JP2007123655A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007123655A JP2007123655A JP2005315614A JP2005315614A JP2007123655A JP 2007123655 A JP2007123655 A JP 2007123655A JP 2005315614 A JP2005315614 A JP 2005315614A JP 2005315614 A JP2005315614 A JP 2005315614A JP 2007123655 A JP2007123655 A JP 2007123655A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- gate electrode
- ring
- well
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】1画素がリング状ゲート電極25を持つトランジスタと、ゲート電極31を持つトランジスタの2個で構成でき、また、リング状ゲート電極25を持つトランジスタをリセットするときは、ソース近傍p型領域27は完全に空乏化するので、リセット時の残留電荷量のばらつきによるリセット雑音が発生しない。また、領域I、領域II’、IIIの順にイオン注入によりnウェル231(I)、235(II)、233(III)を形成する。これにより、フォトダイオードのp型埋め込み領域29とp型エピタキシャル層22との分離幅を十分大きくとれ、nウェルの濃度を増やすことなく分離特性が改善する。
【選択図】図4
Description
(1)フォトダイオードのp型埋め込み領域29とp型エピタキシャル層22との分離幅を十分大きくとれ、nウェルの濃度を増やすことなく分離特性が改善する。
(2)領域IVの露光、注入をしなくて済み、工程が短縮される。
(3)図3では領域IIと領域IIIの重なりはなかったが、本実施の形態では重なりが生じる。この重なり部分236は不純物濃度が周辺よりも高くなる。この不純物濃度の高い領域236はフォトダイオードに蓄えられた電荷が転送ゲート電極31の電位に無関係に、nウェル235中を通ってソース近傍p型領域27に達することを防止するバリア層として機能する。
21’ 4度傾けp+型基板
22 p−型エピタキシャル層
23、23a、23b、23c、23d、231〜235 nウェル
24 ゲート酸化膜
25 リング状ゲート電極
26 n+型ソース領域
27 ソース近傍p型領域
28 n+型ドレイン領域
29 埋め込みp−型領域
30、44 フォトダイオード
31 転送ゲート電極
32、46 ドレイン電極配線
33、49 リング状ゲート電極配線
34、44 ソース電極配線(出力線)
35、41 転送ゲート電極配線
41 画素敷き詰め領域
42 画素
43 リング状ゲートMOSFET
45 転送ゲートMOSFET
71 p型領域
72 p-しきい値調整層
Claims (4)
- 第1の導電型の基板の表面に設けられた第2の導電型のウェル領域と、
前記ウェル領域に形成された第1の導電型の光電変換領域と、
前記光電変換領域の近傍で、前記ウェル領域上に絶縁膜を挟んで設けられたリング状ゲート電極と、
前記リング状ゲート電極と前記光電変換領域の間の、前記ウェル領域上に前記絶縁膜を挟んで設けられた転送ゲート電極と、
前記ウェル領域の表面のうち、前記リング状ゲート電極と前記転送ゲート電極の領域を除いた部分の少なくとも一部に設けられた、前記ウェル領域と電気的に一体化した高濃度の第2の導電型のドレイン領域と、
前記リング状ゲート電極の中心開口部に対応する前記ウェル領域中の位置に設けられた第2の導電型のソース領域と、
前記ソース領域を取り囲み、かつ、前記ドレイン領域まで達しないように前記ウェル領域中に設けられた第1の導電型のソース近傍領域とを、画素として有する固体撮像素子であって、
前記ウェル領域のうち、前記光電変換領域と共にフォトダイオードを形成している領域部分が、前記リング状ゲート電極の下にまで伸びていることを特徴とする固体撮像素子。 - 第1の導電型の基板の表面に設けられた第2の導電型のウェル領域と、
前記ウェル領域に形成された第1の導電型の光電変換領域と、
前記光電変換領域の近傍で、前記ウェル領域上に絶縁膜を挟んで設けられたリング状ゲート電極と、
前記リング状ゲート電極と前記光電変換領域の間の、前記ウェル領域上に前記絶縁膜を挟んで設けられた転送ゲート電極と、
前記ウェル領域の表面のうち、前記リング状ゲート電極と前記転送ゲート電極の領域を除いた部分の少なくとも一部に設けられた、前記ウェル領域と電気的に一体化した高濃度の第2の導電型のドレイン領域と、
前記リング状ゲート電極の中心開口部に対応する前記ウェル領域中の位置に設けられた第2の導電型のソース領域と、
前記ソース領域を取り囲み、かつ、前記ドレイン領域まで達しないように前記ウェル領域中に設けられた第1の導電型のソース近傍領域とを、画素として有する固体撮像素子であって、
前記ソース近傍領域周辺の前記ウェル領域内に、第2の導電型で周囲のウェル領域部分よりも濃度の高いバリア層を有することを特徴とする固体撮像素子。 - 前記第1の導電型の基板は、(100)面に対して3〜7度傾いていることを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像素子。
- 前記基板の前記ソース近傍領域に対応した位置に、前記ウェル領域と前記基板間に電圧をかけても完全に空乏化しない程度に濃度を高めた第1の導電型の領域を有することを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005315614A JP4779575B2 (ja) | 2005-10-31 | 2005-10-31 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005315614A JP4779575B2 (ja) | 2005-10-31 | 2005-10-31 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007123655A true JP2007123655A (ja) | 2007-05-17 |
JP4779575B2 JP4779575B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=38147148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005315614A Active JP4779575B2 (ja) | 2005-10-31 | 2005-10-31 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4779575B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61144017A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハ |
JPH1041493A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2002057315A (ja) * | 2000-08-15 | 2002-02-22 | Innotech Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP2002134729A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Innotech Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
-
2005
- 2005-10-31 JP JP2005315614A patent/JP4779575B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61144017A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハ |
JPH1041493A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2002057315A (ja) * | 2000-08-15 | 2002-02-22 | Innotech Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP2002134729A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Innotech Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4779575B2 (ja) | 2011-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5111157B2 (ja) | 光電変換装置及び光電変換装置を用いた撮像システム | |
US8053272B2 (en) | Semiconductor device fabrication method | |
US8482646B2 (en) | Image sensing device and camera | |
EP2978021B1 (en) | Imaging device and method for driving the same | |
JP6406585B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP5713050B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2014045219A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5539373B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
US20070284679A1 (en) | MOS solid-state image pickup device and manufacturing method thereof | |
US9312296B2 (en) | Solid-state imaging device and method for manufacturing solid-state imaging device | |
JP5717329B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
US20160148968A1 (en) | Solid-state image capturing device and manufacturing method for the same | |
JP2006100761A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法並びに固体撮像素子の駆動方法 | |
JP2007073544A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
US20130215287A1 (en) | Image pickup apparatus, image pickup system, and image pickup apparatus manufacturing method | |
JP2018067615A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに、電子機器 | |
JP4779575B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP4779781B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
JP2018046089A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに、電子機器 | |
JP2007123680A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2006074063A (ja) | 電荷検出装置の製造方法 | |
KR20140038625A (ko) | Npn 트랜지스터를 구비한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
JP2006196536A (ja) | 撮像素子 | |
JP2008218453A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
JP2005150564A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110308 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110509 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110607 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110620 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4779575 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |