JP2008166607A - 固体撮像装置とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】MOS固体撮像装置における所要の画素トランジスタにおいて、ゲート電極に所要導電型のサイドウォールを形成する。読み出しトランジスタでは、例えばゲート電極63の光電変換素子43側を第1導電型領域63Pとし、フローティングディフージョン部46側を第2導電型領域63Nとして構成とする。好ましくは、ゲート電極63の光電変換素子43側に絶縁膜56を介して第1導電型の半導体材料部64Pを形成する。例えば増幅トランジスタでは、ゲート電極下に埋め込みチャネルを形成し、第1導電型または第2導電型の半導体材料部を形成する。リセットトランジスタでは、ゲート電極のフローティングディフージョン部と電気的に接続される領域側に、所要導電型の半導体材料部を形成する。
【選択図】 図10
Description
本発明は、上記固体撮像装置の画素トランジスタである増幅トランジスタなどに適用される増幅トランジスタを有する半導体装置及びその製造方法に関する。
特に、読み出しトランジスタでは、白点の発生を抑制し、併せて読み出し特性のさらなる改善を図るようになす。増幅トランジスタでは、1/fノイズの発生を抑制するようになす。リセットトランジスタでは、読み出しトランジスタでの読み出し特性の改善を図るようになす。
また、本発明は、上記固体撮像装置の画素トランジスタである増幅トランジスタなどに適用される増幅トランジスタを有する半導体装置及びその製造方法を提供するものである。
また、本発明の半導体装置及びその製造方法によれば、増幅トランジスタにおける1/fノイズを低減することができる。
先ず、本実施の形態に適用する基本構成及び基本特性について、図6〜図7を用いて説明する。本実施の形態に適用する基本構成は、図7Bに示すように、転送トランジスタ21のゲート電極28をp型不純物をドープしたポリシリコンにより形成する(以下、p+ゲート電極という)。すなわち、半導体基板22に電荷蓄積領域となるn型半導体領域24とその表面のp型アキュミュレーション層25とからなるフォトダイオード(PD:いわゆるHADセンサ)23と、LDD構造のn型半導体領域によるフローティングディフージョン部(FD)26とが形成れる。このフォトダイオード23とフローティングディフージョン部26の間にゲート絶縁膜27を介してp+ゲート電極28が形成され、転送トランジスタ21が構成される。p+ゲート電極28の側壁には絶縁膜によるサイドウォール29が形成される。
本実施の形態では、いわゆる低ノイズ、かつ低電圧駆動のMOSイメージセンサを提供
することができる。
図15Bの転送トランジスタは、p+ゲート電極部63Pとn+ゲート電極部63Nとのそれぞれ独立にゲート電圧を印加するように構成される。
図15Dの転送トランジスタは、p+ゲート電極部63Pとn+ゲート電極部63Nとを、例えばシリサイド層50などにより電気的に接続し、このゲート電極63とフォトダイオード側のp+サイドウォール64Pにそれぞれ独立にゲート電圧を印加するように構成される。
図15Fの転送トランジスタは、p+ゲート電極部63Pのみにゲート電圧を印加するように構成される。
図15Gの転送トランジスタは、p+サイドウォール64Pのみにゲート電圧を印加するように構成される。
図16Iの転送トランジスタは、p+ゲート電極部63Pとn+ゲート電極部63Nとを、例えばシリサイド層50などにより電気的に接続し、このゲート電極63とフローティングディフージョン部側のn+サイドウォール64Nにそれぞれ独立にゲート電圧を印加するように構成される。
図16Jの転送トランジスタは、n+ゲート電極部63Nとフローティングディフージョン部側のn+サイドウォール64Nにそれぞれ独立にゲート電圧を印加するように構成される。
図16Lの転送トランジスタは、n+ゲート電極部63Nのみにゲート電圧を印加するように構成される。
図16Mの転送トランジスタは、p+ゲート電極部63P、n+ゲート電極部63N、p+サイドウォール64P及びn+サイドウォール64Nを、例えばシリサイド層50などにより電気的に接続して、共通にゲート電圧を印加するように構成される。
図17Bは、転送トランジスタにおいて、ゲート電極及びサイドウォール共にポリシリコン膜で形成し、n+ゲート電極91N、フォトダイオード側をp+サイドウォール92P、フローティングディフージョン部側をn+サイドウォール92Nとして構成される。
図17Dは、転送トランジスタとして、ゲート電極及びサイドウォール共にポリシリコン膜で形成し、ゲート電極を2分してフォトダイオード側がp+ゲート電極部93P、フローティングディフージョン部側がn+ゲート電極部93Nとなるようにし、フォトダイオード側をp+サイドウォール92P、フローティングディフージョン部側をn+サイドウォール92Nとして構成される。
図18Fは、転送トランジスタとして、ゲート電極95をポリシリコン膜で形成し、フォトダイオード側のサイドウォール96をポリシリコン膜で形成し、フローティングディフージョン部側のサイドウォール97を絶縁膜で形成して構成される。
図18E,Fにおけるゲート電極95及びサイドウォール97の構成は、図15A〜Dに示す導電型の組み合わせを適用できる。
図22Bの増幅トランジスタ331は、ゲート電極332をn型不純物をドープしたポリシリコン膜で形成し、サイドウォール289をp型不純物をドープしたポリシリコン膜で形成し、n+型ゲート電極332下にn型の埋込みチャネル領域285を形成した構成である。
図22Cの増幅トランジスタ333は、ゲート電極332をn型不純物をドープしたポリシリコン膜で形成し、サイドウォール289をp型不純物をドープしたポリシリコン膜で形成し、n+型ゲート電極332下に表面チャネルを形成した構成である。
その他の構成は、図24Aと同様であるので、対応する部分に同一符号を付して重複説明を省略する。
また、画素サイズが小さくなると、画素のトランジスタサイズが微細化し、チャネル幅Wおよびチャネル長Lが小さくなる傾向にある。チャネル幅Wおよびチャネル長Lは小さくなることで、1/fノイズを増大させるパラメータであることから、チャネル幅Wおよびチャネル長Lに依存せずに、1/fノイズを原理的に低減できる本発明は極めて有用なものとなる。
ただし、本発明に係るMOS型イメージセンサは、カメラ付携帯電話やPDAなどのモバイル機器に搭載されている固体撮像装置への適用に限られるものではなく、単位画素に転送トランジスタを含む増幅型固体撮像装置全般、また増幅トランジスタを含む増幅型固体撮像装置全般に適用可能である。
Claims (41)
- 光電変換素子と複数の画素トランジスタを含む単位画素が配列されてなる固体撮像装置であって、
前記画素トランジスタのうち、所要の画素トランジスタのゲート電極の側壁に、絶縁膜を介して少なくとも一部に所要導電型の半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 光電変換素子と該光電変換素子で光電変換して得られる電荷をフローティングディフージョン部に読み出す読み出しトランジスタを含む単位画素が配列されてなる固体撮像装置であって、
前記読み出しトランジスタのゲート電極は、前記光電変換素子側に第1導電型不純物が導入され、前記フローティングディフージョン部側に第2導電型不純物が導入されている ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記ゲート電極の前記光電変換素子側に、絶縁膜を介して第1導電型不純物が導入された半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記ゲート電極の前記フローティングディフージョン部側に、絶縁膜を介して第2導電型不純物が導入された半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする請求項3記載の固体撮像装置。 - ゲート電圧は、前記ゲート電極の前記光電変換素子側の第1導電型領域に印加される
ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。 - ゲート電圧は、前記ゲート電極の前記フローティングディフージョン部側の第2導電型領域に印加される
ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。 - ゲート電圧は、前記ゲート電極の前記第1導電型領域と第2導電型領域の両方に印加される
ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。 - ゲート電圧は、ゲート電極の第1領域または/及び光電変換素子側の半導体材料部に印加される
ことを特徴とする請求項3または請求項4記載の固体撮像装置。 - ゲート電圧は、前記ゲート電極の第1導電型領域と第2導電型領域の両方に印加される ことを特徴とする請求項3または請求項4記載の固体撮像装置。
- ゲート電圧は、ゲート電極の第1導電型領域及び第2導電型領域と、前記光電変換素子側の半導体材料部との独立に印加される
ことを特徴とする請求項3または請求項4記載の固体撮像装置。 - ゲート電圧は、ゲート電極の第2領域または/及びフローティングディフージョン部側の半導体材料部に印加される
ことを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。 - ゲート電圧は、ゲート電極の第1導電型領域及び第2導電型領域と、前記フローティングディフージョン部側の半導体材料部との独立に印加される
ことを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。 - ゲート電圧は、前記ゲート電極の第1導電型領域及び第2導電型領域と、前記ゲート電極の両側壁の半導体材料部との全てに印加される
ことを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。 - 光電変換素子と該光電変換素子で光電変換して得られる電荷をフローティングディフージョン部に読み出す読み出しトランジスタを含む単位画素が配列されてなる固体撮像装置であって、
前記読み出しトランジスタのゲート電極は、第1導電型不純物、または第2導電型不純物が導入されてなり、
前記ゲート電極の光電変換素子側に絶縁膜を介して第1導電型または第2導電型不純物が導入された半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記ゲート電極のフローティングディフージョン部側に絶縁膜を介して第2導電型不純物が導入された半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする請求項14記載の固体撮像装置。 - 前記読み出しトランジスタにおいて、前記第1導電型はp型半導体であり、
前記第2導電型がn型半導体である
ことを特徴とする請求項2または請求項14記載の固体撮像装置。 - 光電変換素子と、該光電変換素子で光電変換して得られた電荷に応じた信号を増幅して出力する増幅トランジスタを含む単位画素が配列されてなる固体撮像装置であって、
前記増幅トランジスタのゲート電極下のチャネル領域が埋め込むチャネルで形成され、 前記ゲート電極の側壁に、絶縁膜を介して第1導電型不純物を導入した半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記ゲート電極は、第1導電型不純物または第2導電型不純物が導入されている
ことを特徴とする請求項17記載の固体撮像装置。 - 前記増幅トランジスタにおいて、前記第1導電型がp型半導体であり、
前記第2導電型がn型半導体である
ことを特徴とする請求項17記載の固体撮像装置。 - 光電変換素子と共に単位画素を構成する画素トランジスタのうち、リセットトランジスタのゲート電極の少なくともフローティングディフージョン部と電気的に接続された領域側に、所要導電型の半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 光電変換素子と共に単位画素を構成する読み出しトランジスタまたは/及び増幅トランジスタの不純物拡散領域が、一部ゲート電極下まで延長する延長部を有して形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記不純物拡散領域は、前記延長部を含む全域が同じ不純物濃度、もしくは前記延長部の不純物濃度がその他の領域の不純物濃度に近い濃度で形成されている
ことを特徴とする請求項21記載の固体撮像装置。 - 光電変換素子と共に単位画素を構成する画素トランジスタのうち、所要の画素トランジスタの形成に際し、
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を含んで前記半導体基板上に絶縁膜を介して半導体材料層を形成する工程を有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記半導体材料層をエッチバックして前記ゲート電極の側壁側に半導体材料部を形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項23記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記半導体材料層に、前記ゲート電極の側壁に向かうように所要導電型の不純物を斜め方向から導入する工程を有する
ことを特徴とする請求項23記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記所要導電型の不純物の導入前または導入後にアニール処理し、前記半導体材料層をエッチバックする工程を有する
ことを特徴とする請求項23記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記絶縁膜が熱酸化膜である
ことを特徴とする請求項23記載の固体撮像装置の製造方法。 - 光電変換素子と共に単位画素を構成する画素トランジスタのうち、不純物拡散領域及びゲート電極を有する読み出しトランジスタまたは/及び増幅トランジスタ形成に際し、
所要導電型不純物を斜めイオン注入して、前記ゲート電極下に一部延長した延長部を有する前記不純物拡散領域を形成する工程を有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記不純物拡散領域を、前記延長部を含む全域が同じ不純物濃度、もしくは前記延長部の不純物濃度がその他の領域の不純物濃度に近い濃度で形成する
ことを特徴とする請求項28記載の固体撮像装置の製造方法。 - 増幅トランジスタを有し、
前記増幅トランジスタのゲート電極下のチャネル領域が埋め込みチャネルで形成され、
前記ゲート電極の側壁に絶縁膜を介して所要導電型を導入した半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート電極は、第1導電型不純物または第2導電型不純物が導入されている
ことを特徴とする請求項30記載の半導体装置。 - 前記増幅トランジスタにおいて、前記第1導電型がp型半導体であり、前記第2導電型がn型半導体である
ことを特徴とする請求項30記載の半導体装置。 - 増幅トランジスタを有し、
前記増幅トランジスタの不純物拡散領域が、一部ゲート電極下まで延長する延長部を有して形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記不純物拡散領域は、前記延長部を含む全域が同じ不純物濃度、もしくは前記延長部の不純物濃度がその他の領域の不純物濃度に近い濃度で形成されている
ことを特徴とする請求項33記載の半導体装置。 - 増幅トランジスタの形成に際し、
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を含んで前記半導体基板上に絶縁膜を介して半導体材料層を形成する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体材料層をエッチバックして前記ゲート電極の側壁側に半導体材料部を形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項35記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体材料層に、前記ゲート電極の側壁に向かうように所要導電型の不純物を斜め方向から入導入する工程を有する
ことを特徴とする請求項35記載の半導体装置の製造方法。 - 前記所要導電型の不純物の導入前または導入後にアニール処理し、前記半導体材料層をエッチバックする工程を有する
ことを特徴とする請求項35記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記絶縁膜が熱酸化膜である
ことを特徴とする請求項35記載の半導体装置の製造方法。 - 不純物拡散領域及びゲート絶縁膜を有する増幅トランジスタの形成に際し、
所要導電型不純物を斜めイオン注入して、前記ゲート電極下に一部延長した延長部を有する前記不純物拡散領域を形成する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記不純物拡散領域を、前記延長部を含む全域が同じ不純物濃度、もしくは前記延長部の不純物濃度がその他の領域の不純物濃度に近い濃度で形成する
ことを特徴とする請求項40記載の半導体装置の製造方法。
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---|---|
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010010487A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2010219563A (ja) * | 2010-06-25 | 2010-09-30 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
CN101853867A (zh) * | 2009-03-31 | 2010-10-06 | 索尼公司 | 固态成像装置及其制造方法和电子设备 |
US20110102620A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, camera, and electronic device |
JP2011108839A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ |
JP2011114062A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
JP2011216530A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
US8598669B2 (en) | 2009-09-16 | 2013-12-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, and its manufacturing method |
US8809921B2 (en) | 2010-01-27 | 2014-08-19 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus, method of manufacturing same, and electronic apparatus |
JP2015188049A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP2016539327A (ja) * | 2013-11-09 | 2016-12-15 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 生物試料、化学試料又はその他の試料の電圧及び電位を測定するための装置及び方法 |
CN107195645A (zh) * | 2016-03-14 | 2017-09-22 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
JP2017199855A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 国立大学法人静岡大学 | 絶縁ゲート型半導体素子及び固体撮像装置 |
CN109326618A (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-12 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
CN111095560A (zh) * | 2017-11-30 | 2020-05-01 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
CN112470279A (zh) * | 2018-07-30 | 2021-03-09 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像装置和电子设备 |
WO2022215360A1 (ja) * | 2021-04-08 | 2022-10-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004273640A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2008078489A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Cmosイメージセンサおよびその製造方法 |
-
2006
- 2006-12-28 JP JP2006356419A patent/JP2008166607A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004273640A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2008078489A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Cmosイメージセンサおよびその製造方法 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010010487A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
US8169523B2 (en) | 2008-06-27 | 2012-05-01 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
US8593553B2 (en) | 2008-06-27 | 2013-11-26 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
US8957357B2 (en) | 2009-03-31 | 2015-02-17 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of the same, and electronic apparatus |
US9437631B2 (en) | 2009-03-31 | 2016-09-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of the same, and electronic apparatus |
CN101853867A (zh) * | 2009-03-31 | 2010-10-06 | 索尼公司 | 固态成像装置及其制造方法和电子设备 |
US8598669B2 (en) | 2009-09-16 | 2013-12-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, and its manufacturing method |
US20110102620A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, camera, and electronic device |
US8872953B2 (en) * | 2009-10-30 | 2014-10-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, camera, and electronic device |
JP2011108839A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ |
JP2011114062A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
US8809921B2 (en) | 2010-01-27 | 2014-08-19 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus, method of manufacturing same, and electronic apparatus |
JP2011216530A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2010219563A (ja) * | 2010-06-25 | 2010-09-30 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2016539327A (ja) * | 2013-11-09 | 2016-12-15 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 生物試料、化学試料又はその他の試料の電圧及び電位を測定するための装置及び方法 |
US10859529B2 (en) | 2013-11-09 | 2020-12-08 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Device and method for measuring small voltages and potentials on a biological, chemical or other sample |
JP2015188049A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
CN107195645A (zh) * | 2016-03-14 | 2017-09-22 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
CN107195645B (zh) * | 2016-03-14 | 2023-10-03 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
JP2017199855A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 国立大学法人静岡大学 | 絶縁ゲート型半導体素子及び固体撮像装置 |
CN109326618A (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-12 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
CN109326618B (zh) * | 2017-07-31 | 2024-03-01 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
CN111095560A (zh) * | 2017-11-30 | 2020-05-01 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
CN112470279A (zh) * | 2018-07-30 | 2021-03-09 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像装置和电子设备 |
WO2022215360A1 (ja) * | 2021-04-08 | 2022-10-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
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