JP2011216673A - 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単位画素120Aは、入射光量に応じた電荷を発生して内部に蓄積するフォトダイオード121と、フォトダイオード121によって変換された電荷を読み出されるまで保持するメモリ部123と、フォトダイオード121とメモリ部123との間の領域に配置されるN−の不純物拡散領域137からなり、露光期間中においてフォトダイオード121で発生した所定電荷量を超える電荷だけをメモリ部123に転送するオーバーフローパス130と、オーバーフローパス130の下部の領域に配置され、P型ウェル層132よりも不純物濃度が高いP+の不純物拡散領域138とを備える。本発明は、例えば、固体撮像素子に適用できる。
【選択図】図3
Description
図1は、本発明が適用される固体撮像素子としてのCMOSイメージセンサの構成例を示すブロック図である。
次に、画素アレイ部111に行列状に配置されている単位画素120Aの具体的な構造について説明する。単位画素120Aは、浮遊拡散領域(容量)とは別に、光電変換素子から転送される光電荷を保持する電荷保持領域(以下、「メモリ部」と記述する)を有している。
ここで、電荷保持領域としてのメモリ部123のゲート電極、即ち、第1転送ゲート122のゲート電極122Aの電位について説明する。
より具体的には、第1転送ゲート122若しくは第2転送ゲート124のいずれか一方、または両方を非導通状態とする際に、ゲート電極122A,124Aに印加する電圧が、ゲート電極直下のSi表面に光電荷とは逆の極性のキャリアを蓄積できるピニング状態となるように設定される。
次に、図3および図4を参照して、第1の実施の形態における単位画素120Aの構成について説明する。なお、図3および図4、並びに以下の図面では、図2の単位画素と共通する構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
次に、図5を参照して、単位画素120Aの製造方法について説明する。
次に、図6は、第2の実施の形態における単位画素120Bの断面図である。
次に、図9は、第3の実施の形態における単位画素120Cの断面図である。
次に、図10は、第4の実施の形態における単位画素120Dの断面図である。
次に、図11は、第5の実施の形態における単位画素120Eの断面図である。
次に、図12は、第6の実施の形態における単位画素120Fの断面図である。
次に、図13を参照して、単位画素120Fの製造方法について説明する。
次に、図14および図15を参照して、第7の実施の形態における単位画素120Gについて説明する。図14には、単位画素120Gの平面図が示されており、図15Aには、図14の平面図に示されている矢印A−A’に沿った断面図およびポテンシャル状態が示されており、図15Bには、図14の平面図に示されている矢印B−B’に沿った断面図およびポテンシャル状態が示されている。
図16は、単位画素120のその他の第1構成例である単位画素120H−1の構造を示す図である。
図17は、単位画素120のその他の第2構成例である単位画素120H−2の構造を示す図である。
図18は、単位画素120のその他の第3構成例である単位画素120H−3の構造を示す図である。
さらに本発明は、固体撮像素子への適用に限られるものではない。即ち、本発明は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機など、画像取込部(光電変換部)に固体撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像素子は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
Claims (12)
- 半導体基板の表面側に形成される第2の導電型による半導体領域と、
第1の導電型の不純物領域からなり、入射光量に応じた電荷を発生して内部に蓄積する光電変換素子と、
前記第1の導電型の不純物領域からなり、前記光電変換素子によって変換された電荷を読み出されるまで保持する電荷保持領域と、
前記光電変換素子と前記電荷保持領域との間の領域に配置される第1の導電型の不純物領域からなり、露光期間中において前記光電変換素子で発生した所定電荷量を超える電荷だけを前記電荷保持領域に転送する中間転送経路と、
前記光電変換素子と前記電荷保持領域との間の領域であって、かつ、前記中間転送経路の下部の領域に配置され、前記第2の導電型による半導体領域よりも不純物濃度が高い第2の導電型の不純物領域からなる不純物層と
を備える固体撮像素子。 - 前記中間転送経路を形成する第1の導電型の前記不純物領域の接合深さは、前記電荷保持領域を形成する第1の導電型の前記不純物領域の接合深さよりも浅く、かつ、前記中間転送経路を形成する第1の導電型の前記不純物領域の不純物濃度は、前記電荷保持領域を形成する第1の導電型の前記不純物領域の不純物濃度よりも低く設定されている
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の導電型の不純物領域からなる前記不純物層は、前記光電変換素子および前記電荷保持領域のポテンシャルによって空乏状態とならない所定の不純物濃度で形成される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記中間転送経路を通過する深さ方向に沿ったポテンシャル状態は、前記電荷保持領域を形成する第1の導電型の前記不純物領域の下端よりも浅い位置に、ポテンシャル極小点およびポテンシャル極大点が少なくとも1つ以上形成され、かつ、前記ポテンシャル極大点が、前記ポテンシャル極小点よりも深い位置に形成される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の導電型の不純物領域からなる前記不純物層は、前記電荷保持領域を形成する第1の導電型の前記不純物領域の下端の深さまで形成される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の導電型の不純物領域からなる前記不純物層は、前記中間転送経路を形成する第1の導電型の前記不純物領域の直下から、前記電荷保持領域を形成する第1の導電型の前記不純物領域の下部に向かって延在するような形状で形成される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換素子を形成する第1の導電型の前記不純物領域は、その不純物領域の表面に形成された不純物層の直下から、前記電荷保持領域を形成する第1の導電型の前記不純物領域の下部に向かって延在する前記第2の導電型の不純物領域からなる前記不純物層の下部に向かって延在するような形状で形成される
請求項6に記載の固体撮像素子。 - 前記中間転送経路および前記電荷保持領域の上部に設けられ、前記光電変換領域から前記電荷保持領域に電荷を転送する転送ゲートをさらに備え、
前記光電変換素子を形成する第1の導電型の前記不純物領域が形成された領域と、前記転送ゲートとが、平面的に見て互いに重なり合うように配置される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換素子および前記電荷保持領域は、HAD(Hole Accumulated Diode)構造により構成される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記中間転送経路の上部を覆う第1の電極と、
前記電荷保持領域の上部を覆う第2の電極と
をさらに備え、
前記第1の電極と前記第2の電極とが分離して形成されている
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 第1の導電型の不純物領域からなり、入射光量に応じた電荷を発生して内部に蓄積する光電変換素子を形成し、
前記第1の導電型の不純物領域からなり、前記光電変換素子によって変換された電荷を読み出されるまで保持する電荷保持領域を形成し、
前記光電変換素子と前記電荷保持領域との間の領域に配置される第1の導電型の不純物領域からなり、露光期間中において前記光電変換素子で発生した所定電荷量を超える電荷だけを前記電荷保持領域に転送する中間転送経路を形成し、
前記光電変換素子と前記電荷保持領域との間の領域であって、かつ、前記中間転送経路の下部の領域に配置され、半導体基板の表面側に形成される前記第2の導電型による半導体領域よりも不純物濃度が高い第2の導電型の不純物領域からなる不純物層を形成する
ステップを含む固体撮像素子の製造方法。 - 半導体基板の表面側に形成される第2の導電型による半導体領域と、
第1の導電型の不純物領域からなり、入射光量に応じた電荷を発生して内部に蓄積する光電変換素子と、
前記第1の導電型の不純物領域からなり、前記光電変換素子によって変換された電荷を読み出されるまで保持する電荷保持領域と、
前記光電変換素子と前記電荷保持領域との間の領域に配置される第1の導電型の不純物領域からなり、露光期間中において前記光電変換素子で発生した所定電荷量を超える電荷だけを前記電荷保持領域に転送する中間転送経路と、
前記光電変換素子と前記電荷保持領域との間の領域であって、かつ、前記中間転送経路の下部の領域に配置され、前記第2の導電型による半導体領域よりも不純物濃度が高い第2の導電型の不純物領域からなる不純物層と
を備える固体撮像素子を有し、
行列状に配置された複数行の単位画素が同時に前記電荷の蓄積を行い、
前記光電変換素子から前記電荷保持領域に転送された前記電荷を順次読み出す
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