JPH04315474A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH04315474A JPH04315474A JP3108874A JP10887491A JPH04315474A JP H04315474 A JPH04315474 A JP H04315474A JP 3108874 A JP3108874 A JP 3108874A JP 10887491 A JP10887491 A JP 10887491A JP H04315474 A JPH04315474 A JP H04315474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- forming
- layer
- solid
- sidewall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 3
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は固体撮像素子の製造方
法に関し、特にその遮光膜の形成方法に関するものであ
る。
法に関し、特にその遮光膜の形成方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の製造方法により製造された
固体撮像素子の構成を示す断面図であり、図において、
Ｐ型半導体基板１に光電変換用ｎ型半導体層２及び埋め
込みチャネル形成用ｎ型半導体層３が形成され、この光
電変換用ｎ型半導体層２と埋め込みチャネル形成用ｎ型
半導体層３とはその間に高濃度のＰ型半導体層４が設け
られ分離されている。またＰ型半導体基板１上にはシリ
コン酸化膜５を介して電荷転送用のポリシリコン電極６
及びタングステンシリサイドからなる遮光膜７が設けら
れている。
固体撮像素子の構成を示す断面図であり、図において、
Ｐ型半導体基板１に光電変換用ｎ型半導体層２及び埋め
込みチャネル形成用ｎ型半導体層３が形成され、この光
電変換用ｎ型半導体層２と埋め込みチャネル形成用ｎ型
半導体層３とはその間に高濃度のＰ型半導体層４が設け
られ分離されている。またＰ型半導体基板１上にはシリ
コン酸化膜５を介して電荷転送用のポリシリコン電極６
及びタングステンシリサイドからなる遮光膜７が設けら
れている。
【０００３】次に製造方法について説明する。半導体基
板１表面に光電変換用ｎ型半導体層２，埋め込みチャネ
ル形成用ｎ型半導体層３，高濃度のＰ型半導体層４を形
成し、さらに基板１表面にシリコン酸化膜５を介して上
記埋め込みチャネル形成用ｎ型半導体層３上方にポリシ
リコンを用いて電荷転送電極６を形成する。
板１表面に光電変換用ｎ型半導体層２，埋め込みチャネ
ル形成用ｎ型半導体層３，高濃度のＰ型半導体層４を形
成し、さらに基板１表面にシリコン酸化膜５を介して上
記埋め込みチャネル形成用ｎ型半導体層３上方にポリシ
リコンを用いて電荷転送電極６を形成する。
【０００４】その後タングステンシリサイドを基板１全
面にスパッタし、これを写真製版法，エッチング法にて
光電変換用ｎ型半導体層２を除く所望の形状にパターニ
ングすることで遮光膜を形成する。
面にスパッタし、これを写真製版法，エッチング法にて
光電変換用ｎ型半導体層２を除く所望の形状にパターニ
ングすることで遮光膜を形成する。
【０００５】次に動作について説明する。矢印で示すよ
うに図中上方から入射した光は、ｎ型半導体層２で光電
変換され蓄積される。そしてこのｎ型半導体層２に蓄積
された電荷をポリシリコン電極６に印加される信号に基
づくタイミングで埋め込みチャネル層３へ移動させると
ともに、紙面に垂直方向に転送させていく。なおタング
ステンシリサイド層７は光が埋め込みチャネル層３に直
接入射して偽信号となり誤動作することを防ぐ遮光の役
割を果たす。
うに図中上方から入射した光は、ｎ型半導体層２で光電
変換され蓄積される。そしてこのｎ型半導体層２に蓄積
された電荷をポリシリコン電極６に印加される信号に基
づくタイミングで埋め込みチャネル層３へ移動させると
ともに、紙面に垂直方向に転送させていく。なおタング
ステンシリサイド層７は光が埋め込みチャネル層３に直
接入射して偽信号となり誤動作することを防ぐ遮光の役
割を果たす。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の固体撮像素子の
製造方法は以上のように構成されており、タングステン
シリサイドを用いた遮光膜は１回のスパッタで形成され
ているために、ポリシリコンからなる転送電極の断差部
の側壁で膜厚が薄く、斜めからの入射光が透過してしま
いチャネル層に直接入射して偽信号となり、いわゆるス
ミアの原因になるという問題点があった。
製造方法は以上のように構成されており、タングステン
シリサイドを用いた遮光膜は１回のスパッタで形成され
ているために、ポリシリコンからなる転送電極の断差部
の側壁で膜厚が薄く、斜めからの入射光が透過してしま
いチャネル層に直接入射して偽信号となり、いわゆるス
ミアの原因になるという問題点があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、場所により遮光能力の低下を招
くことのない遮光膜を有する固体撮像素子の製造方法を
提供することを目的とする。
ためになされたもので、場所により遮光能力の低下を招
くことのない遮光膜を有する固体撮像素子の製造方法を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る固体撮像
素子の製造方法は、転送電極側壁部にサイドウォール状
の第１の遮光層を形成し、光電変換部を除く基板表面全
域を覆う第２の遮光層を形成して遮光膜を形成するよう
にしたものである。
素子の製造方法は、転送電極側壁部にサイドウォール状
の第１の遮光層を形成し、光電変換部を除く基板表面全
域を覆う第２の遮光層を形成して遮光膜を形成するよう
にしたものである。
【０００９】
【作用】この発明においては、１回目のスパッタで転送
電極側壁部にサイドウォール状の第１の遮光層を形成し
、その上から再度スパッタを行い光電変換部を除く基板
表面全域を覆う第２の遮光層を形成することで遮光膜を
得るようにしたから、転送電極側壁部近傍においても遮
光膜の膜厚がほぼ均一に形成される。
電極側壁部にサイドウォール状の第１の遮光層を形成し
、その上から再度スパッタを行い光電変換部を除く基板
表面全域を覆う第２の遮光層を形成することで遮光膜を
得るようにしたから、転送電極側壁部近傍においても遮
光膜の膜厚がほぼ均一に形成される。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本発明の一実施例による固体撮像素子の製
造方法を示す工程断面図であり、図２と同一符号は同一
または相当部分を示し、７ａは１回目のスパッタの後転
送電極６の側壁部に残されたサイドウォール状の第１の
遮光層であり、８は２回目のスパッタにより形成された
タングステンシリサイド層、８ａはタングステンシリサ
イド層をパターニングして得られた第２の遮光層である
。
する。図１は本発明の一実施例による固体撮像素子の製
造方法を示す工程断面図であり、図２と同一符号は同一
または相当部分を示し、７ａは１回目のスパッタの後転
送電極６の側壁部に残されたサイドウォール状の第１の
遮光層であり、８は２回目のスパッタにより形成された
タングステンシリサイド層、８ａはタングステンシリサ
イド層をパターニングして得られた第２の遮光層である
。
【００１１】次に製造方法について説明する。まず従来
と同様にして電荷転送用ポリシリコン電極６を基板１上
にシリコン酸化膜５を介して形成し、遮光用のタングス
テンシリサイド７を基板全面にスパッタする（図１（ａ
））。次いでこのタングステンシリサイド７を全面異方
性エッチングしてポリシリコン電極６側壁部のみ残しサ
イドウォール状の第１の遮光層７ａとする（図１（ｂ）
）。 そしてこの状態で再びタングステンシリサイド８をスパ
ッタする（図１（ｃ））。最後に、従来と同様にこのタ
ングステンシリサイド８を写真製版法，エッチング法で
加工して第２の遮光層８ａを形成して遮光膜とする。
と同様にして電荷転送用ポリシリコン電極６を基板１上
にシリコン酸化膜５を介して形成し、遮光用のタングス
テンシリサイド７を基板全面にスパッタする（図１（ａ
））。次いでこのタングステンシリサイド７を全面異方
性エッチングしてポリシリコン電極６側壁部のみ残しサ
イドウォール状の第１の遮光層７ａとする（図１（ｂ）
）。 そしてこの状態で再びタングステンシリサイド８をスパ
ッタする（図１（ｃ））。最後に、従来と同様にこのタ
ングステンシリサイド８を写真製版法，エッチング法で
加工して第２の遮光層８ａを形成して遮光膜とする。
【００１２】このように本実施例では、タングステンシ
リサイドを２回に分けてスパッタし、１回目のスパッタ
で転送電極６側壁部にサイドウォール状の第１の遮光層
７ａを形成した後、再度タングステンシリサイドを基板
全面にスパッタしてこれをパターニングして第２の遮光
層８ａを形成して遮光膜を得るようにしたから、ポリシ
リコン電極６側壁部の遮光膜の膜厚が他の部分と比べて
薄くなっておらず、ほぼ均一な膜厚とすることができ、
従ってポリシリコン電極６側壁に光が入射して従来のよ
うなスミアが起こることがない。
リサイドを２回に分けてスパッタし、１回目のスパッタ
で転送電極６側壁部にサイドウォール状の第１の遮光層
７ａを形成した後、再度タングステンシリサイドを基板
全面にスパッタしてこれをパターニングして第２の遮光
層８ａを形成して遮光膜を得るようにしたから、ポリシ
リコン電極６側壁部の遮光膜の膜厚が他の部分と比べて
薄くなっておらず、ほぼ均一な膜厚とすることができ、
従ってポリシリコン電極６側壁に光が入射して従来のよ
うなスミアが起こることがない。
【００１３】なお上記実施例では遮光膜を形成する遮光
層７ａ，８ａの材質としてタングステンシリサイドを用
いて説明したが、遮光膜の材質はこれに限られるもので
はなく、例えばチタンやモリブデン，アルミ等の金属あ
るいはそれらのシリサイドを用いてもよい。
層７ａ，８ａの材質としてタングステンシリサイドを用
いて説明したが、遮光膜の材質はこれに限られるもので
はなく、例えばチタンやモリブデン，アルミ等の金属あ
るいはそれらのシリサイドを用いてもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る固体撮像
素子の製造方法によれば、１回目のスパッタで転送電極
側壁部にサイドウォール状の第１の遮光層を形成した後
、２回目のスパッタで光電変換部を除く基板全面を遮光
する第２の遮光層を形成して遮光膜を得るようにしたか
ら、場所によらず均一性の良い膜厚を有する遮光膜を形
成することができ、転送電極側壁部からの入射光も充分
に遮光することができ、その結果スミアを低減できると
いう効果がある。
素子の製造方法によれば、１回目のスパッタで転送電極
側壁部にサイドウォール状の第１の遮光層を形成した後
、２回目のスパッタで光電変換部を除く基板全面を遮光
する第２の遮光層を形成して遮光膜を得るようにしたか
ら、場所によらず均一性の良い膜厚を有する遮光膜を形
成することができ、転送電極側壁部からの入射光も充分
に遮光することができ、その結果スミアを低減できると
いう効果がある。
【図１】この発明の一実施例による固体撮像素子の製造
方法を示す工程断面図。
方法を示す工程断面図。
【図２】従来の固体撮像素子の構造を示す図。
１ Ｐ型半導体基板
２ 光電変換用ｎ型半導体層
３ 埋め込みチャネル形成用ｎ型半導体層４
分離用高濃度Ｐ型半導体層 ５ シリコン酸化膜 ６ 電荷転送用ポリシリコン電極７ １回
目のスパッタにより形成されたタングステンシリサイド
層 ７ａ 第１の遮光層 ８ ２回目のスパッタにより形成されたタングス
テンシリサイド層 ８ａ 第２の遮光層
分離用高濃度Ｐ型半導体層 ５ シリコン酸化膜 ６ 電荷転送用ポリシリコン電極７ １回
目のスパッタにより形成されたタングステンシリサイド
層 ７ａ 第１の遮光層 ８ ２回目のスパッタにより形成されたタングス
テンシリサイド層 ８ａ 第２の遮光層
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に、光電変換部及び
該光電変換部で光電変換された光電荷を転送するための
埋め込みチャネル層を形成し、該埋め込みチャネル層上
方に絶縁膜を介して転送電極を形成し、さらに上記光電
変換部を除く基板表面全域を覆う遮光膜を形成する工程
を有する固体撮像素子の製造方法において、上記遮光膜
を形成する工程は、上記転送電極側壁部にサイドウォー
ル状の第１の遮光層を形成する工程と、上記光電転換部
を除く基板表面全域を覆う第２の遮光層を形成する工程
とからなることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3108874A JPH04315474A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3108874A JPH04315474A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04315474A true JPH04315474A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=14495784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3108874A Pending JPH04315474A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04315474A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5600153A (en) * | 1994-10-07 | 1997-02-04 | Micron Technology, Inc. | Conductive polysilicon lines and thin film transistors |
| US5804838A (en) * | 1995-05-26 | 1998-09-08 | Micron Technology, Inc. | Thin film transistors |
| US6204521B1 (en) | 1998-08-28 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | Thin film transistors |
| CN103037174A (zh) * | 2011-10-07 | 2013-04-10 | 索尼公司 | 固态成像装置和其制造方法以及成像单元 |
-
1991
- 1991-04-12 JP JP3108874A patent/JPH04315474A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5600153A (en) * | 1994-10-07 | 1997-02-04 | Micron Technology, Inc. | Conductive polysilicon lines and thin film transistors |
| US5658807A (en) * | 1994-10-07 | 1997-08-19 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming conductive polysilicon lines and bottom gated thin film transistors |
| US5670794A (en) * | 1994-10-07 | 1997-09-23 | Micron Technology, Inc. | Thin film transistors |
| US5985702A (en) * | 1994-10-07 | 1999-11-16 | Micron Technology, Inc, | Methods of forming conductive polysilicon lines and bottom gated thin film transistors, and conductive polysilicon lines and thin film transistors |
| US5804838A (en) * | 1995-05-26 | 1998-09-08 | Micron Technology, Inc. | Thin film transistors |
| US6204521B1 (en) | 1998-08-28 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | Thin film transistors |
| CN103037174A (zh) * | 2011-10-07 | 2013-04-10 | 索尼公司 | 固态成像装置和其制造方法以及成像单元 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04196167A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2000077641A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH04315474A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP2959504B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH04207076A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2795241B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2514941B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP3417231B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2780512B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2780294B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH05167052A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP4494173B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP4784054B2 (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH06260629A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPH04354161A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH04279061A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH04279037A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH0456275A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2002164522A (ja) | 固体撮像素子とその製造方法 | |
| JPS6350057A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH07161957A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH06232381A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPS63140568A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH03116782A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0221659A (ja) | 固体撮像装置 |