JPH07161957A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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- JPH07161957A JPH07161957A JP5306296A JP30629693A JPH07161957A JP H07161957 A JPH07161957 A JP H07161957A JP 5306296 A JP5306296 A JP 5306296A JP 30629693 A JP30629693 A JP 30629693A JP H07161957 A JPH07161957 A JP H07161957A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 遮光膜と転送電極との間の絶縁耐圧を劣化さ
せることなく、スミアの発生を防止する。 【構成】 転送電極としての多結晶シリコンゲート電極
７の上部および側壁部を第１のシリコン窒化膜１３ａと
第２のシリコン窒化膜１３ｂで被覆している。斜めから
の入射光１２のうち、Ｎ型不純物層３とシリコン酸化膜
８との界面で反射された反射光は、遮光膜１０の下部で
再び反射され、その反射光１４は第１のシリコン窒化膜
１３ａあるいは第２のシリコン窒化膜１３ｂに達する
が、シリコン窒化膜は光吸収膜であるため、反射光１４
は第１のシリコン窒化膜１３ａあるいは第２のシリコン
窒化膜１３ｂで吸収され、電荷転送部のＮウエル層４の
領域へは達することができない。したがって、ＣＶＤ酸
化膜９を薄膜化せずに、斜めからの入射光１２の影響に
よるスミアの発生を防止することができる。
せることなく、スミアの発生を防止する。 【構成】 転送電極としての多結晶シリコンゲート電極
７の上部および側壁部を第１のシリコン窒化膜１３ａと
第２のシリコン窒化膜１３ｂで被覆している。斜めから
の入射光１２のうち、Ｎ型不純物層３とシリコン酸化膜
８との界面で反射された反射光は、遮光膜１０の下部で
再び反射され、その反射光１４は第１のシリコン窒化膜
１３ａあるいは第２のシリコン窒化膜１３ｂに達する
が、シリコン窒化膜は光吸収膜であるため、反射光１４
は第１のシリコン窒化膜１３ａあるいは第２のシリコン
窒化膜１３ｂで吸収され、電荷転送部のＮウエル層４の
領域へは達することができない。したがって、ＣＶＤ酸
化膜９を薄膜化せずに、斜めからの入射光１２の影響に
よるスミアの発生を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像装置および
その製造方法に関し、特にスミアの発生を防止する固体
撮像装置およびその製造方法に関する。
その製造方法に関し、特にスミアの発生を防止する固体
撮像装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像装置およびその製造方法
をそれぞれ図３および図４を用いて説明する。図３は従
来の固体撮像装置の断面図、図４はその製造方法を示す
工程断面図である。図３に示すように、従来の固体撮像
装置は、Ｎ型半導体基板１表面に、Ｐウエル層２と受光
部のＮ型不純物層３と電荷転送部のＮウエル層４と素子
分離用のＰ + 不純物層５とが形成されている。電荷転送
部のＮウエル層４上には、ゲート絶縁膜６を介して多結
晶シリコンゲート電極７が形成され、多結晶シリコンゲ
ート電極７の上方には、シリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化
膜９を介してアルミニウムあるいはアルミニウムシリサ
イドからなる遮光膜１０が形成され、最後にＣＶＤ絶縁
膜からなる表面保護膜１１が全面に形成されている。
をそれぞれ図３および図４を用いて説明する。図３は従
来の固体撮像装置の断面図、図４はその製造方法を示す
工程断面図である。図３に示すように、従来の固体撮像
装置は、Ｎ型半導体基板１表面に、Ｐウエル層２と受光
部のＮ型不純物層３と電荷転送部のＮウエル層４と素子
分離用のＰ + 不純物層５とが形成されている。電荷転送
部のＮウエル層４上には、ゲート絶縁膜６を介して多結
晶シリコンゲート電極７が形成され、多結晶シリコンゲ
ート電極７の上方には、シリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化
膜９を介してアルミニウムあるいはアルミニウムシリサ
イドからなる遮光膜１０が形成され、最後にＣＶＤ絶縁
膜からなる表面保護膜１１が全面に形成されている。
【０００３】この従来の固体撮像装置の製造方法は、ま
ず図４（ａ）に示すように、Ｎ型半導体基板１表面に、
Ｐウエル層２と受光部のＮ型不純物層３と電荷転送部の
Ｎウエル層４と素子分離用のＰ+ 不純物層５を形成す
る。つぎに図４（ｂ）に示すように、電荷転送部のＮ型
半導体基板１上にゲート絶縁膜６および転送電極の多結
晶シリコンゲート電極７を形成し、さらにこの多結晶シ
リコンゲート電極７上に熱酸化によるシリコン酸化膜８
を形成する。つぎに図４（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法
により全面にＣＶＤ酸化膜９を形成した後、多結晶シリ
コンゲート電極７の上方に、シリコン酸化膜８とＣＶＤ
酸化膜９を介して、スパッタ法によりアルミニウムある
いはアルミニウムシリサイドからなる遮光膜１０を形成
し、最後にＣＶＤ法によりＣＶＤ絶縁膜からなる表面保
護膜１１を全面に形成する。
ず図４（ａ）に示すように、Ｎ型半導体基板１表面に、
Ｐウエル層２と受光部のＮ型不純物層３と電荷転送部の
Ｎウエル層４と素子分離用のＰ+ 不純物層５を形成す
る。つぎに図４（ｂ）に示すように、電荷転送部のＮ型
半導体基板１上にゲート絶縁膜６および転送電極の多結
晶シリコンゲート電極７を形成し、さらにこの多結晶シ
リコンゲート電極７上に熱酸化によるシリコン酸化膜８
を形成する。つぎに図４（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法
により全面にＣＶＤ酸化膜９を形成した後、多結晶シリ
コンゲート電極７の上方に、シリコン酸化膜８とＣＶＤ
酸化膜９を介して、スパッタ法によりアルミニウムある
いはアルミニウムシリサイドからなる遮光膜１０を形成
し、最後にＣＶＤ法によりＣＶＤ絶縁膜からなる表面保
護膜１１を全面に形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の固体撮像装置およびその製造方法においては、遮光膜
１０による各受光部の光学的分離が十分でない。特に、
ＣＣＤ（ＣｈａｒｇｅＣｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）
型の固体撮像装置では、図３に示されるように、斜めか
らの入射光１２により所定の受光部のＮ型不純物層３以
外の場所に発生した電荷が隣接する電荷転送部のＮウエ
ル層４に洩れ込み、この洩れ込んだ電荷によってスミア
が発生するという問題があった。
の固体撮像装置およびその製造方法においては、遮光膜
１０による各受光部の光学的分離が十分でない。特に、
ＣＣＤ（ＣｈａｒｇｅＣｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）
型の固体撮像装置では、図３に示されるように、斜めか
らの入射光１２により所定の受光部のＮ型不純物層３以
外の場所に発生した電荷が隣接する電荷転送部のＮウエ
ル層４に洩れ込み、この洩れ込んだ電荷によってスミア
が発生するという問題があった。
【０００５】従来この問題に対して、ＣＶＤ酸化膜９を
薄膜化して遮光膜１０と受光部のＮ型不純物層３の表面
との間隔を小さくすることによって対処しているが、Ｃ
ＶＤ酸化膜９の膜厚を薄くすると、アルミニウムあるい
はアルミニウムシリサイドからなる遮光膜１０と多結晶
シリコンゲート電極（転送電極）７との間の絶縁耐圧が
劣化するという問題があった。
薄膜化して遮光膜１０と受光部のＮ型不純物層３の表面
との間隔を小さくすることによって対処しているが、Ｃ
ＶＤ酸化膜９の膜厚を薄くすると、アルミニウムあるい
はアルミニウムシリサイドからなる遮光膜１０と多結晶
シリコンゲート電極（転送電極）７との間の絶縁耐圧が
劣化するという問題があった。
【０００６】この発明はこのような問題を解決するもの
で、遮光膜と転送電極との間の絶縁耐圧を劣化させるこ
となく、スミアの発生を防止する固体撮像装置およびそ
の製造方法を提供することを目的とするものである。
で、遮光膜と転送電極との間の絶縁耐圧を劣化させるこ
となく、スミアの発生を防止する固体撮像装置およびそ
の製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の固体撮像
装置は、半導体基板表面に形成した受光部と、この受光
部に生じ読出ゲートにより読み出された信号電荷を転送
する電荷転送部と、この電荷転送部の上方に第１の絶縁
膜を介して設けた転送電極と、この転送電極の上方に第
２の絶縁膜を介して設けた遮光膜とを備え、転送電極の
上部および側壁部をシリコン窒化膜で被覆したことを特
徴とする。
装置は、半導体基板表面に形成した受光部と、この受光
部に生じ読出ゲートにより読み出された信号電荷を転送
する電荷転送部と、この電荷転送部の上方に第１の絶縁
膜を介して設けた転送電極と、この転送電極の上方に第
２の絶縁膜を介して設けた遮光膜とを備え、転送電極の
上部および側壁部をシリコン窒化膜で被覆したことを特
徴とする。
【０００８】請求項２記載の固体撮像装置の製造方法
は、半導体基板表面に受光部と電荷転送部を形成する工
程と、電荷転送部の上方に第１の絶縁膜を介して上部お
よび側壁部をシリコン窒化膜で被覆した転送電極を形成
する工程と、全面に第２の絶縁膜を形成する工程と、受
光部の上方に開口を有する遮光膜を第２の絶縁膜の上に
形成する工程とを含んでいる。
は、半導体基板表面に受光部と電荷転送部を形成する工
程と、電荷転送部の上方に第１の絶縁膜を介して上部お
よび側壁部をシリコン窒化膜で被覆した転送電極を形成
する工程と、全面に第２の絶縁膜を形成する工程と、受
光部の上方に開口を有する遮光膜を第２の絶縁膜の上に
形成する工程とを含んでいる。
【０００９】
【作用】この発明の構成によれば、転送電極の上部およ
び側壁部が光吸収膜であるシリコン窒化膜で被覆されて
いるため、斜めから入射し受光部で反射された反射光
が、第２の絶縁膜を通過してシリコン窒化膜に達して
も、シリコン窒化膜で吸収され、電荷転送部への光の洩
れ込みは抑制される。したがって、斜めからの入射光の
影響によるスミアの発生を防止することができる。
び側壁部が光吸収膜であるシリコン窒化膜で被覆されて
いるため、斜めから入射し受光部で反射された反射光
が、第２の絶縁膜を通過してシリコン窒化膜に達して
も、シリコン窒化膜で吸収され、電荷転送部への光の洩
れ込みは抑制される。したがって、斜めからの入射光の
影響によるスミアの発生を防止することができる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面に基づいて
説明する。図１はこの発明の一実施例の固体撮像装置の
断面図である。この固体撮像装置は、図１に示すよう
に、Ｎ型半導体基板１表面に、Ｐウエル層２と受光部の
Ｎ型不純物層３と電荷転送部のＮウエル層４と素子分離
用のＰ+不純物層５とが形成されている。電荷転送部の
Ｎウエル層４上には、ゲート絶縁膜（第１の絶縁膜）６
を介して転送電極の多結晶シリコンゲート電極７が形成
され、多結晶シリコンゲート電極７の上部および側壁部
は、第１のシリコン窒化膜１３ａと第２のシリコン窒化
膜１３ｂで被覆されている。受光部のＮ型不純物層３上
にシリコン酸化膜８が形成され、このシリコン酸化膜８
の表面および第１，第２のシリコン窒化膜１３ａ，１３
ｂの表面を覆ってＣＶＤ酸化膜（第２の絶縁膜）９が形
成されている。そして多結晶シリコンゲート電極７の上
方にＣＶＤ酸化膜９を介してアルミニウムあるいはアル
ミニウムシリサイドからなる遮光膜１０が形成され、最
後にＣＶＤ絶縁膜からなる表面保護膜１１が全面に形成
されている。
説明する。図１はこの発明の一実施例の固体撮像装置の
断面図である。この固体撮像装置は、図１に示すよう
に、Ｎ型半導体基板１表面に、Ｐウエル層２と受光部の
Ｎ型不純物層３と電荷転送部のＮウエル層４と素子分離
用のＰ+不純物層５とが形成されている。電荷転送部の
Ｎウエル層４上には、ゲート絶縁膜（第１の絶縁膜）６
を介して転送電極の多結晶シリコンゲート電極７が形成
され、多結晶シリコンゲート電極７の上部および側壁部
は、第１のシリコン窒化膜１３ａと第２のシリコン窒化
膜１３ｂで被覆されている。受光部のＮ型不純物層３上
にシリコン酸化膜８が形成され、このシリコン酸化膜８
の表面および第１，第２のシリコン窒化膜１３ａ，１３
ｂの表面を覆ってＣＶＤ酸化膜（第２の絶縁膜）９が形
成されている。そして多結晶シリコンゲート電極７の上
方にＣＶＤ酸化膜９を介してアルミニウムあるいはアル
ミニウムシリサイドからなる遮光膜１０が形成され、最
後にＣＶＤ絶縁膜からなる表面保護膜１１が全面に形成
されている。
【００１１】つぎにこの固体撮像装置の製造方法を図２
に基づいて説明する。図２はこの発明の一実施例の固体
撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。まず図２
（ａ）に示すように、Ｎ型半導体基板１表面に、Ｐウエ
ル層２と受光部のＮ型不純物層３と電荷転送部のＮウエ
ル層４と素子分離用のＰ+ 不純物層５とを形成する。
に基づいて説明する。図２はこの発明の一実施例の固体
撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。まず図２
（ａ）に示すように、Ｎ型半導体基板１表面に、Ｐウエ
ル層２と受光部のＮ型不純物層３と電荷転送部のＮウエ
ル層４と素子分離用のＰ+ 不純物層５とを形成する。
【００１２】つぎに図２（ｂ）に示すように、Ｎ型半導
体基板１上にゲート絶縁膜６を形成した後、多結晶シリ
コン膜を全面に成長し、次いで、ジクロールシランとア
ンモニアを原料ガスとして減圧ＣＶＤ法により、反応圧
力０．２〜１．０Ｔｏｒｒ、成長温度７００〜８００℃
にて、全面に約５０ｎｍ（５００Å）の膜厚の第１のシ
リコン窒化膜１３ａを形成した後、フォトレジストパタ
ーンをマスクとして異方性ドライエッチング法により、
ゲート絶縁膜６と多結晶シリコン膜と第１のシリコン窒
化膜１３ａとを同時に選択的にエッチングして、上部が
第１のシリコン窒化膜１３ａで被覆された多結晶シリコ
ンゲート電極７を形成する。その後、熱酸化によるシリ
コン酸化膜８を形成する。
体基板１上にゲート絶縁膜６を形成した後、多結晶シリ
コン膜を全面に成長し、次いで、ジクロールシランとア
ンモニアを原料ガスとして減圧ＣＶＤ法により、反応圧
力０．２〜１．０Ｔｏｒｒ、成長温度７００〜８００℃
にて、全面に約５０ｎｍ（５００Å）の膜厚の第１のシ
リコン窒化膜１３ａを形成した後、フォトレジストパタ
ーンをマスクとして異方性ドライエッチング法により、
ゲート絶縁膜６と多結晶シリコン膜と第１のシリコン窒
化膜１３ａとを同時に選択的にエッチングして、上部が
第１のシリコン窒化膜１３ａで被覆された多結晶シリコ
ンゲート電極７を形成する。その後、熱酸化によるシリ
コン酸化膜８を形成する。
【００１３】つぎに図２（ｃ）に示すように、減圧ＣＶ
Ｄ法により、第１のシリコン窒化膜１３ａと同等の成膜
条件で、全面に約５０ｎｍ（５００Å）の膜厚の第２の
シリコン窒化膜１３ｂを形成した後、第２のシリコン窒
化膜１３ｂを例えば弗素系ガスを用いて異方性ドライエ
ッチングして多結晶シリコンゲート電極７の側壁に第２
のシリコン窒化膜１３ｂを残し、第１のシリコン窒化膜
１３ａと第２のシリコン窒化膜１３ｂにより多結晶シリ
コンゲート電極７の上部および側壁部を被覆する。さら
に、ＣＶＤ法により全面にＣＶＤ酸化膜９を形成した
後、多結晶シリコンゲート電極７の上方にスパッタ法に
よりアルミニウムあるいはアルミニウムシリサイドから
なる遮光膜１０を形成し、最後に、ＣＶＤ絶縁膜からな
る表面保護膜１１を全面に形成する。
Ｄ法により、第１のシリコン窒化膜１３ａと同等の成膜
条件で、全面に約５０ｎｍ（５００Å）の膜厚の第２の
シリコン窒化膜１３ｂを形成した後、第２のシリコン窒
化膜１３ｂを例えば弗素系ガスを用いて異方性ドライエ
ッチングして多結晶シリコンゲート電極７の側壁に第２
のシリコン窒化膜１３ｂを残し、第１のシリコン窒化膜
１３ａと第２のシリコン窒化膜１３ｂにより多結晶シリ
コンゲート電極７の上部および側壁部を被覆する。さら
に、ＣＶＤ法により全面にＣＶＤ酸化膜９を形成した
後、多結晶シリコンゲート電極７の上方にスパッタ法に
よりアルミニウムあるいはアルミニウムシリサイドから
なる遮光膜１０を形成し、最後に、ＣＶＤ絶縁膜からな
る表面保護膜１１を全面に形成する。
【００１４】この実施例によれば、図１に示すように、
斜めからの入射光１２のうち、Ｎ型不純物層３とシリコ
ン酸化膜８との界面で反射された反射光は、遮光膜１０
の下部で再び反射され、その反射光１４は第１のシリコ
ン窒化膜１３ａあるいは第２のシリコン窒化膜１３ｂに
達するが、シリコン窒化膜は光吸収膜であるため、反射
光１４は第１のシリコン窒化膜１３ａあるいは第２のシ
リコン窒化膜１３ｂで吸収され、電荷転送部のＮウエル
層４の領域へは達することができない。したがって、斜
めからの入射光１２の影響によるスミアの発生を防止す
ることができる。このようにスミアの発生を防止するた
めに、ＣＶＤ酸化膜９を薄膜化して遮光膜１０と受光部
のＮ型不純物層３の表面との間隔を小さくする必要がな
いため、遮光膜１０と多結晶シリコンゲート電極７との
間の絶縁耐圧を劣化させることもない。
斜めからの入射光１２のうち、Ｎ型不純物層３とシリコ
ン酸化膜８との界面で反射された反射光は、遮光膜１０
の下部で再び反射され、その反射光１４は第１のシリコ
ン窒化膜１３ａあるいは第２のシリコン窒化膜１３ｂに
達するが、シリコン窒化膜は光吸収膜であるため、反射
光１４は第１のシリコン窒化膜１３ａあるいは第２のシ
リコン窒化膜１３ｂで吸収され、電荷転送部のＮウエル
層４の領域へは達することができない。したがって、斜
めからの入射光１２の影響によるスミアの発生を防止す
ることができる。このようにスミアの発生を防止するた
めに、ＣＶＤ酸化膜９を薄膜化して遮光膜１０と受光部
のＮ型不純物層３の表面との間隔を小さくする必要がな
いため、遮光膜１０と多結晶シリコンゲート電極７との
間の絶縁耐圧を劣化させることもない。
【００１５】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、転送電
極の上部および側壁部が光吸収膜であるシリコン窒化膜
で被覆されているため、斜めから入射し受光部で反射さ
れた反射光が、第２の絶縁膜を通過してシリコン窒化膜
に達しても、シリコン窒化膜で吸収され、電荷転送部へ
の光の洩れ込みは抑制される。したがって、斜めからの
入射光の影響によるスミアの発生を防止することができ
る。このようにスミアの発生を防止するために、第２の
絶縁膜を薄膜化して遮光膜と受光部の表面との間隔を小
さくする必要がないため、遮光膜と転送電極との間の絶
縁耐圧を劣化させることもない。
極の上部および側壁部が光吸収膜であるシリコン窒化膜
で被覆されているため、斜めから入射し受光部で反射さ
れた反射光が、第２の絶縁膜を通過してシリコン窒化膜
に達しても、シリコン窒化膜で吸収され、電荷転送部へ
の光の洩れ込みは抑制される。したがって、斜めからの
入射光の影響によるスミアの発生を防止することができ
る。このようにスミアの発生を防止するために、第２の
絶縁膜を薄膜化して遮光膜と受光部の表面との間隔を小
さくする必要がないため、遮光膜と転送電極との間の絶
縁耐圧を劣化させることもない。
【図１】この発明の一実施例の固体撮像装置の断面図。
【図２】この発明の一実施例の固体撮像装置の製造方法
を示す工程断面図。
を示す工程断面図。
【図３】従来の固体撮像装置の断面図。
【図４】従来の固体撮像装置の製造方法を示す工程断面
図。
図。
１ Ｎ型半導体基板 ２ Ｐウエル層 ３ Ｎ型不純物層（受光部） ４ Ｎウエル層（電荷転送部） ６ ゲート絶縁膜（第１の絶縁膜） ７ 多結晶シリコンゲート電極（転送電極） ９ ＣＶＤ酸化膜（第２の絶縁膜） １０ 遮光膜 １３ａ 第１のシリコン窒化膜 １３ｂ 第２のシリコン窒化膜
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板表面に形成した受光部と、こ
の受光部に生じ読出ゲートにより読み出された信号電荷
を転送する電荷転送部と、この電荷転送部の上方に第１
の絶縁膜を介して設けた転送電極と、この転送電極の上
方に第２の絶縁膜を介して設けた遮光膜とを備えた固体
撮像装置であって、 前記転送電極の上部および側壁部をシリコン窒化膜で被
覆したことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 半導体基板表面に受光部と電荷転送部を
形成する工程と、前記電荷転送部の上方に第１の絶縁膜
を介して上部および側壁部をシリコン窒化膜で被覆した
転送電極を形成する工程と、全面に第２の絶縁膜を形成
する工程と、前記受光部の上方に開口を有する遮光膜を
前記第２の絶縁膜の上に形成する工程とを含む固体撮像
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5306296A JPH07161957A (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5306296A JPH07161957A (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161957A true JPH07161957A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=17955397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5306296A Pending JPH07161957A (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161957A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6013925A (en) * | 1996-10-02 | 2000-01-11 | Nec Corporation | CCD-type solid-state pickup device and its fabrication method |
| JP2012175050A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
-
1993
- 1993-12-07 JP JP5306296A patent/JPH07161957A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6013925A (en) * | 1996-10-02 | 2000-01-11 | Nec Corporation | CCD-type solid-state pickup device and its fabrication method |
| JP2012175050A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
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