JPS62293673A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS62293673A JPS62293673A JP61137420A JP13742086A JPS62293673A JP S62293673 A JPS62293673 A JP S62293673A JP 61137420 A JP61137420 A JP 61137420A JP 13742086 A JP13742086 A JP 13742086A JP S62293673 A JPS62293673 A JP S62293673A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photoelectric conversion
- light
- solid
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 4
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は画像を電気信号に変換する固体撮像素子に関し
、特に１．モノクローム固体撮像素子に関する。
、特に１．モノクローム固体撮像素子に関する。
従来のモノクローム固体撮像素子はテレビジョン学会全
国大会３−４．４９頁（１９８５）に示されている如く
光電変換部の表面は凹凸を有する。
国大会３−４．４９頁（１９８５）に示されている如く
光電変換部の表面は凹凸を有する。
該従来例について図面を参照して説明する。第２図は縦
型オーバーフロードレイン型インターラインＣＣＤ （
ＶＯＤ −ＣＣＤ）の−絵素部の断面図で、１はＮ型基
板、２はＰウェル層、３は光電変換部としてのフォトダ
イオードのＮ型不純物層、４は信号電荷を転送する埋込
みチャンネル型ＣＣＤのＮウェル層、５は素子分離のＰ
＋不純物層、６は眉間絶縁膜、７はフォトダイオードに
蓄積された電再を電荷転送するＣＯＤに読み出しを制御
するトランスファー電極とＣＣＤ転送りロック電極を構
成する多結晶シリコンゲート電極、８はフォトダイオー
ドのＮ型層にのみ光を入射させ、電荷転送するＣＣＤ部
に光を入射させないための遮光アルミニウム電極、９は
カバー絶縁膜を表わす。
型オーバーフロードレイン型インターラインＣＣＤ （
ＶＯＤ −ＣＣＤ）の−絵素部の断面図で、１はＮ型基
板、２はＰウェル層、３は光電変換部としてのフォトダ
イオードのＮ型不純物層、４は信号電荷を転送する埋込
みチャンネル型ＣＣＤのＮウェル層、５は素子分離のＰ
＋不純物層、６は眉間絶縁膜、７はフォトダイオードに
蓄積された電再を電荷転送するＣＯＤに読み出しを制御
するトランスファー電極とＣＣＤ転送りロック電極を構
成する多結晶シリコンゲート電極、８はフォトダイオー
ドのＮ型層にのみ光を入射させ、電荷転送するＣＣＤ部
に光を入射させないための遮光アルミニウム電極、９は
カバー絶縁膜を表わす。
このＶＯＤ −ＣＣＤの動作については周知の通りであ
るので説明を省くが、図に示した如く、フォトダイオー
ド以外は遮光アルミニウムで覆われており、従ってその
表面は凹凸をなし、しかもフォトダイオードの開口端部
は遮光アルミニウムで規定され、上部にカバー絶縁膜を
持った構造となっている。
るので説明を省くが、図に示した如く、フォトダイオー
ド以外は遮光アルミニウムで覆われており、従ってその
表面は凹凸をなし、しかもフォトダイオードの開口端部
は遮光アルミニウムで規定され、上部にカバー絶縁膜を
持った構造となっている。
カバー絶縁膜には通常、酸化膜か窒化膜が用いられてお
り、チップ保護の観点からも所望の膜厚が必要とされる
。このカバー絶縁膜に屈折率の小さい酸化膜（屈折率ｎ
＝１．４６＞を用いても、図に示した如く、入射光は遮
光アルミニウム端部に於てその光路を曲げられることに
なる。図に示した入射光（ａ）はその光路を曲げられ遮
光アルミニウムに当り反射してしまい、フォトダイオー
ドに入射されず、光電変換に寄与しない。又入射光（ｂ
）はその光路を曲げられ、フォトダイオードのＮ型層外
で光電変換することになり、電荷転送のＣＣＤに光電変
換された電子が入り込むことになる。前者の場合は感度
低下を来たし、後者の場合は光漏れ込みによるスミア現
象となる。
り、チップ保護の観点からも所望の膜厚が必要とされる
。このカバー絶縁膜に屈折率の小さい酸化膜（屈折率ｎ
＝１．４６＞を用いても、図に示した如く、入射光は遮
光アルミニウム端部に於てその光路を曲げられることに
なる。図に示した入射光（ａ）はその光路を曲げられ遮
光アルミニウムに当り反射してしまい、フォトダイオー
ドに入射されず、光電変換に寄与しない。又入射光（ｂ
）はその光路を曲げられ、フォトダイオードのＮ型層外
で光電変換することになり、電荷転送のＣＣＤに光電変
換された電子が入り込むことになる。前者の場合は感度
低下を来たし、後者の場合は光漏れ込みによるスミア現
象となる。
又特願昭５８−１２９０１０号公報に示された２層アル
ミニウム構造の固体撮像素子に於ては、第２図に示した
絶縁膜９の膜厚を十分とる必要があるので上述の感度低
下と、スミアの増大はさらに大きいものとなる。
ミニウム構造の固体撮像素子に於ては、第２図に示した
絶縁膜９の膜厚を十分とる必要があるので上述の感度低
下と、スミアの増大はさらに大きいものとなる。
上述した従来のモノクローム固体撮像素子に於ては光電
変換のフォトダイオード表面は凹凸をなし、その開口端
部は遮光金属膜で規定され、しかも上部は屈折率の大き
な絶縁膜で覆われているので、その端部で入射光が曲げ
られ、感度低下とスミアの増大を引き起す欠点がある。
変換のフォトダイオード表面は凹凸をなし、その開口端
部は遮光金属膜で規定され、しかも上部は屈折率の大き
な絶縁膜で覆われているので、その端部で入射光が曲げ
られ、感度低下とスミアの増大を引き起す欠点がある。
本発明の目的は、光電変換部の開口を規定する遮光金属
膜端部で入射光が曲げられることがなく、感度低下及び
スミアの増大を引き起こすことのない固体撮像素子を提
供することにある。
膜端部で入射光が曲げられることがなく、感度低下及び
スミアの増大を引き起こすことのない固体撮像素子を提
供することにある。
本発明の固体撮像素子は、半導体基板表面に配置され入
射光量に応じた荷電担体を光電変換蓄積する複数個の光
電変換部と前記荷電担体を信号電荷出力として取り出す
手段を有する固体撮像素子に於て、前記光電変換部上に
表面凹凸を平坦にする膜が配置されていることを特徴と
して構成される。
射光量に応じた荷電担体を光電変換蓄積する複数個の光
電変換部と前記荷電担体を信号電荷出力として取り出す
手段を有する固体撮像素子に於て、前記光電変換部上に
表面凹凸を平坦にする膜が配置されていることを特徴と
して構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は本発明の一実施例の素子の断面図で従来例の
第２図に対応するものである。第１図に於て、１〜９は
従来例と同一であって、他に素子表面にカバー絶縁膜９
とほぼ等しい屈折率を有する平坦化膜１０を配置しであ
る。例えばカバー絶縁膜９に酸化膜を用いた場合、平坦
化膜にポリグリシジル酸メチル膜（屈折率ｎ＝１．５３
＞を５μｍ配置し素子表面の平坦化を行う。本実施例で
は表面が平坦でかつ、カバー絶縁膜と平坦化膜の屈折率
が同一か近似しているこのような構造に於ては、従来例
で光路が曲げられていた遮光アルミニウム端部の入射光
（ａ）及び（ｂ）は図に示した如く、光路をほとんど曲
げられることなく、光電変換のフォトダイオードに入射
することになる。
。第１図は本発明の一実施例の素子の断面図で従来例の
第２図に対応するものである。第１図に於て、１〜９は
従来例と同一であって、他に素子表面にカバー絶縁膜９
とほぼ等しい屈折率を有する平坦化膜１０を配置しであ
る。例えばカバー絶縁膜９に酸化膜を用いた場合、平坦
化膜にポリグリシジル酸メチル膜（屈折率ｎ＝１．５３
＞を５μｍ配置し素子表面の平坦化を行う。本実施例で
は表面が平坦でかつ、カバー絶縁膜と平坦化膜の屈折率
が同一か近似しているこのような構造に於ては、従来例
で光路が曲げられていた遮光アルミニウム端部の入射光
（ａ）及び（ｂ）は図に示した如く、光路をほとんど曲
げられることなく、光電変換のフォトダイオードに入射
することになる。
上記実施例に於てはカバー絶縁膜９と平坦化膜１０を別
の材質としたが、同一の材質にしてもよいとは明らかで
ある。
の材質としたが、同一の材質にしてもよいとは明らかで
ある。
以上説明したように本発明は、光電変換部上の表面凹凸
を平坦化膜を配することにより光電変換部の開口を規定
する遮光金属膜端部で入射光が曲げられることがないの
で感度低下及びスミアの増大を引き起さないという効果
が得られる。
を平坦化膜を配することにより光電変換部の開口を規定
する遮光金属膜端部で入射光が曲げられることがないの
で感度低下及びスミアの増大を引き起さないという効果
が得られる。
第１図は本発明の一実施例の一絵素部の断面図、第２図
は従来の固体撮像素子の一例の一絵素部の断面図である
。
は従来の固体撮像素子の一例の一絵素部の断面図である
。
Claims (1)
- 半導体基板表面に配置され入射光量に応じた荷電担体
を光電変換蓄積する複数個の光電変換部と、前記荷電担
体を信号電荷出力として取り出す手段を有する固体撮像
素子に於て、前記光電変換部上に表面凹凸を平坦にする
膜が配置されていることを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61137420A JPS62293673A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61137420A JPS62293673A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293673A true JPS62293673A (ja) | 1987-12-21 |
Family
ID=15198214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61137420A Pending JPS62293673A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62293673A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125966A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPS6124270A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Nec Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP61137420A patent/JPS62293673A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125966A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPS6124270A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Nec Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8835981B2 (en) | Solid-state image sensor | |
| KR0175175B1 (ko) | 고체 화상 소자 | |
| US20050263676A1 (en) | Complementary metal oxide semiconductor image sensor and method for fabricating the same | |
| US5614950A (en) | CCD image sensor and method of preventing a smear phenomenon in the sensor | |
| JPH0778959A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US5959318A (en) | Solid state image pickup device with polygates | |
| JP4419264B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| CN115513230A (zh) | 图像传感器及其制作方法 | |
| JPH0449787B2 (ja) | ||
| JP2521789B2 (ja) | 固体撮像装置の感光部構造 | |
| US5444277A (en) | Solid imaging pick-up element | |
| JPS62293673A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2514941B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP3341514B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02304976A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6320385B2 (ja) | ||
| JPH01168059A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2922688B2 (ja) | 赤外固体撮像素子 | |
| JPH06275809A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2007194359A (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH0590551A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2964488B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS59196667A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS61226955A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3052367B2 (ja) | 固体撮像装置 |