JPH03276678A - 固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は固体撮像装置に間し、特に固体撮像装置上に形
成されている遮光膜からの反射を防止した固体撮像装置
に間するものである。

［従来の技術］ 従来、固体撮像装置は半導体基板主面に光電変換部及び
アルミニウム膜などの金属からなる遮光膜で遮光された
信号読み出し部が形成されている。

この金属遮光膜は信号読み出し部に光が直接入射してス
ミア等の偽信号が発生することを防止する手段である。

しかし強い光が入射すると、この金属膜で反射した光が
固体撮像装置を実装しているキャップガラスあるいは撮
像装置を使用したカメラのレンズ面で再度反射し、この
反射光によりゴーストやフレヤーのような画像を損ねる
現象が生ずる。

第２図は従来の固体撮像装置であるインターライン転送
方式ＣＣＤイメージセンサの平面配置図である。同図は
便宜上３×３画素を有する装置が示されている。

同図において、１は例えばホトダイオードのような光電
変換素子の受光面、２は光電変換された信号電荷を読み
出す垂直ＣＣＤレジスタ、３は同じく水平ＣＣＤレジス
タ、４は出力回路であり、ホトダイオード受光面１以外
は図中に斜線で示す金属遮光膜５て被われている。

第３図は第２図に示したＣＣＤイメージセンサの半導体
チップ断面図である。尚、同図では説明の便宜上、概念
的な模式図が示されているにすぎず、寸法的、素子構成
は実際の素子と対応しているわけてはない。

第３図においてｂは例えばシリコンからなるｐ型半導体
基板、７はホトダイオードの素子領域でｎ型の拡散層か
らなり、ｐ型半導体基板６との間にｐ−ｎ接合を形成し
ている。８は垂直ＣＣＤレジスタの転送チャネル部で、
通常半導体基板とは逆導電層からなっている。９は例え
ば８１０２等の絶縁膜１０を介して形成された垂直ＣＣ
Ｄの転送電極である。

また、垂直ＣＣＤレジスタの転送チャネル部８と隣の列
のホトダイオードの素子領域７はチャネルストッパ１１
て電気的に分離されている。５は信号を読み出す垂直Ｃ
ＣＤレジスタの転送チャネル部８に直接光が入射しない
ように設けられた例えばアルミニウムのような金属から
なる遮光膜である。このようなインターラインＣＣＤイ
メージセンサては前述のように信号読み出し部である垂
直ＣＣＤレジスタ部２を遮光した金属遮光膜５にもホト
ダイオード７に入射する光１３と同様な光が入射し、こ
の光が金属遮光膜５ては反射し、散乱光１４としてゴー
ストやフレヤーの原因となる。

［発明が解決しようとする課題］ 上述したように従来のインターライン転送方式ＣＣＤイ
メージセンサでは、金属等の遮光材で遮光膜を設けてい
るが、この遮光膜による光反射が生じ、この反射光によ
ってフレヤー、ゴースト等の偽信号を発生する欠点があ
る。

本発明の目的はゴーストやフレヤーのような偽信号の発
生を防止した固体撮像装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明の固体撮像装置は、光電変換素子群を含む光電変
換部と、前記光電変換素子のそれぞれから信号電荷を読
み出す信号読み出し部とが同一半導体基板に設けられ、
前記光電変換素子の受光面を除いて遮光膜で被われてい
る固体撮像装置において、光を吸収する反射防止膜で前
記遮光膜を被ったことを特徴とする。

［実施例コ 次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。

第１図は本発明の一実施例に係るインターライン転送方
式ＣＣＤイメージセンサを示す半導体チップ断面図であ
る。

同図において、６は例えばシリコンからなるｐ型半導体
基板、７はホトダイオードの素子領域で選択的に形成さ
れたｎ型拡散領域であり、素子領域７はｐ型半導体基板
６との間にｐ−ｎ接合を形成している。８は信号読み出
し部である垂直ＣＣＤレジスタの転送チャネルで通常ｎ
型拡散層からなる。すなわち、信号読み出し部は埋め込
みチャネル型ＣＣＤからなっている。９は５ｉ０２等の
絶縁膜１０を介して転送チャネル上に形成された転送電
極である。１１はチャネルストッパで、ｐ型半導体基板
６と同じ導電型で高い不純物濃度のｐ“領域からなって
いる。５は信号読み出し部に光が入射しないように例え
ば配線金属であるアルミニウムの様な金属膜からなる遮
光膜である。

以上は第２図に示した従来例と構成および動作において
全く同様であり、転送電極９に電圧を印加してホトダイ
オード素子領域７と転送チャネル部８との間にチャネル
を形成し、ホトダイオード素子領域７て光電変換された
信号電荷を垂直ＣＣＤ及び水平ＣＣＤを介して出力回路
へ転送する。

本実施例が従来例と異なる点は、反射防止膜として染料
を混合した樹脂膜１５がホトダイオード７の受光部１以
外を被っていることである。

この染料入り樹脂膜を形成するには、例えば市販のポジ
型レジスト（ノボラック系樹脂）に少なくとも３８０　
ｎｍ〜７５０ｎｍの光を吸収する染料を混合し、固体撮
像装置を形成したシリコンウェハーにスピンコード法で
塗布する。その後、通常のフォトリソグラフィー技術に
より受光面上の染料入りレジストを選択的に除去する。

尚、反射防止膜】５をどのような波長範囲の吸収が大き
くなるようにするかは、機器の設定条件等に応じて、ゴ
ーストやフレヤーの防止に最も有効なように適機宜設定
すればよい。

この構成ではホトダイオードの受光面１以外の領域は全
て反射防止膜で被われているので遮光膜５からの反射を
防止して従来問題となっていたゴースト、フレヤーなど
の偽信号の発生をなくすことができる。

尚、上記説明ではインターライン転送方式ＣＣＤイメー
ジセンサて説明したが、本発明はＭＯ５型イメージセン
サなと全ての固体撮像装置に適用できることは言うまで
もない。

〔発明の効果コ 以上説明したように、本発明は固体撮像装置の光電変換
素子の受光面以外を反射防止膜て被うようにしたため、
転送部への無用な光の入射を防ぐために設けられていた
遮光膜からの反射を防止することができ、ゴースト、フ
レヤー等の偽信号を防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す半導体チップの断面図
、第２図は従来インターライン転送方式ＣＣＤ撮像装置
の平面配置図、第３図は第２図に示した従来例の半導体
チップ断面図である。 １・・・・・・・受光面、 ２・・・・・・・垂直ＣＣＤレジスタ、３・・・・・・
・水平ＣＣＤレジスタ、４・・・・・・・出力回路、 ５・・・・・・・金属遮光膜、 ６・・・・・・・ｐ型半導体基板、 ７・・・・・・・ホトダイオード、 ８・・・・・・・転送チャネル、 ９・・・・・・・転送電極、 １０・・・・・・絶縁層、 １１・・・・・・チャネルストッパ、 １３　・ ・入射光、 １４　・ ・反射光、 　５ ・染料入り樹脂膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　光電変換素子群を含む光電変換部と、前記光電変換素
   子のそれぞれから信号電荷を読み出す信号読み出し部と
   が同一半導体基板に設けられ、前記光電変換素子の受光
   面を除いて遮光膜で被われている固体撮像装置において
   、光を吸収する反射防止膜で前記遮光膜を被ったことを
   特徴とする固体撮像装置。