JPH0414257A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0414257A JPH0414257A JP2118253A JP11825390A JPH0414257A JP H0414257 A JPH0414257 A JP H0414257A JP 2118253 A JP2118253 A JP 2118253A JP 11825390 A JP11825390 A JP 11825390A JP H0414257 A JPH0414257 A JP H0414257A
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- Japan
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- light
- shielding film
- electric charge
- light shielding
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- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、イメージセンサやイメージスキャナー等に
用いる固体撮像装置に関するものである。
用いる固体撮像装置に関するものである。
（従来の技術〕
近年、固体撮像装置は、産業用・家庭用を問わず撮像管
にかわり急速に普及してきた。しかしながら、信号電荷
転送部に直接光が入射するために発生する偽信号、いわ
ゆるスミア電荷については、改善すべき点である。この
スミア電荷の発生防止には金属遮光膜が有効であると考
えられている。
にかわり急速に普及してきた。しかしながら、信号電荷
転送部に直接光が入射するために発生する偽信号、いわ
ゆるスミア電荷については、改善すべき点である。この
スミア電荷の発生防止には金属遮光膜が有効であると考
えられている。
以下、従来の固体撮像装置について、図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第２回は従来の固体撮像装置の断面模式図である。第２
図において、ｌは光電変換部を形成するＮ型半導体領域
、２はＮ型半導体領域よりなる電荷転送部、３は電気的
絶縁層、４は下層の転送電極、５は上層の転送電極、６
は層間絶縁層、７は金属層よりなる遮光膜、９は保護膜
、１０はガラス板、１１はＰ型シリコン基板である。
図において、ｌは光電変換部を形成するＮ型半導体領域
、２はＮ型半導体領域よりなる電荷転送部、３は電気的
絶縁層、４は下層の転送電極、５は上層の転送電極、６
は層間絶縁層、７は金属層よりなる遮光膜、９は保護膜
、１０はガラス板、１１はＰ型シリコン基板である。
以上のように構成された固体撮像装置について、以下そ
の動作を説明する。
の動作を説明する。
まず、光電変換部を形成するＮ型半導体領域１に光が入
射すると電荷が発生し蓄積される。そして、垂直ブラン
キング期間内に転送電極５に読み出しパルスが加えられ
ると、発生した電荷は、Ｎ型半導体領域よりなる電荷転
送部２に読み出される。その後、読み出された電荷は、
転送電極４および転送電極５にパルスが加えられると電
荷転送部２内を転送される。このとき、電荷転送部２に
直接光が入射すると、スミア電荷が発生し、画面上に縦
方向の輝線となって観察される。このため、遮光膜７を
層間絶縁層６上に光電変換部を避けて形成し、電荷転送
部２に直接光が入射することを防いでいる。
射すると電荷が発生し蓄積される。そして、垂直ブラン
キング期間内に転送電極５に読み出しパルスが加えられ
ると、発生した電荷は、Ｎ型半導体領域よりなる電荷転
送部２に読み出される。その後、読み出された電荷は、
転送電極４および転送電極５にパルスが加えられると電
荷転送部２内を転送される。このとき、電荷転送部２に
直接光が入射すると、スミア電荷が発生し、画面上に縦
方向の輝線となって観察される。このため、遮光膜７を
層間絶縁層６上に光電変換部を避けて形成し、電荷転送
部２に直接光が入射することを防いでいる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら上記従来の構成では、電荷転送部２に直接
光が入射することは防げるが、斜めからの入射光Ｂの場
合には、遮光膜７の表面で反射して電荷転送部２に入射
し、スミア電荷が発生するという問題があった。
光が入射することは防げるが、斜めからの入射光Ｂの場
合には、遮光膜７の表面で反射して電荷転送部２に入射
し、スミア電荷が発生するという問題があった。
この発明の目的は、斜めからの入射光によるスミア特性
を改善することができる固体撮像装置を提供することで
ある。
を改善することができる固体撮像装置を提供することで
ある。
この発明の固体撮像装置は、−導電型の半導体基板の主
表面に他の導電型の領域を設けた光電変換部と、他の導
電型の領域で形成され光電変換部で発生した電荷を転送
する電荷転送部と、この電荷転送部上に形成した遮光膜
と、この遮光膜上に形成した光吸収膜とを備えている。
表面に他の導電型の領域を設けた光電変換部と、他の導
電型の領域で形成され光電変換部で発生した電荷を転送
する電荷転送部と、この電荷転送部上に形成した遮光膜
と、この遮光膜上に形成した光吸収膜とを備えている。
〔作用］
この発明の構成によれば、スミア電荷の玉な発生原因と
なる斜めからの入射光は、遮光膜上に形成された光吸収
膜で吸収されることになり、遮光膜の表面で反射した入
射光が電荷転送部に入射してスミア電荷を発生させるの
を防くことができる。
なる斜めからの入射光は、遮光膜上に形成された光吸収
膜で吸収されることになり、遮光膜の表面で反射した入
射光が電荷転送部に入射してスミア電荷を発生させるの
を防くことができる。
〔実施例］
この発明の一実施例の固体撮像装置について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
第１図はこの発明の一実施例の固体撮像装置の断面模式
図である。第１図において、１は光電変換部を形成する
Ｎ型半導体領域、２はＮ型半導体領域よりなる電荷転送
部、３は電気的絶縁層、４は下層の転送電極、５は上層
の転送電極、６は層間絶縁層、７は金属層よりなる遮光
膜、８は光吸収膜、９は保護膜、１０はガラス板、１１
はＰ型シリコン基板である。
図である。第１図において、１は光電変換部を形成する
Ｎ型半導体領域、２はＮ型半導体領域よりなる電荷転送
部、３は電気的絶縁層、４は下層の転送電極、５は上層
の転送電極、６は層間絶縁層、７は金属層よりなる遮光
膜、８は光吸収膜、９は保護膜、１０はガラス板、１１
はＰ型シリコン基板である。
以上のように構成された固体撮像装置において、斜めか
らの入射光Ａは、遮光膜７上に形成された光吸収膜８に
より吸収されることになる。このため、従来のように斜
めからの入射光Ｂが遮光膜７の表面で反射して電荷転送
部２に入射し、スミア電荷を発生させることを防くこと
ができる。
らの入射光Ａは、遮光膜７上に形成された光吸収膜８に
より吸収されることになる。このため、従来のように斜
めからの入射光Ｂが遮光膜７の表面で反射して電荷転送
部２に入射し、スミア電荷を発生させることを防くこと
ができる。
〔発明の効果）
この発明の固体撮像装置は、スミア電荷の主な発生原因
となる斜めからの入射光を遮光膜上に形成した光吸収膜
で吸収することができ、低スミア特性が実現できる。
となる斜めからの入射光を遮光膜上に形成した光吸収膜
で吸収することができ、低スミア特性が実現できる。
第１図はこの発明の一実施例の固体撮像装置の断面模式
図、第２図は従来の固体撮像装置の断面模式図である。 １・・・光電変換部を形成するＮ型半導体領域、２・・
・電荷転送部、７・・・遮光膜、訃・・光吸収膜、１１
・・・Ｐ型シリコン基板 第１図 １・・光＠変換部を形成するＮ型半導体領域２・・・電
荷転送部 ７・・・遮光膜 ８・・・光吸収膜 １】・・・Ｐ型ノリコン基板
図、第２図は従来の固体撮像装置の断面模式図である。 １・・・光電変換部を形成するＮ型半導体領域、２・・
・電荷転送部、７・・・遮光膜、訃・・光吸収膜、１１
・・・Ｐ型シリコン基板 第１図 １・・光＠変換部を形成するＮ型半導体領域２・・・電
荷転送部 ７・・・遮光膜 ８・・・光吸収膜 １】・・・Ｐ型ノリコン基板
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板の主表面に他の導電型の領域を
設けた光電変換部と、他の導電型の領域で形成され前記
光電変換部で発生した電荷を転送する電荷転送部と、こ
の電荷転送部上に形成した遮光膜と、この遮光膜上に形
成した光吸収膜とを備えた固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2118253A JPH0414257A (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2118253A JPH0414257A (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0414257A true JPH0414257A (ja) | 1992-01-20 |
Family
ID=14732038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2118253A Pending JPH0414257A (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0414257A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007053183A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子 |
| US8927342B2 (en) * | 2008-10-13 | 2015-01-06 | Tyco Electronics Amp Gmbh | Leadframe for electronic components |
| WO2022153583A1 (ja) * | 2021-01-13 | 2022-07-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1990
- 1990-05-07 JP JP2118253A patent/JPH0414257A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007053183A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子 |
| US7446356B2 (en) * | 2005-08-17 | 2008-11-04 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging device |
| US8927342B2 (en) * | 2008-10-13 | 2015-01-06 | Tyco Electronics Amp Gmbh | Leadframe for electronic components |
| WO2022153583A1 (ja) * | 2021-01-13 | 2022-07-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
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