JP2007234874A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】入射光を電気信号に変換するN型フォトダイオードが形成される領域を開口したレジストをシリコン基板上に形成するステップと、N型フォトダイオードを形成するためのイオン注入を、シリコン基板の主面の法線方向に対して注入角度をつけて、かつ、互いに異なる注入方向から複数回行うステップを含む。
【選択図】図1
Description
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す。そして、フォトダイオードをイオン注入によって形成する前の状態である固体撮像装置の3×3の画素平面パターンレイアウトを表わしている。Si基板上にPウェル2と素子分離10とが形成された後にN型注入領域11を開口したレジスト12が形成される。次に、N型注入領域11に各矢印の方向からN型イオン注入14〜17が、例えばN型イオン注入14→15→16→17の順で行われる(4step)。このことによってN型拡散層(=N型フォトダイオード)が形成される。なお、図1には後に形成される代表的なゲート電極4を示している。
一方、従来の固体撮像装置の製造方法では、既に説明した通り、1回で所望のドーズ量をN型注入領域11の全体に注入してフォトダイオードを形成する。このことによって、図13が示す通り、N型不純物濃度ピーク領域32が、N型注入領域11の両端近くにまで広がりPN接合100にまで及んでいる(図11のG部分参照)。
図5は、第2の実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す。そして、フォトダイオードをイオン注入によって形成する前の状態である固体撮像装置の3×3の画素平面パターンレイアウトを表わしている。Si基板上にPウェル2と素子分離10とが形成された後にN型注入領域11を開口したレジスト12が形成される。次に、N型注入領域11に、N型イオン注入18→19の順(2step)で各矢印の方向からイオン注入が行われることによってN型拡散層(=フォトダイオード)が形成される。なお、図5には後に形成される代表的なゲート電極4を示している。
図7A〜Cは、第3の実施形態の固体撮像装置に対するイオン注入方法を示す。図7Bは、図7Aのi−i’断面である。図7Cは、図7Aのj−j’断面である。第3の実施形態は第1の実施形態に対してN型不純物を注入する方向のみ異なるので、以下では、この方向に関して説明する。
なお、N型イオンの注入回数・注入順序、注入角度θ1 及び注入方向は、上記した実施形態に記載した効果を奏するもので有れば、上記したものには限られない。
2 Pウェル
3 N型フォトダイオード
4 ゲート電極
5 ゲート酸化膜
6 閾値注入領域
7 N型ドレイン領域
8、9 P型拡散層
10 素子分離
11、28、29、30、31N型注入領域
12 レジスト
13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、110 N型イオン注入
32 N型不純物濃度ピーク領域
100 PN接合
Claims (6)
- MOS固体撮像装置の製造方法であって、
入射光を電気信号に変換するN型フォトダイオードが形成される領域を開口したレジストをシリコン基板上に形成するステップと、
前記N型フォトダイオードを形成するためのイオン注入を、前記シリコン基板の主面の法線方向に対して注入角度をつけて、かつ、互いに異なる注入方向から複数回行うステップを含むことを特徴とする、MOS固体撮像装置の製造方法。 - 前記イオン注入は、前記シリコン基板に対してチャネリングが起こらない注入角度および注入方向で、4つの注入方向から少なくとも各注入方向について1回行うことを特徴とする、請求項1に記載のMOS固体撮像装置の製造方法。
- 前記イオン注入は、前記N型フォトダイオードから信号を読み出すゲート電極を含むMOSトランジスタのチャネル幅方向と平行である注入方向を含み、かつ、4つの注入方向から少なくとも各注入方向について1回行うことを特徴とする、請求項1に記載のMOS固体撮像装置の製造方法。
- 前記イオン注入は、前記N型フォトダイオードから信号を読み出すゲート電極を含むMOSトランジスタのチャネル幅方向と平行である2つの注入方向から少なくとも各注入方向について1回行うことを特徴とする、請求項1に記載のMOS固体撮像装置の製造方法。
- 前記イオン注入は、前記N型フォトダイオードから信号を読み出すゲート電極と前記N型フォトダイオードとをオーバーラップして形成する注入方向を含んで行われ、
前記オーバーラップして形成する前記注入方向から行われるイオン注入の注入角度は、他のイオン注入の注入角度よりも大きいことを特徴とする、請求項1に記載のMOS固体撮像装置の製造方法。 - 前記MOS固体撮像装置を構成する素子分離領域がSTI(Shallow Trench Isolation)で形成され、また、前記MOS固体撮像装置を構成するMOSトランジスタのゲート酸化膜が10nm以下であることを特徴とする、請求項1に記載のMOS固体撮像装置の製造方法。
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2006
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