JP2514941B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は固体撮像装置に関する。
（従来の技術） 従来、代表的な光導電膜膜積層型固体撮像装置として
は、第２図に示す白黒用インターライン転送方式で光導
電膜にＨ型アモルファスシリコン膜ａ−Si:H12を用いた
アモルファスシリコン積層型CCDイメージセンサが知ら
れている。ここで第２図はその断面図である。図中１は
ｐ型シリコン半導体基板である。この基板１の表面に
は、光入射により生成した信号電荷を蓄積ダイオードに
蓄積するためのN+型の不純物層２とN++型の不純物層
５、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷を読出して垂
直CCDにおけるチャネルを形成するためのN+型の不純物
層31,32P+型の不純物層（チャネル・ストッパ）41,42が
形成されている。前記基板１上には絶縁膜61,62が形成
され、該絶縁膜61,62には第１の多結晶シリコンゲート
電極71,72と第２の多結晶シリコンゲート電極81,82が段
階的に所定距離おいて設けられ、また不純物層５に一部
が接合された第１電極例えばAl電極141142が形成されて
いる。さらにこの第1Al電極141,142の一部及び絶縁膜10
1,102の一部の表面に第２電極、例えばAl電極111,112が
形成されている。さらにアモルファスシリコン光導電膜
12が形成され、その上に透明電極としてITO電極13が形
成される。さらにその上に光シールド層としてCr層161,
162が形成される。
は、第２図に示す白黒用インターライン転送方式で光導
電膜にＨ型アモルファスシリコン膜ａ−Si:H12を用いた
アモルファスシリコン積層型CCDイメージセンサが知ら
れている。ここで第２図はその断面図である。図中１は
ｐ型シリコン半導体基板である。この基板１の表面に
は、光入射により生成した信号電荷を蓄積ダイオードに
蓄積するためのN+型の不純物層２とN++型の不純物層
５、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷を読出して垂
直CCDにおけるチャネルを形成するためのN+型の不純物
層31,32P+型の不純物層（チャネル・ストッパ）41,42が
形成されている。前記基板１上には絶縁膜61,62が形成
され、該絶縁膜61,62には第１の多結晶シリコンゲート
電極71,72と第２の多結晶シリコンゲート電極81,82が段
階的に所定距離おいて設けられ、また不純物層５に一部
が接合された第１電極例えばAl電極141142が形成されて
いる。さらにこの第1Al電極141,142の一部及び絶縁膜10
1,102の一部の表面に第２電極、例えばAl電極111,112が
形成されている。さらにアモルファスシリコン光導電膜
12が形成され、その上に透明電極としてITO電極13が形
成される。さらにその上に光シールド層としてCr層161,
162が形成される。
上記したような構造からなる白黒用インターライン転
送方式のアモルファスシリコン積層型CCDイメージセン
サにおいては、光シールド層161,162がアモルファスシ
リコン膜12上に形成されるため、アモルファスシリコン
膜12に入射した光がアモルファスシリコン膜内で散乱す
るため、光電変換されなかった光の一部が第２電極111,
112の間隙を通して、シリコン基板１内に到達しそこで
光電変換され、隣接画素のチャネル31,32等にその電子
が到達する結果、スミアを発生させ問題となる。また、
光シールドのためにCr層161,162を形成しなければなら
ず、工程が多くなる。
送方式のアモルファスシリコン積層型CCDイメージセン
サにおいては、光シールド層161,162がアモルファスシ
リコン膜12上に形成されるため、アモルファスシリコン
膜12に入射した光がアモルファスシリコン膜内で散乱す
るため、光電変換されなかった光の一部が第２電極111,
112の間隙を通して、シリコン基板１内に到達しそこで
光電変換され、隣接画素のチャネル31,32等にその電子
が到達する結果、スミアを発生させ問題となる。また、
光シールドのためにCr層161,162を形成しなければなら
ず、工程が多くなる。
（発明が解決しようとする問題点） 前項で記載したように、アモルファスシリコン膜12上
に光シールド層161,162を形成するのは光シールドの効
果が弱く、また光シールド層161,162形成のため工程数
がその分増える。本発明は上述した従来装置の欠点を改
良したもので、光シールドの効果を向上し、スミアを少
なくすることができ、しかも光シールド層161,162形成
のために工程数を増やす必要のない装置を提供すること
を目的とする。
に光シールド層161,162を形成するのは光シールドの効
果が弱く、また光シールド層161,162形成のため工程数
がその分増える。本発明は上述した従来装置の欠点を改
良したもので、光シールドの効果を向上し、スミアを少
なくすることができ、しかも光シールド層161,162形成
のために工程数を増やす必要のない装置を提供すること
を目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本発明は第１電極91,92の材料にポリサイド，メタル
シリサイド，等の光の透過の少ない材料を選び、第１電
極91,92と同時に光シールド層151,152を形成し、シリコ
ン基板１により近くに光シールド層151,152を設ける。
シリサイド，等の光の透過の少ない材料を選び、第１電
極91,92と同時に光シールド層151,152を形成し、シリコ
ン基板１により近くに光シールド層151,152を設ける。
（作用） 本発明により、アモルファスシリコン膜12を通過し、
主に第２電極111,112間隙を介して、シリコン基板１に
到達する光は、光シールド層151152により低減すること
ができ、しかも光シールド層151,152形成のために工程
を特に増やす必要がない。
主に第２電極111,112間隙を介して、シリコン基板１に
到達する光は、光シールド層151152により低減すること
ができ、しかも光シールド層151,152形成のために工程
を特に増やす必要がない。
（実施例） まず、Ｐ型シリコン基板１表面に公知の所定の方法に
より選択拡散、エッチング処理等を行ない光入射により
生成した信号電荷を蓄積ダイオードに蓄積するためのN+
の不純物層２、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷を
読出して垂直CCDにおけるチャネルを形成するためのN+
型の不純物層31,32を形成した。つづいてＮの不純物層
２上の一部の絶縁膜61,62をシリコン基板表面までエッ
チングし、イオン注入法によりＮの不純物層５を形成し
た後、第１電極91,92及び光シールド層151,152をモリブ
デンシリサイドとその下の多結晶シリコンとの積層膜か
ら成るポリサイドにて形成した。さらに絶縁膜10をその
上に形成した。（第１図（ａ）図示） 次いで、前記絶縁膜10を開口し、第２電極例えばAlSi
電極111,112を形成した（第１図（ｂ）図示）。
より選択拡散、エッチング処理等を行ない光入射により
生成した信号電荷を蓄積ダイオードに蓄積するためのN+
の不純物層２、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷を
読出して垂直CCDにおけるチャネルを形成するためのN+
型の不純物層31,32を形成した。つづいてＮの不純物層
２上の一部の絶縁膜61,62をシリコン基板表面までエッ
チングし、イオン注入法によりＮの不純物層５を形成し
た後、第１電極91,92及び光シールド層151,152をモリブ
デンシリサイドとその下の多結晶シリコンとの積層膜か
ら成るポリサイドにて形成した。さらに絶縁膜10をその
上に形成した。（第１図（ａ）図示） 次いで、前記絶縁膜10を開口し、第２電極例えばAlSi
電極111,112を形成した（第１図（ｂ）図示）。
次いで、Ｈ型のアモルファスシリコンａ−Si:H12を例
えばグロー放電CVD法にて形成後、ITO電極13を形成した
（第１図（ｃ））。
えばグロー放電CVD法にて形成後、ITO電極13を形成した
（第１図（ｃ））。
本発明に関わるアモルファスシリコン膜積層型CCDイ
メージセンサは、白黒用インターライン転送方式に関わ
らず、カラー用の１次元,2次元センサのアモルファスシ
リコン膜積層型CCDイメージセンサにも適用できる。ま
た実施例ではポリサイド膜を用いたが、光の透過の少な
い膜で、それ自身導電性を有するものならば適用可能で
ある。
メージセンサは、白黒用インターライン転送方式に関わ
らず、カラー用の１次元,2次元センサのアモルファスシ
リコン膜積層型CCDイメージセンサにも適用できる。ま
た実施例ではポリサイド膜を用いたが、光の透過の少な
い膜で、それ自身導電性を有するものならば適用可能で
ある。
以上発明した如く、スミヤ等を防止しつつ工程の簡略
化を図る事が可能となる。
化を図る事が可能となる。
第１図は、本発明の実施例である白黒用インターライン
転送方式アモルファスシリコン膜積層型CCDイメージセ
ンサの製造工程を示す断面図、第２図は従来の白黒用イ
ンターライン転送方式アモルファスシリコン膜積層型CC
Dイメージセンサの断面図である。 １……Ｐ型シリコン半導体基板、２……N+型の不純物層
（蓄積ダイオード）、31,32……N+型の不純物層（チャ
ネル）、41,42……p+型の不純物層（チャネル・ストッ
パー）、５……N++型の不純物層（蓄積ダイオード）、6
1,62……絶縁膜、71,72……第１の多結晶シリコン・ゲ
ート電極、81,82……第２の多結晶シリコン・ゲート電
極、91,92……第１電極（Me−Siポリサイド電極）、10,
101,102……絶縁膜、111,112……第２電極（Al−Si電
極）、12……Ｈ型アモルファスシリコン膜、13……ITO
電極、141,142……第１電極（Al−Si電極）、151,152…
…光シールド層（Mo−Siポリサイド）、161,162……光
シールド層（Cr）。
転送方式アモルファスシリコン膜積層型CCDイメージセ
ンサの製造工程を示す断面図、第２図は従来の白黒用イ
ンターライン転送方式アモルファスシリコン膜積層型CC
Dイメージセンサの断面図である。 １……Ｐ型シリコン半導体基板、２……N+型の不純物層
（蓄積ダイオード）、31,32……N+型の不純物層（チャ
ネル）、41,42……p+型の不純物層（チャネル・ストッ
パー）、５……N++型の不純物層（蓄積ダイオード）、6
1,62……絶縁膜、71,72……第１の多結晶シリコン・ゲ
ート電極、81,82……第２の多結晶シリコン・ゲート電
極、91,92……第１電極（Me−Siポリサイド電極）、10,
101,102……絶縁膜、111,112……第２電極（Al−Si電
極）、12……Ｈ型アモルファスシリコン膜、13……ITO
電極、141,142……第１電極（Al−Si電極）、151,152…
…光シールド層（Mo−Siポリサイド）、161,162……光
シールド層（Cr）。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板表面に蓄積ダイオード、及びこ
れに隣接して垂直CCDの為のチャネル層を形成する工程
と、前記半導体基板上に第１の絶縁膜を形成した後、前
記蓄積ダイオードの所定位置を開口すべく第１の絶縁膜
を除去する工程と、この露出された半導体基板から前記
第１の絶縁膜にわたって第１電極及び光シールド層を同
層で形成する工程と、この第１電極及び光シールド層上
に第２の絶縁膜を形成する工程と、この第２の絶縁膜を
開口し前記第１電極と接続すべく第２の電極を形成する
と共に前記光シールド層上の第２の電極を除去する工程
と、この第２の絶縁膜上に光導電膜を形成する工程とを
具備した事を特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61308283A JP2514941B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61308283A JP2514941B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164271A JPS63164271A (ja) | 1988-07-07 |
| JP2514941B2 true JP2514941B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=17979168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61308283A Expired - Lifetime JP2514941B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2514941B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04152673A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP4538336B2 (ja) * | 2005-02-10 | 2010-09-08 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
| JPWO2013001809A1 (ja) | 2011-06-30 | 2015-02-23 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154977A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS6051376A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS60262459A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61308283A patent/JP2514941B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63164271A (ja) | 1988-07-07 |
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