JP2006100761A - 固体撮像素子及びその製造方法並びに固体撮像素子の駆動方法 - Google Patents
固体撮像素子及びその製造方法並びに固体撮像素子の駆動方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006100761A JP2006100761A JP2005011132A JP2005011132A JP2006100761A JP 2006100761 A JP2006100761 A JP 2006100761A JP 2005011132 A JP2005011132 A JP 2005011132A JP 2005011132 A JP2005011132 A JP 2005011132A JP 2006100761 A JP2006100761 A JP 2006100761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- gate electrode
- source
- ring
- shaped gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 130
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 67
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 117
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 51
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 35
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 16
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 13
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 17
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明の固体撮像素子は、ソース領域36の近傍にのみp型領域37があり、リング状ゲート電極35下の他の領域はn型(nウェル)33になっている。これにより、最初からp型領域自体が37で示すようにソース領域36の近傍しか存在しないために、このソース近傍p型領域37の濃度を低くすることができる。この結果、ソース近傍p型領域37に蓄積されているホール(電荷)を基板に排出するためのリセット電圧を低くすることができる。また、転送ゲート電極41に接続された転送用トランジスタを形成しているため、全画素の電荷の同時転送ができ、一括シャッタを実現できる。
【選択図】 図1
Description
光信号出力用トランジスタは、リング状ゲート電極と、リング状ゲート電極の中央開口部に設けられたソース領域と、ソース領域を取り囲み、かつ、リング状ゲート電極の外周に達しないように設けられたソース近傍領域とを有し、転送手段は、光電変換領域に蓄積された電荷をソース近傍領域へ転送することを特徴とする。
基板の表面に設けられた第2の導電型のウェル領域と、ウェル領域中に設けられた第1の導電型のフォトダイオードの光電変換領域と、光電変換領域以外のウェル領域上に絶縁膜を挟んで設けられたリング状ゲート電極と、絶縁膜上のリング状ゲート電極と光電変換領域の間の、ウェル領域上に絶縁膜を挟んで設けられた転送ゲート電極と、ウェル領域の表面のうち、リング状ゲート電極と転送ゲート電極の領域を除いた部分の少なくとも一部に設けられた、ウェル領域と電気的に一体化した高濃度の第2の導電型のドレイン領域と、リング状ゲート電極の中心開口部に対応するウェル領域中の位置に設けられた第2の導電型のソース領域と、ソース領域を取り囲み、かつ、ドレイン領域まで達しないようにウェル領域中に設けられた第1の導電型のソース近傍領域とを有する構成としたものである。
Low≦Low1≦Vg1≦Vdd (ただし、Low<Vdd)
なる不等式が成立する電位である。また、上記の期間(4)ではスイッチSW1が図3(I)に示すようにオフ、スイッチSW2が同図(J)に示すようにオン、スイッチsc1が同図(M)に示すようにオン、スイッチsc2が同図(N)に示すようにオフとされる。この結果、MOSFET53のソースに接続されたソースフォロア回路が働き、MOSFET53のソース電位は、図3(L)に示すように期間(4)ではS2(=Vg1−Vth1)となる。ここで、Vth1とはホールがある状態でのMOSFET53のしきい値電圧である。
High1≦Vdd+Vth のとき、Highs’=High1−Vth
High1>Vdd+Vth のとき、Highs’=Vdd
となる。
従って、ロング・シャッタは実現できない。しかしながら、30分の1秒以下のショート・シャッタが必要になる場合がある。例えば、走っている車など、速度の速い物体を撮影する場合に、短い露光時間で撮影すると画像がぶれないので、ショート・シャッタは有効である。
このフォトダイオード・リセット制御回路120は、撮像素子内部に設けてもよいし、外部に設けてもよい。ここでは、撮像素子内部に演算を行う専用のフォトダイオード・リセット制御回路120があるものとする。
第15の実施の形態では、1フレームの全てのラインの読み出しが終了するまでは、第1の実施の形態等と同じであるが、全てのラインの読み出しが終了した後、図36(E)に示すように全画素でリング状ゲートMOSFETのソース電極の電位をVddに上げ、同図(D)に示すようにリング状ゲート電極の電位をVdd+にする。
32 p−型エピタキシャル層
33 nウェル
34 ゲート酸化膜
35 リング状ゲート電極
36 n+型ソース領域
37、83 ソース近傍p型領域
38 n+型ドレイン領域
39、108 埋め込みp−型領域
40、54、117 フォトダイオード
41 転送ゲート電極
42、56、126 ドレイン電極配線
43、59、124 リング状ゲート電極配線
44、64、127 ソース電極配線(出力線)
45、61、125 転送ゲート電極配線
46 遮光膜
47 開口部
51 画素敷き詰め領域
52、115 画素
53、116 リング状ゲートMOSFET
55、118 転送ゲートMOSFET
57 フレームスタート信号発生回路
58、119 垂直シフトレジスタ
60、121 リング状ゲート電位制御回路
62、122 転送ゲート電位制御回路
63、123 ドレイン電位制御回路
65 ソース電位制御回路
66 信号読み出し回路
67 電流源(負荷)
68 差動アンプ
69 水平シフトレジスタ
82、84、101、110 p+型領域
94、95、96 p−型しきい値調整層
102 ゲート電極
103 ゲート電極配線
104 フォトダイオード・リセットMOSFET
105 フォトダイオード・リセット・トランジスタ・ゲート電極制御回路
109 n−型領域
114 n+型非注入領域
120 フォトダイオード・リセット制御回路
SW1、SW2、sc1、sc2 スイッチ
Claims (19)
- リング状ゲート電極を持ち、入力された電荷の量をしきい値の変化として出力する信号出力用トランジスタと、光を電荷に変換して蓄積する光電変換領域と、電荷転送手段とを含む単位画素が規則的に複数配列された固体撮像素子であって、
前記光信号出力用トランジスタは、前記リング状ゲート電極と、前記リング状ゲート電極の中央開口部に設けられたソース領域と、前記ソース領域を取り囲み、かつ、前記リング状ゲート電極の外周に達しないように設けられたソース近傍領域とを有し、
前記転送手段は、前記光電変換領域に蓄積された前記電荷を前記ソース近傍領域へ転送することを特徴とする固体撮像素子。 - 第1の導電型の基板上に、リング状ゲート電極を持つ光信号出力用トランジスタとフォトダイオードとを含む単位画素が規則的に複数配列された固体撮像素子において、
前記単位画素の各々は、
前記基板の表面に設けられた第2の導電型のウェル領域と、
前記ウェル領域中に設けられた第1の導電型の前記フォトダイオードの光電変換領域と、
前記光電変換領域以外の前記ウェル領域上に絶縁膜を挟んで設けられた前記リング状ゲート電極と、
前記絶縁膜上の前記リング状ゲート電極と前記光電変換領域の間の、前記ウェル領域上に前記絶縁膜を挟んで設けられた転送ゲート電極と、
前記ウェル領域の表面のうち、前記リング状ゲート電極と前記転送ゲート電極に対応する領域を除いた部分の少なくとも一部に設けられた、前記ウェル領域と電気的に一体化した高濃度の第2の導電型のドレイン領域と、
前記リング状ゲート電極の中心開口部に対応する前記ウェル領域中の位置に設けられた第2の導電型のソース領域と、
前記ソース領域を取り囲み、かつ、前記ドレイン領域まで達しないように前記ウェル領域中に設けられた第1の導電型のソース近傍領域と
を有することを特徴とする固体撮像素子。 - 前記ソース近傍領域は、前記ウェル領域内に埋め込まれていることを特徴とする請求項2記載の固体撮像素子。
- 前記ソース近傍領域内のさらに前記ソース領域の近傍位置に、第1の導電型の高濃度領域が形成されていることを特徴とする請求項2又は3記載の固体撮像素子。
- 前記ソース近傍領域の一部は、前記ゲート絶縁膜に接していることを特徴とする請求項2記載の固体撮像素子。
- 前記ソース近傍領域の一部は、前記ゲート絶縁膜に接しており、かつ、前記ソース近傍領域内のさらに前記ソース領域の近傍位置に第1の導電型の高濃度領域が形成されており、前記高濃度領域は前記ウェル領域内に埋め込まれていることを特徴とする請求項2記載の固体撮像素子。
- 前記ソース近傍領域内の前記高濃度領域は、前記リング状ゲート電極の中心開口部の下側の位置に設けられ、かつ、前記リング状ゲート電極の前記ソース領域側端部の内側に形成されていることを特徴とする請求項6記載の固体撮像素子。
- 前記転送ゲート電極の下側に対応する前記ウェル領域上の位置に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域よりも浅い深さの、第1の導電型のしきい値調整層を設けたことを特徴とする請求項2乃至7のうちいずれか一項記載の固体撮像素子。
- 前記転送ゲート電極の下側と、前記リング状ゲート電極の前記転送ゲート電極側の下側にそれぞれ対応する前記ウェル領域上の位置に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域よりも浅い深さの、第1の導電型のしきい値調整層を設けたことを特徴とする請求項2乃至7のうちいずれか一項記載の固体撮像素子。
- 前記転送ゲート電極の下側と、前記リング状ゲート電極の下側全面にそれぞれ対応する前記ウェル領域上の位置に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域よりも浅い深さの、第1の導電型のしきい値調整層を設けたことを特徴とする請求項2乃至7のうちいずれか一項記載の固体撮像素子。
- 前記単位画素の各々は、
前記リング状ゲート電極及び前記転送ゲート電極に対応する前記ウェル領域内の位置と、前記フォトダイオードの第1の導電型の光電変換領域を、前記ドレイン領域、前記ソース領域及び前記ソース近傍領域を除いた前記ウェル領域内に、前記ウェル領域の表面から前記基板に達する高濃度の第1の導電型の埋め込み領域がドレイン領域として形成され、かつ、その埋め込み領域と第1の導電型の前記光電変換領域との間の、前記ウェル領域上に前記絶縁膜を挟んで設けられたゲート電極を有すると共に、第1の導電型の前記光電変換領域をソース領域とするフォトダイオード・リセット・トランジスタが形成されており、
前記フォトダイオード・リセット・トランジスタをスイッチとして、前記信号出力トランジスタから画素信号を読み出し中の任意の時間に、前記光電変換領域の電荷を前記基板に排出することを特徴とする請求項2乃至10のうちいずれか一項記載の固体撮像素子。 - 前記単位画素の各々は、
前記フォトダイオードの光電変換領域の底から前記基板の間の前記ウェル領域内に、低濃度の第2の導電型の第1の領域と高濃度の第1の導電型の第2の領域とが設けられていることを特徴とする請求項2乃至10のうちいずれか一項記載の固体撮像素子。 - 第1の導電型の基板上に、リング状ゲート電極を持つ光信号出力用トランジスタとフォトダイオードとを含む単位画素が規則的に複数配列された固体撮像素子の製造方法において、
前記基板の表面に設けられた第2の導電型のウェル領域の所定位置に第1の導電型のソース近傍領域を形成する第1のステップと、
前記ウェル領域上に中心開口部が前記ソース近傍領域の上方にくるように、前記リング状ゲート電極をゲート絶縁膜を介して形成する第2のステップと、
前記リング状ゲート電極をマスクとして、前記ソース近傍領域内に高濃度の第1の導電型の不純物を注入して前記ソース近傍領域内に第1の導電型の高濃度領域を形成する第3のステップと、
前記リング状ゲート電極をマスクとして、前記高濃度領域内に第2の導電型の不純物を注入して前記高濃度領域内に第2の導電型の表面層を形成する第4のステップと、
前記リング状ゲート電極の中央開口部の内壁にサイドスペーサを形成する第5のステップと、
前記サイドスペーサを通して前記表面層に高濃度の第2の導電型の不純物を注入して、前記光信号出力用トランジスタの第2の導電型のソース領域を形成する第6のステップと
を含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1記載の固体撮像素子の駆動方法であって、
全画素の前記転送手段を同時にオンとし、かつ、前記リング状ゲート電極を持つ光信号出力用トランジスタをオフ状態にして、前記単位画素の各々の前記光電変換領域に蓄積された電荷を、同じ画素の前記リング状ゲート電極の直下の基板に一斉に転送して前記ソース近傍領域に蓄積させる第1のステップと、
前記転送手段をオフ状態として、再び前記光電変換領域に、入射光を光電変換して得た電荷の蓄積を開始させる第2のステップと、
前記複数の画素の前記リング状ゲート電極を持つ光信号出力用トランジスタを順次に動作状態に制御して、各画素の前記ソース近傍領域に蓄積されている前記電荷による電位変化を前記光信号出力用トランジスタのしきい値電圧の変化として信号を読み出す第3のステップと、
前記複数の画素の前記リング状ゲート電極を持つ光信号出力用トランジスタをオン状態に制御して前記ソース近傍領域に蓄積されている前記電荷を基板に排出する第4のステップと
を含むことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 請求項2乃至10のうちいずれか一項記載の固体撮像素子の駆動方法であって、
全ての前記単位画素の前記リング状ゲート電極を第1の電位とすると共に、前記転送ゲート電極を第2の電位として、前記フォトダイオードの光電変換領域の電荷を前記ソース近傍領域へ転送する第1のステップと、
全ての前記単位画素の前記転送ゲート電極を設定した任意の時間第3の電位として、前記フォトダイオードによる入射光の光電変換を開始させる第2のステップと、
前記フォトダイオードの光電変換中に、全ての前記単位画素の前記信号出力用トランジスタを制御して、前記第1のステップで前記ソース近傍領域へ転送された前記電荷を前記基板へ排出させる第3のステップと、
前記第2のステップによる光電変換開始後、前記設定した任意の時間経過後に、全ての前記単位画素の前記転送ゲート電極を前記第2の電位とすると共に、全ての前記単位画素の前記リング状ゲート電極を前記第1の電位として、前記フォトダイオードの光電変換領域の電荷を前記ソース近傍領域へ転送する第4のステップと、
全ての前記単位画素の前記転送ゲート電極を前記第3の電位とすると共に、全ての前記単位画素の前記信号出力用トランジスタを単位画素単位で順次に制御して、その単位画素内の前記ソース近傍領域の電位変化を前記信号出力用トランジスタのしきい値電圧の変化として信号を読み出す第5のステップと
を含むことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 請求項12記載の固体撮像素子の駆動方法であって、
前記信号出力用トランジスタによる一ラインの読み出しが終わった時点で、一旦読み出し操作を中断する第1のステップと、
全ての前記単位画素の前記転送ゲート電極に、前記第3の電位とは異なる第4の電位を供給すると共に、全ての前記単位画素の前記リング状ゲート電極に前記信号出力用トランジスタがオンしない所定の電位を供給する第2のステップと、
前記ドレイン領域に前記第4の電位と略等しい第5の電位を供給して、前記フォトダイオードの光電変換領域の電荷を前記第1の領域及び前記第2の領域をそれぞれ通して前記基板へ排出する第3のステップと
を含むことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 請求項2乃至10のうちいずれか一項記載の固体撮像素子の駆動方法であって、
1フレームの読み出しの間に任意のライン数の読み出し終了毎に、前記単位画素からの読み出し操作を一時中断する第1のステップと、
前記読み出し操作の一時中断中に、全ての前記単位画素の前記ドレイン領域の電位を全ての前記単位画素の前記ソース領域の電位と同電位にすると共に、前記リング状ゲート電極の電位を前記信号出力用トランジスタのしきい値電圧以上に高くする第2のステップと
を含み、前記リング状ゲート電極の下側の前記絶縁膜界面を反転状態とすることを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 請求項2乃至10のうちいずれか一項記載の固体撮像素子の駆動方法であって、
1フレームの最終ラインの前記単位画素の各信号出力用トランジスタからの読み出し終了を検出する第1のステップと、
前記1フレームの最終ラインの読み出し終了後に、全ての前記単位画素の前記ソース領域の電位を全ての前記単位画素の前記ドレイン領域の電位と同電位とすると共に、前記リング状ゲート電極の電位を前記信号出力用トランジスタのしきい値電圧以上に高くする第2のステップと
を含み、前記リング状ゲート電極の下側の前記絶縁膜界面を反転状態とすることを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 請求項2乃至10のうちいずれか一項記載の固体撮像素子の駆動方法であって、
前記転送ゲート電極直下のウェル領域をゲート領域とし、前記光電変換領域をソース領域とし、前記ソース近傍領域をドレイン領域とする転送トランジスタを全画素同時にオンとし、かつ、前記リング状ゲート電極の直下の前記ソース近傍領域をゲート領域とし、前記ドレイン領域及び前記ソース領域を有する前記リング状ゲート電極を持つ光信号出力用トランジスタをオフ状態にして、前記単位画素の各々の前記フォトダイオードの光電変換領域に蓄積された電荷を、同じ画素の前記リング状ゲート電極の直下の基板に一斉に転送して前記ソース近傍領域に蓄積させる第1のステップと、
前記転送トランジスタをオフ状態として、再び前記フォトダイオードの光電変換領域に、入射光を光電変換して得た電荷の蓄積を開始させる第2のステップと、
前記複数の画素の前記リング状ゲート電極を持つ光信号出力用トランジスタを順次に動作状態に制御して、各画素の前記ソース近傍領域に蓄積されている前記電荷による電位変化を前記光信号出力用トランジスタのしきい値電圧の変化として信号を読み出す第3のステップと、
前記光信号出力用トランジスタのソース電極電位をフローティング状態にする第4のステップと、
前記光信号出力用トランジスタの前記リング状ゲート電極をリセット電位に設定することにより、前記ソース近傍領域に蓄積されている電荷を前記基板に排出する第5のステップと
を含むことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005011132A JP2006100761A (ja) | 2004-01-29 | 2005-01-19 | 固体撮像素子及びその製造方法並びに固体撮像素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004021895 | 2004-01-29 | ||
JP2004256494 | 2004-09-03 | ||
JP2005011132A JP2006100761A (ja) | 2004-01-29 | 2005-01-19 | 固体撮像素子及びその製造方法並びに固体撮像素子の駆動方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011160534A Division JP5316606B2 (ja) | 2004-01-29 | 2011-07-22 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2011160533A Division JP5316605B2 (ja) | 2004-01-29 | 2011-07-22 | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006100761A true JP2006100761A (ja) | 2006-04-13 |
Family
ID=36240236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005011132A Pending JP2006100761A (ja) | 2004-01-29 | 2005-01-19 | 固体撮像素子及びその製造方法並びに固体撮像素子の駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006100761A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007208364A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置の駆動方法 |
JP2007228507A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子 |
JP2007251461A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置 |
JP2008112795A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子 |
JP2008244392A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
CN107204335A (zh) * | 2016-03-17 | 2017-09-26 | 松下知识产权经营株式会社 | 光传感器及摄像装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1041493A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2002050753A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Innotech Corp | 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置 |
JP2002057315A (ja) * | 2000-08-15 | 2002-02-22 | Innotech Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP2002134729A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Innotech Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP2004087963A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Innotech Corp | 固体撮像素子、固体撮像装置、および固体撮像素子の駆動方法 |
JP2004208006A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Innotech Corp | 固体撮像装置 |
-
2005
- 2005-01-19 JP JP2005011132A patent/JP2006100761A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1041493A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2002050753A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Innotech Corp | 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置 |
JP2002057315A (ja) * | 2000-08-15 | 2002-02-22 | Innotech Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP2002134729A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Innotech Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP2004087963A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Innotech Corp | 固体撮像素子、固体撮像装置、および固体撮像素子の駆動方法 |
JP2004208006A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Innotech Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007208364A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置の駆動方法 |
JP4561646B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2010-10-13 | 日本ビクター株式会社 | 固体撮像装置の駆動方法 |
JP2007228507A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子 |
JP4561651B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2010-10-13 | 日本ビクター株式会社 | 固体撮像素子 |
JP2007251461A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置 |
JP4618170B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2011-01-26 | 日本ビクター株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2008112795A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子 |
JP2008244392A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
CN107204335A (zh) * | 2016-03-17 | 2017-09-26 | 松下知识产权经营株式会社 | 光传感器及摄像装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5316605B2 (ja) | 固体撮像素子及びその駆動方法 | |
US20210335875A1 (en) | Solid-state imaging element, manufacturing method, and electronic device | |
US9602750B2 (en) | Image sensor pixels having built-in variable gain feedback amplifier circuitry | |
JP4655898B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US8525896B2 (en) | Solid-state imaging apparatus | |
JP4439888B2 (ja) | Mos型固体撮像装置及びその駆動方法 | |
JPH0878653A (ja) | 増幅型光電変換素子、それを用いた増幅型固体撮像装置、及び増幅型光電変換素子の製造方法 | |
EP1850387A1 (en) | Solid-state image pickup device | |
KR100266417B1 (ko) | 증폭형 고체촬상소자 및 증폭형 고체촬상장치 | |
JP2006100761A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法並びに固体撮像素子の駆動方法 | |
US9231021B2 (en) | Image pickup apparatus, image pickup system, and image pickup apparatus manufacturing method | |
JP6029698B2 (ja) | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム | |
CN104282705B (zh) | 固态成像设备、其制造方法以及电子设备 | |
US7067860B2 (en) | Solid-state imaging device | |
CN111818282B (zh) | 摄像元件及摄像装置 | |
JP4618170B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4779575B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP5034598B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP4760325B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
KR100269636B1 (ko) | 고체촬상소자 | |
JP4561651B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP4678270B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2008218453A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
JP2009088288A (ja) | 電荷転送素子および固体撮像素子並びに撮像装置 | |
JP2009259921A (ja) | 固体撮像素子の駆動方法、及び撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110722 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20111012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120313 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120925 |