JPH02304976A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH02304976A JPH02304976A JP1125680A JP12568089A JPH02304976A JP H02304976 A JPH02304976 A JP H02304976A JP 1125680 A JP1125680 A JP 1125680A JP 12568089 A JP12568089 A JP 12568089A JP H02304976 A JPH02304976 A JP H02304976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor substrate
- diffusion layer
- charge transfer
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 3
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、固体撮像素子に関し、特に、スミアを低減さ
せた固体撮像素子に関する。
せた固体撮像素子に関する。
［従来の技術］
従来のこの種の固体撮像素子の断面図を第２図に示す、
ｎ型半導体基板１の表面にｐ型拡散層２が形成され、該
拡散層２の表面にｎ型の拡散層である受光部３および電
荷転送部４とそれらを分離するｐ型拡散層であるチャネ
ルストッパ５が形成されている。そして、その上部にゲ
ート絶縁膜を介してゲート電極６が、さらに層間絶縁膜
７を介してアルミニウムの遮光膜８が形成されている。
ｎ型半導体基板１の表面にｐ型拡散層２が形成され、該
拡散層２の表面にｎ型の拡散層である受光部３および電
荷転送部４とそれらを分離するｐ型拡散層であるチャネ
ルストッパ５が形成されている。そして、その上部にゲ
ート絶縁膜を介してゲート電極６が、さらに層間絶縁膜
７を介してアルミニウムの遮光膜８が形成されている。
この固体撮像素子において、受光部３に入射した光によ
って発生した光電変換電荷は、受光部３内に蓄積される
。一定時間二二に蓄積された電荷は、ゲート電極６に、
ある閾値以上の電圧を印加することにより電荷転送部４
に読み出され、その後、電荷転送部内を出力部へ向けて
転送される。
って発生した光電変換電荷は、受光部３内に蓄積される
。一定時間二二に蓄積された電荷は、ゲート電極６に、
ある閾値以上の電圧を印加することにより電荷転送部４
に読み出され、その後、電荷転送部内を出力部へ向けて
転送される。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の固体撮像素子では、斜め入射光が直接転
送部へ漏れ込んだり、あるいは転送部近くに入り込んで
光電変換された電荷が転送部に漏れ込んだりするため、
スミアと呼ばれる偽信号が大きくなるという欠点がある
。
送部へ漏れ込んだり、あるいは転送部近くに入り込んで
光電変換された電荷が転送部に漏れ込んだりするため、
スミアと呼ばれる偽信号が大きくなるという欠点がある
。
［課題を解決するための手段］
本発明による固体撮像素子は、半導体基板上に光電変換
を行う受光部とこの受光部からの信号電荷の転送を受け
この電荷を出力部へ向けて転送する電荷転送部とを有し
、さらに、半導体基板上に受光部以外の部分を覆う遮光
膜を有するものであって、前記受光部表面が前記転送部
表面よりも深い位置に配置されている。
を行う受光部とこの受光部からの信号電荷の転送を受け
この電荷を出力部へ向けて転送する電荷転送部とを有し
、さらに、半導体基板上に受光部以外の部分を覆う遮光
膜を有するものであって、前記受光部表面が前記転送部
表面よりも深い位置に配置されている。
［実施例］
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１区は、本発明の一実施例を示す断面図である。同図
に示されるように、ｎ型半導体基板１上にはｐウェルを
構成するｎ型拡散層２が形成されており、該拡散層表面
には、ｎ型拡散層である受光部３、電荷転送部４が形成
されており、さらにこれらの各領域を分離するｐ″′型
のチャネルストッパ５が形成されている。半導体基板上
には、ゲート絶縁膜を介してゲート電極６が形成されて
おり、また、半導体基板上の受光部３部分を除く部分は
眉間絶縁膜７を介して形成された遮光膜８で覆われてい
る。この遮光膜は、受光部３のｎ型拡散層２とのｐｎ接
合の基板表面露出部分を覆いかつ電荷転送部４を側面か
らも覆うように形成される。
に示されるように、ｎ型半導体基板１上にはｐウェルを
構成するｎ型拡散層２が形成されており、該拡散層表面
には、ｎ型拡散層である受光部３、電荷転送部４が形成
されており、さらにこれらの各領域を分離するｐ″′型
のチャネルストッパ５が形成されている。半導体基板上
には、ゲート絶縁膜を介してゲート電極６が形成されて
おり、また、半導体基板上の受光部３部分を除く部分は
眉間絶縁膜７を介して形成された遮光膜８で覆われてい
る。この遮光膜は、受光部３のｎ型拡散層２とのｐｎ接
合の基板表面露出部分を覆いかつ電荷転送部４を側面か
らも覆うように形成される。
半導体基板表面の受光部３の部分は、エツチングによっ
て他の部分より低くなっている。このエツチングは受光
部３の拡散層を形成する前あるいは形成後に行われる。
て他の部分より低くなっている。このエツチングは受光
部３の拡散層を形成する前あるいは形成後に行われる。
このように形成された固体撮像素子では斜め入射光が直
接転送部あるいはその近傍に漏れ込むことがない。また
、受光部３と電荷転送部４との間に段差があるため、受
光部３の下のｎ型拡散層２において発生した光電変換電
荷が、電荷転送部まで拡散していく可能性はほとんどな
くなる。
接転送部あるいはその近傍に漏れ込むことがない。また
、受光部３と電荷転送部４との間に段差があるため、受
光部３の下のｎ型拡散層２において発生した光電変換電
荷が、電荷転送部まで拡散していく可能性はほとんどな
くなる。
なお、上記実施例はエリア型固体撮像素子に関するもの
であったが、本発明は、リニア型のものに対しても適用
しうるちのである。
であったが、本発明は、リニア型のものに対しても適用
しうるちのである。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明は、受光部を電荷転送部よ
り深い位置に形成したものであるので、本発明によれば
、電荷転送部の側面まで遮光することができ、転送部お
よびその近傍に光が漏れ込むことがなくなる。さらに、
受光部と電荷転送部との間に段差が存在することにより
ｎ型拡散層内で発生した光電変換電荷が電荷転送部へ漏
れ込む可能性は殆どなくなる。したがって、本発明によ
れば、スミアを十分に低減させることができる。
り深い位置に形成したものであるので、本発明によれば
、電荷転送部の側面まで遮光することができ、転送部お
よびその近傍に光が漏れ込むことがなくなる。さらに、
受光部と電荷転送部との間に段差が存在することにより
ｎ型拡散層内で発生した光電変換電荷が電荷転送部へ漏
れ込む可能性は殆どなくなる。したがって、本発明によ
れば、スミアを十分に低減させることができる。
第１図は、本発明の一実施例を示す断面図、第２図は、
従来例を示す断面図である。 １・・・ｎ型半導体基板、 ２・・・ｎ型拡散層、３
・・・受光部、 ４・・・電荷転送部、 ５・・・
チャネルストッパ、 ６・・・ゲート電極、 ７・
・・層間絶縁膜、 ８・・・遮光膜。
従来例を示す断面図である。 １・・・ｎ型半導体基板、 ２・・・ｎ型拡散層、３
・・・受光部、 ４・・・電荷転送部、 ５・・・
チャネルストッパ、 ６・・・ゲート電極、 ７・
・・層間絶縁膜、 ８・・・遮光膜。
Claims (1)
- 半導体基板表面に形成された受光部と、半導体基板の表
面に形成され前記受光部からの信号電荷の転送を受けこ
れを出力部へ転送する電荷転送部と、半導体基板上に形
成された前記受光部以外の部分を覆う遮光膜とを具備す
る固体撮像素子において、前記受光部表面が前記電荷転
送部表面よりも深い位置に配置されていることを特徴と
する固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1125680A JPH02304976A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1125680A JPH02304976A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304976A true JPH02304976A (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=14916014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1125680A Pending JPH02304976A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02304976A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5351081A (en) * | 1990-11-16 | 1994-09-27 | Sony Corporation | Solid-state imaging device having a light barrier layer |
| WO2010047412A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法 |
| US7956388B2 (en) | 2008-10-24 | 2011-06-07 | Unisantis Electronics (Japan) Ltd. | Solid-state image pickup element and solid-state image pickup device |
| WO2011155009A1 (ja) * | 2010-06-08 | 2011-12-15 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59129463A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-25 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP1125680A patent/JPH02304976A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59129463A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-25 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5351081A (en) * | 1990-11-16 | 1994-09-27 | Sony Corporation | Solid-state imaging device having a light barrier layer |
| WO2010047412A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法 |
| WO2010046994A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法 |
| US7956388B2 (en) | 2008-10-24 | 2011-06-07 | Unisantis Electronics (Japan) Ltd. | Solid-state image pickup element and solid-state image pickup device |
| US8115237B2 (en) | 2008-10-24 | 2012-02-14 | Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. | Solid-state image pickup element and solid-state image pickup device having a transfer electrode formed on the entire sidewall of a hole |
| US8114695B2 (en) | 2008-10-24 | 2012-02-14 | Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. | Solid-state image pickup element, solid-state image pickup device and production method therefor |
| WO2011155009A1 (ja) * | 2010-06-08 | 2011-12-15 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
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