JP2000216257A

JP2000216257A - 半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP2000216257A
Application number: JP11011691A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Ishinaga; 篤石長
Original assignee: Matsushita Electronics Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-01-20
Filing date: 1999-01-20
Publication date: 2000-08-04

Abstract

(57)【要約】【課題】同一半導体基板上にゲート絶縁膜厚の異なる
２種類のトランジスタを形成する際に、それらのゲート
絶縁膜が膜厚制御性に優れ、高信頼性の膜とし、２種類
のトランジスタの信頼性を確保する。【解決手段】ＮＯガス２０３雰囲気中で４００〜１０
００℃の熱処理を行い、シリコン基板２０１表面にシリ
コン窒化膜２０４を形成する。低圧系トランジスタ形成
領域Ｂをレジスト２０５で覆い、ウェットエッチングに
より高圧系トランジスタ形成領域Ａのシリコン窒化膜２
０４を除去する。レジスト２０５を剥離した後、酸化処
理を行い、高圧系トランジスタ形成領域Ａのゲート絶縁
膜が所望の膜厚となるように厚膜ゲート絶縁膜２０８を
形成する。このとき、低圧系トランジスタ形成領域Ｂで
は、シリコン基板２０１表面にシリコン窒化膜２０４が
存在しているため、厚膜ゲート絶縁膜２０８よりも薄い
薄膜ゲート絶縁膜２０７が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主に半導体集積回
路に使用される半導体装置およびその製造方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】ＣＭＯＳ搭載マイコンのように電源電圧
が一定でかつ高速動作を実現するような半導体集積回路
を作製する場合、電源電圧がそのまま印加される入出力
部や周辺トランジスタ部には、厚膜ゲート絶縁膜を有す
る高圧系トランジスタが使用される。また、降圧回路に
より降圧された電圧が印加され、かつ高速動作の要求さ
れるメモリ部には、薄膜ゲート絶縁膜を有する低圧系ト
ランジスタが使用される。このように高圧系トランジス
タおよび低圧系トランジスタを有する半導体装置では、
同一半導体基板上に、膜厚の異なる２種類のゲート絶縁
膜を形成する必要がある。

【０００３】以下、図６を参照しながら従来の半導体装
置の製造方法について説明する。図６は従来の半導体装
置の製造方法を示す工程断面図である。図６において、
６０１はシリコン基板、６０２はＬＯＣＯＳ酸化膜、６
０３は酸化種、６０４はシリコン酸化膜、６０５はレジ
スト、６０６はシリコン酸化膜で形成された薄膜ゲート
絶縁膜、６０７は積層されたシリコン酸化膜で形成され
た厚膜ゲート絶縁膜、６０８はゲート電極用のポリシリ
コン膜であり、Ａは厚膜ゲート絶縁膜を有する高圧系ト
ランジスタ形成領域、Ｂは薄膜ゲート絶縁膜を有する低
圧系トランジスタ形成領域を示す。

【０００４】まず、シリコン基板６０１上に素子間を分
離するＬＯＣＯＳ酸化膜６０２を形成する（図６
（ａ））。次に、酸素や水蒸気といった酸化種６０３を
用いてシリコン酸化膜６０４を形成する（図６
（ｂ））。次に高圧系トランジスタ形成領域Ａをレジス
ト６０５で覆い、低圧系トランジスタ形成領域Ｂのシリ
コン酸化膜６０３をウェットエッチング等により除去す
る（図６（ｃ））。次にレジスト６０５を剥離した後、
再度、酸化種６０３雰囲気中で薄膜ゲート絶縁膜６０６
が所望の膜厚となるように酸化処理を行う。このとき、
高圧系トランジスタ形成領域Ａではシリコン酸化膜６０
４がさらに酸化され、積層のシリコン酸化膜となった厚
膜ゲート絶縁膜６０７が形成される（図６（ｄ））。

【０００５】次に全面にポリシリコン膜６０８を成膜し
（図６（ｅ））、その後、図示しないがポリシリコン膜
６０８のパターニングを行って高圧系トランジスタ形成
領域Ａおよび低圧系トランジスタ形成領域Ｂにゲート電
極を形成し、さらに周知の方法により高圧系トランジス
タ形成領域Ａおよび低圧系トランジスタ形成領域Ｂにそ
れぞれソース・ドレイン領域を形成することで、同一シ
リコン基板６０１上に膜厚の異なる２種類のゲート絶縁
膜を有するＭＯＳトランジスタを形成することができ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、レジスト６０５を剥離したときの洗浄工程
で高圧系トランジスタ形成領域Ａのシリコン酸化膜６０
４の膜減りが生じるため、厚膜ゲート絶縁膜６０７の膜
厚制御が困難であった。また、レジスト６０５形成のリ
ソグラフィ工程やそれを剥離したときの洗浄工程により
汚染の影響を受けやすく、厚膜ゲート絶縁膜６０７の膜
質劣化が生じ、高圧系トランジスタの信頼性を確保する
ことが困難になるという課題を有していた。

【０００７】また、ゲート絶縁膜は膜厚が薄くなるにつ
れ、汚染などの影響による初期不良や偶発不良は減少す
るが、膜本来の実力である真性破壊までの寿命が短くな
り、単層のシリコン酸化膜からなる薄膜ゲート絶縁膜６
０６では、低圧系トランジスタの信頼性を確保すること
が困難になるという課題を有していた。

【０００８】本発明は上記課題を解決するもので、同一
半導体基板上にゲート絶縁膜厚の異なる２種類のトラン
ジスタを有する半導体装置において、それらのゲート絶
縁膜を膜厚制御性に優れ、高信頼性の膜とし、２種類の
トランジスタの信頼性を確保できる半導体装置およびそ
の製造方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
発明は、同一半導体基板上に、膜厚の厚い厚膜ゲート絶
縁膜を有する第１のトランジスタと、厚膜ゲート絶縁膜
より膜厚の薄い薄膜ゲート絶縁膜を有する第２のトラン
ジスタとを備えた半導体装置であって、厚膜ゲート絶縁
膜は単層のシリコン酸化膜で構成され、薄膜ゲート絶縁
膜は膜中に窒素原子を含んだシリコン酸化膜で構成され
たことを特徴とする。この構成によれば、厚膜ゲート絶
縁膜は単層であるため、その膜厚制御も簡単で、また汚
染の影響を受けていない高信頼性の膜となり、薄膜ゲー
ト絶縁膜は酸化膜中のダングリングボンドやブロークン
ボンドが窒素で終端された高信頼性の膜となるという作
用を有する。

【００１０】本発明の請求項２記載の発明は、同一半導
体基板上に、膜厚の厚い厚膜ゲート絶縁膜を有する第１
のトランジスタと、厚膜ゲート絶縁膜より膜厚の薄い薄
膜ゲート絶縁膜を有する第２のトランジスタとを備えた
半導体装置であって、厚膜ゲート絶縁膜および薄膜ゲー
ト絶縁膜は膜中に窒素原子を含んだシリコン酸化膜で構
成されたことを特徴とする。この構成によれば、厚膜ゲ
ート絶縁膜および薄膜ゲート絶縁膜は酸化膜中のダング
リングボンドやブロークンボンドが窒素で終端された高
信頼性の膜となるという作用を有する。

【００１１】本発明の請求項３記載の発明は、請求項１
記載の半導体装置において、薄膜ゲート絶縁膜は膜中に
１〜１０ａｔｍ％の窒素原子を含んだシリコン酸化膜で
構成されたものであり、この程度の窒素原子を含むこと
が好ましい。

【００１２】本発明の請求項４記載の発明は、請求項２
記載の半導体装置において、厚膜ゲート絶縁膜および薄
膜ゲート絶縁膜はそれぞれ膜中に１〜１０ａｔｍ％の窒
素原子を含んだシリコン酸化膜で構成されたものであ
り、この程度の窒素原子を含むことが好ましい。

【００１３】本発明の請求項５記載の発明は、請求項
１，２，３または４記載の半導体装置において、薄膜ゲ
ート絶縁膜の膜厚を２ｎｍ以上で５ｎｍ以下としたもの
である。５ｎｍ以下とすることにより、窒素原子を含ん
だシリコン酸化膜からなり汚染の影響を受けやすくなる
薄膜ゲート絶縁膜の初期不良率および偶発不良率を低減
できる。これは、絶縁膜の初期不良および偶発不良は薄
膜化とともに低減していき５ｎｍ以下となると全く観察
されなくなることによる。また、２ｎｍ以上とすること
により、寿命を確保することができる。

【００１４】本発明の請求項６記載の発明は、同一半導
体基板上に、膜厚の厚い厚膜ゲート絶縁膜を有する第１
のトランジスタと、厚膜ゲート絶縁膜より膜厚の薄い薄
膜ゲート絶縁膜を有する第２のトランジスタとを備えた
半導体装置の製造方法であって、第１および第２のトラ
ンジスタ形成領域の半導体基板の表面を窒化してシリコ
ン窒化膜を形成する窒化工程と、第１のトランジスタ形
成領域のシリコン窒化膜をエッチングするエッチング工
程と、第１のトランジスタ形成領域の半導体基板表面お
よび第２のトランジスタ形成領域のシリコン窒化膜を酸
化することにより厚膜ゲート絶縁膜および薄膜ゲート絶
縁膜を形成する酸化工程とを含むことを特徴とするもの
であり、厚膜ゲート絶縁膜が単層のシリコン酸化膜とな
り、薄膜ゲート絶縁膜が窒素原子を含んだシリコン酸化
膜となり、膜厚の異なる高信頼性の厚膜ゲート絶縁膜と
薄膜ゲート絶縁膜とを形成できるという作用を有する。

【００１５】本発明の請求項７記載の発明は、同一半導
体基板上に、膜厚の厚い厚膜ゲート絶縁膜を有する第１
のトランジスタと、厚膜ゲート絶縁膜より膜厚の薄い薄
膜ゲート絶縁膜を有する第２のトランジスタとを備えた
半導体装置の製造方法であって、第１および第２のトラ
ンジスタ形成領域の半導体基板の表面を酸化してシリコ
ン酸化膜を形成する第１の酸化工程と、第２のトランジ
スタ形成領域のシリコン酸化膜をエッチングするエッチ
ング工程と、第１のトランジスタ形成領域のシリコン酸
化膜および第２のトランジスタ形成領域の半導体基板表
面を窒化する窒化工程と、この窒化工程後に第１および
第２のトランジスタ形成領域を酸化することにより厚膜
ゲート絶縁膜および薄膜ゲート絶縁膜を形成する第２の
酸化工程とを含むことを特徴とするものであり、厚膜ゲ
ート絶縁膜および薄膜ゲート絶縁膜が窒素原子を含んだ
シリコン酸化膜となり、膜厚の異なる高信頼性の厚膜ゲ
ート絶縁膜と薄膜ゲート絶縁膜とを形成できるという作
用を有する。

【００１６】本発明の請求項８記載の発明は、請求項６
または７記載の半導体装置の製造方法において、窒化工
程は、急速加熱炉を用いて、一酸化窒素雰囲気中で４０
０〜１０００℃の熱処理により窒化を行うことを特徴と
するものであり、温度または窒化時間を変化させること
で容易に窒化の度合を調整でき、薄膜ゲート絶縁膜の膜
厚を簡単に制御できるという作用を有する。

【００１７】本発明の請求項９記載の発明は、請求項６
または７記載の半導体装置の製造方法において、窒化工
程は、急速加熱炉を用いて、笑気ガス雰囲気中で４００
〜１０００℃の熱処理により窒化を行うことを特徴とす
るものであり、温度または窒化時間を変化させることで
容易に窒化の度合を調整でき、薄膜ゲート絶縁膜の膜厚
を簡単に制御できるという作用を有する。

【００１８】本発明の請求項１０記載の発明は、請求項
６または７記載の半導体装置の製造方法において、窒化
工程は、急速加熱炉を用いて、アンモニア雰囲気中で４
００〜１０００℃の熱処理により窒化を行うことを特徴
とするものであり、温度または窒化時間を変化させるこ
とで容易に窒化の度合を調整でき、薄膜ゲート絶縁膜の
膜厚を簡単に制御できるという作用を有する。

【００１９】本発明の請求項１１記載の発明は、請求項
６または７記載の半導体装置の製造方法において、窒化
工程は、抵抗加熱炉を用いて、笑気ガス雰囲気中で４０
０〜１０００℃の熱処理により窒化を行うことを特徴と
するものであり、温度または窒化時間を変化させること
で容易に窒化の度合を調整でき、薄膜ゲート絶縁膜の膜
厚を簡単に制御できるという作用を有する。

【００２０】本発明の請求項１２記載の発明は、請求項
８記載の半導体装置の製造方法において、一酸化窒素雰
囲気中で行う熱処理温度を６００〜９００℃とすること
を特徴とするもので、これにより最適な窒化状態にする
ことができる。

【００２１】本発明の請求項１３記載の発明は、請求項
９または１１記載の半導体装置の製造方法において、笑
気ガス雰囲気中で行う熱処理温度を７００〜１０００℃
とすることを特徴とするもので、これにより最適な窒化
状態にすることができる。

【００２２】本発明の請求項１４記載の発明は、同一半
導体基板上に、膜厚の厚い厚膜ゲート絶縁膜を有する第
１のトランジスタと、厚膜ゲート絶縁膜より膜厚の薄い
薄膜ゲート絶縁膜を有する第２のトランジスタとを備え
た半導体装置の製造方法であって、第２のトランジスタ
形成領域の半導体基板の表面に窒素をイオン注入してシ
リコン窒化膜を形成する窒素イオン注入工程と、第１の
トランジスタ形成領域の半導体基板表面および第２のト
ランジスタ形成領域のシリコン窒化膜を酸化することに
より厚膜ゲート絶縁膜および薄膜ゲート絶縁膜を形成す
る酸化工程とを含むことを特徴とするものであり、厚膜
ゲート絶縁膜が単層のシリコン酸化膜となり、薄膜ゲー
ト絶縁膜が窒素原子を含んだシリコン酸化膜となり、膜
厚の異なる高信頼性の厚膜ゲート絶縁膜と薄膜ゲート絶
縁膜とを形成できるという作用を有する。

【００２３】本発明の請求項１５記載の発明は、同一半
導体基板上に、膜厚の厚い厚膜ゲート絶縁膜を有する第
１のトランジスタと、厚膜ゲート絶縁膜より膜厚の薄い
薄膜ゲート絶縁膜を有する第２のトランジスタとを備え
た半導体装置の製造方法であって、第１および第２のト
ランジスタ形成領域の半導体基板の表面を酸化してシリ
コン酸化膜を形成する第１の酸化工程と、第２のトラン
ジスタ形成領域のシリコン酸化膜をエッチングするエッ
チング工程と、第１のトランジスタ形成領域のシリコン
酸化膜および第２のトランジスタ形成領域の半導体基板
表面に窒素をイオン注入する窒素イオン注入工程と、こ
の窒素イオン注入工程後に第１および第２のトランジス
タ形成領域を酸化することにより厚膜ゲート絶縁膜およ
び薄膜ゲート絶縁膜を形成する第２の酸化工程とを含む
ことを特徴とするものであり、厚膜ゲート絶縁膜および
薄膜ゲート絶縁膜が窒素原子を含んだシリコン酸化膜と
なり、膜厚の異なる高信頼性の厚膜ゲート絶縁膜と薄膜
ゲート絶縁膜とを形成できるという作用を有する。

【００２４】本発明の請求項１６記載の発明は、請求項
１４または１５記載の半導体装置の製造方法において、
窒素イオン注入工程は、イオン注入機を用いて、２〜３
０ｋｅＶの注入エネルギーで、かつ１×１０¹³〜５×１
０¹⁴ｃｍ^-2のドーズ量で窒素を注入することを特徴とす
るものであり、この範囲で注入エネルギーとドーズ量を
変化させることで容易に窒化の度合を調整でき、薄膜ゲ
ート絶縁膜の膜厚を簡単に制御できるという作用を有す
る。

【００２５】

【発明の実施の形態】〔第１の実施の形態；請求項１等
に対応〕以下、本発明の第１の実施の形態について、図
面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１の実施
の形態における半導体装置の構成を示す断面図である。
図１において、１０１はシリコン基板、１０２は素子間
を分離するＬＯＣＯＳ酸化膜、１０３は厚膜ゲート絶縁
膜、１０４は薄膜ゲート絶縁膜、１０５ａ，１０５ｂは
ポリシリコン膜からなるゲート電極、１０６は高圧系ト
ランジスタ（第１のトランジスタ）のソース・ドレイン
領域、１０７は低圧系トランジスタ（第２のトランジス
タ）のソース・ドレイン領域であり、Ａは高圧系トラン
ジスタ形成領域、Ｂは低圧系トランジスタ形成領域を示
す。

【００２６】この実施の形態における半導体装置の特徴
は、ゲート電極１０５ａに高電圧が印加される高圧系ト
ランジスタの厚膜ゲート絶縁膜１０３を単層のシリコン
酸化膜で構成し、ゲート電極１０５ｂに低電圧が印加さ
れる低圧系トランジスタの薄膜ゲート絶縁膜１０４を膜
中に窒素原子を含むシリコン酸化膜で構成していること
である。

【００２７】従来例でも述べたが、ＣＭＯＳ搭載マイコ
ンのように電源電圧が一定でかつ高速動作を実現するよ
うな半導体集積回路を作製する場合、電源電圧がそのま
ま印加される入出力部や周辺トランジスタ部には、厚膜
ゲート絶縁膜１０３を有する高圧系トランジスタが使用
され、降圧回路により降圧された電圧が印加され、かつ
高速動作の要求されるメモリ部には、薄膜ゲート絶縁膜
１０４を有する低圧系トランジスタが使用される。

【００２８】ここで、高電圧の印加される厚膜ゲート絶
縁膜１０３には、その印加電圧に耐えうる膜厚が要求さ
れる。一方、ゲート絶縁膜は膜厚が厚くなるにつれ、プ
ロセス中に発生しシリコン基板１０１上に残留する種々
の汚染などの影響を取り込みやすくなり、ゲート絶縁膜
信頼性の初期不良や偶発不良が増加する。このとき、従
来構造のように厚膜ゲート絶縁膜６０７（図６）が積層
されたシリコン酸化膜であった場合、プロセス中に発生
した汚染が完全に除去されず最終的に厚膜ゲート絶縁膜
６０７中に取り込まれるため、高圧系トランジスタの信
頼性不良が多発する。これに対し、本実施の形態のよう
に、単層のシリコン酸化膜からなる厚膜ゲート絶縁膜１
０３を用いた場合には、ゲート絶縁膜を形成する直前に
充分な洗浄を行うことが可能になるため高信頼性の高圧
系トランジスタを形成することができる。

【００２９】また、高速動作の要求される低圧系トラン
ジスタに使用される薄膜ゲート絶縁膜１０４には、２〜
５ｎｍといった非常に薄いゲート絶縁膜が使用される。
一方、ゲート絶縁膜は膜厚が薄くなるにつれ、汚染など
の影響による初期不良や偶発不良は減少するが、膜本来
の実力である真性破壊までの寿命が短くなる。このと
き、従来構造のように薄膜ゲート絶縁膜６０６（図６）
が単層のシリコン酸化膜であった場合、低圧系トランジ
スタの信頼性を確保することが困難となる。これに対
し、本実施の形態のように、膜中に窒素原子を含んだシ
リコン酸化膜からなる薄膜ゲート絶縁膜１０４を用いた
場合には、真性破壊の要因となるシリコン酸化膜中のダ
ングリングボンドやブロークンボンドが窒素により終端
されているため、非常に薄いゲート絶縁膜でも信頼性を
確保できるため高信頼性の低圧系トランジスタを形成す
ることができる。

【００３０】以上のように本実施の形態によれば、厚膜
ゲート絶縁膜１０３を単層のシリコン酸化膜にし、薄膜
ゲート絶縁膜１０４を膜中に窒素原子を含むシリコン酸
化膜にすることにより、高信頼性の厚膜ゲート絶縁膜１
０３および薄膜ゲート絶縁膜１０４を同一シリコン基板
１０１上に同時に形成することができ、高信頼性の高圧
系トランジスタおよび低圧系トランジスタを実現できる
ものである。また、厚膜ゲート絶縁膜１０３は単層のシ
リコン酸化膜で形成するため、その膜厚制御は容易であ
る。

【００３１】なお、低圧系トランジスタの薄膜ゲート絶
縁膜１０４は、膜中に１〜１０ａｔｍ％の窒素原子を含
むシリコン酸化膜（シリコン酸窒化膜）で構成すること
が好ましい。これは、窒素原子が１ａｔｍ％未満では窒
化が不十分となり、単なる酸化膜と特性的に変わらなく
なってしまい、また、１０ａｔｍ％を超えるとリーク電
流が増加し、使用できないからである。また、現在の装
置で容易に形成できる実用的な範囲は、１〜３ａｔｍ％
の窒素原子を含むシリコン酸化膜である。

【００３２】また、薄膜ゲート絶縁膜１０４の膜厚は２
ｎｍ以上で５ｎｍ以下とすることが好ましい。これは、
５ｎｍ以下とすることにより、薄膜ゲート絶縁膜１０４
の初期不良および偶発不良を防止することができ、また
２ｎｍ未満ではその寿命を確保することができないから
である。

【００３３】〔第２の実施の形態；請求項６等に対応〕
以下、本発明の第２の実施の形態について、図面を参照
しながら説明する。この第２の実施の形態は、第１の実
施の形態の半導体装置についてその製造方法の一例を説
明するものである。

【００３４】図２は本発明の第２の実施の形態における
半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図２に
おいて、２０１はシリコン基板、２０２はＬＯＣＯＳ酸
化膜、２０３はＮＯガス、２０４はシリコン窒化膜、２
０５はレジスト、２０６は酸化種、２０７は薄膜ゲート
絶縁膜、２０８は厚膜ゲート絶縁膜、２０９はゲート電
極用のポリシリコン膜であり、Ａは高圧系トランジスタ
形成領域、Ｂは低圧系トランジスタ形成領域を示す。

【００３５】まず、シリコン基板２０１上に素子間を分
離するＬＯＣＯＳ酸化膜２０２を形成する（図２
（ａ））。次に急速加熱炉を用いてＮＯガス２０３雰囲
気中で４００〜１０００℃の熱処理を行い、シリコン窒
化膜２０４を形成する（図２（ｂ））。次に低圧系トラ
ンジスタ形成領域Ｂをレジスト２０５で覆い、ウェット
エッチングにより高圧系トランジスタ形成領域Ａのシリ
コン窒化膜２０４を除去し、シリコン基板２０１を露出
させる（図２（ｃ））。

【００３６】次にレジスト２０５を剥離した後、酸化種
２０６雰囲気中で熱処理を行い、高圧系トランジスタ形
成領域Ａのゲート絶縁膜が所望の膜厚となるように厚膜
ゲート絶縁膜２０８を形成する。このとき、低圧系トラ
ンジスタ形成領域Ｂでは、シリコン基板２０１表面にシ
リコン窒化膜２０４が存在しているため酸化種２０６の
拡散を抑制し、厚膜ゲート絶縁膜２０８よりも薄い薄膜
ゲート絶縁膜２０７が形成される（図２（ｄ））。この
薄膜ゲート絶縁膜２０７を所望の膜厚にするためには、
ＮＯガス２０３雰囲気での窒化処理の温度（４００〜１
０００℃の範囲内で）および時間を変えることで調整す
ることができる。

【００３７】次に全面にポリシリコン膜２０９を成膜し
（図２（ｅ））、その後、図示しないがポリシリコン膜
２０９のパターニングを行って高圧系トランジスタ形成
領域Ａおよび低圧系トランジスタ形成領域Ｂにゲート電
極（図１のゲート電極１０５ａ，１０５ｂ参照）を形成
し、さらに周知の方法により高圧系トランジスタ形成領
域Ａおよび低圧系トランジスタ形成領域Ｂにそれぞれソ
ース・ドレイン領域（図１のソース・ドレイン領域１０
６，１０７参照）を形成することで、同一シリコン基板
２０１上にそれぞれ膜厚の異なる高信頼性のゲート絶縁
膜を持った高圧系トランジスタと低圧系トランジスタの
２種類のトランジスタを形成することができる。

【００３８】なお、本実施の形態では、図２（ｂ）の工
程で、シリコン窒化膜２０４を形成するために、急速加
熱炉を用いてＮＯガス２０３雰囲気中で４００〜１００
０℃の熱処理を行ったが、急速加熱炉または抵抗加熱炉
を用いて笑気ガス（Ｎ₂Ｏ）雰囲気中で４００〜１００
０℃の熱処理を行ってもよいし、急速加熱炉を用いてア
ンモニア雰囲気中で４００〜１０００℃の熱処理を行っ
てもよい。いずれの場合も、４００〜１０００℃の範囲
内で温度を調整するか、処理時間を調整することで、容
易に窒化の度合を調整でき、これにより薄膜ゲート絶縁
膜２０７を所望の膜厚にできる。いずれの場合も上記の
熱処理温度が４００℃未満であれば、温度が低すぎて窒
化されなくなり、また１０００℃を超えた場合にはＲＴ
Ｐでのスリップ（結晶欠陥）や熱履歴の増大などプロセ
ス的な問題が生じ、トランジスタに悪影響を及ぼしトラ
ンジスタ特性が悪くなる。

【００３９】さらに、ＮＯガスの場合には、６００〜９
００℃の範囲の熱処理がより好ましく、適度な窒化が行
える。これは、６００℃未満では窒化の程度が小さく、
９００℃を超えると窒化が強すぎて酸化を行っても膜厚
を稼ぐのが難しくなるからである。同様に、笑気ガスの
場合には、７００〜１０００℃の範囲で熱処理を行うの
がより好ましい。また、アンモニアの場合にも同様に６
００〜９００℃の範囲で熱処理をおこなうのがより好ま
しいと考えられる。

【００４０】〔第３の実施の形態；請求項１４等に対
応〕以下、本発明の第３の実施の形態について、図面を
参照しながら説明する。この第３の実施の形態は、第１
の実施の形態の半導体装置についてその製造方法の一例
を説明するものである。

【００４１】図３は本発明の第３の実施の形態における
半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図３に
おいて、３０１はシリコン基板、３０２はＬＯＣＯＳ酸
化膜、３０５はレジスト、３０６はシリコン窒化膜、３
０７は酸化種、３０８は厚膜ゲート絶縁膜、３０９は薄
膜ゲート絶縁膜、３１０はゲート電極用のポリシリコン
膜であり、Ａは高圧系トランジスタ形成領域、Ｂは低圧
系トランジスタ形成領域を示す。

【００４２】まず、シリコン基板３０１上に素子間を分
離するＬＯＣＯＳ酸化膜３０２を形成する（図３
（ａ））。次に高圧系トランジスタ形成領域Ａをレジス
ト３０５で覆い、イオン注入機を用いて窒素を低エネル
ギーで注入を行う（窒素イオン注入３１１）。このと
き、低圧系トランジスタ形成領域Ｂのシリコン基板３０
１表面は注入により窒化されシリコン窒化膜３０６が形
成される（図３（ｂ））。

【００４３】次にレジスト３０５を剥離した後、酸化種
３０７雰囲気中で熱処理を行い、高圧系トランジスタ形
成領域Ａのゲート絶縁膜が所望の膜厚となるように厚膜
ゲート絶縁膜３０８を形成する。このとき、低圧系トラ
ンジスタ形成領域Ｂでは、シリコン基板３０１表面にシ
リコン窒化膜３０６が存在しているため酸化種３０７の
拡散を抑制し、厚膜ゲート絶縁膜３０８よりも薄い薄膜
ゲート絶縁膜３０９が形成される（図３（ｃ））。この
薄膜ゲート絶縁膜３０９を所望の膜厚にするためには窒
素注入時にそのドーズ量あるいは注入エネルギーを変え
ることで調整することができる。

【００４４】次に全面にポリシリコン膜３１０を成膜し
（図３（ｄ））、その後、図示しないがポリシリコン膜
３１０のパターニングを行って高圧系トランジスタ形成
領域Ａおよび低圧系トランジスタ形成領域Ｂにゲート電
極（図１のゲート電極１０５ａ，１０５ｂ参照）を形成
し、さらに周知の方法により高圧系トランジスタ形成領
域Ａおよび低圧系トランジスタ形成領域Ｂにそれぞれソ
ース・ドレイン領域（図１のソース・ドレイン領域１０
６，１０７参照）を形成することで、同一シリコン基板
３０１上にそれぞれ膜厚の異なる高信頼性のゲート絶縁
膜を持った高圧系トランジスタと低圧系トランジスタの
２種類のトランジスタを形成することができる。

【００４５】なお、図３（ｂ）の工程での窒素イオン注
入３１１は、イオン注入機を用いて２〜３０ｋｅＶの注
入エネルギーで、例えば１×１０¹³〜５×１０¹⁴ｃｍ^-2
のドーズ量で行うものであり、この範囲内で注入エネル
ギーとドーズ量を変化させることで容易に窒化の度合を
調整でき、薄膜ゲート絶縁膜３０９の膜厚を簡単に制御
できる。なお、現在の装置で容易に注入できる実用的な
範囲の注入エネルギーは５ｋｅＶ以上である。また、３
０ｋｅＶを超えると注入のピーク位置が深すぎてゲート
絶縁膜が形成されるシリコン基板３０１の表面に窒素が
注入されない。また、チャネル領域に窒素が入らないよ
うにするためには、１５ｋｅＶ以下とするのが、より好
ましく、チャネル領域に窒素が入ると、トランジスタの
駆動力に悪影響を及ぼす懸念がある。

【００４６】〔第４の実施の形態；請求項７等に対応〕
以下、本発明の第４の実施の形態について、図面を参照
しながら説明する。この第４の実施の形態は、第１の実
施の形態の半導体装置についての製造方法ではない。第
１の実施の形態では、図１における厚膜ゲート絶縁膜１
０３を単層のシリコン酸化膜で構成し、薄膜ゲート絶縁
膜１０４を膜中に窒素原子を含むシリコン酸化膜で構成
したものであったが、この第４の実施の形態では、図１
における厚膜ゲート絶縁膜１０３および薄膜ゲート絶縁
膜１０４の両方を、その膜中に窒素原子を含むシリコン
酸化膜で構成した半導体装置（請求項２に対応）につい
て、その製造方法の一例を説明する。

【００４７】図４は本発明の第４の実施の形態における
半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図４に
おいて、４０１はシリコン基板、４０２はＬＯＣＯＳ酸
化膜、４０３は酸化種、４０４はシリコン酸化膜、４０
５はレジスト、４０６はＮＯガス、４０７は窒化したシ
リコン酸化膜、４０８はシリコン窒化膜、４０９は酸化
種、４１０厚膜ゲート絶縁膜、４１１は薄膜ゲート絶縁
膜、４１２はゲート電極用のポリシリコン膜であり、Ａ
は高圧系トランジスタ形成領域、Ｂは低圧系トランジス
タ形成領域を示す。

【００４８】まず、シリコン基板４０１上に素子間を分
離するＬＯＣＯＳ酸化膜４０２を形成する（図４
（ａ））。次に酸化種４０３雰囲気中で熱処理を行いシ
リコン酸化膜４０４を形成する（図４（ｂ））。次に高
圧系トランジスタ形成領域Ａをレジスト４０５で覆い、
ウェットエッチングにより低圧系トランジスタ形成領域
Ｂのシリコン酸化膜４０４を除去し、シリコン基板４０
１を露出させる（図４（ｃ））。

【００４９】次にレジスト４０５を剥離した後、急速加
熱炉を用いてＮＯガス４０６雰囲気中で４００〜１００
０℃の熱処理を行い、高圧系トランジスタ形成領域Ａに
窒化したシリコン酸化膜４０７を、低圧系トランジスタ
形成領域Ｂにシリコン窒化膜４０８を形成する（図４
（ｄ））。次に酸化種４０９雰囲気中で熱処理を行い厚
膜ゲート絶縁膜４１０および薄膜ゲート絶縁膜４１１を
形成する（図４（ｅ））。このとき、厚膜ゲート絶縁膜
４１０と薄膜ゲート絶縁膜４１１とはともに膜中に窒素
を含んだ酸窒化膜となるため高信頼性のゲート絶縁膜と
なる。

【００５０】次に全面にポリシリコン膜４１２を成膜し
（図４（ｆ））、その後、図示しないがポリシリコン膜
４１２のパターニングを行って高圧系トランジスタ形成
領域Ａおよび低圧系トランジスタ形成領域Ｂにゲート電
極（図１のゲート電極１０５ａ，１０５ｂ参照）を形成
し、さらに周知の方法により高圧系トランジスタ形成領
域Ａおよび低圧系トランジスタ形成領域Ｂにそれぞれソ
ース・ドレイン領域（図１のソース・ドレイン領域１０
６，１０７参照）を形成することで、同一シリコン基板
４０１上にそれぞれ膜厚の異なる高信頼性のゲート絶縁
膜を持った高圧系トランジスタと低圧系トランジスタの
２種類のトランジスタを形成することができる。

【００５１】なお、本実施の形態では、図４（ｄ）の工
程で、シリコン窒化膜４０８および窒化したシリコン酸
化膜４０７を形成するために、急速加熱炉を用いてＮＯ
ガス４０６雰囲気中で４００〜１０００℃の熱処理を行
ったが、第２の実施の形態における図２（ｂ）の工程の
場合と同様に、急速加熱炉または抵抗加熱炉を用いて笑
気ガス（Ｎ₂Ｏ）雰囲気中で４００〜１０００℃の熱処
理を行ってもよいし、急速加熱炉を用いてアンモニア雰
囲気中で４００〜１０００℃の熱処理を行ってもよい。
いずれの場合も、４００〜１０００℃の範囲内で温度を
調整するか、処理時間を調整することで、容易に窒化の
度合を調整でき、これにより薄膜ゲート絶縁膜４１１を
所望の膜厚にできる。さらに、第２の実施の形態と同
様、ＮＯガスやアンモニアの場合には、６００〜９００
℃の範囲の熱処理がより好ましく、笑気ガスの場合に
は、７００〜１０００℃の範囲で熱処理を行うのがより
好ましい。また、アンモニアの場合にも同様に６００〜
９００℃の範囲で熱処理をおこなうのがより好ましいと
考えられる。

【００５２】また、本実施の形態における厚膜ゲート絶
縁膜４１０および薄膜ゲート絶縁膜４１１のそれぞれの
膜中に含まれる窒素原子は、第１の実施の形態における
薄膜ゲート絶縁膜１０４と同様に、１〜１０ａｔｍ％で
あることが好ましく、現在の装置で容易に形成できる実
用的な範囲は、１〜３ａｔｍ％である。

【００５３】また、薄膜ゲート絶縁膜４１１の膜厚は、
第１の実施の形態と同様、２ｎｍ以上で５ｎｍ以下とす
ることにより、薄膜ゲート絶縁膜４１１の寿命を確保で
きるとともに初期不良や偶発不良を防止できる。

【００５４】〔第５の実施の形態；請求項１５等に対
応〕以下、本発明の第５の実施の形態について、図面を
参照しながら説明する。この第５の実施の形態では、第
４の実施の形態同様、図１における厚膜ゲート絶縁膜１
０３および薄膜ゲート絶縁膜１０４の両方を、その膜中
に窒素原子を含むシリコン酸化膜で構成した半導体装置
（請求項２に対応）について、その製造方法の一例を説
明する。

【００５５】図５は本発明の第５の実施の形態における
半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図５に
おいて、５０１はシリコン基板、５０２はＬＯＣＯＳ酸
化膜、５０３は酸化種、５０４はシリコン酸化膜、５０
５はレジスト、５０６は窒化したシリコン酸化膜、５０
７はシリコン窒化膜、５０８は酸化種、５０９は厚膜ゲ
ート絶縁膜、５１０は薄膜ゲート絶縁膜、５１１はゲー
ト電極用のポリシリコン膜であり、Ａは高圧系トランジ
スタ形成領域、Ｂは低圧系トランジスタ形成領域を示
す。

【００５６】まず、シリコン基板５０１上に素子間を分
離するＬＯＣＯＳ酸化膜５０２を形成する（図５
（ａ））。次に酸化種５０３雰囲気中で熱処理を行いシ
リコン酸化膜５０４を形成する（図５（ｂ））。次に高
圧系トランジスタ形成領域Ａをレジスト５０５で覆い、
ウェットエッチングにより低圧系トランジスタ形成領域
Ｂのシリコン酸化膜５０４を除去し、シリコン基板５０
１を露出させる（図５（ｃ））。

【００５７】次にレジスト５０５を剥離した後、イオン
注入機を用いて窒素を注入し（窒素イオン注入５１
２）、高圧系トランジスタ形成領域Ａに窒化したシリコ
ン酸化膜５０６を、低圧系トランジスタ形成領域Ｂにシ
リコン窒化膜５０７を形成する（図５（ｄ））。次に酸
化種５０９雰囲気中で熱処理を行い厚膜ゲート絶縁膜５
０９および薄膜ゲート絶縁膜５１０を形成する（図５
（ｅ））。このとき、厚膜ゲート絶縁膜５０９と薄膜ゲ
ート絶縁膜５１０ともに膜中に窒素を含んだ酸窒化膜と
なるため、高信頼性のゲート絶縁膜となる。

【００５８】次に全面にポリシリコン膜５１１を成膜し
（図５（ｆ））、その後、図示しないがポリシリコン膜
５１１のパターニングを行って高圧系トランジスタ形成
領域Ａおよび低圧系トランジスタ形成領域Ｂにゲート電
極（図１のゲート電極１０５ａ，１０５ｂ参照）を形成
し、さらに周知の方法により高圧系トランジスタ形成領
域Ａおよび低圧系トランジスタ形成領域Ｂにそれぞれソ
ース・ドレイン領域（図１のソース・ドレイン領域１０
６，１０７参照）を形成することで、同一シリコン基板
５０１上にそれぞれ膜厚の異なる高信頼性のゲート絶縁
膜を持った高圧系トランジスタと低圧系トランジスタの
２種類のトランジスタを形成することができる。

【００５９】なお、図５（ｄ）の工程での窒素イオン注
入５１２は、図３（ｂ）の工程での窒素イオン注入３１
１と同様に、イオン注入機を用いて２〜３０ｋｅＶの注
入エネルギーで、例えば１×１０¹³〜５×１０¹⁴ｃｍ^-2
のドーズ量で行うものであり、この範囲内で注入エネル
ギーとドーズ量を変化させることで容易に窒化の度合を
調整でき、薄膜ゲート絶縁膜５１０の膜厚を簡単に制御
できる。

【００６０】また、本実施の形態における厚膜ゲート絶
縁膜５０９および薄膜ゲート絶縁膜５１０のそれぞれの
膜中に含まれる窒素原子は、第１の実施の形態における
薄膜ゲート絶縁膜１０４と同様に、１〜１０ａｔｍ％で
あることが好ましく、現在の装置で容易に形成できる実
用的な範囲は、１〜３ａｔｍ％である。

【００６１】また、薄膜ゲート絶縁膜５１０の膜厚は、
第１の実施の形態と同様、２ｎｍ以上で５ｎｍ以下とす
ることにより、薄膜ゲート絶縁膜５１０の寿命を確保で
きるとともに初期不良や偶発不良を防止できる。

【００６２】なお、上記第１〜第５の実施の形態におい
て、厚膜ゲート絶縁膜および薄膜ゲート絶縁膜以外の構
成および形成方法については任意でよく、図１の構成は
一例であり、例えばＬＤＤ構造など他の構成としてもよ
い。

【００６３】

【発明の効果】以上のように本発明は、第１のトランジ
スタの厚膜ゲート絶縁膜を単層のシリコン酸化膜にし、
第２のトランジスタの薄膜ゲート絶縁膜を窒素原子を含
んだシリコン酸化膜にすることにより、または厚膜ゲー
ト絶縁膜および薄膜ゲート絶縁膜を窒素原子を含んだシ
リコン酸化膜にすることにより、膜厚の制御性に優れ、
かつ高信頼性の厚膜ゲート絶縁膜および薄膜ゲート絶縁
膜を同時に形成することができ、ゲート絶縁膜厚の異な
る高信頼性の第１および第２のトランジスタを実現でき
るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体装置
の構成を示す断面図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態における半導体装置
の製造方法を示す工程断面図である。

【図３】本発明の第３の実施の形態における半導体装置
の製造方法を示す工程断面図である。

【図４】本発明の第４の実施の形態における半導体装置
の製造方法を示す工程断面図である。

【図５】本発明の第５の実施の形態における半導体装置
の製造方法を示す工程断面図である。

【図６】従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図
である。

【符号の説明】

１０１シリコン基板１０２ＬＯＣＯＳ酸化膜１０３厚膜ゲート絶縁膜１０４薄膜ゲート絶縁膜１０５ａ，１０５ｂゲート電極１０６ソース・ドレイン領域１０７ソース・ドレイン領域２０１シリコン基板２０２ＬＯＣＯＳ酸化膜２０３ＮＯガス２０４シリコン窒化膜２０５レジスト２０６酸化種２０７薄膜ゲート絶縁膜２０８厚膜ゲート絶縁膜２０９ポリシリコン膜３０１シリコン基板３０２ＬＯＣＯＳ酸化膜３０５レジスト３０６シリコン窒化膜３０７酸化種３０８厚膜ゲート絶縁膜３０９薄膜ゲート絶縁膜３１０ポリシリコン膜３１１窒素イオン注入４０１シリコン基板４０２ＬＯＣＯＳ酸化膜４０３酸化種４０４シリコン酸化膜４０５レジスト４０６ＮＯガス４０７窒化したシリコン酸化膜４０８シリコン窒化膜４０９酸化種４１０厚膜ゲート絶縁膜４１１薄膜ゲート絶縁膜４１２ポリシリコン膜５０１シリコン基板５０２ＬＯＣＯＳ酸化膜５０３酸化種５０４シリコン酸化膜５０５レジスト５０６窒化したシリコン酸化膜５０７シリコン窒化膜５０８酸化種５０９厚膜ゲート絶縁膜５１０薄膜ゲート絶縁膜５１１ポリシリコン膜５１２窒素イオン注入

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】同一半導体基板上に、膜厚の厚い厚膜ゲ
ート絶縁膜を有する第１のトランジスタと、前記厚膜ゲ
ート絶縁膜より膜厚の薄い薄膜ゲート絶縁膜を有する第
２のトランジスタとを備えた半導体装置であって、前記厚膜ゲート絶縁膜は単層のシリコン酸化膜で構成さ
れ、前記薄膜ゲート絶縁膜は膜中に窒素原子を含んだシ
リコン酸化膜で構成されたことを特徴とする半導体装
置。
【請求項２】同一半導体基板上に、膜厚の厚い厚膜ゲ
ート絶縁膜を有する第１のトランジスタと、前記厚膜ゲ
ート絶縁膜より膜厚の薄い薄膜ゲート絶縁膜を有する第
２のトランジスタとを備えた半導体装置であって、前記厚膜ゲート絶縁膜および前記薄膜ゲート絶縁膜は膜
中に窒素原子を含んだシリコン酸化膜で構成されたこと
を特徴とする半導体装置。
【請求項３】薄膜ゲート絶縁膜は膜中に１〜１０ａｔ
ｍ％の窒素原子を含んだシリコン酸化膜で構成された請
求項１記載の半導体装置。
【請求項４】厚膜ゲート絶縁膜および薄膜ゲート絶縁
膜はそれぞれ膜中に１〜１０ａｔｍ％の窒素原子を含ん
だシリコン酸化膜で構成された請求項２記載の半導体装
置。
【請求項５】薄膜ゲート絶縁膜は膜厚２ｎｍ以上で５
ｎｍ以下である請求項１，２，３または４記載の半導体
装置。
【請求項６】同一半導体基板上に、膜厚の厚い厚膜ゲ
ート絶縁膜を有する第１のトランジスタと、前記厚膜ゲ
ート絶縁膜より膜厚の薄い薄膜ゲート絶縁膜を有する第
２のトランジスタとを備えた半導体装置の製造方法であ
って、前記第１および第２のトランジスタ形成領域の前記半導
体基板の表面を窒化してシリコン窒化膜を形成する窒化
工程と、前記第１のトランジスタ形成領域の前記シリコ
ン窒化膜をエッチングするエッチング工程と、前記第１
のトランジスタ形成領域の前記半導体基板表面および前
記第２のトランジスタ形成領域の前記シリコン窒化膜を
酸化することにより前記厚膜ゲート絶縁膜および前記薄
膜ゲート絶縁膜を形成する酸化工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】同一半導体基板上に、膜厚の厚い厚膜ゲ
ート絶縁膜を有する第１のトランジスタと、前記厚膜ゲ
ート絶縁膜より膜厚の薄い薄膜ゲート絶縁膜を有する第
２のトランジスタとを備えた半導体装置の製造方法であ
って、前記第１および第２のトランジスタ形成領域の前記半導
体基板の表面を酸化してシリコン酸化膜を形成する第１
の酸化工程と、前記第２のトランジスタ形成領域の前記
シリコン酸化膜をエッチングするエッチング工程と、前
記第１のトランジスタ形成領域の前記シリコン酸化膜お
よび前記第２のトランジスタ形成領域の前記半導体基板
表面を窒化する窒化工程と、この窒化工程後に前記第１
および第２のトランジスタ形成領域を酸化することによ
り前記厚膜ゲート絶縁膜および前記薄膜ゲート絶縁膜を
形成する第２の酸化工程とを含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
【請求項８】窒化工程は、急速加熱炉を用いて、一酸
化窒素雰囲気中で４００〜１０００℃の熱処理により窒
化を行うことを特徴とする請求項６または７記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項９】窒化工程は、急速加熱炉を用いて、笑気
ガス雰囲気中で４００〜１０００℃の熱処理により窒化
を行うことを特徴とする請求項６または７記載の半導体
装置の製造方法。
【請求項１０】窒化工程は、急速加熱炉を用いて、ア
ンモニア雰囲気中で４００〜１０００℃の熱処理により
窒化を行うことを特徴とする請求項６または７記載の半
導体装置の製造方法。
【請求項１１】窒化工程は、抵抗加熱炉を用いて、笑
気ガス雰囲気中で４００〜１０００℃の熱処理により窒
化を行うことを特徴とする請求項６または７記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項１２】一酸化窒素雰囲気中で行う熱処理温度
を６００〜９００℃とすることを特徴とする請求項８記
載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】笑気ガス雰囲気中で行う熱処理温度を
７００〜１０００℃とすることを特徴とする請求項９ま
たは１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】同一半導体基板上に、膜厚の厚い厚膜
ゲート絶縁膜を有する第１のトランジスタと、前記厚膜
ゲート絶縁膜より膜厚の薄い薄膜ゲート絶縁膜を有する
第２のトランジスタとを備えた半導体装置の製造方法で
あって、前記第２のトランジスタ形成領域の前記半導体基板の表
面に窒素をイオン注入してシリコン窒化膜を形成する窒
素イオン注入工程と、前記第１のトランジスタ形成領域
の前記半導体基板表面および前記第２のトランジスタ形
成領域の前記シリコン窒化膜を酸化することにより前記
厚膜ゲート絶縁膜および前記薄膜ゲート絶縁膜を形成す
る酸化工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造
方法。
【請求項１５】同一半導体基板上に、膜厚の厚い厚膜
ゲート絶縁膜を有する第１のトランジスタと、前記厚膜
ゲート絶縁膜より膜厚の薄い薄膜ゲート絶縁膜を有する
第２のトランジスタとを備えた半導体装置の製造方法で
あって、前記第１および第２のトランジスタ形成領域の前記半導
体基板の表面を酸化してシリコン酸化膜を形成する第１
の酸化工程と、前記第２のトランジスタ形成領域の前記
シリコン酸化膜をエッチングするエッチング工程と、前
記第１のトランジスタ形成領域の前記シリコン酸化膜お
よび前記第２のトランジスタ形成領域の前記半導体基板
表面に窒素をイオン注入する窒素イオン注入工程と、こ
の窒素イオン注入工程後に前記第１および第２のトラン
ジスタ形成領域を酸化することにより前記厚膜ゲート絶
縁膜および前記薄膜ゲート絶縁膜を形成する第２の酸化
工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】窒素イオン注入工程は、イオン注入機
を用いて、２〜３０ｋｅＶの注入エネルギーで、かつ１
×１０¹³〜５×１０¹⁴ｃｍ^-2のドーズ量で窒素を注入す
ることを特徴とする請求項１４または１５記載の半導体
装置の製造方法。