JP2008300844A - Cmosイメージセンサ及びそのピクセル - Google Patents
Cmosイメージセンサ及びそのピクセル Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008300844A JP2008300844A JP2008143129A JP2008143129A JP2008300844A JP 2008300844 A JP2008300844 A JP 2008300844A JP 2008143129 A JP2008143129 A JP 2008143129A JP 2008143129 A JP2008143129 A JP 2008143129A JP 2008300844 A JP2008300844 A JP 2008300844A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- doped
- impurity
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 80
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910008065 Si-SiO Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910006405 Si—SiO Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14654—Blooming suppression
Abstract
【解決手段】本発明のイメージセンサのピクセルは、第1導電型の不純物でドーピングされた基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成された転送ゲートと、該転送ゲートの一方の基板の内部に形成されたフォトダイオードと、前記転送ゲートの他方の基板の内部に形成されたフローティング拡散ノードとを備える。
【選択図】図3
Description
302 P型不純物でドーピングされたエピタキシャル層
303 P+型不純物でドーピングされた領域
304 第1のN型不純物でドーピングされた領域
305 側壁スペーサ
306 電荷転送ゲート
307 LDD領域
308 フローティング拡散領域
309 P型不純物でドーピングされた領域
310 金属配線
311 ゲート絶縁膜(SiO2)
312 第2のN型不純物でドーピングされた領域
Claims (16)
- 第1導電型の不純物でドーピングされた基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜上に形成された転送ゲートと、
該転送ゲートの一方の基板の内部に形成されたフォトダイオードと、
前記転送ゲートの他方の基板の内部に形成されたフローティング拡散ノードとを備え、
前記転送ゲートが、電荷集積サイクルの間、負のバイアスが印加されることを特徴とするイメージセンサのピクセル。 - 前記転送ゲートの下部領域の前記基板の内部に形成され、ブルーミング制御のための第2導電型の不純物でドーピングされた第1領域を更に備えることを特徴とする請求項1に記載のピクセル。
- 前記ゲート絶縁膜と前記基板との間の界面に形成された、しきい値電圧調整のための第1導電型の不純物でドーピングされた第2領域を更に備えることを特徴とする請求項1に記載のピクセル。
- 前記ゲート絶縁膜と前記基板との間の界面に形成された、暗電流抑制のための第1導電型の不純物でドーピングされた第3領域を更に備えることを特徴とする請求項1に記載のピクセル。
- 前記第1導電型の不純物でドーピングされた第3領域が、前記転送ゲート長の一部の領域に対応して形成されることを特徴とする請求項4に記載のピクセル。
- 前記フォトダイオードが、ピンフォトダイオードであることを特徴とする請求項1に記載のピクセル。
- 前記第1導電型の不純物及び前記第2導電型の不純物が、各々相補的であることを特徴とする請求項2に記載のピクセル。
- 前記第1導電型の不純物及び前記第2導電型の不純物が、各々P型不純物及びN型不純物であることを特徴とする請求項7に記載のピクセル。
- 第1導電型の不純物でドーピングされた基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜上に形成された転送ゲートと、
該転送ゲートの一方の基板の内部に形成されたフォトダイオードと、
前記転送ゲートの他方の基板の内部に形成されたフローティング拡散ノードとを備え、
電荷集積サイクルの間、前記転送ゲートに負のバイアスを印加する負電荷ポンプ回路がチップ上に共に組み込まれることを特徴とするイメージセンサ。 - 前記転送ゲートの下部領域の前記基板の内部に形成され、ブルーミング制御のための第2導電型の不純物でドーピングされた第1領域を更に備えることを特徴とする請求項9に記載のイメージセンサ。
- 前記ゲート絶縁膜と前記基板との間の界面に形成された、しきい値電圧調整のための第1導電型の不純物でドーピングされた第2領域を更に備えることを特徴とする請求項9に記載のイメージセンサ。
- 前記ゲート絶縁膜と前記基板との間の界面に形成された、暗電流抑制のための第1導電型の不純物でドーピングされた第3領域を更に備えることを特徴とする請求項9に記載のイメージセンサ。
- 前記第1導電型の不純物でドーピングされた第3領域が、前記転送ゲート長の一部の領域に対応して形成されることを特徴とする請求項12に記載のイメージセンサ。
- 前記フォトダイオードが、ピンフォトダイオードであることを特徴とする請求項9に記載のイメージセンサ。
- 前記第1導電型の不純物及び前記第2導電型の不純物が、各々相補的であることを特徴とする請求項10に記載のイメージセンサ。
- 前記第1導電型の不純物及び前記第2導電型の不純物が、各々P型不純物及びN型不純物であることを特徴とする請求項15に記載のイメージセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070053867A KR100880528B1 (ko) | 2007-06-01 | 2007-06-01 | Cmos 이미지 센서 |
KR10-2007-0053867 | 2007-06-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008300844A true JP2008300844A (ja) | 2008-12-11 |
JP5270964B2 JP5270964B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=40087127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008143129A Active JP5270964B2 (ja) | 2007-06-01 | 2008-05-30 | Cmosイメージセンサ及びそのピクセル |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7791113B2 (ja) |
JP (1) | JP5270964B2 (ja) |
KR (1) | KR100880528B1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4788742B2 (ja) * | 2008-06-27 | 2011-10-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
US20110032405A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with transfer gate having multiple channel sub-regions |
JP2013016675A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器、及び、固体撮像装置の製造方法 |
FR2986906B1 (fr) * | 2012-02-15 | 2015-06-19 | New Imaging Technologies Sas | Structure de pixel actif a transfert de charge ameliore |
US8809925B2 (en) * | 2012-10-11 | 2014-08-19 | Omnivision Technologies, Inc. | Partial buried channel transfer device in image sensors |
US9287319B2 (en) * | 2012-11-16 | 2016-03-15 | Sri International | CMOS multi-pinned (MP) pixel |
FR3018653B1 (fr) | 2014-03-11 | 2016-03-04 | E2V Semiconductors | Procede de capture d'image avec reduction de courant d'obscurite et faible consommation |
KR20150109559A (ko) * | 2014-03-20 | 2015-10-02 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
KR102407036B1 (ko) | 2015-11-03 | 2022-06-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이미지 센서의 동작 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08335688A (ja) * | 1995-04-13 | 1996-12-17 | Eastman Kodak Co | ピン光ダイオード集積能動画素センサー |
JPH11317512A (ja) * | 1998-02-28 | 1999-11-16 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | Cmosイメ―ジセンサ―及びその製造方法 |
JPH11355668A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム |
JP2002217397A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP2004129015A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
JP2004140149A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその制御方法 |
JP2006120966A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11126893A (ja) * | 1997-10-23 | 1999-05-11 | Nikon Corp | 固体撮像素子とその製造方法 |
US6657665B1 (en) | 1998-12-31 | 2003-12-02 | Eastman Kodak Company | Active Pixel Sensor with wired floating diffusions and shared amplifier |
US7709777B2 (en) * | 2003-06-16 | 2010-05-04 | Micron Technology, Inc. | Pumps for CMOS imagers |
KR100761824B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2007-09-28 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
KR100976886B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2010-08-18 | 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 | 부동 베이스 판독 개념을 갖는 cmos 이미지 센서 |
-
2007
- 2007-06-01 KR KR1020070053867A patent/KR100880528B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-05-30 US US12/155,181 patent/US7791113B2/en active Active
- 2008-05-30 JP JP2008143129A patent/JP5270964B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08335688A (ja) * | 1995-04-13 | 1996-12-17 | Eastman Kodak Co | ピン光ダイオード集積能動画素センサー |
JPH11317512A (ja) * | 1998-02-28 | 1999-11-16 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | Cmosイメ―ジセンサ―及びその製造方法 |
JPH11355668A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム |
JP2002217397A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP2004129015A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
JP2004140149A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその制御方法 |
JP2006120966A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6013000352; 前田和夫: 最新LSIプロセス技術 4版, 19880420, 182-183, 株式会社工業調査会 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080296630A1 (en) | 2008-12-04 |
KR100880528B1 (ko) | 2009-01-28 |
JP5270964B2 (ja) | 2013-08-21 |
KR20080105812A (ko) | 2008-12-04 |
US7791113B2 (en) | 2010-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5270964B2 (ja) | Cmosイメージセンサ及びそのピクセル | |
US9865632B2 (en) | Image sensor pixel with memory node having buried channel and diode portions formed on N-type substrate | |
US7271430B2 (en) | Image sensors for reducing dark current and methods of fabricating the same | |
US9729810B2 (en) | Image sensor pixel with memory node having buried channel and diode portions | |
US8772844B2 (en) | Solid-state imaging device | |
JP4939514B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP5114829B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US8242546B2 (en) | Small pixel for image sensors with JFET and vertically integrated reset diode | |
US8426287B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, solid-state imaging device, and solid-state imaging apparatus | |
US20060157758A1 (en) | Image sensor and pixel having an optimized floating diffusion | |
JP5194419B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JPH09246514A (ja) | 増幅型固体撮像装置 | |
JP5480186B2 (ja) | パラメトリックリセットを用いる、低いリセットノイズを有し、低い暗電流を生成するcmosイメージセンサーのための3tピクセル | |
JP2008166607A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法 | |
JP2007525003A (ja) | イメージ・センサにおけるゲートの仕事関数の調整方法 | |
JP2005347759A (ja) | 暗電流を減少させるためのイメージセンサー及びその製造方法 | |
JP2009283649A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
US20140077067A1 (en) | Solid-state imaging device | |
JP2007305925A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP3658384B2 (ja) | Mos型撮像装置およびこれを組み込んだカメラ | |
JP5644433B2 (ja) | 固体撮像素子、および、固体撮像素子の製造方法 | |
US20050048689A1 (en) | Solid-state imaging device and method for manufacturing same | |
JP3240828B2 (ja) | Mosトランジスタ構造およびこれを用いた電荷転送装置 | |
JP2008252123A (ja) | 固体撮像装置 | |
KR20020027021A (ko) | 씨모스 이미지 센서 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090624 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090713 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100126 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110928 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120207 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120427 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130419 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130510 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5270964 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |