず、実施例１．で述べたと同じ利点を有する。
曲線（ホ）の形状は比視感度曲線（イ）の形状に良く合
っており、従来の無Ｓ＊近赤外線カットフィルターを用
いた時のＳＦＤの分光感度曲線に）とも類、似し、特性
上変らず、実施例１．で述べたと同じ利点を有する。
（ｌ上睨明したように、本発明の光検出装置では、有機
質近赤外線吸収剤と可視領域で殆んど光の吸収を示さな
い樹脂を含んだ溶成を用いて、キャスティング、ディッ
ピング、コーティングおよびボッティング等の方法で受
光素子上または可視領域の光を殆んど吸収しない樹脂で
モールドした受光素子上に近赤外線カット機能をもたせ
た薄膜を形成することによって受光素子自身に近赤外領
域の光をカットする機能を持たせたものであり、無機質
近赤外線カットフィルターを用いた従来の光検出装置の
場合のように無機質近赤外線カットフィルターを取り付
ける必要がなく、製造工程が改善でき、製造コストの低
減ができる。
質近赤外線吸収剤と可視領域で殆んど光の吸収を示さな
い樹脂を含んだ溶成を用いて、キャスティング、ディッ
ピング、コーティングおよびボッティング等の方法で受
光素子上または可視領域の光を殆んど吸収しない樹脂で
モールドした受光素子上に近赤外線カット機能をもたせ
た薄膜を形成することによって受光素子自身に近赤外領
域の光をカットする機能を持たせたものであり、無機質
近赤外線カットフィルターを用いた従来の光検出装置の
場合のように無機質近赤外線カットフィルターを取り付
ける必要がなく、製造工程が改善でき、製造コストの低
減ができる。
第１図はＳＰ′Ｄ本体の分光感度曲線および比視感度曲
線を示す因、第２図、第８図はこの発明の実施例１．お
よび実施例２．におけるＳＰＤの分光感度曲線を示す図
である。 代理人 葛野信− 手続補正書（自発） ５６１２２１ 昭和 年 月 日 特許庁長官殿 １、 ’ＩＧ件の表示 特願昭５６−１６１１
２５０号２、発明の名称 光 検 出 装 置３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の第４頁第１行目に （２）明細書第６頁第４行目にｒ（ＢＦ 、）Ｊとある
のをｒｌｐ４−）Ｊと訂正する。 以上
線を示す因、第２図、第８図はこの発明の実施例１．お
よび実施例２．におけるＳＰＤの分光感度曲線を示す図
である。 代理人 葛野信− 手続補正書（自発） ５６１２２１ 昭和 年 月 日 特許庁長官殿 １、 ’ＩＧ件の表示 特願昭５６−１６１１
２５０号２、発明の名称 光 検 出 装 置３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の第４頁第１行目に （２）明細書第６頁第４行目にｒ（ＢＦ 、）Ｊとある
のをｒｌｐ４−）Ｊと訂正する。 以上
Claims (3)
- （１）可視領域で殆んど光の吸収を示さない樹月ｉ中に
有機系近赤外線吸収剤を含ませたー脂で螢光素子を被覆
したことを特徴とする光検出装置。 - （２）可視領域で殆んど光の吸収を示さない一脂でモー
ルドさ口た受光素子を用いたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光検出装置。 - （３）受光素子がシリコンフォトダイオードであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項まｔ；は第２項記載
の光検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16225081A JPS5862529A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 光検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16225081A JPS5862529A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 光検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5862529A true JPS5862529A (ja) | 1983-04-14 |
Family
ID=15750847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16225081A Pending JPS5862529A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 光検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5862529A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009503775A (ja) * | 2005-07-29 | 2009-01-29 | ヴァ テク トランスミッション アンド ディストリビューション ソシエテ アノニム | 電気的開閉装置 |
| WO2016181786A1 (ja) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Jsr株式会社 | 光センサ装置、光センサ装置を含む電子機器及び赤外線吸収性組成物、並びに赤外線カットフィルタ層の作製方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5023388A (ja) * | 1973-07-05 | 1975-03-13 | ||
| JPS545034U (ja) * | 1977-06-15 | 1979-01-13 |
-
1981
- 1981-10-12 JP JP16225081A patent/JPS5862529A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5023388A (ja) * | 1973-07-05 | 1975-03-13 | ||
| JPS545034U (ja) * | 1977-06-15 | 1979-01-13 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009503775A (ja) * | 2005-07-29 | 2009-01-29 | ヴァ テク トランスミッション アンド ディストリビューション ソシエテ アノニム | 電気的開閉装置 |
| JP4864084B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2012-01-25 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 電気的開閉装置 |
| WO2016181786A1 (ja) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Jsr株式会社 | 光センサ装置、光センサ装置を含む電子機器及び赤外線吸収性組成物、並びに赤外線カットフィルタ層の作製方法 |
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