JP2006041080A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 画素領域内のウェル領域の電位安定と画質の向上を図る。
【解決手段】 N型シリコン基板中には素子形成層としてのP型ウェル領域を形成し、そこにフォトダイオードや各種MOSトランジスタ等を設けている。また、N型シリコン基板の上面には、シリサイドカバー膜を設け、その一部にフォトダイオードの側部に位置するウェルコンタクト領域に対応して開口部を設け、この開口部を通してウェルコンタクト領域上にコバルトシリサイド膜を形成する。そして、この上層に配置される層間絶縁膜中に、コバルトシリサイド膜に対応するコンタクトホールが形成され、ここにPウェルコンタクトプラグが配置され、層間絶縁膜中の電源配線に接続されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 N型シリコン基板中には素子形成層としてのP型ウェル領域を形成し、そこにフォトダイオードや各種MOSトランジスタ等を設けている。また、N型シリコン基板の上面には、シリサイドカバー膜を設け、その一部にフォトダイオードの側部に位置するウェルコンタクト領域に対応して開口部を設け、この開口部を通してウェルコンタクト領域上にコバルトシリサイド膜を形成する。そして、この上層に配置される層間絶縁膜中に、コバルトシリサイド膜に対応するコンタクトホールが形成され、ここにPウェルコンタクトプラグが配置され、層間絶縁膜中の電源配線に接続されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、CMOSイメージセンサ等の固体撮像装置に関し、特に半導体基板中に設けたウェル領域の電位を安定化するためのウェルコンタクトの形成方法を改良した固体撮像装置に関するものである。
従来、CMOSイメージセンサでは、同一半導体基板上に光電変換部(フォトダイオード等)と読み出し用の画素トランジスタ回路を含む複数の画素を2次元アレイ状に配置した撮像領域と、各画素の駆動や信号処理を行う各種論理回路等を配置した周辺回路領域をCMOSプロセスによって形成しており、各画素のフォトダイオードで生成した信号電荷を読み出し用の画素トランジスタ回路(転送、増幅、リセット、選択等のMOSトランジスタ)によって読み出し、画素信号として周辺回路領域に出力し、必要な信号処理等を施して画像信号を生成する。
また、このようなCMOSイメージセンサでは、例えばN型シリコン基板中にP型ウェル領域を設け、このP型ウェル領域にフォトダイオードやMOSトランジスタ等の各種素子を形成しており、この構造において、P型ウェル領域の電位を基準電位に安定化する方法として、シリコン基板上の上層膜にウェルコンタクトを設け、基板のウェル領域と上層の電源配線とを導通させるようにしたものが知られている。
しかし、このウェルコンタクトを設ける場所としては、通常は微妙な受光特性に影響する撮像領域でなく、周辺の領域を数箇所選んで設けるようにしているが、この方法では、特にウェルコンタクトから遠い撮像領域の中央の画素において、P型ウェル領域の電位を安定化し難いという問題がある。
また、このようなCMOSイメージセンサでは、例えばN型シリコン基板中にP型ウェル領域を設け、このP型ウェル領域にフォトダイオードやMOSトランジスタ等の各種素子を形成しており、この構造において、P型ウェル領域の電位を基準電位に安定化する方法として、シリコン基板上の上層膜にウェルコンタクトを設け、基板のウェル領域と上層の電源配線とを導通させるようにしたものが知られている。
しかし、このウェルコンタクトを設ける場所としては、通常は微妙な受光特性に影響する撮像領域でなく、周辺の領域を数箇所選んで設けるようにしているが、この方法では、特にウェルコンタクトから遠い撮像領域の中央の画素において、P型ウェル領域の電位を安定化し難いという問題がある。
そこで、画素領域内にウェルコンタクトを設ける方法として、P型ウェル領域の界面に高濃度P型拡散領域を設けることにより、コンタクトプラグとP型ウェル領域の接続を行う方法が用いられている。
図8はこのようなウェルコンタクトを設けたCMOSイメージセンサの受光部周辺の素子構造を示す断面図である。
図示のように、このイメージセンサでは、N型シリコン基板1の上層部に、P型ウェル領域2を形成し、このP型ウェル領域2に、フォトダイオードのN型不純物領域(電子蓄積部)3及びP型不純物領域(正孔蓄積部)4、素子分離部(STI)5、MOSトランジスタのソースドレイン拡散層6等を設けている。
また、シリコン基板1の上面には、ゲート絶縁膜7を介してMOSトランジスタのゲート電極8が配置され、その上層に絶縁膜9を介して上層の層間絶縁膜10が設けられ、この層間絶縁膜10中に各種の配線層や遮光膜が配置されている。なお、ゲート電極8の側部には絶縁膜によるサイドウォールが形成され、LDD構造のトランジスタが形成されている。
そして、絶縁膜9の一部には、画素領域内のフォトダイオードの側部領域に開口部が設けられ、この開口部を通して露呈したシリコン基板1のP型ウェル領域2の上面に高濃度のP型不純物(例えばボロン)がイオン注入され、P+拡散領域11として形成されている。
また、層間絶縁膜10には、複数のコンタクトプラグ12、13が設けられているが、このうち、コンタクトプラグ13はP+拡散領域11に接続され、Pウェルコンタクト部となっている。このPウェルコンタクト部により、P型ウェル領域2が電源配線に接続され、電位の安定化を図ることが可能となる。
特公平8−21704号公報
図8はこのようなウェルコンタクトを設けたCMOSイメージセンサの受光部周辺の素子構造を示す断面図である。
図示のように、このイメージセンサでは、N型シリコン基板1の上層部に、P型ウェル領域2を形成し、このP型ウェル領域2に、フォトダイオードのN型不純物領域(電子蓄積部)3及びP型不純物領域(正孔蓄積部)4、素子分離部(STI)5、MOSトランジスタのソースドレイン拡散層6等を設けている。
また、シリコン基板1の上面には、ゲート絶縁膜7を介してMOSトランジスタのゲート電極8が配置され、その上層に絶縁膜9を介して上層の層間絶縁膜10が設けられ、この層間絶縁膜10中に各種の配線層や遮光膜が配置されている。なお、ゲート電極8の側部には絶縁膜によるサイドウォールが形成され、LDD構造のトランジスタが形成されている。
そして、絶縁膜9の一部には、画素領域内のフォトダイオードの側部領域に開口部が設けられ、この開口部を通して露呈したシリコン基板1のP型ウェル領域2の上面に高濃度のP型不純物(例えばボロン)がイオン注入され、P+拡散領域11として形成されている。
また、層間絶縁膜10には、複数のコンタクトプラグ12、13が設けられているが、このうち、コンタクトプラグ13はP+拡散領域11に接続され、Pウェルコンタクト部となっている。このPウェルコンタクト部により、P型ウェル領域2が電源配線に接続され、電位の安定化を図ることが可能となる。
しかしながら、上記従来の固体撮像装置において、画素領域内にPウェルコンタクトを得るために、高濃度のボロンイオンを注入した場合、分子結晶内に歪が生じ、白点ノイズ等の画質劣化につながる問題がある。
そこで本発明は、画素領域内のウェルコンタクトを高濃度のイオン注入領域を設けることなく設けることができ、画素領域内のウェル領域の電位安定と画質の向上を図ることが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
上述の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は、半導体基板中に設けられる素子形成用のウェル領域と、前記半導体基板上の素子分離領域によって区画された複数の画素領域に、それぞれ入射光に応じた信号電荷を生成する光電変換部及び前記光電変換部で生成した信号電荷を読み出すトランジスタ回路を設けて形成される複数の画素と、前記半導体基板上に配置され、前記画素領域内の特定のウェルコンタクト領域に対応する開口部を設けたシリサイドカバー膜と、前記シリサイドカバー膜の開口部を通して前記ウェルコンタクト領域上に形成されたシリサイド膜と、前記シリサイドカバー膜上に導電膜と絶縁膜とを積層して形成される上層膜と、前記上層膜に含まれる基準電圧供給用の配線と前記シリサイド膜とを接続するコンタクトプラグとを有することを特徴とする。
本発明の固体撮像装置によれば、画素領域のウェル領域に電位安定化用のウェルコンタクトを設ける場合に、ウェルコンタクト領域以外の領域をシリサイドカバー膜によってカバーし、このシリサイドカバー膜に設けた開口部を通してウェルコンタクト領域上にシリサイド膜を設け、このシリサイド膜を介してウェル領域とコンタクトプラグとのオーミックコンタクトをとるようにしたことから、従来のように高濃度のイオンを注入することなく、画素領域内にウェルコンタクトを設けることが可能となる。
したがって、ウェルコンタクト用に高濃度イオン注入を行う必要がなく、白点ノイズ等の画質への悪影響を除去しつつ、ウェル電位の安定化を図ることができ、特に画素アレイの中央部の画素におけるウェル電位を安定化できる効果がある。
なお、シリサイド膜形成が画素に及ぼす影響は、シリサイドカバー膜を設けることによって排除でき、ノイズ等の発生を抑制して、高画質を維持できる。
したがって、ウェルコンタクト用に高濃度イオン注入を行う必要がなく、白点ノイズ等の画質への悪影響を除去しつつ、ウェル電位の安定化を図ることができ、特に画素アレイの中央部の画素におけるウェル電位を安定化できる効果がある。
なお、シリサイド膜形成が画素に及ぼす影響は、シリサイドカバー膜を設けることによって排除でき、ノイズ等の発生を抑制して、高画質を維持できる。
本発明の実施の形態において、N型シリコン基板中には素子形成層としてのP型ウェル領域を形成し、そこにフォトダイオード(光電変換部)や各種MOSトランジスタ等を設けている。また、N型シリコン基板の上面には、シリサイドカバー膜を設け、その一部にフォトダイオードの側部に位置するウェルコンタクト領域に対応して開口部を設け、この開口部を通してウェルコンタクト領域上にコバルトシリサイド膜を形成する。
そして、この上層に配置される層間絶縁膜中に、コバルトシリサイド膜に対応するコンタクトホールが形成され、ここにPウェルコンタクトプラグが配置され、層間絶縁膜中の電源配線に接続されている。これにより、画素領域内のP型ウェル領域がPウェルコンタクトプラグ及びコバルトシリサイド膜を介して電源電位に接続され、P型ウェル領域の電位が安定化される。
なお、このような画素領域内のPウェルコンタクトは、全ての画素に設けてもよいし、複数の画素毎に間欠的に設けてもよい。全ての画素に設けた場合、各画素の電位安定化をより確実に実現できる。また、複数の画素毎に間欠的に設けた場合には、画素領域内にシリサイド膜を設けることによる画質への影響を小さく抑えることができる。
また、Pウェルコンタクトは、1つの画素領域内に多くとも1箇所だけ設けることにより、画素領域内にシリサイド膜を設けることによる画質への影響を小さく抑えることができ、さらに、コバルトシリサイド膜を画素領域内のウェルコンタクト領域だけに設けることにより、画素領域内にシリサイド膜を設けることによる画質への影響を小さく抑えることができる。
そして、この上層に配置される層間絶縁膜中に、コバルトシリサイド膜に対応するコンタクトホールが形成され、ここにPウェルコンタクトプラグが配置され、層間絶縁膜中の電源配線に接続されている。これにより、画素領域内のP型ウェル領域がPウェルコンタクトプラグ及びコバルトシリサイド膜を介して電源電位に接続され、P型ウェル領域の電位が安定化される。
なお、このような画素領域内のPウェルコンタクトは、全ての画素に設けてもよいし、複数の画素毎に間欠的に設けてもよい。全ての画素に設けた場合、各画素の電位安定化をより確実に実現できる。また、複数の画素毎に間欠的に設けた場合には、画素領域内にシリサイド膜を設けることによる画質への影響を小さく抑えることができる。
また、Pウェルコンタクトは、1つの画素領域内に多くとも1箇所だけ設けることにより、画素領域内にシリサイド膜を設けることによる画質への影響を小さく抑えることができ、さらに、コバルトシリサイド膜を画素領域内のウェルコンタクト領域だけに設けることにより、画素領域内にシリサイド膜を設けることによる画質への影響を小さく抑えることができる。
図1及び図2は本発明の実施例による固体撮像装置(CMOSイメージセンサ)の受光部周辺の素子構造を示す図であり、図1は断面図、図2は概略平面図である。
図1に示すように、本実施例のイメージセンサでは、N型シリコン基板101の上層部に、P型ウェル領域102を形成し、このP型ウェル領域102に、フォトダイオードのN型不純物領域(電子蓄積部)103及びP型不純物領域(正孔蓄積部)104、素子分離部(STI)105、MOSトランジスタのソースドレイン領域106等を設けている。
また、シリコン基板101の上面には、ゲート絶縁膜107を介してMOSトランジスタのゲート電極108が配置され、その上層にシリサイドカバー膜109を介して上層の層間絶縁膜110が設けられ、この層間絶縁膜110中に各種の配線層や遮光膜が配置されている。なお、ゲート電極108の側部には絶縁膜によるサイドウォールが形成され、LDD構造のトランジスタが形成されている。また、シリサイドカバー膜109は、例えばLP−CVD法により形成されたSiN系の膜である。ただし、SiO2膜でも、シリサイドカバー膜として用いることができるものもある。
図1に示すように、本実施例のイメージセンサでは、N型シリコン基板101の上層部に、P型ウェル領域102を形成し、このP型ウェル領域102に、フォトダイオードのN型不純物領域(電子蓄積部)103及びP型不純物領域(正孔蓄積部)104、素子分離部(STI)105、MOSトランジスタのソースドレイン領域106等を設けている。
また、シリコン基板101の上面には、ゲート絶縁膜107を介してMOSトランジスタのゲート電極108が配置され、その上層にシリサイドカバー膜109を介して上層の層間絶縁膜110が設けられ、この層間絶縁膜110中に各種の配線層や遮光膜が配置されている。なお、ゲート電極108の側部には絶縁膜によるサイドウォールが形成され、LDD構造のトランジスタが形成されている。また、シリサイドカバー膜109は、例えばLP−CVD法により形成されたSiN系の膜である。ただし、SiO2膜でも、シリサイドカバー膜として用いることができるものもある。
そして、シリサイドカバー膜109の一部には、画素領域内のフォトダイオードの側部に配置されるウェルコンタクト領域に対応する開口部109Aが設けられ、この開口部109Aを通して露呈したシリコン基板101のP型ウェル領域102の上面にコバルトシリサイド膜111が形成されている。なお、シリサイドカバー膜109の開口部109Aは、フォトレジストパターニングとエッチング等によって形成されており、また、コバルトシリサイド膜111は、例えばスパッタリングによってコバルト膜を全面に成膜した後、熱処理によってP型ウェル領域とコバルト膜とを反応させ、コバルトシリサイド膜を形成後、コバルト膜をエッチングによって除去し、開口部内にコバルトシリサイド膜を残すようにして形成される。
また、層間絶縁膜110には、例えばタングステン等による複数のコンタクトプラグ112、113が設けられており、コンタクトプラグ112はMOSトランジスタ等の各種拡散層に接続され、コンタクトプラグ113はウェルコンタクト用のコバルトシリサイド膜111に接続され、Pウェルコンタクト部となっている。このPウェルコンタクト部により、画素領域内のP型ウェル領域102が電源配線に接続され、電位の安定化を図ることが可能となる。
また、図2に示すように、コンタクトプラグ113及びコバルトシリサイド膜111は、画素領域内において、方形状のフォトダイオードの受光部114の側部に配置されている。
また、層間絶縁膜110には、例えばタングステン等による複数のコンタクトプラグ112、113が設けられており、コンタクトプラグ112はMOSトランジスタ等の各種拡散層に接続され、コンタクトプラグ113はウェルコンタクト用のコバルトシリサイド膜111に接続され、Pウェルコンタクト部となっている。このPウェルコンタクト部により、画素領域内のP型ウェル領域102が電源配線に接続され、電位の安定化を図ることが可能となる。
また、図2に示すように、コンタクトプラグ113及びコバルトシリサイド膜111は、画素領域内において、方形状のフォトダイオードの受光部114の側部に配置されている。
図3〜図7は本実施例における固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。
まず、図3においては、N型シリコン基板101に形成したP型ウェル領域102に、順次イオン注入等の処理を行い、フォトダイオードのN型不純物領域103、P型不純物領域104、及び素子分離部105を形成する。そして、シリコン基板101上にゲート絶縁膜107を形成し、その上にゲート電極108を形成する。なお、この時点で、MOSトランジスタのゲート部の周囲には低濃度のイオン注入によるLDD拡散層が形成されている。
次に、図4では、シリコン基板101上にシリサイドカバー膜109を形成し、図5では、このシリサイドカバー膜109にフォトレジストパターニングとエッチングによってPウェルコンタクト領域に対応する開口部109Aを形成する。
この後、図6において、ゲート部のサイドウォール115Aを形成し、イオン注入を行うことにより、LDD拡散層の外側にMOSトランジスタのソースドレイン拡散層106を形成する。また、この段階で、シリサイドカバー膜109の開口部側にもサイドウォール115Bが形成される。
まず、図3においては、N型シリコン基板101に形成したP型ウェル領域102に、順次イオン注入等の処理を行い、フォトダイオードのN型不純物領域103、P型不純物領域104、及び素子分離部105を形成する。そして、シリコン基板101上にゲート絶縁膜107を形成し、その上にゲート電極108を形成する。なお、この時点で、MOSトランジスタのゲート部の周囲には低濃度のイオン注入によるLDD拡散層が形成されている。
次に、図4では、シリコン基板101上にシリサイドカバー膜109を形成し、図5では、このシリサイドカバー膜109にフォトレジストパターニングとエッチングによってPウェルコンタクト領域に対応する開口部109Aを形成する。
この後、図6において、ゲート部のサイドウォール115Aを形成し、イオン注入を行うことにより、LDD拡散層の外側にMOSトランジスタのソースドレイン拡散層106を形成する。また、この段階で、シリサイドカバー膜109の開口部側にもサイドウォール115Bが形成される。
次に、図7において、シリサイドカバー膜109の上にスパッタリングによってコバルト膜111Aを形成し、熱処理を行うことにより、シリコン基板101のP型ウェル領域102とコバルト膜111Aの界面を反応させて、コバルトシリサイド膜111を形成する。この後、コバルト膜111Aをエッチングによって除去し、開口部109A内にコバルトシリサイド膜111を残す。
この後、図1に示したように、上層の層間膜やコンタクトプラグを形成し、Pウェルコンタクト部を完成する。
なお、以上のような実施例において、画素領域内におけるPウェルコンタクト部の配置等は適宜に変形できるものである。また、シリサイド膜、シリサイドカバー膜等の材質については、適宜変更できるものである。
この後、図1に示したように、上層の層間膜やコンタクトプラグを形成し、Pウェルコンタクト部を完成する。
なお、以上のような実施例において、画素領域内におけるPウェルコンタクト部の配置等は適宜に変形できるものである。また、シリサイド膜、シリサイドカバー膜等の材質については、適宜変更できるものである。
101……シリコン基板、102……P型ウェル領域、103……N型不純物領域、104……P型不純物領域、105……素子分離部、106……ソースドレイン領域、107……ゲート絶縁膜、108……ゲート電極、109……シリサイドカバー膜、110……層間絶縁膜、111……コバルトシリサイド膜、112、113……コンタクトプラグ、114……受光部。
Claims (6)
- 半導体基板中に設けられる素子形成用のウェル領域と、
前記半導体基板上の素子分離領域によって区画された複数の画素領域に、それぞれ入射光に応じた信号電荷を生成する光電変換部及び前記光電変換部で生成した信号電荷を読み出すトランジスタ回路を設けて形成される複数の画素と、
前記半導体基板上に配置され、前記画素領域内の特定のウェルコンタクト領域に対応する開口部を設けたシリサイドカバー膜と、
前記シリサイドカバー膜の開口部を通して前記ウェルコンタクト領域上に形成されたシリサイド膜と、
前記シリサイドカバー膜上に導電膜と絶縁膜とを積層して形成される上層膜と、
前記上層膜に含まれる基準電圧供給用の配線と前記シリサイド膜とを接続するコンタクトプラグと、
を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記ウェルコンタクト領域を全ての画素に設けたことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記ウェルコンタクト領域を複数の画素毎に間欠的に設けたことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記ウェルコンタクト領域を1つの画素領域内に多くとも1箇所だけ設けることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記シリサイド膜を画素領域内のウェルコンタクト領域だけに設けることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記シリサイド膜はコバルトシリサイド膜であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073737A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Canon Inc | 固体撮像装置及びカメラ |
KR100776126B1 (ko) | 2006-12-22 | 2007-11-15 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US9331121B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photoelectric conversion apparatus including pixel well contact |
-
2004
- 2004-07-26 JP JP2004217029A patent/JP2006041080A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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