JP6159184B2 - 光電変換装置及び撮像システム - Google Patents
光電変換装置及び撮像システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6159184B2 JP6159184B2 JP2013154961A JP2013154961A JP6159184B2 JP 6159184 B2 JP6159184 B2 JP 6159184B2 JP 2013154961 A JP2013154961 A JP 2013154961A JP 2013154961 A JP2013154961 A JP 2013154961A JP 6159184 B2 JP6159184 B2 JP 6159184B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor region
- type semiconductor
- photoelectric conversion
- conversion device
- impurity concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 72
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 256
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
図2および図3により本実施形態に係る光電変換装置について説明する。図2(a)は実施形態1に係る光電変換装置のレイアウト例を示す上面図を示し、図2(b)は図2(a)のカットラインA−A‘における断面構造を示す。
本実施形態は、実施形態1と同様にP型半導体領域130、131の不純物濃度は、P型半導体領域150の不純物濃度より低くなっている。P型半導体領域130の中には、P型半導体領域130より不純物濃度の高い領域となるP型半導体領域160(第7半導体領域)が配置されている。P型半導体領域160は、コンタクトプラグが形成される領域となる。本実施形態について図5により説明する。以下では主に実施形態1と異なる点について説明する。本実施形態のP型半導体領域130,131の不純物濃度は例えば実施形態1のP型半導体領域130の不純物濃度と同じ程度である。P型半導体領域160の不純物濃度はP型半導体領域130の不純物濃度より高く、P型半導体領域150より低い。P型半導体領域160はP型半導体領域130の中に含まれるように形成されている。P型半導体領域130は、P型半導体領域160よりも深い領域まで形成されている。また、P型半導体領域160は、ゲート電極22下の第4半導体領域との間にP型半導体領域130を配置するように形成されている。P型半導体領域160は例えば、P型半導体領域130のP型半導体領域160を形成する部分を開口したレジストを形成し、例えばボロンなどをイオン注入することにより形成することができる。P型半導体領域160の不純物濃度を高くすることによりコンタクトプラグとの確実な電気的接続を得ることができる。
図6により本実施形態について説明する。本実施形態はP型半導体領域131の中に、P型半導体領域131よりも不純物濃度が高いP型半導体領域161(第8半導体領域)を配置するものである。P型半導体領域131は、P型半導体領域161よりも深い領域まで形成されており。また、P型半導体領域161は図6に示すようにMOSトランジスタ103のゲート電極32に対してMOSトランジスタ102のゲート電極側22寄りにオフセットされて形成される。つまり、P型半導体領域161は第4半導体領域寄りであって、第6半導体領域から離れて配置されている。MOSトランジスタ103のソースとなる領域にはP型半導体領域161の不純物濃度よりも不純物濃度が低いP型半導体領域131の一部が配置されているから、MOSトランジスタ103で流れる暗電流は抑制される。不純物濃度の高いP型半導体領域161にコンタクトプラグを形成することによりMOSトランジスタ103のソースと良好な電気的接続が得られる。P型半導体領域161は、例えば、P型半導体領域131のP型半導体領域161を形成する部分を開口したレジストを形成してボロンなどをイオン注入することにより形成することができる。
図7により本実施形態に係る、製造工程を削減する方法を示す。本実施形態では、P型半導体領域160、161を形成するときに、一緒に実施形態1のP型半導体領域150を形成する領域にボロンなどをイオン注入することにより、P型半導体領域160、161と一緒に不純物濃度の高いP型半導体領域162を形成する。このようにすることによって、P型半導体領域150を形成する工程(図4(h)に係る工程)を削減することができる。
図8により本実施形態について説明する。本実施形態はP型半導体領域150より不純物濃度が低い領域である第9半導体領域としてP型半導体領域132を、P型半導体領域150の周囲に配置する。P型半導体領域132はP型半導体領域150より深い領域まで形成されている。P型半導体領域132によりMOSトランジスタ103のドレインとゲート32との間の電界を緩和することができるので、ドレイン起因の暗電流を抑制できる。また、MOSトランジスタ103のソースは不純物濃度を低い領域になっているから、MOSトランジスタ103のソースでの暗電流は抑制される。P型半導体領域132は、P型半導体領域130、131を形成する工程と一緒の工程で形成してもよい。
図9により本実施形態を説明する。P型半導体領域131の深さより浅い領域にP型でP型半導体領域131より不純物濃度が高いP型半導体領域151を形成する。P型半導体領域151はP型半導体領域150を形成する工程で、レジストの、P型半導体領域151を形成する領域に開口を形成することにより、P型半導体領域150と一緒に形成してもよい。この結果、P型半導体領域151を、不純物濃度がP型半導体領域150と同程度に高いP型半導体領域として形成することができるので、MOSトランジスタ102のドレイン抵抗を下げて駆動力を増加できる。また、P型半導体領域151にコンタクトプラグを形成することにより、MOSトランジスタ102のドレインとコンタクトプラグとの電気的接続を確実にする。P型半導体領域151は、実施形態3のP型半導体領域161と同様にゲート電極32に対してゲート電極22寄りにオフセットして配置されるので、MOSトランジスタ103のソースは不純物濃度が低い領域になる。したがって、MOSトランジスタ103のソースでの暗電流は抑制される。
図10は、MOSトランジスタ102のソースになるP型半導体領域130の深さよりも浅い領域に、P型半導体領域130よりも不純物濃度の高いP型半導体領域152を形成する。P型半導体領域152はP型半導体領域150を形成するときに一緒に形成することができる。P型半導体領域152の不純物濃度をP型半導体領域150程度に高くできるので、抵抗を下げることができ、MOSトランジスタ102の駆動力が向上する。またP型半導体領域152にコンタクトプラグを配置することにより、電気的接続が確実になる。
次に図11により本実施形態について説明する。本実施形態は、実施形態3(図6)のP型半導体領域160、161が配置されている領域に、P型半導体領域150と同程度の不純物濃度のP型半導体領域151、152が配置されている。P型半導体領域151、152にはコンタクトプラグを配置する。P型半導体領域151、152は、P型半導体領域151、152を形成する領域に、P型半導体領域150を形成するときに一緒にイオン注入することにより形成することができる。P型半導体領域151、152をP型半導体領域151と一緒に形成することにより、別々に形成する場合より工程を削減することができる。また、P型半導体領域151、152の不純物濃度を、P型半導体領域130、131よりも高くできるので、光電変換素子101およびMOSトランジスタ102のドレインとのコンタクトを確実にすることができる。また、MOSトランジスタ102のドレイン抵抗を下げて駆動力を増加できる。
本実施形態を図12により説明する。本実施形態は、図5に示す実施形態2のように、P型半導体領域130の深さより浅い領域に、P型半導体領域130より高い不純物濃度のP型半導体領域160が配置されている。さらに、図8に示す実施形態5のように、P型半導体領域150の周りのより深い領域に、P型半導体領域150より不純物濃度が低いP型半導体領域132を配置している。P型半導体領域160にコンタクトプラグを設けることにより光電変換素子101との確実な電気的接続ができる。また、MOSトランジスタ103のドレインでの電界を緩和することができるので暗電流を抑制する効果がある。各P型半導体領域は、P型半導体領域130、131、132を一緒に形成した後に各P型半導体領域150、160を形成する部分を開口したレジストにより覆い、イオン注入により形成することができる。
本実施形態は図13に示されるように、実施形態3の光電変換装置において、P型半導体領域150の周りのより深い領域に、実施形態5のように、P型半導体領域150より不純物濃度が低いP型半導体領域132を配置している。本実施例によれば光電変換素子101とMOSトランジスタ103のソースとコンタクトとの確実な電気的接続が達成できる。またMOSトランジスタ103のソース、ドレインの電界を緩和することができ、暗電流の抑制に効果がある。
本実施形態について図14により説明する。P型半導体領域130、131、132の中に不純物濃度の高いP型半導体領域160、161、162を配置している。P型半導体領域160、161、162は、ゲート電極22、32に対してオフセット配置された対称構造になっている。このようにすることによりMOSトランジスタ102、103のソースで生じる電界が緩和されると共に、ドレインで生じる電界も緩和されるので暗電流を抑制する効果がある。
以上の実施形態に係る光電変換装置は、カメラなどの撮像システムに適用することができる。撮像システムには、撮影を主な目的とする装置、撮影機能を備える携帯端末やコンピュータなどの装置が含まれる。撮像システムは、本発明に係る光電変換装置を含む固体撮像装置と、固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含んでいる。固体撮像装置にはA/D変換器を含んでもよい。処理部は、例えば固体撮像装置からの信号に対して圧縮処理などを行う。
本発明は以上の実施形態に限られるものではなく、目的、状態、用途及び機能その他の仕様に応じて、適宜、変更が可能であり、他の実施形態によっても為されうる。例えば、以上の各実施形態においては、図1に示された回路を光電変換装置の構成例として例示したが、光電変換装置は、当該構成に限られるものではなく、その他の公知の構成を採ってもよい。例えば、光電変換装置は、光電変換部と、当該光電変換部で生じた電荷を半導体領域(フローティングディフュージョン)に転送する転送トランジスタと、を含む構成を採ってもよい。また、例えば、以上の各実施形態においては、ドレイン電極を構成するP型半導体領域の不純物濃度を低くしたが、ゲート電極の端部近傍におけるP型半導体領域の一部をN型半導体領域に置き換えてもよい。
Claims (12)
- 半導体基板に設けられ、第1導電型の第1半導体領域を含む光電変換素子と、
前記第1半導体領域に接触して設けられた前記第1導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域と離れた位置に設けられた前記第1導電型の第3半導体領域と、
前記第2半導体領域と前記第3半導体領域の間に設けられ、前記第1導電型とは極性が異なる第2導電型の第4半導体領域と、
前記第3半導体領域と離れた位置に設けられた前記第1導電型の第5半導体領域と、
前記第3半導体領域と前記第5半導体領域の間に設けられた前記第2導電型の第6半導体領域と、
前記第2半導体領域の中に設けられ、前記第2半導体領域より不純物濃度が高い前記第1導電型の第7半導体領域と、
前記第4半導体領域の上に絶縁膜を介して設けられた第1ゲート電極と、
前記第6半導体領域の上に絶縁膜を介して設けられた第2ゲート電極と、を備え、
前記第3半導体領域の下端の前記半導体基板の表面からの深さは、前記第5半導体領域の下端の前記半導体基板の表面からの深さよりも深い
ことを特徴とする光電変換装置。 - 前記第3半導体領域の不純物濃度は前記第5半導体領域の不純物濃度よりも低い、
ことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。 - 前記第1導電型はp型であり、前記第2導電型はn型である、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の光電変換装置。 - 前記第3半導体領域の中に、前記第3半導体領域より不純物濃度が高い前記第1導電型の第8半導体領域が配置されている、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第5半導体領域の不純物濃度は前記第7半導体領域及び前記第8半導体領域よりも高いことを特徴とする、請求項4に記載の光電変換装置。
- 前記第2半導体領域及び前記第3半導体領域の下端の前記半導体基板の表面からの深さは、前記第1半導体領域の下端の前記半導体基板の表面からの深さより浅いことを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第2半導体領域の下端の前記半導体基板の表面からの深さは、前記第5半導体領域の下端の前記半導体基板の表面からの深さより深いことを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第2半導体領域と前記第3半導体領域の不純物濃度は前記第1半導体領域より高いことを特徴とする、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第5半導体領域の周囲には、前記第5半導体領域より不純物濃度が低い第9半導体領域が配置されている、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第5半導体領域にはコンタクトプラグが接触していることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第1ゲート電極を含む第1トランジスタが導通状態であって、前記第2ゲート電極を含む第2トランジスタが非導通状態であるモードで動作することを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とする撮像システム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013154961A JP6159184B2 (ja) | 2013-07-25 | 2013-07-25 | 光電変換装置及び撮像システム |
US14/322,158 US9093346B2 (en) | 2013-07-25 | 2014-07-02 | Photoelectric conversion device and imaging system |
CN201410347610.9A CN104347656B (zh) | 2013-07-25 | 2014-07-22 | 光电转换器件和成像系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013154961A JP6159184B2 (ja) | 2013-07-25 | 2013-07-25 | 光電変換装置及び撮像システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015026696A JP2015026696A (ja) | 2015-02-05 |
JP2015026696A5 JP2015026696A5 (ja) | 2016-08-25 |
JP6159184B2 true JP6159184B2 (ja) | 2017-07-05 |
Family
ID=52389775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013154961A Expired - Fee Related JP6159184B2 (ja) | 2013-07-25 | 2013-07-25 | 光電変換装置及び撮像システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9093346B2 (ja) |
JP (1) | JP6159184B2 (ja) |
CN (1) | CN104347656B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6161454B2 (ja) * | 2013-07-25 | 2017-07-12 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、その製造方法及びカメラ |
EP3719840A4 (en) * | 2017-11-30 | 2021-02-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | IMAGE CAPTURE DEVICE |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6084259A (en) * | 1998-06-29 | 2000-07-04 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Photodiode having charge transfer function and image sensor using the same |
US20030089929A1 (en) * | 2001-02-14 | 2003-05-15 | Rhodes Howard E. | Trench photosensor for a CMOS imager |
IL156497A (en) * | 2002-06-20 | 2007-08-19 | Samsung Electronics Co Ltd | Image sensor and method of fabricating the same |
JP3795843B2 (ja) * | 2002-08-01 | 2006-07-12 | 富士通株式会社 | 半導体受光装置 |
US7115923B2 (en) * | 2003-08-22 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Imaging with gate controlled charge storage |
JP4763242B2 (ja) * | 2004-02-05 | 2011-08-31 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP4739324B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-08-03 | 富士通セミコンダクター株式会社 | フォトダイオード領域を埋め込んだイメージセンサ及びその製造方法 |
JP4764682B2 (ja) | 2005-09-07 | 2011-09-07 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
US8319166B2 (en) | 2006-01-18 | 2012-11-27 | National University Corporation Shizuoka University | Solid-state image pick-up device and pixel signal readout method having dual potential well, dual transfer gate electrode and dual floating-diffusion region for separately transferring and storing charges respectively |
JP5110820B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム |
US20080258188A1 (en) * | 2007-04-23 | 2008-10-23 | United Microelectronics Corp. | Metal oxide semiconductor device and method of fabricating the same |
US20090243025A1 (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | Stevens Eric G | Pixel structure with a photodetector having an extended depletion depth |
JP4793402B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2011-10-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
US8115154B2 (en) * | 2008-08-01 | 2012-02-14 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of producing the same, and imaging device |
JP2010206174A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Canon Inc | 光電変換装置およびその製造方法ならびにカメラ |
JP5717329B2 (ja) | 2009-10-09 | 2015-05-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
EP2487714B1 (en) | 2009-10-09 | 2018-12-05 | National University Corporation Shizuoka University | Semiconductor element and solid-state image pickup device |
JP5578984B2 (ja) * | 2009-12-03 | 2014-08-27 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、焦点検出装置及び撮像システム |
JP2011216673A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
-
2013
- 2013-07-25 JP JP2013154961A patent/JP6159184B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-07-02 US US14/322,158 patent/US9093346B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-07-22 CN CN201410347610.9A patent/CN104347656B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015026696A (ja) | 2015-02-05 |
CN104347656B (zh) | 2017-06-09 |
US9093346B2 (en) | 2015-07-28 |
CN104347656A (zh) | 2015-02-11 |
US20150028401A1 (en) | 2015-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4384113B2 (ja) | Cmosイメージセンサ | |
US7408211B2 (en) | Transfer transistor of CMOS image sensor | |
US9166037B2 (en) | Power semiconductor device with electrostatic discharge structure | |
CN104253138B (zh) | 光电转换装置和成像系统 | |
KR100869743B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
KR20130083361A (ko) | 기판 관통 전극을 갖는 반도체 장치 | |
JP6279332B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016063216A (ja) | 撮像装置 | |
CN109411490B (zh) | 用于减少暗电流的凸起电极 | |
JP5818238B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011171511A5 (ja) | ||
JP2015103629A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
JP2016154166A (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
JP6445799B2 (ja) | 光電変換装置 | |
CN105226059A (zh) | 紧凑cmos器件绝缘结构 | |
US9899444B2 (en) | Solid-state image capturing device and manufacturing method for the same | |
US7749800B2 (en) | Photoelectric conversion device, image sensor, and method of manufacturing a photoelectric conversion device | |
US9461036B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6159184B2 (ja) | 光電変換装置及び撮像システム | |
JP6161454B2 (ja) | 光電変換装置、その製造方法及びカメラ | |
US20230022384A1 (en) | Multiplying image sensor | |
KR20110065175A (ko) | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 | |
JP2001223351A5 (ja) | ||
CN109148606B (zh) | 高压元件 | |
JP2016051813A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置、撮像装置および撮像装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160707 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160707 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170404 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170609 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6159184 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |