JP7249552B2 - 撮像装置 - Google Patents
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Description
第1導電型の不純物を含む半導体領域と、
前記半導体領域に接し、前記第1導電型とは異なる第2導電型の不純物を含み、入射光を電荷に変換する第1拡散領域と、
前記第2導電型の不純物を含み、前記第1拡散領域から流入する前記電荷の少なくとも一部を蓄積する第2拡散領域と、
を含む半導体基板と、
前記半導体基板上に位置する第1ゲート電極を含み、前記第2拡散領域をソース及びドレインの一方として含む第1トランジスタと、
前記第2拡散領域に電気的に接続されるコンタクトプラグと、
一端が前記コンタクトプラグに電気的に接続される容量素子と、
前記半導体基板上に位置する第2ゲート電極を含み、前記第2ゲート電極が前記容量素子の前記一端に電気的に接続される第2トランジスタと、
を備える、撮像装置。
前記半導体基板は、前記第1拡散領域の上面を覆い、前記第1導電型の不純物を含む第3拡散領域を含む、項目1に記載の撮像装置。
前記半導体基板は、前記第1導電型の不純物を含むウェル領域を含み、
前記第2拡散領域は、前記ウェル領域内に位置する、項目1に記載の撮像装置。
前記半導体基板は、前記第2拡散領域と前記第3拡散領域とを電気的に絶縁する第1分離領域を含む、項目2に記載の撮像装置。
前記第1分離領域は、第2分離領域を含み、
前記第2分離領域における前記第1導電型の不純物の濃度は、前記第3拡散領域における前記第1導電型の不純物の濃度よりも大きい、項目4に記載の撮像装置。
前記半導体基板は、前記第1拡散領域および前記第2拡散領域に接し、前記第2導電型の不純物を含む第4拡散領域を含む、項目1に記載の撮像装置。
前記第2拡散領域は、前記ウェル領域を介して前記第1拡散領域に対向している、項目3に記載の撮像装置。
前記半導体基板は、前記第2導電型の不純物を含む第5拡散領域を含み、
前記第1トランジスタは、前記第5拡散領域をソース及びドレインの他方として含み、
前記第2拡散領域における前記第2導電型の不純物の濃度は、前記第5拡散領域における前記第2導電型の不純物の濃度よりも小さい、項目1から項目7のいずれか一項に記載の撮像装置。
前記半導体基板は、前記第2導電型の不純物を含む第5拡散領域を含み、
前記第1トランジスタは、前記第5拡散領域をソース及びドレインの他方として含み、
前記半導体基板に垂直な方向から見たとき、前記第2拡散領域の面積は、前記5拡散領域の面積よりも小さい、項目1から項目8のいずれか一項に記載の撮像装置。
図1は、本実施の形態に係る撮像装置100Aの回路構成を示す図である。
次に、本実施の形態の変形例1における画素の構成について、図3を用いて説明する。図3は、本変形例における画素10Bの構成を説明する図である。なお、本変形例に係る撮像装置の回路構成は、図1に示す実施の形態と同じである。
次に、本実施の形態の変形例2における画素の構成について、図4を用いて説明する。図4は、本変形例における画素10Cの構成を説明する図である。
次に、本実施の形態の変形例3における画素の構成について、図5を用いて説明する。図5は、本変形例における画素10Dの構成を説明する図である。
次に、本実施の形態の変形例4における画素の構成について、図6を用いて説明する。図6は、本変形例における画素10Eの構成を説明する図である。
1a 第1面
1b 第2面
2 第1拡散領域
3 第2拡散領域
4 ゲート電極
5、5a、5b、5c、5d n型不純物領域
6 第3拡散領域
7 絶縁層
8a、8b コンタクトプラグ
9 分離領域
10A、10B、10C、10D、10E、10F、10H 画素
10G 画素セル
11 ウェル領域
12 光電変換部(フォトダイオード)
13 第4拡散領域(接続領域)
18a、18b コンタクトプラグ
19 第1分離領域
20 第2分離領域
21 アドレストランジスタ
22 増幅トランジスタ
23 リセットトランジスタ
24 フィードバックトランジスタ
30 垂直走査回路
31 アドレス信号線
32 リセット信号線
40 水平信号読み出し回路
41 垂直信号線
42 負荷回路
43 カラム信号処理回路
44 水平共通信号線
45 反転増幅器
46 フィードバック線
47 フィードバック回路
50 電源配線
51 蓄積制御線
60 容量素子
61 第2容量素子
71 第1配線
72 第2配線
73 第3配線
74 第4配線
80 n型領域
90 p型領域
100A 撮像装置
110A 高感度画素
110B 低感度画素
120A 第1の光電変換部(第1のフォトダイオード)
120B 第2の光電変換部(第2のフォトダイオード)
121 第1の転送トランジスタ
123 第2の転送トランジスタ
124 電荷蓄積部
125 スイッチトランジスタ
126 リセットトランジスタ
127 増幅トランジスタ
128 第1の電荷蓄積領域
129 第2の電荷蓄積領域
161 上部電極
162 誘電体膜
163 下部電極
RS リセット制御線
SW スイッチ制御線
TGL 転送制御線
TGS 転送制御線
VL 垂直信号線
Claims (10)
- 第1導電型の不純物を含む半導体領域と、
前記半導体領域に接し、前記第1導電型とは異なる第2導電型の不純物を含み、入射光を電荷に変換する第1拡散領域と、
前記第2導電型の不純物を含み、前記第1拡散領域から流入する前記電荷の少なくとも一部を蓄積する第2拡散領域と、
を含む半導体基板と、
前記半導体基板上に位置する第1ゲート電極を含み、前記第2拡散領域をソース及びドレインの一方として含む第1トランジスタと、
前記第2拡散領域に電気的に接続されるコンタクトプラグと、
一端が前記コンタクトプラグに電気的に接続される容量素子と、
前記半導体基板上に位置する第2ゲート電極を含み、前記第2ゲート電極が前記容量素子の前記一端に電気的に接続される第2トランジスタと、
を備え、
前記容量素子の他端には、基準電圧が接続される、撮像装置。 - 前記半導体基板は、前記第1拡散領域の上面を覆い、前記第1導電型の不純物を含む第3拡散領域を含む、請求項1に記載の撮像装置。
- 前記半導体基板は、前記第1導電型の不純物を含むウェル領域を含み、
前記第2拡散領域は、前記ウェル領域内に位置する、請求項1に記載の撮像装置。 - 第1導電型の不純物を含む半導体領域と、
前記半導体領域に接し、前記第1導電型とは異なる第2導電型の不純物を含み、入射光を電荷に変換する第1拡散領域と、
前記第2導電型の不純物を含み、前記第1拡散領域から流入する前記電荷の少なくとも一部を蓄積する第2拡散領域と、
を含む半導体基板と、
前記半導体基板上に位置する第1ゲート電極を含み、前記第2拡散領域をソース及びドレインの一方として含む第1トランジスタと、
前記第2拡散領域に電気的に接続されるコンタクトプラグと、
一端が前記コンタクトプラグに電気的に接続される容量素子と、
前記半導体基板上に位置する第2ゲート電極を含み、前記第2ゲート電極が前記容量素子の前記一端に電気的に接続される第2トランジスタと、
を備え、
前記半導体基板は、前記第1拡散領域の上面を覆い、前記第1導電型の不純物を含む第3拡散領域を含み、
前記半導体基板は、前記第2拡散領域と前記第3拡散領域とを電気的に絶縁する第1分離領域を含む、撮像装置。 - 前記第1分離領域は、第2分離領域を含み、
前記第2分離領域における前記第1導電型の不純物の濃度は、前記第3拡散領域における前記第1導電型の不純物の濃度よりも大きい、請求項4に記載の撮像装置。 - 前記半導体基板は、前記第1拡散領域および前記第2拡散領域に接し、前記第2導電型の不純物を含む第4拡散領域を含む、請求項1に記載の撮像装置。
- 前記第2拡散領域は、前記ウェル領域を介して前記第1拡散領域に対向している、請求項3に記載の撮像装置。
- 前記半導体基板は、前記第2導電型の不純物を含む第5拡散領域を含み、
前記第1トランジスタは、前記第5拡散領域をソース及びドレインの他方として含み、
前記第2拡散領域における前記第2導電型の不純物の濃度は、前記第5拡散領域における前記第2導電型の不純物の濃度よりも小さい、請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記半導体基板は、前記第2導電型の不純物を含む第5拡散領域を含み、
前記第1トランジスタは、前記第5拡散領域をソース及びドレインの他方として含み、
前記半導体基板に垂直な方向から見たとき、前記第2拡散領域の面積は、前記第5拡散領域の面積よりも小さい、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記容量素子の他端には、基準電圧が接続される、請求項4または請求項5に記載の撮像装置。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2002016243A (ja) | 2000-04-28 | 2002-01-18 | Hynix Semiconductor Inc | Cmosイメージセンサー及びその製造方法 |
JP2002094042A (ja) | 2000-06-20 | 2002-03-29 | Pixelplus Co Ltd | Cmosアクティブピクセル |
JP2003264278A (ja) | 2002-03-12 | 2003-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003282857A (ja) | 2001-11-16 | 2003-10-03 | Hynix Semiconductor Inc | イメージセンサおよびその製造方法 |
JP2006514446A (ja) | 2003-02-07 | 2006-04-27 | リー・ドヨン | 広いダイナミックレンジを有する画像受光デバイス |
JP2016076921A (ja) | 2014-10-08 | 2016-05-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置およびその駆動方法 |
Family Cites Families (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5268576A (en) * | 1991-04-04 | 1993-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Infrared focal plane array processor with integration and low pass filter per pixel |
JP3310176B2 (ja) * | 1996-09-19 | 2002-07-29 | 株式会社東芝 | Mos型固体撮像装置 |
US5903021A (en) * | 1997-01-17 | 1999-05-11 | Eastman Kodak Company | Partially pinned photodiode for solid state image sensors |
US5939742A (en) * | 1997-02-10 | 1999-08-17 | Lucent Technologies Inc. | Field-effect photo-transistor |
JP3758884B2 (ja) * | 1998-03-30 | 2006-03-22 | Necエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
US6677613B1 (en) * | 1999-03-03 | 2004-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US6204524B1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | CMOS imager with storage capacitor |
JP4481464B2 (ja) * | 2000-09-20 | 2010-06-16 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP4575616B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2010-11-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004140329A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-05-13 | Seiko Epson Corp | 基板装置及びその製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
US7525168B2 (en) * | 2002-08-27 | 2009-04-28 | E-Phocus, Inc. | CMOS sensor with electrodes across photodetectors at approximately equal potential |
US6744084B2 (en) * | 2002-08-29 | 2004-06-01 | Micro Technology, Inc. | Two-transistor pixel with buried reset channel and method of formation |
JP3891126B2 (ja) * | 2003-02-21 | 2007-03-14 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置 |
US7071505B2 (en) | 2003-06-16 | 2006-07-04 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for reducing imager floating diffusion leakage |
US6780666B1 (en) * | 2003-08-07 | 2004-08-24 | Micron Technology, Inc. | Imager photo diode capacitor structure with reduced process variation sensitivity |
JP2005101864A (ja) | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Sony Corp | 固体撮像素子の駆動方法、固体撮像装置 |
US7026596B2 (en) * | 2003-10-30 | 2006-04-11 | Micron Technology, Inc. | High-low sensitivity pixel |
US7193257B2 (en) * | 2004-01-29 | 2007-03-20 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Solid state image sensing device and manufacturing and driving methods thereof |
JP4763242B2 (ja) | 2004-02-05 | 2011-08-31 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
US7214974B2 (en) * | 2004-06-04 | 2007-05-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors for reducing dark current and methods of manufacturing the same |
US7535042B2 (en) * | 2004-07-01 | 2009-05-19 | Aptina Imaging Corporation | Pixel cell with a controlled output signal knee characteristic response |
JP4279880B2 (ja) * | 2004-07-06 | 2009-06-17 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4878123B2 (ja) * | 2005-02-07 | 2012-02-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
US7718459B2 (en) * | 2005-04-15 | 2010-05-18 | Aptina Imaging Corporation | Dual conversion gain pixel using Schottky and ohmic contacts to the floating diffusion region and methods of fabrication and operation |
US7804117B2 (en) * | 2005-08-24 | 2010-09-28 | Aptina Imaging Corporation | Capacitor over red pixel |
JP4779781B2 (ja) * | 2006-04-11 | 2011-09-28 | 日本ビクター株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
JP3996618B1 (ja) * | 2006-05-11 | 2007-10-24 | 総吉 廣津 | 半導体撮像素子 |
JP4699408B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2011-06-08 | 富士通株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
JP2008166607A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法 |
JP2009060424A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Rohm Co Ltd | 光電変換回路及びこれを用いた固体撮像装置 |
US7901974B2 (en) * | 2008-02-08 | 2011-03-08 | Omnivision Technologies, Inc. | Masked laser anneal during fabrication of backside illuminated image sensors |
US20090201400A1 (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Omnivision Technologies, Inc. | Backside illuminated image sensor with global shutter and storage capacitor |
JP5369779B2 (ja) * | 2009-03-12 | 2013-12-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
JP2010278654A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子、撮像装置、撮像方法 |
US8569807B2 (en) * | 2009-09-01 | 2013-10-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside illuminated image sensor having capacitor on pixel region |
JP2011204797A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
US9200956B2 (en) * | 2010-06-27 | 2015-12-01 | Sri International | Readout transistor circuits for CMOS imagers |
CN103392233B (zh) * | 2010-06-30 | 2016-08-24 | 生命科技公司 | 阵列列积分器 |
JP5697371B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2015-04-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
JP5557795B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2014-07-23 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
US8604407B2 (en) * | 2011-04-29 | 2013-12-10 | Aptina Imaging Corporation | Dual conversion gain pixel methods, systems, and apparatus |
TWI505453B (zh) * | 2011-07-12 | 2015-10-21 | Sony Corp | 固態成像裝置,用於驅動其之方法,用於製造其之方法,及電子裝置 |
WO2013021577A1 (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-14 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
US8471316B2 (en) * | 2011-09-07 | 2013-06-25 | Omnivision Technologies, Inc. | Isolation area between semiconductor devices having additional active area |
US9728667B1 (en) * | 2011-10-21 | 2017-08-08 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | Solid state photomultiplier using buried P-N junction |
JP2014022795A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Sony Corp | 撮像素子、撮像方法 |
US20140263947A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Caeleste Cvba | Enhanced dynamic range imaging |
US9305907B2 (en) * | 2013-03-22 | 2016-04-05 | Stmicroelectronics S.R.L. | Optoelectronic integrated device including a photodetector and a MOSFET transistor, and manufacturing process thereof |
JP6159184B2 (ja) * | 2013-07-25 | 2017-07-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP5923668B2 (ja) * | 2013-08-02 | 2016-05-24 | シャープ株式会社 | 放射線検出用半導体装置 |
JP6215246B2 (ja) | 2014-05-16 | 2017-10-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法、並びに電子機器 |
TW201601300A (zh) * | 2014-06-26 | 2016-01-01 | 原相科技股份有限公司 | 具連接到浮動擴散區的半導體電容的背感光式半導體結構 |
US9967501B2 (en) | 2014-10-08 | 2018-05-08 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
JP6307771B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2018-04-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2016139936A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
US9490282B2 (en) * | 2015-03-19 | 2016-11-08 | Omnivision Technologies, Inc. | Photosensitive capacitor pixel for image sensor |
JP6555468B2 (ja) * | 2015-04-02 | 2019-08-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
CN108878462B (zh) * | 2017-05-12 | 2023-08-15 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置及照相机系统 |
CN109494302B (zh) * | 2017-09-12 | 2024-04-05 | 松下知识产权经营株式会社 | 电容元件、图像传感器以及电容元件的制造方法 |
CN109920808B (zh) * | 2017-12-13 | 2024-05-14 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
-
2018
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-
2020
- 2020-05-20 US US16/878,667 patent/US11393858B2/en active Active
-
2022
- 2022-06-13 US US17/838,911 patent/US20220310673A1/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002016243A (ja) | 2000-04-28 | 2002-01-18 | Hynix Semiconductor Inc | Cmosイメージセンサー及びその製造方法 |
JP2002094042A (ja) | 2000-06-20 | 2002-03-29 | Pixelplus Co Ltd | Cmosアクティブピクセル |
JP2003282857A (ja) | 2001-11-16 | 2003-10-03 | Hynix Semiconductor Inc | イメージセンサおよびその製造方法 |
JP2003264278A (ja) | 2002-03-12 | 2003-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006514446A (ja) | 2003-02-07 | 2006-04-27 | リー・ドヨン | 広いダイナミックレンジを有する画像受光デバイス |
JP2016076921A (ja) | 2014-10-08 | 2016-05-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置およびその駆動方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11393858B2 (en) | 2022-07-19 |
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