JPH05315591A - Ｃｃｄ撮像素子の光電子読み出し部の形成方法 - Google Patents
Ｃｃｄ撮像素子の光電子読み出し部の形成方法Info
- Publication number
- JPH05315591A JPH05315591A JP4146607A JP14660792A JPH05315591A JP H05315591 A JPH05315591 A JP H05315591A JP 4146607 A JP4146607 A JP 4146607A JP 14660792 A JP14660792 A JP 14660792A JP H05315591 A JPH05315591 A JP H05315591A
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- JP
- Japan
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- ion implantation
- region
- transfer electrode
- photoelectron
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、光電子読み出し部の形成方法を変
えることにより、ＣＣＤ撮像素子のブルーミング耐性の
低下と読み出し電圧の低下とを抑えて電気的特性の向上
を図り、転送電極上に形成する配線の信頼性を高める。 【構成】 ＣＣＤ撮像素子１０の垂直レジスタ部１２と
読み出しゲート２４と転送電極１７とが形成される半導
体基板１１の上層に、イオン注入法によって、光電子読
み出し部（例えばフォトダイオード）を形成する方法で
あって、第１の工程で、転送電極１７を覆う状態にイオ
ン注入マスク３２を形成した後、第２の工程で、イオン
注入マスク３２を用いた斜め入射のイオン注入法と同イ
オン注入マスク３２を用いた垂直入射のイオン注入法と
によって、半導体基板１１の上層に、フォトダイオード
２３の拡散層領域（Ｎ+ 領域２０）を読み出しゲート２
４に接続する状態に形成する。
えることにより、ＣＣＤ撮像素子のブルーミング耐性の
低下と読み出し電圧の低下とを抑えて電気的特性の向上
を図り、転送電極上に形成する配線の信頼性を高める。 【構成】 ＣＣＤ撮像素子１０の垂直レジスタ部１２と
読み出しゲート２４と転送電極１７とが形成される半導
体基板１１の上層に、イオン注入法によって、光電子読
み出し部（例えばフォトダイオード）を形成する方法で
あって、第１の工程で、転送電極１７を覆う状態にイオ
ン注入マスク３２を形成した後、第２の工程で、イオン
注入マスク３２を用いた斜め入射のイオン注入法と同イ
オン注入マスク３２を用いた垂直入射のイオン注入法と
によって、半導体基板１１の上層に、フォトダイオード
２３の拡散層領域（Ｎ+ 領域２０）を読み出しゲート２
４に接続する状態に形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤ撮像素子の光電
子読み出し部の形成方法に関する。
子読み出し部の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＣＤ撮像素子を図２のレイアウ
ト図および図３に示す図２中のＡ−Ａ線概略断面図によ
り説明する。シリコン基板４１の上層にはＰウェル領域
４２が形成されている。このＰウェル領域４２の上層に
は、フォトダイオード４３を構成するＮ+ 領域４４が形
成されている。このＮ+ 領域４４は、例えばリン
（Ｐ+ ）等のＮ形不純物を２５０ｋｅＶ程度の高エネル
ギーでイオン注入して形成される。通常、Ｎ+ 領域４４
は、多結晶シリコンで形成される転送電極４５，４６を
イオン注入マスクにして、転送電極４５の側辺に対して
自己整合的に形成される。したがって、多結晶シリコン
よりなる転送電極４５，４６は、打ち込まれるイオンを
阻止するために、少なくとも５００ｎｍ程度以上の膜厚
を必要とする。
ト図および図３に示す図２中のＡ−Ａ線概略断面図によ
り説明する。シリコン基板４１の上層にはＰウェル領域
４２が形成されている。このＰウェル領域４２の上層に
は、フォトダイオード４３を構成するＮ+ 領域４４が形
成されている。このＮ+ 領域４４は、例えばリン
（Ｐ+ ）等のＮ形不純物を２５０ｋｅＶ程度の高エネル
ギーでイオン注入して形成される。通常、Ｎ+ 領域４４
は、多結晶シリコンで形成される転送電極４５，４６を
イオン注入マスクにして、転送電極４５の側辺に対して
自己整合的に形成される。したがって、多結晶シリコン
よりなる転送電極４５，４６は、打ち込まれるイオンを
阻止するために、少なくとも５００ｎｍ程度以上の膜厚
を必要とする。
【０００３】上記ＣＣＤ撮像素子４０のＮ+ 領域４４の
深さは、フォトダイオード４３に入射する可視光線の分
光感度に影響を及ぼす。例えばＮ+ 領域４４の深さが浅
い場合には、赤色感度が低下する。このため、フォトダ
イオード４３等が形成されるセルを縮小しても、Ｎ+ 領
域４４の深さを浅く形成することはできない。この結
果、イオン注入エネルギーも小さくできない。したがっ
て、転送電極４５，４６の膜厚を薄く形成することがで
きない。
深さは、フォトダイオード４３に入射する可視光線の分
光感度に影響を及ぼす。例えばＮ+ 領域４４の深さが浅
い場合には、赤色感度が低下する。このため、フォトダ
イオード４３等が形成されるセルを縮小しても、Ｎ+ 領
域４４の深さを浅く形成することはできない。この結
果、イオン注入エネルギーも小さくできない。したがっ
て、転送電極４５，４６の膜厚を薄く形成することがで
きない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記構成のＣＣＤ撮像
素子では、転送電極を厚く形成しなければならないの
で、転送電極による段差が非常に大きくなる。この結
果、転送電極上に形成されるアルミニウム配線の形成が
困難になる。また転送電極を薄く形成した場合には、イ
オン注入法によって、Ｎ形不純物が読み出しゲートの下
方のシリコン基板に打ち込まれる。この結果、読み出し
電圧の低下とともに、耐ブルーミング特性の低下を引き
起こす。
素子では、転送電極を厚く形成しなければならないの
で、転送電極による段差が非常に大きくなる。この結
果、転送電極上に形成されるアルミニウム配線の形成が
困難になる。また転送電極を薄く形成した場合には、イ
オン注入法によって、Ｎ形不純物が読み出しゲートの下
方のシリコン基板に打ち込まれる。この結果、読み出し
電圧の低下とともに、耐ブルーミング特性の低下を引き
起こす。
【０００５】また転送電極を薄く形成して、転送電極を
覆う状態にイオン注入マスクを形成する。その後、通常
の垂直入射のイオン注入法によってフォトダイオードを
形成した場合にも不都合が生じる。すなわち、図４に示
す如く、イオン注入マスク５１を形成する際にマスク合
わせずれが生じて、イオン注入マスク５１によって転送
電極４５を完全に覆えなかった場合には、転送電極４５
の下方のＰウェル領域４２にもＮ+ 領域４４を形成する
不純物がイオン注入される。この結果、転送電極４５の
下方に形成される読み出しゲート４７の網目で示す部分
４８の不純物濃度が薄くなるので、ブルーミング耐性が
低下する。また図５に示す如く、イオン注入マスク５２
を形成する際にマスク合わせずれが生じて、イオン注入
マスク５２がフォトダイオードの形成領域４９側にずれ
て形成された場合には、転送電極４５と形成されるフォ
トダイオード４３のＮ+ 領域４４との距離が離れる。こ
のため、読み出し電圧が低下し、読み出しができなくな
る。
覆う状態にイオン注入マスクを形成する。その後、通常
の垂直入射のイオン注入法によってフォトダイオードを
形成した場合にも不都合が生じる。すなわち、図４に示
す如く、イオン注入マスク５１を形成する際にマスク合
わせずれが生じて、イオン注入マスク５１によって転送
電極４５を完全に覆えなかった場合には、転送電極４５
の下方のＰウェル領域４２にもＮ+ 領域４４を形成する
不純物がイオン注入される。この結果、転送電極４５の
下方に形成される読み出しゲート４７の網目で示す部分
４８の不純物濃度が薄くなるので、ブルーミング耐性が
低下する。また図５に示す如く、イオン注入マスク５２
を形成する際にマスク合わせずれが生じて、イオン注入
マスク５２がフォトダイオードの形成領域４９側にずれ
て形成された場合には、転送電極４５と形成されるフォ
トダイオード４３のＮ+ 領域４４との距離が離れる。こ
のため、読み出し電圧が低下し、読み出しができなくな
る。
【０００６】本発明は、高い読み出し電圧を有し、耐ブ
ルーミング性に優れているＣＣＤ撮像素子の光電子読み
出し部の形成方法を提供することを目的とする。
ルーミング性に優れているＣＣＤ撮像素子の光電子読み
出し部の形成方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされた方法である。すなわち、ＣＣＤ撮
像素子の垂直レジスタ部と読み出しゲートと転送電極と
が形成される半導体基板の上層に、イオン注入法によっ
て、光電子読み出し部を形成するＣＣＤ撮像素子の光電
子読み出し部の形成方法であって、第１の工程で、転送
電極を覆う状態にイオン注入マスクを形成した後、第２
の工程で、イオン注入マスクを用いた斜め入射のイオン
注入法と当該イオン注入マスクを用いた垂直入射のイオ
ン注入法とによって、半導体基板の上層に、光電子読み
出し部の拡散層領域を読み出しゲートに接続する状態に
形成する。
成するためになされた方法である。すなわち、ＣＣＤ撮
像素子の垂直レジスタ部と読み出しゲートと転送電極と
が形成される半導体基板の上層に、イオン注入法によっ
て、光電子読み出し部を形成するＣＣＤ撮像素子の光電
子読み出し部の形成方法であって、第１の工程で、転送
電極を覆う状態にイオン注入マスクを形成した後、第２
の工程で、イオン注入マスクを用いた斜め入射のイオン
注入法と当該イオン注入マスクを用いた垂直入射のイオ
ン注入法とによって、半導体基板の上層に、光電子読み
出し部の拡散層領域を読み出しゲートに接続する状態に
形成する。
【０００８】
【作用】上記ＣＣＤ撮像素子の光電子読み出し部の形成
方法では、転送電極を覆う状態にイオン注入マスクを形
成した後、斜め入射のイオン注入法を行ったので、第１
のＮ+ 領域の上層部分が転送電極の側部より僅かに離れ
た位置に形成され、第１のＮ+ 領域の下層部分が転送電
極の下方に僅かに入り込んだ状態に形成される。このた
め、耐ブルーミング性を低下させることなく、高い読み
出し電圧が得られる。
方法では、転送電極を覆う状態にイオン注入マスクを形
成した後、斜め入射のイオン注入法を行ったので、第１
のＮ+ 領域の上層部分が転送電極の側部より僅かに離れ
た位置に形成され、第１のＮ+ 領域の下層部分が転送電
極の下方に僅かに入り込んだ状態に形成される。このた
め、耐ブルーミング性を低下させることなく、高い読み
出し電圧が得られる。
【０００９】さらに垂直入射によるイオン注入を行った
ので、斜め入射のイオン注入の際にイオン注入マスクの
影になった部分にもイオン注入を行うことが可能にな
る。この結果、光電子読み出し部が広く形成される。こ
のため、フォトダイオードの蓄積容量が大きくなる。転
送電極がイオン注入マスクによって覆われるので、転送
電極をイオン注入マスクとして用いる必要がない。この
ため、転送電極の薄膜化が行える。さらにイオン注入マ
スクがマスク合わせ余裕を考慮して形成できるので、イ
オン注入マスクの形成が容易になる。
ので、斜め入射のイオン注入の際にイオン注入マスクの
影になった部分にもイオン注入を行うことが可能にな
る。この結果、光電子読み出し部が広く形成される。こ
のため、フォトダイオードの蓄積容量が大きくなる。転
送電極がイオン注入マスクによって覆われるので、転送
電極をイオン注入マスクとして用いる必要がない。この
ため、転送電極の薄膜化が行える。さらにイオン注入マ
スクがマスク合わせ余裕を考慮して形成できるので、イ
オン注入マスクの形成が容易になる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を、図１の形成工程図により
説明する。図１の（１）に示すように、まず通常のプロ
セス技術によって、半導体基板１１の上層にＰウェル領
域１２を形成する。そしてこのＰウェル領域１２の上層
にチャネルストッパ領域１３を形成する。その後チャネ
ルストッパ領域１３の一方側に、垂直レジスタ部１４を
形成する。なお垂直レジスタ部１４に対して上記チャネ
ルストッパ領域１３とは反対側のＰウェル領域１２が後
述する読み出しゲート形成領域になる。次いで例えば化
学的気相成長法によって、上記Ｐウェル領域１２の上面
に絶縁膜１５を形成する。続いて通常の２層構造の転送
電極を形成するプロセス技術によって、上記チャネルス
トッパ領域１３上と上記垂直レジスタ部１４上と上記読
み出しゲート形成領域１６上との絶縁膜１５の上面に、
２層構造の転送電極１７を形成する。なお図には、２層
目の多結晶シリコン膜で形成された転送電極１７を示
す。
説明する。図１の（１）に示すように、まず通常のプロ
セス技術によって、半導体基板１１の上層にＰウェル領
域１２を形成する。そしてこのＰウェル領域１２の上層
にチャネルストッパ領域１３を形成する。その後チャネ
ルストッパ領域１３の一方側に、垂直レジスタ部１４を
形成する。なお垂直レジスタ部１４に対して上記チャネ
ルストッパ領域１３とは反対側のＰウェル領域１２が後
述する読み出しゲート形成領域になる。次いで例えば化
学的気相成長法によって、上記Ｐウェル領域１２の上面
に絶縁膜１５を形成する。続いて通常の２層構造の転送
電極を形成するプロセス技術によって、上記チャネルス
トッパ領域１３上と上記垂直レジスタ部１４上と上記読
み出しゲート形成領域１６上との絶縁膜１５の上面に、
２層構造の転送電極１７を形成する。なお図には、２層
目の多結晶シリコン膜で形成された転送電極１７を示
す。
【００１１】その後図１の（２）に示す第１の工程を行
う。この工程では、通常のレジスト塗布技術によって、
上記転送電極１７を覆う状態にレジスト膜３１を形成す
る。その後通常のホトリソグラフィー技術によって、当
該レジスト膜３１の２点鎖線で示す部分を除去して、転
送電極１７を覆う状態にイオン注入マスク３２を形成す
る。
う。この工程では、通常のレジスト塗布技術によって、
上記転送電極１７を覆う状態にレジスト膜３１を形成す
る。その後通常のホトリソグラフィー技術によって、当
該レジスト膜３１の２点鎖線で示す部分を除去して、転
送電極１７を覆う状態にイオン注入マスク３２を形成す
る。
【００１２】その後図１の（３）に示す第２の工程を行
う。この工程では、まず上記イオン注入マスク３２を用
いた斜め入射のイオン注入法によって、Ｐウェル領域１
２の上層に、読み出しゲート形成領域１６に接続する状
態に第１のＮ+ 領域１８を形成する。上記斜め入射のイ
オン注入では、イオン注入角を、例えば７°以上の角度
に設定して、Ｎ形不純物として例えばリン（Ｐ）を２５
０ｋｅＶ程度の打ち込みエネルギーでイオン注入する。
このときのイオン注入角は、イオン注入マスク３２と転
送電極１８との合わせずれを考慮して設定される。した
がって、第１のＮ+ 領域１８は、転送電極１７の側部１
９の下方に僅かに入り込む状態に形成される。
う。この工程では、まず上記イオン注入マスク３２を用
いた斜め入射のイオン注入法によって、Ｐウェル領域１
２の上層に、読み出しゲート形成領域１６に接続する状
態に第１のＮ+ 領域１８を形成する。上記斜め入射のイ
オン注入では、イオン注入角を、例えば７°以上の角度
に設定して、Ｎ形不純物として例えばリン（Ｐ）を２５
０ｋｅＶ程度の打ち込みエネルギーでイオン注入する。
このときのイオン注入角は、イオン注入マスク３２と転
送電極１８との合わせずれを考慮して設定される。した
がって、第１のＮ+ 領域１８は、転送電極１７の側部１
９の下方に僅かに入り込む状態に形成される。
【００１３】次いで当該イオン注入マスク３２を用いた
垂直入射のイオン注入法によって、Ｐウェル領域１２の
上層に、上記第１のＮ+ 領域１８の一部分に重なる状態
に、第２のＮ+ 領域２０（破線の斜線で示す領域）を形
成する。このようにして、第１のＮ+ 領域１８と第２の
Ｎ+ 領域２０とによって、拡散層領域２１が形成され
る。
垂直入射のイオン注入法によって、Ｐウェル領域１２の
上層に、上記第１のＮ+ 領域１８の一部分に重なる状態
に、第２のＮ+ 領域２０（破線の斜線で示す領域）を形
成する。このようにして、第１のＮ+ 領域１８と第２の
Ｎ+ 領域２０とによって、拡散層領域２１が形成され
る。
【００１４】その後、上記拡散層領域２１と導電形の異
なる不純物〔Ｐ形不純物として例えばホウ素（Ｂ++）〕
を用いた通常のイオン注入法によって、上記拡散層領域
２１の上層にＰ++領域２２を形成する。そして上記拡散
層領域２１と上記Ｐ++領域２２とによって、光電子読み
出し部になるフォトダイオード２３が構成される。上記
Ｐ++領域２２を形成するイオン注入では、上記イオン注
入マスク３２を用いる。また読み出しゲート形成領域１
６の垂直レジスタ部１４とフォトダイオード２３との間
が読み出しゲート２４になる。上記の如くしてＣＣＤ撮
像素子１０が形成される。
なる不純物〔Ｐ形不純物として例えばホウ素（Ｂ++）〕
を用いた通常のイオン注入法によって、上記拡散層領域
２１の上層にＰ++領域２２を形成する。そして上記拡散
層領域２１と上記Ｐ++領域２２とによって、光電子読み
出し部になるフォトダイオード２３が構成される。上記
Ｐ++領域２２を形成するイオン注入では、上記イオン注
入マスク３２を用いる。また読み出しゲート形成領域１
６の垂直レジスタ部１４とフォトダイオード２３との間
が読み出しゲート２４になる。上記の如くしてＣＣＤ撮
像素子１０が形成される。
【００１５】上記形成方法では、イオン注入マスク３２
で転送電極１７を覆った状態で斜めイオン注入法を行っ
たので、第１のＮ+ 領域１８の上層部分が転送電極１７
の側部１９より僅かに離れた位置に形成され、第１のＮ
+ 領域１８の下層部分が転送電極１７の下方に僅かに入
り込んだ状態に形成される。このため、ブルーミング耐
性を低下させることなく、読み出し電圧が高められる。
また斜め入射のイオン注入法において、不純物の入射角
度を変えることにより、第１のＮ+ 領域１８の形成位置
を自在に設定できる。このため、イオン注入マスクはマ
スク合わせ余裕を考慮して設計できるので、イオン注入
マスクの形成が容易になる。
で転送電極１７を覆った状態で斜めイオン注入法を行っ
たので、第１のＮ+ 領域１８の上層部分が転送電極１７
の側部１９より僅かに離れた位置に形成され、第１のＮ
+ 領域１８の下層部分が転送電極１７の下方に僅かに入
り込んだ状態に形成される。このため、ブルーミング耐
性を低下させることなく、読み出し電圧が高められる。
また斜め入射のイオン注入法において、不純物の入射角
度を変えることにより、第１のＮ+ 領域１８の形成位置
を自在に設定できる。このため、イオン注入マスクはマ
スク合わせ余裕を考慮して設計できるので、イオン注入
マスクの形成が容易になる。
【００１６】さらに垂直入射によるイオン注入を行った
ので、チャネルストッパ領域３４に接続する状態に第２
のＮ+ 領域２０が形成される。この結果、拡散層領域２
１の形成領域が広くなるので、フォトダイオード２３の
蓄積容量が大きくなる。フォトダイオード２３をイオン
注入によって形成する際に、転送電極１７を覆うイオン
注入マスク３２を形成したので、転送電極１７をイオン
注入マスクとして用いる必要がない。このため、転送電
極１７の薄膜化が行える。
ので、チャネルストッパ領域３４に接続する状態に第２
のＮ+ 領域２０が形成される。この結果、拡散層領域２
１の形成領域が広くなるので、フォトダイオード２３の
蓄積容量が大きくなる。フォトダイオード２３をイオン
注入によって形成する際に、転送電極１７を覆うイオン
注入マスク３２を形成したので、転送電極１７をイオン
注入マスクとして用いる必要がない。このため、転送電
極１７の薄膜化が行える。
【００１７】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
斜めイオン注入法によって、光電子読み出し部の形成位
置の調整が可能になる。このため、イオン注入マスクの
位置ずれを補正して、拡散層領域（第１のＮ+ 領域）を
最適な位置に形成できるので、耐ブルーミング性の向上
が図れる。また読み出し電圧の向上も可能になる。また
垂直入射のイオン注入を行ったので、フォトダイオード
の形成領域が被陸なる。よってフォトダイオードの蓄積
容量を十分に確保できる。さらに、転送電極をイオン注
入マスクで覆った状態でフォトダイオードが形成できる
ので、転送電極の膜厚を薄く形成することが可能にな
る。したがって転送電極上に形成される配線のカバレジ
性が向上するので、配線の信頼性を高めることができ
る。
斜めイオン注入法によって、光電子読み出し部の形成位
置の調整が可能になる。このため、イオン注入マスクの
位置ずれを補正して、拡散層領域（第１のＮ+ 領域）を
最適な位置に形成できるので、耐ブルーミング性の向上
が図れる。また読み出し電圧の向上も可能になる。また
垂直入射のイオン注入を行ったので、フォトダイオード
の形成領域が被陸なる。よってフォトダイオードの蓄積
容量を十分に確保できる。さらに、転送電極をイオン注
入マスクで覆った状態でフォトダイオードが形成できる
ので、転送電極の膜厚を薄く形成することが可能にな
る。したがって転送電極上に形成される配線のカバレジ
性が向上するので、配線の信頼性を高めることができ
る。
【図１】実施例の形成工程図である。
【図２】従来例のレイアウト図である。
【図３】図２中のＡ−Ａ線概略構成断面図である。
【図４】課題の説明図である。
【図５】課題の説明図である。
１０ ＣＣＤ撮像素子 １１ 半導体基板 １４ 垂直レジスタ部 １７ 転送電極 ２３ フォトダイオード ２４ 読み出しゲート ３２ イオン注入マスク
Claims (1)
- 【請求項１】 ＣＣＤ撮像素子の垂直レジスタ部と読み
出しゲートと転送電極とが形成される半導体基板の上層
に、イオン注入法によって、光電子読み出し部を形成す
るＣＣＤ撮像素子の光電子読み出し部の形成方法におい
て、 前記転送電極を覆う状態にイオン注入マスクを形成する
第１の工程と、 前記イオン注入マスクを用いた斜め入射のイオン注入法
と当該イオン注入マスクを用いた垂直入射のイオン注入
法とによって、前記半導体基板の上層に、光電子読み出
し部の拡散層領域を前記読み出しゲートに接続する状態
に形成する第２の工程とを行うことを特徴とするＣＣＤ
撮像素子の光電子読み出し部の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4146607A JPH05315591A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | Ｃｃｄ撮像素子の光電子読み出し部の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4146607A JPH05315591A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | Ｃｃｄ撮像素子の光電子読み出し部の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315591A true JPH05315591A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=15411559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4146607A Pending JPH05315591A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | Ｃｃｄ撮像素子の光電子読み出し部の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315591A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11233749A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-08-27 | Motorola Inc | 半導体イメージ・センサおよびその方法 |
| US6306676B1 (en) | 1996-04-04 | 2001-10-23 | Eastman Kodak Company | Method of making self-aligned, high-enegry implanted photodiode for solid-state image sensors |
| JP2004134790A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP2007234874A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP4146607A patent/JPH05315591A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306676B1 (en) | 1996-04-04 | 2001-10-23 | Eastman Kodak Company | Method of making self-aligned, high-enegry implanted photodiode for solid-state image sensors |
| JPH11233749A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-08-27 | Motorola Inc | 半導体イメージ・センサおよびその方法 |
| JP2014053646A (ja) * | 1997-11-14 | 2014-03-20 | Intellectual Ventures Second Llc | 半導体イメージ・センサ |
| JP2014060450A (ja) * | 1997-11-14 | 2014-04-03 | Intellectual Ventures Second Llc | 半導体イメージ・センサ |
| JP2004134790A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP2007234874A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
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