JPH0456275A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0456275A JPH0456275A JP2167192A JP16719290A JPH0456275A JP H0456275 A JPH0456275 A JP H0456275A JP 2167192 A JP2167192 A JP 2167192A JP 16719290 A JP16719290 A JP 16719290A JP H0456275 A JPH0456275 A JP H0456275A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicon oxynitride
- silicon
- gate electrode
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 28
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 abstract 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 abstract 1
- LKTZODAHLMBGLG-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon;$l^{2}-alumanylidenesilylidenealuminum Chemical compound [Si]#[Al].[Si]#[Al].[Al]=[Si]=[Al] LKTZODAHLMBGLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像装置の製造方法に関し、特にスミアの
発生を低減する固体撮像装置の製造方法に関する。
発生を低減する固体撮像装置の製造方法に関する。
従来の技術
従来の固体撮像装置の製造方法について第２図に従って
説明する。
説明する。
第２図において、１はＮ型半導体、２はＰウェル層、３
は受光部のＮ型不純物層、４は電荷転送部のＮウェル層
、５は素子分離用のＰ＋不純物層、６はゲート絶縁膜、
７は多結晶シリコンゲート電極、８はシリコン酸化膜、
９はＣＶＤ酸化膜、１０はアルミニウムあるいはアルミ
ニウムシリサイドからなる遮光膜、１１はＣＶＤ絶縁膜
からなる表面保護膜、１２は斜めからの入射光を示す。
は受光部のＮ型不純物層、４は電荷転送部のＮウェル層
、５は素子分離用のＰ＋不純物層、６はゲート絶縁膜、
７は多結晶シリコンゲート電極、８はシリコン酸化膜、
９はＣＶＤ酸化膜、１０はアルミニウムあるいはアルミ
ニウムシリサイドからなる遮光膜、１１はＣＶＤ絶縁膜
からなる表面保護膜、１２は斜めからの入射光を示す。
すなわち、第２図のように、Ｎ型半導体基板１表面にＰ
ウェル層２と受光部のＮ型不純物層３と電荷転送部のＮ
ウェル層４、素子分離用のＰ＋不純物層５、ゲート酸化
膜６、多結晶シリコンゲート電極７を形成した後、多結
晶シリコンゲート電極７上に熱酸化によるシリコン酸化
膜８を形成し、ＣＶＤ法によって全面にＣＶＤ酸化膜９
を形成し、さらに多結晶シリコンゲート電極７の上方に
、シリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜９を介して、スパッ
タ法によりアルミニウムあるいはアルミニウムシリサイ
ドからなる遮光膜１０を形成し、最後にＣＶＤ絶縁膜か
らなる表面保護膜１２を形成する。
ウェル層２と受光部のＮ型不純物層３と電荷転送部のＮ
ウェル層４、素子分離用のＰ＋不純物層５、ゲート酸化
膜６、多結晶シリコンゲート電極７を形成した後、多結
晶シリコンゲート電極７上に熱酸化によるシリコン酸化
膜８を形成し、ＣＶＤ法によって全面にＣＶＤ酸化膜９
を形成し、さらに多結晶シリコンゲート電極７の上方に
、シリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜９を介して、スパッ
タ法によりアルミニウムあるいはアルミニウムシリサイ
ドからなる遮光膜１０を形成し、最後にＣＶＤ絶縁膜か
らなる表面保護膜１２を形成する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の固体撮像装置の製造方法におい
ては、遮光膜１０による各受光部の光学的分離が十分で
ない。特にＣＣＤ （ＣｈａｒｇｅＣｏｕｐｌｅｄ Ｄ
ｅｖｉｃｅ）型の固体撮像装置では、第２図に示され
るように、斜めからの入射光１２により所定の受光部の
Ｎ型不純物層３以外の場所に発生した電荷が隣接する電
荷転送部のＮウェル層４に洩れ込み、この洩れ込んだ電
荷によってスミアが発生するという問題があった。
ては、遮光膜１０による各受光部の光学的分離が十分で
ない。特にＣＣＤ （ＣｈａｒｇｅＣｏｕｐｌｅｄ Ｄ
ｅｖｉｃｅ）型の固体撮像装置では、第２図に示され
るように、斜めからの入射光１２により所定の受光部の
Ｎ型不純物層３以外の場所に発生した電荷が隣接する電
荷転送部のＮウェル層４に洩れ込み、この洩れ込んだ電
荷によってスミアが発生するという問題があった。
従来この問題に対して、ＣＶＤ酸化膜９を薄膜化して遮
光膜１０と受光部のＮ型不純物層３の表面との間隔を小
さくすることによって対処して（Ｘるが、ＣＶＤ酸化膜
９の膜厚を薄くするとアルミニウムあるいはアルミニウ
ムシリサイドからなる遮光膜１０と多結晶シリコンゲー
ト電極７間の絶縁耐圧が劣化するという問題があった。
光膜１０と受光部のＮ型不純物層３の表面との間隔を小
さくすることによって対処して（Ｘるが、ＣＶＤ酸化膜
９の膜厚を薄くするとアルミニウムあるいはアルミニウ
ムシリサイドからなる遮光膜１０と多結晶シリコンゲー
ト電極７間の絶縁耐圧が劣化するという問題があった。
本発明はこのような課題を解決するもので、遮光膜と多
結晶シリコンゲート電極間の絶縁耐圧を劣化させること
なくスミアの発生を低減する固体撮像装置の製造方法を
提供することを目的とするものである。
結晶シリコンゲート電極間の絶縁耐圧を劣化させること
なくスミアの発生を低減する固体撮像装置の製造方法を
提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために、本発明は、−導電型半導体
基板上に受光部と電荷転送部とを形成する工程と、前記
半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記電
荷転送部上方の前記第１の絶縁膜上に転送電極を形成す
る工程と、シリコン酸化膜を介して、ジクロールシラン
と亜酸化窒素とアンモニアを原料とする減圧ＣＶＤによ
りシリコンオキシナイトライド膜を堆積して、前記受光
部上に窓を有する遮光膜と前記転送電極間に前記シリコ
ン酸化膜と前記シリコンオキシナイトライド膜の２層膜
からなる層間絶縁膜を形成する工程を備えている。
基板上に受光部と電荷転送部とを形成する工程と、前記
半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記電
荷転送部上方の前記第１の絶縁膜上に転送電極を形成す
る工程と、シリコン酸化膜を介して、ジクロールシラン
と亜酸化窒素とアンモニアを原料とする減圧ＣＶＤによ
りシリコンオキシナイトライド膜を堆積して、前記受光
部上に窓を有する遮光膜と前記転送電極間に前記シリコ
ン酸化膜と前記シリコンオキシナイトライド膜の２層膜
からなる層間絶縁膜を形成する工程を備えている。
作用
本発明では、遮光膜と転送電極間の層間絶縁膜がシリコ
ン酸化膜とシリコンオキシナイトライド膜の２層膜から
なり、前記シリコンオキシナイトライド膜の絶縁耐圧は
ＣＶＤ酸化膜の２倍以上あるので、スミア発生を抑制す
るためにシリコンオキシナイトライド膜の膜厚を薄くし
ても遮光膜と転送電極間の絶縁耐圧は劣化しない。
ン酸化膜とシリコンオキシナイトライド膜の２層膜から
なり、前記シリコンオキシナイトライド膜の絶縁耐圧は
ＣＶＤ酸化膜の２倍以上あるので、スミア発生を抑制す
るためにシリコンオキシナイトライド膜の膜厚を薄くし
ても遮光膜と転送電極間の絶縁耐圧は劣化しない。
実施例
以下、本発明の一実施例について、第１図に基づいて説
明する。
明する。
第１図において、Ｎ型半導体基板１表面にＰウェル層２
と受光部のＮ型不純物層３と電荷転送部のＮウェル層４
、素子分離用のＰ＋不純物層５を形成した後、電荷転送
部のＮ型半導体基板１上にゲート絶縁膜６を介して転送
電極として多結晶シリコンゲート電極７を形成し、さら
にこの多結晶シリコンゲート電極７上に熱酸化によるシ
リコン酸化膜８を形成し、次に、ジクロールシランと亜
酸化窒素とアンモニアを原料ガスとして減圧ＣＶＤ法に
より、反応圧力０．２〜１． ＯＴｏｒｒ、成長温度７
００〜８００℃にて、全面に約３００人の膜厚のシリコ
ンオキシナイトライド膜１３を形成した後、スパッタ法
により、アルミニウムあるいはアルミニウムシリサイド
からなる遮光膜１０を約８０００人形成する。次いで、
フォトレジストパターンをマスクとして異方性ドライエ
ツチング法により、遮光膜１０とシリコンオキシナイト
ライド膜１３を同時に選択的にエツチングして、多結晶
シリコゲート電極７の上方に、シリコン酸化膜８とシリ
コンオキシナイトライド膜１３の２層膜を介してアルミ
ニウムあるいはアルミニウムシリサイドからなる遮光膜
１０を形成し、最後に、ＣＶＤ絶縁膜からなる表面保護
膜１１を約４０００人形成する。
と受光部のＮ型不純物層３と電荷転送部のＮウェル層４
、素子分離用のＰ＋不純物層５を形成した後、電荷転送
部のＮ型半導体基板１上にゲート絶縁膜６を介して転送
電極として多結晶シリコンゲート電極７を形成し、さら
にこの多結晶シリコンゲート電極７上に熱酸化によるシ
リコン酸化膜８を形成し、次に、ジクロールシランと亜
酸化窒素とアンモニアを原料ガスとして減圧ＣＶＤ法に
より、反応圧力０．２〜１． ＯＴｏｒｒ、成長温度７
００〜８００℃にて、全面に約３００人の膜厚のシリコ
ンオキシナイトライド膜１３を形成した後、スパッタ法
により、アルミニウムあるいはアルミニウムシリサイド
からなる遮光膜１０を約８０００人形成する。次いで、
フォトレジストパターンをマスクとして異方性ドライエ
ツチング法により、遮光膜１０とシリコンオキシナイト
ライド膜１３を同時に選択的にエツチングして、多結晶
シリコゲート電極７の上方に、シリコン酸化膜８とシリ
コンオキシナイトライド膜１３の２層膜を介してアルミ
ニウムあるいはアルミニウムシリサイドからなる遮光膜
１０を形成し、最後に、ＣＶＤ絶縁膜からなる表面保護
膜１１を約４０００人形成する。
発明の効果
以上のように本発明によれば、遮光膜と転送電極間の層
間絶縁膜がシリコン酸化膜とシリコンオキシナイトライ
ド膜の２層膜からなるため、スミア発生を抑制するため
にシリコンオキシナイトライド膜の膜厚を薄くしても遮
光膜と転送電極間の絶縁耐圧の劣化を防止できる効果が
得られ、所望の特性の固体撮像装置を提供することがで
きる。
間絶縁膜がシリコン酸化膜とシリコンオキシナイトライ
ド膜の２層膜からなるため、スミア発生を抑制するため
にシリコンオキシナイトライド膜の膜厚を薄くしても遮
光膜と転送電極間の絶縁耐圧の劣化を防止できる効果が
得られ、所望の特性の固体撮像装置を提供することがで
きる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成断面図、第２図は
従来例を示す構成断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐウェ
ル層、３・・・・・・受光部のＮ型不純物層、４・・・
・・・電荷転送部のＮウェル層、５・・・・・・素子分
離用のＰ＋不純物層、６・・・・・・ゲート絶縁膜、７
・・・・・・多結晶シリコンゲート電極、８・・・・・
・シリコン酸化膜、９・・・・・・ＣＶＤ酸化膜、１０
・・・・・・アルミニウムあるいはアルミニウムシリサ
イドからなる遮光膜、１１・・・・・・ＣｖＤ絶縁膜か
らなる表面保護膜、１２・・・・・・斜めからの入射光
、１３・・・・・・シリコンオキシナイトライド膜。
従来例を示す構成断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐウェ
ル層、３・・・・・・受光部のＮ型不純物層、４・・・
・・・電荷転送部のＮウェル層、５・・・・・・素子分
離用のＰ＋不純物層、６・・・・・・ゲート絶縁膜、７
・・・・・・多結晶シリコンゲート電極、８・・・・・
・シリコン酸化膜、９・・・・・・ＣＶＤ酸化膜、１０
・・・・・・アルミニウムあるいはアルミニウムシリサ
イドからなる遮光膜、１１・・・・・・ＣｖＤ絶縁膜か
らなる表面保護膜、１２・・・・・・斜めからの入射光
、１３・・・・・・シリコンオキシナイトライド膜。
Claims (1)
- 一導電型半導体基板上に受光部と電荷転送部とを形成
する工程と、前記半導体基板上に第１の絶縁膜を形成す
る工程と、前記電荷転送部上方の前記第１の絶縁膜上に
転送電極を形成する工程と、シリコン酸化膜を介して、
ジクロールシランと亜酸化窒素とアンモニアを原料とす
る減圧ＣＶＤによりシリコンオキシナイトライド膜を堆
積して、前記受光部上に窓を有する遮光膜と前記転送電
極間に前記シリコン酸化膜と前記シリコンオキシナイト
ライド膜の２層膜からなる層間絶縁膜を形成する工程を
具備することを特徴とした固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167192A JPH0456275A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167192A JPH0456275A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456275A true JPH0456275A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15845138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2167192A Pending JPH0456275A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456275A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669478A (ja) * | 1992-08-17 | 1994-03-11 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US7338833B2 (en) * | 1999-10-15 | 2008-03-04 | Xerox Corporation | Dual dielectric structure for suppressing lateral leakage current in high fill factor arrays |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2167192A patent/JPH0456275A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669478A (ja) * | 1992-08-17 | 1994-03-11 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US7338833B2 (en) * | 1999-10-15 | 2008-03-04 | Xerox Corporation | Dual dielectric structure for suppressing lateral leakage current in high fill factor arrays |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000012817A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP3003590B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JPS63244879A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3214432B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| US4894701A (en) | Semiconductor device detector and method of forming same | |
| JPH0456275A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP3110524B2 (ja) | Ｃｃｄ固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JPH07176714A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07161957A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH10125892A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH0456273A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04315474A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| KR20000008283A (ko) | 고체 촬상 소자 및 그 제조방법 | |
| JPH0456274A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0669478A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH0456272A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH07106543A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP3092271B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP3663832B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
| JP2591183B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH04225564A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP3733891B2 (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 | |
| JP2002190587A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH10294312A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JPH07122721A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 |