JP4518996B2 - 固体撮像装置の製造方法および電子情報装置 - Google Patents
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Description
(実施形態1)
図1は、本発明のCMOS型固体撮像装置の実施形態1における2画素単位の要部平面図、図2(a)は、図1の2画素部の各断面位置を示す平面図、図2(b)は図2(a)のA−A‘線断面図、図2(c)は図2(a)のB−B‘線断面図、図3は、図1のCMOS型固体撮像装置の製造方法を説明するための各工程における要部平面図である。
ある。
(実施形態2)
図5は、本発明のCMOS型固体撮像装置の実施形態2における2画素単位の要部平面図、図6(a)は、図5の2画素部の各断面位置を示す平面図、図6(b)は図6(a)のA−A‘線断面図、図6(c)は図6(a)のB−B‘線断面図である。
(比較例1)
本比較例1では、3画素部(フォトダイオード層)以上で一つの電荷検出部を共有する場合について説明する。
しかしながら、電荷検出部パターンを共有する全ての画素部分の距離だけ電荷検出部209aに接続されるメタル配線パターンなどを引き伸ばす必要があるため、メタル配線パターンなどにより接続するレイアウト上の余裕がない限りは、フォトダイオード面積増大に対する効果が認められず、共有する画素部数が増えるほど、それぞれの画素部の駆動が高速で複雑になるため、上記実施形態1,2では共有する画素部数を「2」としている。
(比較例2)
本比較例2では、縦横4画素部(フォトダイオード層)で一つの電荷検出部を共有する場合について説明する。
このように、一つの電荷検出部9aで4画素部を共有するというレイアウトもあるが、この場合に、縦に配列された右側の2画素部について、各読み出しゲート電極5bの電極エッジ下に対してフォトダイオード表面P+層13bの先端エッジ部が潜り込むイオンビーム方向(上記実施形態1の真左からの方向)でイオン注入すると、縦に配列された左側の2画素部については、各読み出しゲート電極5cの電極エッジ下に対してフォトダイオード表面P+層13cの先端エッジ部が一致するようになる(上記実施形態2の真右からの方向)ため、縦に配列された左側の2画素部と、縦に配列された右側の2画素部との特性を揃えることができず、表示画面上で横筋はなくなるものの、ざらつきが生じて、このままでは使用することはできない。これを解決した事例を実施形態3に示している。
(実施形態3)
本実施形態3では、縦横4画素部の場合に、イオンビームの注入方向を、所定の傾斜の付いたイオン注入方向14(実施形態1)、15(実施形態2)の各方向毎に2回に分けてイオン注入処理を行う場合について説明する。
(実施形態4)
本実施形態4では、縦横4画素部の場合に、各イオンビームの注入方向毎に4回に分けてイオン注入処理を順次行う場合について説明する。
シリコンウエハのオリエンテーションフラットを下側(手前側)にした状態で、図12に示すように、まず、イオンビームのイオン注入方向18として、紙面に垂直な上方から下方でかつ、平面視で真左と真上との間側から真右と真下との間側の45度斜め方向(読み出しゲート電極51の長手方向に対して直交する方向)で、上記垂線C1から所定角度傾いた注入方向にボロンなどのイオンが進入するように設定し、左側上のフォトダイオード表面P+層131bが、これに隣接する読み出しゲート電極51下に潜り込むようにイオン注入処理を行い、次に、イオンビームのイオン注入方向19として、紙面に垂直な上方から下方でかつ、平面視で真左と真下との間側から真右と真上との間側の45度斜め方向(読み出しゲート電極51の長手方向に対して直交する方向)で、上記垂線C1から所定角度傾いた方向にボロンなどのイオンが進入するように設定して、左側下のフォトダイオード表面P+層131bが、これに隣接する読み出しゲート電極51下に潜り込むようにイオン注入処理を行い、さらに、イオンビームのイオン注入方向20として、紙面に垂直な上方から下方でかつ、平面視で真右と真下との間側から真左と真上との間側の45度斜め方向(読み出しゲート電極52の長手方向に対して直交する方向)で、上記垂線C1から所定角度傾いた方向にボロンなどのイオンが進入するように設定して、右側下のフォトダイオード表面P+層132bが、これに隣接する読み出しゲート電極52下に潜り込むようにイオン注入処理を行い、さらには、イオンビームのイオン注入方向21として、紙面に垂直な上方から下方でかつ、平面視で真右と真上との間側から真左と真下との間側に45度斜め方向(読み出しゲート電極52の長手方向に対して直交する方向)に上記垂線C1から所定角度傾いた方向にボロンなどのイオンが進入するように設定して、右側上のフォトダイオード表面P+層131bが、これに隣接する読み出しゲート電極52下に潜り込むようにイオン注入処理を行って、注入時間を4段階に分けてイオン注入処理を4回行う。これによって、縦横4画素部の場合であっても、縦横4画素部で読み出し特性を均一化することができる。
なお、上記実施形態1〜4では、フォトダイオード表面P+層へのイオン注入時の、ウェハ平面の垂線C1に対するビーム傾斜角度を約7°(角度7度±0.5度)としてイオン注入を行っている。イオンビーム傾斜角度を約7°に設定した理由は、ウェハ面でのシリコン結晶格子に対してチャネリングが発生しない角度とするためである。ここでは、従来から通常のイオン注入処理においても約7°のビーム進入角度にて処理を行っているものを、そのまま適用したものである。シリコン格子の状態によってイオン注入のプロファイルを微調整したい場合などにおいては、7°以外のビーム傾斜角度を使用しても問題はない。
1 N型半導体(シリコン)基板
2 P型拡散層(Pウェル)
5,51,52 読み出しゲート電極
6 リセットゲート電極
7,71,72 N型不純物拡散層(光電変換部;電荷蓄積領域)
8,81 表面P+層形成用レジストパターン
9,91 電荷検出部
10 リセットドレイン部
13,13a,13b,13c,131,132,131a,132a,131b,132b フォトダイオード表面P+層
14〜21 イオン注入方向
C1 垂線
Claims (21)
- 半導体基板上に設けた複数の光電変換部でそれぞれ光電変換され蓄積された各電荷をそれぞれ検出する電荷検出部が該複数の光電変換部毎に共有化され、該電荷検出部が共有化されている複数の光電変換部は、平面視で上下または左右の2画素部を有し、該2画素部の並び方向に直交する仮想2等分線に対して線対称になるように、該2画素部から各読み出しゲート電極を介して、該2画素部の隣接する2つの角部側に該電荷検出部が共通に設けられている固体撮像装置の製造方法において、
該複数の光電変換部の各表面部にそれぞれ、該表面部に対する垂線から所定の傾斜角度を持ちかつ、該複数の光電変換部の平面視で上下または左右の配列方向に対して直角方向からのイオン注入により不純物領域を形成する不純物領域形成工程を有する固体撮像装置の製造方法。 - 半導体基板上に設けた複数の光電変換部でそれぞれ光電変換され蓄積された各電荷をそれぞれ検出する電荷検出部が該複数の光電変換部毎に共有化され、該電荷検出部が共有化されている複数の光電変換部は、平面視で上下または左右の2画素部を有し、該2画素部の並び方向に直交する仮想2等分線に対して線対称になるように、該2画素部から各読み出しゲート電極を介して、該2画素部の隣接する2つの角部側に該電荷検出部が共通に設けられている固体撮像装置の製造方法において、
該複数の光電変換部の各表面部にそれぞれ、該表面部に対する垂線から所定の傾斜角度を持ちかつ、該複数の光電変換部の平面視で上下または左右の配列方向に対して直角方向とのなす角度が±45度の2方向からのイオン注入により不純物領域を形成する不純物領域形成工程を有する固体撮像装置の製造方法。 - 前記配列方向に対して交差する方向からのイオン注入の方向は、一または複数の方向である請求項1または2に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 一導電型の半導体基板上に、前記光電変換部から前記電荷検出部に電荷を読み出すためのゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、
前記光電変換部として第1導電型の電荷蓄積領域を形成する光電変換部形成工程と、
該光電変換部と該ゲート電極を介して隣接した該電荷検出部を第1導電型で形成する電荷検出部形成工程とを有し、
前記不純物領域形成工程は、該光電変換部の表面部に前記不純物領域を第2導電型で形成する請求項1または2に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記イオン注入の方向は、前記光電変換部側の前記ゲート電極端部の下部に前記不純物領域の先端エッジ部が潜り込んで形成される方向である請求項4に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記イオン注入の方向は、前記光電変換部側の前記ゲート電極端部から前記所定の傾斜角度分だけ離れて前記不純物領域が形成される方向である請求項4に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記光電変換部側の前記ゲート電極端部から前記所定の傾斜角度分だけ離れて前記表面部の不純物領域が形成されないように、少なくとも前記所定の傾斜角度分だけ前記光電変換部側の前記ゲート電極端面が断面裾広がりのテーパ形状となっている請求項4に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記イオン注入の方向は、前記光電変換部側から前記ゲート電極の長手方向に角度αで交差する方向である請求項3〜6のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記角度αは直角である請求項8に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記電荷検出部が共有化されている複数の光電変換部は4画素部である請求項1または4に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記4画素部は、平面視で上下または左右の2組の各2画素部を有し、各画素部と各読み出しゲート電極をそれぞれ介して、該4画素部の中央位置に前記電荷検出部が共通に設けられている請求項10に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記所定の傾斜角度は、前記半導体基板上の結晶格子に対してチャネリングが発生しない角度とする請求項1または6に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記半導体基板はシリコン半導体基板であり、前記結晶格子はシリコン結晶格子である請求項12に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記所定の傾斜角度は、7度±0.5度である請求項12または13に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記イオン注入の方向が複数の異なる方向である場合に、該複数の異なる方向の各方向毎にイオン注入処理を行う請求項1または3に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記イオン注入の方向が、前記光電変換部側の前記ゲート電極端部の下部に該光電変換部表面の不純物領域の先端エッジ部が潜り込んで形成される複数の異なる方向であり、該複数の異なる方向の各方向毎にイオン注入処理を行う請求項4に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 半導体基板上に設けた2画素部単位で二次元状に複数配列され、該2画素部を構成する各光電変換部でそれぞれ光電変換され蓄積された各電荷をそれぞれ検出する電荷検出部が該2画素部毎に共有化され、該電荷検出部が共有化されている二つの光電変換部は、平面視で上下または左右の2画素部を有し、該2画素部の並び方向に直交する仮想2等分線に対して線対称になるように、該2画素部から読み出しゲート電極を介して、該2画素部の隣接する2角部側に該電荷検出部が共通に設けられている固体撮像装置の製造方法において、
該各光電変換部の各表面部にそれぞれ、該表面部に対する垂線から所定の傾斜角度を持ちかつ、該2画素部の平面視で上下または左右の配列方向のイオン注入により不純物領域を形成する不純物領域形成工程を有し、
該イオン注入の方向は、該平面視で上下または左右の配列方向であって、互いに180度逆方向の2方向であり、該不純物領域形成工程は、該イオン注入の方向毎にイオン注入処理を行う固体撮像装置の製造方法。 - 半導体基板上に設けた4画素部単位で二次元状に複数配列され、該4画素部を構成する各光電変換部でそれぞれ光電変換され蓄積された各電荷をそれぞれ検出する電荷検出部が該4画素部毎に共有化され、該電荷検出部が共有化されている4つの光電変換部は、平面視で上下または左右の2画素部を2組有し、該2組の2画素部の各並び方向に直交する仮想2等分線に対して線対称になるように、該4画素部と各読み出しゲート電極をそれぞれ介して、縦横4画素部の隣接する4角部側に該電荷検出部が共通に設けられている固体撮像装置の製造方法において、
該各光電変換部の各表面部にそれぞれ、該表面部に対する垂線から所定の傾斜角度を持ちかつ、該4画素部の平面視で上下または/および左右の配列方向のイオン注入により不純物領域を形成する不純物領域形成工程を有し、
該4画素部は、平面視で上下または左右の2組の各2画素部で構成され、該4画素部の配列方向は該上下および該左右の各方向であり、該イオン注入の方向は、該平面視で上下または左右の配列方向であって、互いに180度逆方向の2方向と、該2方向に直交する互いに180度逆方向の2方向とのうち、少なくとも該互いに180度逆方向の2方向であり、該不純物領域形成工程は、該イオン注入の方向毎にイオン注入処理を行う固体撮像装置の製造方法。 - 請求項1〜18のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法により製造された固体撮像装置が撮像部に用いられており、該撮像部で撮像した撮像画像を表示画面上に表示可能とする電子情報装置。
- 請求項1〜18のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法により製造された固体撮像装置が撮像部に用いられており、該撮像部で撮像した撮像画像を画像記憶部に記憶可能とする電子情報装置。
- 請求項1〜18のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法により製造された固体撮像装置が撮像部に用いられており、該撮像部で撮像した撮像画像を通信部から通信可能とする電子情報装置。
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US9059799B2 (en) | 2011-04-21 | 2015-06-16 | Futurewei Technologies, Inc. | Apparatus and method to calculate a noise figure of an optical amplifier for wavelength channels in a partial-fill scenario to account for channel loading |
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JP2015130533A (ja) * | 2015-03-31 | 2015-07-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
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US11784206B2 (en) * | 2020-10-26 | 2023-10-10 | Omnivision Technologies, Inc. | Pixel-array substrate and associated method |
WO2024075526A1 (ja) * | 2022-10-06 | 2024-04-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07240388A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Nec Corp | 半導体装置のイオン注入方法 |
JPH0946596A (ja) * | 1995-08-02 | 1997-02-14 | Canon Inc | 固体撮像装置と画像撮像装置 |
JPH09289309A (ja) * | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Nec Corp | 電荷結合素子およびその製造方法 |
JPH11126893A (ja) * | 1997-10-23 | 1999-05-11 | Nikon Corp | 固体撮像素子とその製造方法 |
JPH11274454A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその形成方法 |
JP2000078475A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Canon Inc | 撮像装置およびそれを用いた撮像システム |
JP2000228515A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-08-15 | Sony Corp | 電荷転送素子の製造方法 |
JP2001298177A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Canon Inc | 固体撮像装置および撮像システム |
JP2004349430A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Sharp Corp | 固体撮像素子とその駆動方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5061975A (en) * | 1988-02-19 | 1991-10-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | MOS type field effect transistor having LDD structure |
US6107655A (en) * | 1997-08-15 | 2000-08-22 | Eastman Kodak Company | Active pixel image sensor with shared amplifier read-out |
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US7087883B2 (en) * | 2004-02-04 | 2006-08-08 | Omnivision Technologies, Inc. | CMOS image sensor using shared transistors between pixels with dual pinned photodiode |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07240388A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Nec Corp | 半導体装置のイオン注入方法 |
JPH0946596A (ja) * | 1995-08-02 | 1997-02-14 | Canon Inc | 固体撮像装置と画像撮像装置 |
JPH09289309A (ja) * | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Nec Corp | 電荷結合素子およびその製造方法 |
JPH11126893A (ja) * | 1997-10-23 | 1999-05-11 | Nikon Corp | 固体撮像素子とその製造方法 |
JPH11274454A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその形成方法 |
JP2000078475A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Canon Inc | 撮像装置およびそれを用いた撮像システム |
JP2000228515A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-08-15 | Sony Corp | 電荷転送素子の製造方法 |
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