JP4779781B2 - 固体撮像装置とその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 45
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 44
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 27
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 9
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003530 single readout Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
2 ソース領域
3 ドレイン領域
4 ソース近傍領域
5 p-型転送ゲート電極
6 p-型埋め込み領域
7 n+型表面領域
8 転送チャンネル領域
9 p+基板
10 p-エピタキシャル層
11、12 n型ウェル
13 ゲート酸化膜
14 p+型リセット埋め込み領域
18 信号読み出しトランジスタ
19 フォトダイオード
20 画素転送トランジスタ
21 リングゲートバス配線
22 転送用バス配線
23 ドレイン用バス配線
24 出力線
25 垂直走査回路
26 転送ゲート駆動回路
27 ドレイン電圧制御回路
28 ソース電位制御回路
29 信号出力回路
30 水平走査回路
31、33 フォトレジスト
32 拡大ソース近傍領域
34 拡大ソース近傍注入域
35 リセット埋め込み注入域
36 転送チャンネル注入域
37 リセット埋め込み領域
Claims (4)
- 基板上の平面形状がリング状のリング状ゲート電極と、前記リング状ゲート電極の中央開口部に対応する前記基板の位置に設けられたソース領域と、前記ソース領域に隣接して前記ソース領域を取り囲むように、かつ、前記リング状ゲート電極の外周に達しないように前記基板に設けられたソース近傍領域とからなり、入力された電荷の量をしきい値電圧の変化として出力する信号出力用トランジスタと、
光を電荷に変換する光電変換領域と、
前記光電変換領域に蓄積された前記電荷を前記信号出力用トランジスタの前記ソース近傍領域へ転送する電荷転送手段とを含む単位画素が複数配列され、
前記電荷転送手段は、前記基板上における前記リング状ゲート電極と前記光電変換領域との間に設けられた転送ゲート電極、及び前記基板に設けられた電荷転送チャンネル領域を含み、該電荷転送チャンネル領域は前記信号出力用トランジスタの前記ソース近傍領域に接して、かつ、前記ソース近傍領域を取り囲むように、前記転送ゲート電極の下の領域から前記リング状ゲート電極の外周の下の領域に亘って形成されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記電荷転送手段の前記電荷転送チャンネル領域は、前記信号出力用トランジスタの前記ソース近傍領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度をもつことを特徴とする請求頂1記載の固体撮像装置。
- 請求項1記載の固体撮像装置を製造する製造方法であって、
第1の導電型の基板内に第2の導電型のウェルを形成する第1の工程と、
第2の導電型の前記ウェル内に第1の導電型の拡大ソース近傍領域と、第1の導電型の光電変換領域とを離間して形成する第2の工程と、
前記拡大ソース近傍領域の上にゲート絶縁膜を介して平面形状がリング状で、かつ、その外周端が前記拡大ソース近傍領域の外周端よりも内側に位置するリング状ゲート電極を形成する第3の工程と、
前記リング状ゲート電極の外周部をマスクとして斜め方向から第2の導電型の不純物のイオン注入を行い、前記拡大ソース近傍領域の外周端から前記リング状ゲート電極の下の一部までに達する領域に第2の導電型の電荷転送チャンネル領域を形成すると共に、前記電荷転送チャンネル領域として形成されない前記リング状ゲート電極の中央開口部に対応する位置を含む前記拡大ソース近傍領域をソース近傍領域として残す第4の工程と
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 請求項1記載の固体撮像装置を製造する製造方法であって、
第1の導電型の基板内に第2の導電型のウェルを形成する第1の工程と、
第2の導電型の前記ウェル内に第1の導電型の拡大ソース近傍領域と、第1の導電型の光電変換領域とを離間して形成する第2の工程と、
前記拡大ソース近傍領域の上にゲート絶縁膜を介して平面形状がリング状で、かつ、その外周端が前記拡大ソース近傍領域の外周端よりも内側に位置するリング状ゲート電極を形成する第3の工程と、
前記リング状ゲート電極の外周部をマスクとして第2の導電型の不純物のイオン注入を行い、前記リング状ゲート電極の外周部の外側の前記ウェルの表面に、第2の導電型の電荷転送チャンネル領域を形成する第4の工程と、
前記イオン注入後に熱処理をして前記リング状ゲート電極の下の一部までに達するように、前記電荷転送チャンネル領域を拡散させると共に、前記電荷転送チャンネル領域として拡散されない前記リング状ゲート電極の中央開口部に対応する位置を含む拡散後の前記拡大ソース近傍領域をソース近傍領域として残す第5の工程と
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006108645A JP4779781B2 (ja) | 2006-04-11 | 2006-04-11 | 固体撮像装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006108645A JP4779781B2 (ja) | 2006-04-11 | 2006-04-11 | 固体撮像装置とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007281344A JP2007281344A (ja) | 2007-10-25 |
JP4779781B2 true JP4779781B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=38682464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006108645A Active JP4779781B2 (ja) | 2006-04-11 | 2006-04-11 | 固体撮像装置とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4779781B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7249552B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2023-03-31 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
CN111276502B (zh) * | 2020-02-19 | 2023-04-25 | 宁波飞芯电子科技有限公司 | 光电转换单元及图像传感器 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005117018A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-28 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP4649910B2 (ja) * | 2004-08-09 | 2011-03-16 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置 |
-
2006
- 2006-04-11 JP JP2006108645A patent/JP4779781B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007281344A (ja) | 2007-10-25 |
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Date | Code | Title | Description |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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