JP5292787B2 - 固体撮像装置及びカメラ - Google Patents
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Description
なお、図示しないが、選択トランジスタTr4を省略した3トランジスタとフォトダイオードPDで画素を構成することも可能である。
その他、第1実施形態の構成で説明したと同様の効果を奏する。
Claims (20)
- 光電変換素子と画素トランジスタからなる画素が複数配列され、
前記画素トランジスタのうちの転送トランジスタにおける転送ゲートのチャネル幅が、前記光電変換素子側よりフローティングディフージョン領域側で広く構成され、
前記転送ゲートが前記光電変換素子の角部に配置され、かつ前記フローティングディフージョン領域側で凸形状に形成され、
前記フローティングディフージョン領域は、前記フローティングディフージョン領域と前記転送ゲートとが接する位置の両端部間を結ぶ直線と平行な方向において、前記転送ゲートと接する位置以外の前記フローティングディフージョン領域の端部間の長さが、前記両端部間を結ぶ直線から前記フローティングディフージョン領域側に向けて広がる部分を有する
固体撮像装置。 - 前記フローティングディフージョン領域の一部に高濃度領域が形成されている請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記フローティングディフージョン領域の、前記高濃度領域を囲いかつ素子分離領域との間の他部が、前記高濃度領域の不純物濃度より低い低濃度領域で形成されている請求項2に記載の固体撮像装置。
- 前記フローティングディフージョン領域の前記高濃度領域がコンタクト部と共用されている請求項2又は3に記載の固体撮像装置。
- 前記高濃度領域は、前記転送ゲートの凸部の先端に隣接している請求項2乃至4に記載の固体撮像装置。
- 前記転送ゲートと接する位置以外の前記フローティングディフージョン領域の端部間の長さが、前記両端部間を結ぶ直線から前記フローティングディフージョン領域側に向けて漸次広がる部分を有する請求項1乃至5に記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換素子は複数存在し、前記複数の光電変換素子は前記フローティングディフージョン領域を共有している請求項1乃至6に記載の固体撮像装置。
- 前記フローティングディフージョン領域を共有している前記複数の光電変換素子は、前記フローティングディフージョン領域を囲う4個の光電変換素子である請求項7に記載の固体撮像装置。
- 複数の光電変換素子と該それぞれの光電変換素子の信号電荷を読み出す複数の転送トランジスタの組が、他の画素トランジスタを共有している請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記他の画素トランジスタは少なくともリセットトランジスタ、増幅トランジスタを含む請求項9記載の固体撮像装置。
- 前記他の画素トランジスタはリセットトランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタを含む請求項9記載の固体撮像装置。
- 複数の前記光電変換素子と該それぞれの光電変換素子の信号電荷を読み出す複数の前記転送トランジスタの組が、垂直及び水平方向の直交座標系に配列される請求項1に記載の固体撮像装置。
- 複数の前記光電変換素子と該それぞれの光電変換素子の信号電荷を読み出す複数の前記
転送トランジスタの組が、垂直及び水平方向から斜めに傾いた軸に直交する座標系に配列
されている請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記画素トランジスタからの画像信号が垂直信号線に読み出される請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記垂直信号線に接続された水平転送部を有し、前記画像信号が前記垂直信号線から前記水平転送部に読み出される請求項14に記載の固体撮像装置。
- 前記水平転送部は、増幅器、アナログ/デジタル変換器、列選択回路、及び水平転送線
から選ばれる少なくとも1つ以上を備える請求項15に記載の固体撮像装置。 - 前記転送ゲート下において、前記光電変換素子、前記フローティングディフージョン領域、及び、前記素子分離領域に囲まれた領域にチャネル部を有する請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記転送ゲート下において、前記光電変換素子と前記チャネル部とが接続する長さが前記光電変換素子側のチャネル幅であり、前記フローティングディフージョン領域と前記チャネル部とが接続する長さが前記フローティングディフージョン領域側のチャネル幅である請求項17に記載の固体撮像装置。
- 前記フローティングディフージョン領域、前記光電変換素子、及び、前記チャネル部を囲む前記素子分離領域が、前記フローティングディフージョン領域と逆導電型の半導体層から形成されている請求項18に記載の固体撮像装置。
- 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の光電変換素子に入射光を導く光学系と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備えたカメラであって、
前記固体撮像装置は、
光電変換素子と画素トランジスタからなる画素が複数配列され、
前記画素トランジスタのうちの転送トランジスタにおける転送ゲートのチャネル幅が、前記光電変換素子側よりフローティングディフージョン領域側で広く構成され、
前記転送ゲートが前記光電変換素子の角部に配置され、かつ前記フローティングディフージョン領域側で凸形状に形成され、
前記フローティングディフージョン領域は、前記フローティングディフージョン領域と前記転送ゲートとが接する位置の両端部間を結ぶ直線と平行な方向において、前記転送ゲートと接する位置以外の前記フローティングディフージョン領域の端部間の長さが、前記両端部間を結ぶ直線から前記フローティングディフージョン領域側に向けて広がる部分を有する
カメラ。
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US8653436B2 (en) * | 2009-01-09 | 2014-02-18 | Omnivision Technologies, Inc. | CMOS pixel including a transfer gate overlapping the photosensitive region |
JP5029624B2 (ja) * | 2009-01-15 | 2012-09-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2010199450A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置および電子機器 |
CN101931756B (zh) * | 2009-06-19 | 2012-03-21 | 比亚迪股份有限公司 | 一种提高cmos图像传感器动态范围的装置和方法 |
US8405751B2 (en) * | 2009-08-03 | 2013-03-26 | International Business Machines Corporation | Image sensor pixel structure employing a shared floating diffusion |
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KR101810254B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2017-12-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 동작 방법 |
JP2011114324A (ja) | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
KR101709941B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2017-02-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서, 이를 포함하는 이미지 처리 장치, 및 이미지 센서 제조 방법 |
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JP2012182377A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP5508356B2 (ja) * | 2011-07-26 | 2014-05-28 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法、固体撮像装置の製造方法、並びに電子情報機器 |
JP2013187360A (ja) | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
JP2014199898A (ja) * | 2013-03-11 | 2014-10-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに、電子機器 |
JP2014187270A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2015029013A (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | 撮像素子、電子機器、および撮像素子の製造方法 |
JP5842903B2 (ja) * | 2013-12-18 | 2016-01-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
KR102170627B1 (ko) | 2014-01-08 | 2020-10-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
JP6334203B2 (ja) | 2014-02-28 | 2018-05-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
JP6650668B2 (ja) * | 2014-12-16 | 2020-02-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
FR3030884B1 (fr) * | 2014-12-19 | 2016-12-30 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Structure de pixel a multiples photosites |
US9595555B2 (en) * | 2015-05-04 | 2017-03-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Pixel isolation regions formed with conductive layers |
US9683890B2 (en) | 2015-06-30 | 2017-06-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor pixels with conductive bias grids |
US10453880B2 (en) | 2015-09-18 | 2019-10-22 | National University Corporation Shizuoka University | Semiconductor element and solid-state imaging device |
US20180306821A1 (en) | 2015-10-20 | 2018-10-25 | Medimmune, Llc | Diagnostic marker for coronary artery disease |
JP6123866B2 (ja) * | 2015-10-26 | 2017-05-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
KR20170056909A (ko) * | 2015-11-16 | 2017-05-24 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치 |
KR102414030B1 (ko) | 2015-11-18 | 2022-06-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 |
US9761624B2 (en) | 2016-02-09 | 2017-09-12 | Semiconductor Components Industries, Llc | Pixels for high performance image sensor |
JP6711005B2 (ja) * | 2016-02-23 | 2020-06-17 | 株式会社リコー | 画素ユニット、及び撮像素子 |
JP6842240B2 (ja) * | 2016-03-07 | 2021-03-17 | 株式会社リコー | 画素ユニット、及び撮像素子 |
JP6897740B2 (ja) * | 2016-03-07 | 2021-07-07 | 株式会社リコー | 画素ユニット、及び撮像素子 |
US10103190B2 (en) * | 2016-05-13 | 2018-10-16 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging sensor having floating region of imaging device on one substrate electrically coupled to another floating region formed on a second substrate |
US10910429B2 (en) | 2016-10-14 | 2021-02-02 | Huawei Technologies Co., Ltd. | CMOS image sensor |
KR102610588B1 (ko) * | 2016-11-08 | 2023-12-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 이미지 센서 형성 방법 |
KR102610609B1 (ko) * | 2016-11-14 | 2023-12-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 |
WO2018096546A1 (en) * | 2016-11-28 | 2018-05-31 | Newsight Imaging | Active-pixel sensor array |
JP2018160558A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および電子機器 |
WO2018190166A1 (en) * | 2017-04-11 | 2018-10-18 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
JP2018207291A (ja) | 2017-06-05 | 2018-12-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
KR102358317B1 (ko) * | 2017-07-20 | 2022-02-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 |
US10790321B2 (en) * | 2017-09-29 | 2020-09-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMOS image sensor having indented photodiode structure |
DE102018122628B4 (de) * | 2017-09-29 | 2023-08-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMOS Bildsensor mit gezackter Fotodiodenstruktur |
KR102513483B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2023-03-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
KR102472591B1 (ko) | 2018-01-29 | 2022-12-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 |
JP6601520B2 (ja) * | 2018-03-12 | 2019-11-06 | 株式会社ニコン | 撮像素子、撮像素子の製造方法、及び電子機器 |
WO2019180863A1 (ja) * | 2018-03-22 | 2019-09-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
EP3796387A4 (en) | 2018-05-16 | 2021-05-19 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | SEMICONDUCTOR IMAGING ELEMENT AND SEMICONDUCTOR IMAGING DEVICE |
TWI834644B (zh) * | 2018-05-18 | 2024-03-11 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像元件及電子機器 |
KR102591525B1 (ko) * | 2018-05-28 | 2023-10-23 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 공통 선택 트랜지스터를 가진 유닛 픽셀 블록을 포함하는 이미지 센서 |
DE102018122798B4 (de) * | 2018-05-31 | 2021-02-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Halbleiter-Bildgebungsvorrichtung mit verbesserter Dunkelstromleistungsfähigkeit |
US10741592B2 (en) * | 2018-06-07 | 2020-08-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with multi-photodiode image pixels and vertical transfer gates |
WO2020022098A1 (ja) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
KR102697624B1 (ko) | 2019-03-06 | 2024-08-26 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
DE112020002523T5 (de) | 2019-05-24 | 2022-03-24 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Festkörper-bildgebungsvorrichtung und abstandsmessvorrichtung |
KR20210010018A (ko) * | 2019-07-19 | 2021-01-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
JP2020074445A (ja) * | 2020-01-22 | 2020-05-14 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
KR20210120536A (ko) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
CN111669521B (zh) * | 2020-06-23 | 2023-02-07 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 水平区转移栅倾斜设置的ccd结构 |
US11417701B2 (en) * | 2020-08-17 | 2022-08-16 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with vertical transfer gate and square reset and source follower layout |
US11658198B2 (en) * | 2020-08-20 | 2023-05-23 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with through silicon fin transfer gate |
KR20220043943A (ko) | 2020-09-28 | 2022-04-06 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
CN112614862B (zh) * | 2020-12-29 | 2023-05-12 | 长春长光辰芯微电子股份有限公司 | 新型cmos图像传感器像素结构 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3854720B2 (ja) | 1998-05-20 | 2006-12-06 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
JP4721380B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2011-07-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
KR100867089B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2008-11-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 암전류 특성을 향상시킨 시모스 이미지센서 |
JP2004241498A (ja) | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子とその動作方法 |
JP4578792B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-11-10 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4230406B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2009-02-25 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4419675B2 (ja) | 2004-05-14 | 2010-02-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 |
KR101116766B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2012-02-22 | 엘지전자 주식회사 | 제너 다이오드의 제작방법 |
US7145122B2 (en) * | 2004-06-14 | 2006-12-05 | Omnivision Technologies, Inc. | Imaging sensor using asymmetric transfer transistor |
JP4492250B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2010-06-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
JP4604621B2 (ja) * | 2004-09-15 | 2011-01-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2005129965A (ja) | 2004-11-29 | 2005-05-19 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
KR100678466B1 (ko) * | 2005-01-06 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 3d 전송트랜지스터를 구비하는 이미지 센서 및 그 제조방법 |
KR100598015B1 (ko) * | 2005-02-07 | 2006-07-06 | 삼성전자주식회사 | 공유 구조 상보성 금속 산화막 반도체 액티브 픽셀 센서어레이의 레이 아웃 |
JP2006237361A (ja) | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | Cmosイメージセンサ |
JP4340248B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2009-10-07 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体撮像装置を製造する方法 |
JP4518996B2 (ja) | 2005-04-22 | 2010-08-04 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置の製造方法および電子情報装置 |
JP4826127B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2011-11-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US7446357B2 (en) | 2005-05-11 | 2008-11-04 | Micron Technology, Inc. | Split trunk pixel layout |
TWI310987B (en) | 2005-07-09 | 2009-06-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Image sensors including active pixel sensor arrays |
US7449736B2 (en) | 2005-07-12 | 2008-11-11 | Micron Technology, Inc. | Pixel with transfer gate with no isolation edge |
JP2007067379A (ja) | 2005-08-03 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
US7511323B2 (en) | 2005-08-11 | 2009-03-31 | Aptina Imaging Corporation | Pixel cells in a honeycomb arrangement |
KR100690912B1 (ko) * | 2005-08-12 | 2007-03-09 | 삼성전자주식회사 | 전하 전송 특성이 향상된 4 공유 픽셀형 이미지 센서 |
US7804117B2 (en) * | 2005-08-24 | 2010-09-28 | Aptina Imaging Corporation | Capacitor over red pixel |
US7800146B2 (en) * | 2005-08-26 | 2010-09-21 | Aptina Imaging Corporation | Implanted isolation region for imager pixels |
US7244918B2 (en) * | 2005-08-30 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing a two-way shared storage gate on a four-way shared pixel |
JP4797558B2 (ja) | 2005-10-17 | 2011-10-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子とその駆動方法、及びカメラモジュール |
JP4752447B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP5320659B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2013-10-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4777772B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-09-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体撮像装置 |
KR100760913B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-09-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
KR100772892B1 (ko) | 2006-01-13 | 2007-11-05 | 삼성전자주식회사 | 플로팅 확산 영역의 커패시턴스를 제어할 수 있는 공유픽셀형 이미지 센서 |
JP4631723B2 (ja) * | 2006-01-27 | 2011-02-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4646036B2 (ja) | 2006-05-18 | 2011-03-09 | 三菱電機株式会社 | 回路遮断器 |
US20080210986A1 (en) * | 2007-03-02 | 2008-09-04 | Micron Technology, Inc | Global shutter pixel with charge storage region |
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