JP2006253316A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 単位画素が、少なくとも光電変換素子と、複数の電界効果トランジスタを有するMOS型固体撮像装置の、その電界効果トランジスタのうちの一部の電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さが、他の電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さと異なる構成とする。
【選択図】 図1
Description
単位画素1は、例えば図2示すように、センサーとしての光電変換素子のフォトダイオード2と、これに受光量に応じて発生した信号電荷の読み出しを行う読み出し用MOSトランジスタ3と、この信号電荷量に応じた電圧もしくは電流に変換するFD(フローティングディフージョン)アンプMOSトランジスタ4と、FDリセットMOSトランジスタ5と、垂直選択用MOSトランジスタ6とを有して成る(特許文献1参照)。
ところが、固体撮像装置において、その読み出し用MOSトランジスタにおいてさまざまな問題が生じている。
これは、単位画素を構成する上述したMOSが、同一厚さの酸化膜によるゲート絶縁膜によって形成されていることによることがわかった。
これは、トランジスタがオフのとき、ゲート領域下層の空乏化によるリーク電流を抑制し、ノイズの低減化を図るためにトランジスタ形成部のウエル領域に対しゲート電位を負電位に設定するものであり(特許文献2参照)、また、センサー部の蓄積された信号電荷量すなわち飽和信号量を高め、ダイナミックレンジを向上させるために、FDの電位、すなわち読み出しMOSトランジスタのドレインの電圧を高電位にする必要があることによって、その耐圧が問題となってくるものである。
この1/fノイズ量νは、次式(1)または(2)で表される。
ν2=af/(COX・2・L・W・f) (1)
または、
ν2=af/(COX・・L・W・f) (2)
ここで、COXは、ゲート絶縁膜容量
Lは、ゲート長
Wは、ゲート幅
fは、動作周波数
afは、nチャネルMOSにあっては、5×10−31[C2/cm2]
pチャネルMOSにあっては、5×10−32[C2/cm2]
上述の式によって明らかなように、1/fノイズ量νは、ゲート絶縁膜の容量、すなわち膜厚に依存する。
しかしながら、通常の構成においては、このアンプMOSトランジスタにおいても、他のトランジスタと同一のゲート絶縁膜の厚さに選定されていることから、1/fノイズの低減に制約があった。
また、アンプMOSトランジスタのゲート絶縁膜の厚さを小とすることによって、ゲート絶縁膜容量Coxを高めることができるので、前記1/fノイズの関係式(1)または(2)から明らかなように、1/fノイズの低減化を図ることができるものである。
図1は、本発明によるMOS型固体撮像装置を実施する固体撮像装置の概略構成図で水平・および垂直方向にマトリックス状に、それぞれ複数個の単位画素1が配列された撮像部20と、垂直駆動回路21、水平駆動回路22等の周辺回路を有して成る。
また、各列(垂直線)のリセットMOSトランジスタ5のゲート電極が共通の水平リセット線9に接続され、垂直選択用MOSトランジスタ6のドレインが共通の垂直信号線10に接続される。
各垂直信号線10は図1で示した水平スイッチ素子23のMOSトランジスタを介してそれぞれ水平信号線24に接続され、アンプ25を介して出力端子tに接続される。
水平リセット線9と水平スイッチ素子23の制御電極すなわちゲート電極とは、水平駆動回路22に接続され、順次水平リセットパルスと、水平走査パルスが印加される。
図3および図4を参照して本発明による実施例1(図3)および実施例2(図4)を説明する。
図3および図4は、各固体撮像装置における1つの単位画素における、光電変換素子(フォトダイオード)−読み出し用MOSトランジスタ3−リセットMOSトランジスタ5−アンプMOSトランジスタ4−垂直選択MOSトランジスタ6を横切る概略断面図である。
この場合、半導体基板30に、p型のウエル領域31が形成され、光電変換素子のフォトダイオード2を形成するn型のウエル領域32が形成され、これに表面に高濃度p型の電荷蓄積層が形成されたn型領域が形成されている。
そして、この光電変換素子2に隣接して読み出し用MOSトランジスタ3が形成され、更に、リセットMOSトランジスタ5、アンプMOSトランジスタ4、垂直選択MOSトランジスタ6が隣接するドレイン領域とソース領域とを共通のn型のドレインないしソース領域とし、これら間上にそれぞれ各ゲート電極53,55,54,56が、それぞれゲート絶縁膜43,45,44,46を介して形成されて、それぞれ読み出し用MOSトランジスタ3、リセットMOSトランジスタ5、アンプMOSトランジスタ4、垂直選択MOSトランジスタ6が形成される。
これら各MOSトランジスタにおいては、各ドレインないしソース領域33のゲート側に隣接する側に低濃度のドレインないしソース領域33Lが形成されたいわゆるLDD(Lightly Doped Drain)トランジスタ構成とした場合である。
この例においては、図3に示すように、読み出し用MOSトランジスタ3のゲート絶縁膜43の膜厚を例えば9nmとして、他のMOSトランジスタ4,5,6の各ゲート絶縁膜44,45,46の膜厚の例えば6nmに比して大にした場合である。
この実施例によれば読み出し用MOSトランジスタ3のゲート・ドレイン間の耐圧が高められ、冒頭に述べたように、ダイナミックレンジを大とすることができる。
この例においては、図4に示すように、アンプMOSトランジスタ4のゲート絶縁膜43の膜厚を、他のMOSトランジスタ3,5,6の各ゲート絶縁膜43,45,46の膜厚の例えば9nmに比して小の例えば6nmにした場合である。
この実施例によれば、アンプMOSトランジスタ4のCoxを大とすることができることによって1/fノイズの低減化が図られる。
この場合、必要とする厚さの大なるゲート絶縁膜を有するMOSトランジスタ、例えば実施例1における読み出し用MOSトランジスタ3を形成する領域(第1の領域61とする)と、それ以外のMOSトランジスタ4,5,6を形成する領域(第2の領域62とする)を代表的に示す。
これら第1および第2の領域61および62に最終的に形成する膜厚の大なるゲート絶縁膜43の厚さより小なる厚さT1を有する第1の絶縁層81を、例えば半導体基板30の表面熱酸化によって形成する。
図5Cに示すように、第2のマスク層71をエッチングマスクとして開口71Wを通じて第1の領域62の第1の絶縁層81をエッチング除去する。
このようにして、第1の領域61においては、第1および第2の絶縁層の形成、すなわち第1および第2の熱酸化条件例えば時間調整によって、大なる厚さT3を有する第3の絶縁層83による厚い目的とするゲート絶縁膜43を形成することができる。
したがって、図5Eに示すように、例えば第1の領域61においては、厚さが大なる読み出しMOSトランジスタゲ3のゲート絶縁膜43を形成することができ、第2の領域62においては、小なる厚さを有するアンプMOSトランジスタ4、リセットMOSトランジスタ5、垂直選択用MOSトランジスタ6の各ゲート絶縁膜44,45,46が形成される。
したがって、これらにゲート電極Gを形成し、図示しないが、低濃度ドレインないしはソース領域33Lの形成、ゲート電極Gの側面にいわゆるサイドウオールを形成して、ドレインないしはソース領域33を形成することによって、図3に示す単位画素を有する固体撮像装置を形成することができる。
このようにして、本発明製造方法によれば、簡潔な工程によって厚さの異なるゲート絶縁膜によるMOSトランジスタを形成することができる。
Claims (4)
- 単位画素が、少なくとも光電変換素子と、複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタを有するMOS型固体撮像装置であって、
上記複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタの一部の絶縁ゲート形電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さが、他の少なくとも一部の絶縁ゲート形電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さと異なる構成としたことを特徴とする固体撮像装置。 - 上記単位画素の上記光電変換素子に隣接する信号電荷の読み出し絶縁ゲート形電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さが、上記単位画素の他の絶縁ゲート形電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さに比し大に選定されたことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 上記単位画素の上記信号電荷を電圧もしくは電流信号に変換するアンプ絶縁ゲート形電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さが、上記単位画素の他の絶縁ゲート形電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さに比し小に選定されたことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 単位画素が、少なくとも光電変換素子と、複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタを有し、上記複数の絶縁ゲート形電界効果トランジスタの一部の絶縁ゲート形電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さが、他の少なくとも一部の絶縁ゲート形電界効果トランジスタの厚さと異なる構成による固体撮像装置の製造方法であって、
そのゲート絶縁膜の形成工程が、
半導体基板表面に、最終的に第1の厚さのゲート絶縁膜を形成する第1の開口と、上記第1の厚さに比し小なる第2の厚さのゲート絶縁膜を形成する第2の厚さの開口とが形成されたゲート絶縁膜形成の第1のマスク層を形成する工程と、
上記第1および第2の開口に上記第1の厚さに比して小なる厚さの第1の絶縁層を形成する工程と、
上記第1の開口内の上記第1の絶縁層を覆い、上記第2の開口内の上記第1の絶縁層を露呈させる開口を有する第2のマスク層を形成する工程と、
上記第2のマスク層の開口を通じて上記第1の絶縁層を除去する工程と、
上記第2のマスク層を除去して上記第1のマスク層の上記第1および第2の開口を通じて上記第2の厚さのゲート絶縁膜を形成する工程とを有し、
上記第1の厚さのゲート絶縁膜が、上記第1および第2の絶縁層の重複形成部によって形成され、上記第2の厚さのゲート絶縁膜が上記第2の絶縁層によって形成されるようにしたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
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