CN102201423A - 固态成像装置和相机 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种固态成像装置和相机，该固态成像装置包括排列的多个像素，每个像素均包括光电转换元件、包括转移晶体管的像素晶体管和浮动扩散区，其中，转移晶体管的转移栅极被形成为在浮动扩散区侧的沟道宽度大于在光电转换元件侧的沟道宽度。其中，在所述浮动扩散区中的所述高杂质浓度区用作接触区。

Description

固态成像装置和相机
本申请是申请日为2008年11月28日、申请号为200810180249.X、发明名称为“固态成像装置和相机”的专利申请的分案申请，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明大体上涉及固态成像装置和相机。更具体地，本发明涉及一种固态成像装置和设置有该固态成像装置的相机。
背景技术
固态成像装置大致分为放大型固态成像装置(通常以CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器为例)和电荷转移型成像装置(通常以CCD(电荷耦合器件)图像传感器为代表)。
CMOS图像传感器由于高性能和低功耗的特性而特别在面向便携式装置的图像传感器领域中快速取代了CCD传感器。这种CMOS图像传感器包括：成像部，具有以二维阵列形式排列的多个像素，每个像素均包括用作光电转换元件的光电二极管(PD)和多个像素晶体管；以及外围电路，排列在成像部周围。
外围电路至少包括：列电路或垂直驱动电路，用于沿列方向传输信号；以及水平电路或水平驱动电路，用于将由列电路沿列方向传输的信号依次传送至输出电路。所提供的像素晶体管具有已知配置，诸如，例如，包括转移、复位、放大和选择晶体管的四晶体管电路配置；以及包括除选择晶体管外的转移、复位和放大的三晶体管电路配置。
通常，通过将多个单位像素作为一组排列来提供CMOS图像传感器，其中，每个单位像素包括一个光电二极管和多个像素晶体管。然而，像素尺寸的小型化近年来已变得更重要。对于包括大量像素的CMOS图像传感器，已对与多个像素共有像素晶体管以减少像素晶体管数类型的CMOS图像传感器进行了许多尝试。
例如，在之后将给出的日本未审查专利申请公开第Heisei 11(1999)-331713号中公开了一种共有像素晶体管的CMOS图像传感器。
另一方面，也披露了可以通过在像素的小型化设计中适当设计转移栅极的结构来提高电荷的转移效率。例如，在日本未审查专利申请公开第2005-129965号中所披露的(其中的0039段和图3)，光电二极管PD、浮动扩散(FD)区101和作为像素晶体管之一的转移晶体管Tr1被形成为像素的一部分，如图1所示。转移晶体管Tr1包括转移栅电极102和在其正下方形成的沟道区103。此外，在转移晶体管Tr1中，转移栅极104或转移栅电极102朝向光电二极管PD的边缘以凸起的形状形成，从而在光电二极管PD中朝向转移栅极104更容易产生电场。可以注意到，在图1的结构中，转移栅极104在光电二极管PD侧的沟道宽度“a”(即，与光电二极管PD接触的沟道宽度)大于在浮动扩散(FD)区101侧的沟道宽度“b”(即，与浮动扩散(FD)区101)接触的沟道宽度)。
发明内容
对于CMOS图像传感器，包括在像素中的像素晶体管的栅极尺寸随着像素尺寸的减小而减小，并且维持像素晶体管的特性已变得更难。作为实例，用于从光电二极管PD将信号电荷读出至浮动扩散(FD)区的转移晶体管的栅极(下文中称为转移栅极)很难同时满足转移晶体管的截止特性和电荷转移特性。即，当转移栅极截止时，从光电二极管(PD)到浮动扩散(FD)区更容易产生漏电流，同时当转移栅极由于弱沟道调制而在转移栅极的读出周期内导通时，很难充分降低势垒。
然而，在转移栅极的尺寸和光电转换效率之间存在折衷，其中，在给定的像素面积内转移栅极的尺寸的进一步增大可能增加风险，例如，减小用于光电转换的光电二极管PD的面积以及在聚光时通过转移栅极截取了一些入射光。
于是，对于图1所示的转移栅极的结构，可能存在由于转移栅极被形成为向光电二极管PD突出而使光电二极管PD的面积减小的风险。因此，转移栅极的这种结构可能减少饱和电荷量并引起入射光的截取。
考虑到上述各点，期望提供一种固态成像装置以及设置有该固态成像装置的相机，该固态成像装置能够维持包括在该装置中的转移晶体管的晶体管特性，即使在像素尺寸被小型化时也能够确保光电转换元件的光接收表面具有足够的面积。
根据本发明实施例的固态成像装置包括排列的多个像素，每个像素均包括光电转换元件、包括转移晶体管的像素晶体管和浮动扩散区。转移晶体管的转移栅极被形成为在浮动扩散区侧的沟道宽度大于在光电转换元件侧的沟道宽度。
根据本发明实施例的相机包括：固态成像装置；光学系统，被配置为将入射光导向包括在固态成像装置中的光电转换元件；以及信号处理电路，被配置为对从固态成像装置输出的信号进行处理。固态成像装置包括排列的多个像素，每个像素均包括光电转换元件、包括转移晶体管的像素晶体管和浮动扩散区。转移晶体管的转移栅极被形成为在浮动扩散区侧的沟道宽度大于在光电转换元件侧的沟道宽度。
在包括在根据本发明实施例的固态成像装置中的像素中，转移晶体管的转移栅极被形成为在浮动扩散区侧的沟道宽度大于在光电转换元件侧的沟道宽度。结果，即使像素尺寸被小型化，当转移栅极在读出周期期间导通时，沟道区在浮动扩散区侧的电势也比在光电转换元件侧深，并且沿电荷转移的方向更容易产生电场。另外，当转移晶体管截止时，抑制了从光电转换元件到浮动扩散区的漏电流。另外，由于形成了浮动扩散区而没有使其向光电转换元件部分突出，所以能够确保光电转换元件的光接收表面的面积。
根据本发明的实施例，可以维持转移晶体管的晶体管特性。因此，即使像素尺寸被小型化，仍能够提高将信号电荷从光电转换元件转移至浮动扩散区的能力。另外，还能够完全确保光电转换元件的光接收表面的面积。
附图说明
参考以下附图，将更详细地描述本发明的优选实施例，其中：
图1是示出了现有技术的像素的主要部分的示图；
图2是示出了根据本发明实施例的固态成像装置的配置的示意图；
图3是示出了根据本发明实施例的像素的第一实例的主要部分的示图；
图4是示出了根据本发明实施例的像素的第二实例的主要部分的示图；
图5是示出了根据本发明的另一个实施例的固态成像装置的配置的示意图；
图6是示出了根据本发明实施例的像素的第三实例的主要部分的示图；
图7是示出了使用图6所示的共有像素的成像部的布局实例的平面图；
图8是示出了使用图6所示的共有像素的成像部的布局实例的平面图；以及
图9是示出了根据本发明实施例的相机配置的示图。
具体实施方式
以下，通过参考附图来针对各个实施例描述本发明。这并不意味着将本发明穷尽或限制于这些实施例中的披露和附图中的展示。
图2是示出了根据本发明实施例的固态成像装置或CMOS图像传感器的配置的示意图。参考图2，根据本实施例的固态成像装置1包括具有以二维阵列排列的多个像素2的成像部3(即，像素部)和排列在成像部3周围的外围电路，该外围电路具有垂直驱动单元4、水平转移单元5和输出单元6。像素2中的每个均包括作为光电转换元件的光电二极管PD和多个像素晶体管(MOS晶体管)Tr。
光电二极管PD包括被配置为积聚通过入射光的光电转换而生成的信号电荷的区域。多个像素晶体管Tr包括四个MOS晶体管，在该实例中，为转移晶体管Tr1、复位晶体管Tr2、放大晶体管Tr3和选择晶体管Tr4。
转移晶体管Tr1用作用于将在光电二极管PD中积聚的电荷读出至将在之后描述的浮动扩散(FD)区的晶体管。复位晶体管Tr2是用于将浮动扩散(FD)区的电势设定为预定值的晶体管。放大晶体管是用于对读出至浮动扩散(FD)区的信号电荷进行电放大的晶体管。选择晶体管Tr4是用于选择一行像素并将其中的像素信号读出至垂直信号线8的晶体管。另外，尽管本文中未提供附图，但是可选地，可以用光电二极管PD和包括除了选择晶体管Tr4外的转移晶体管、复位晶体管和放大晶体管的三个晶体管来形成该像素。
在像素2的电路配置中，转移晶体管Tr1的源极连接至光电二极管PD，并且Tr1的漏极连接至复位晶体管Tr2的源极。用作电荷-电压转换单元的浮动扩散(FD)区连接至放大晶体管Tr3的栅极，浮动扩散(FD)区被排列在转移晶体管Tr1和复位晶体管Tr2之间(相当于在转移晶体管Tr1的漏区和复位晶体管Tr2的源区之间)。放大晶体管Tr3的源极连接至选择晶体管Tr4的漏极。复位晶体管Tr2和放大晶体管Tr3的漏极都连接至电源电压提供单元。另外，选择晶体管Tr4的源极连接至垂直信号线8。
垂直驱动单元4被配置为分别提供将要共同施加至排列在一行上的像素的复位晶体管Tr2的栅极的行复位信号φRST、将要共同施加至排列在一行上的像素的转移晶体管Tr1的栅极的行转移信号φTRG、以及将要共同施加至排列在一行上的像素的选择晶体管Tr4的栅极的行选择信号φSEL。
水平驱动单元5包括：连接至每列的垂直信号线8的放大器或模数转换器(ADC)，例如，本实例中的模数转换器9；列选择电路(开关单元)SW；以及水平传送线10(例如，包括线数与数据位线相同的总线)。
输出单元6包括另一个放大器或者模数转换器和/或信号处理电路，例如，本实例中的用于对来自水平传送线10的输出进行处理的信号处理电路11以及输出缓冲器12。
固态成像装置1被配置为通过每个模数转换器9对来自每行上的像素2的信号进行模数转换，将其通过顺序选择的列选择电路SW读出至水平传送线10，并沿水平方向顺序传送。随后，读出至水平传送线10的图像数据通过信号处理电路11从输出缓冲器12输出。
通常对像素2执行如下操作。首先，通过使转移晶体管Tr1和复位晶体管Tr2的栅极导通，从而完全清除了光电二极管PD中的电荷。此后，转移晶体管Tr1和复位晶体管Tr2的栅极都截止，并且执行光电电荷积聚。接下来，紧接在读出积聚在光电二极管PD中的光电电荷之前，复位晶体管Tr2的栅极导通并且使浮动扩散(FD)区的电势复位。随后，通过分别使复位晶体管Tr2的栅极截止并使转移晶体管Tr1的栅极导通，来自光电二极管PD的光电电荷被传送至浮动扩散(FD)区。当放大晶体管Tr3的栅极接收到电荷，就对信号电荷进行电放大。另一方面，从紧接在电荷读取之前对浮动扩散(FD)区的电势进行上述复位的时刻开始，选择晶体管Tr4仅使目前将读出的像素2导通。随后，经过电荷-电压转换并从包括在目前寻址的像素2中的放大晶体管Tr3提供的图像信号被读出至垂直信号线8。
根据本实施例，固态成像装置1包括转移晶体管Tr1的转移栅极，被配置为在充分确保光电二极管PD的面积的同时，即使在像素尺寸小型化的情况下，仍能够使信号电荷充分转移至浮动扩散(FD)区。即，在本实施例中，转移晶体管Tr1的转移栅极被形成为在浮动扩散(FD)区侧的沟道宽度大于在光电二极管PD侧的沟道宽度。此外，还可以通过该配置来提高转换效率。
图3是示出了根据本发明实施例的像素的第一实例的示图，其包括光电二极管PD、浮动扩散(FD)区20和转移晶体管Tr1，特别示出了转移栅极21。在图3所示的第一实例中，构成转移晶体管Tr1的转移栅极21的转移栅电极22排列在正方形的平面型光电二极管PD的角部，从而具有其顶部面向浮动扩散(FD)区20的侧的凸起形状。
即，转移栅电极22以类梯形或其顶部被去除的三角形的形状形成，使得其侧面之一(基部(base))邻近于被梯形截取斜面的正方形的光电二极管PD侧，并且其近似L形的两侧邻近于浮动扩散(FD)区20。结果，图中所示的单位像素的光电二极管PD以五边形的形状形成，该五边形是通过轻微且线性地去掉角部之一而从光电二极管PD的正方形或矩形的平面形状中得到的。另外，浮动扩散(FD)区20也几乎以符号“L”的平面形状形成。
器件隔离区24被形成为围绕光电二极管PD、浮动扩散(FD)区20和转移晶体管Tr1，并在转移栅电极22下方部分延伸。即，器件隔离区24的一部分被形成为在转移栅电极22下方延伸，使得转移栅极21的沟道区23的大部分延伸至光电二极管PD侧，从而具有足以覆盖L形浮动扩散(FD)区20的整个幅度的宽度。
尽管在本文中未提供附图，但是在本实例中，光电二极管PD被形成为埋置型光电二极管PD，其包括用作在p型半导体阱区中形成的电荷积聚区的n型半导体区(n+区)以及用作在n型半导体区的表面侧上形成的积聚层的p型半导体区(p+区)。另外，在该实例中，作为相当于转移晶体管Tr1的漏区的区域的浮动扩散(FD)区20由n型半导体区(n+区)形成。另外，在该实例中，器件隔离区25由p型半导体区(p+区)形成。
此外，在该实例中，类L型浮动扩散(FD)区20的一部分，即，其面向转移栅电极22的顶部(上述凸起形状的顶部)的部分，被形成为具有小面积的高杂质浓度区(即，高浓度区：在该实例中为n+区)26。另外，类L形浮动扩散(FD)区20的其他部分，即，围绕高浓度区26或对应于高杂质区26和器件隔离区24之间的区域的部分被形成为杂质浓度低于高浓度区26的区域27(即，低浓度区：在该实例中为n区)。
低浓度区27的杂质浓度低于在典型的LDD结构中的低浓度区的杂质浓度，并且区域27具有比在PN结形成的典型处理中自动形成的低杂质浓度区大的面积。
另一方面，在浮动扩散(FD)区20中的高浓度区26为用于连接至像素晶体管的接触区所共有。在该实例中，高浓度区26的杂质浓度可以达到1×1020cm-3以上。另外，低浓度区27的杂质浓度可以为小于1×1018cm-3。
根据第一实例，由于转移栅电极22以凸起的顶部面向浮动扩散(FD)区20的类梯形的形状形成，所以光电二极管PD的面积减小仅轻微影响了光电二极管PD的角部，因此，能够确保光电二极管PD的面积仍然很宽广。结果，即使像素被小型化，入射在光电二极管PD上的光在聚光期间也不会收到转移栅电极的影响，并且可以充分确保饱和电荷量。
另外，如图3所示，由于转移栅极21被形成为在浮动扩散(FD)区上的沟道宽度大于在光电二极管PD侧的沟道宽度，所以能够使转移晶体管Tr1的截止特性和电荷转移特性兼容，从而维持了晶体管特性。
即，在浮动扩散(FD)区20侧的沟道宽度B大于在光电二极管PD侧的沟道宽度A。沟道宽度的这种改变导致沟道区23的电势变化，并且由于形状效应而产生了电场，使得当转移晶体管Tr1导通时，该电势在在浮动扩散(FD)区20侧比在光电二极管PD侧深。对于窄的沟道宽度A，电势浅，而对于宽的沟道宽度B，电势深。因此，能够令人满意地将信号电荷从光电二极管PD转移至浮动扩散(FD)区20，并且即使像素被小型化，仍能够提高信号电荷的转移能力。另外，当转移晶体管Tr1截止时抑制了漏电流产生。
将如下描述漏电流产生的原因。在沟道宽度W始终不变的情况下，沟道电势的变化量在光电二极管PD侧上和浮动扩散(FD)区侧上是相同的。结果，当产生电势差以将电场施加至用于通过使转移栅极导通来限定转移方向的沟道区时，即使转移栅极截止，仍产生大的电势差。
相反，根据该实例，假设在光电二极管PD侧上和在浮动扩散(FD)区侧上的转移栅极21之间的沟道电势差与在转移栅极导通时的上述沟道电势差相同，由于转移栅极21在光电二极管PD侧的电势变化大于在浮动扩散(FD)区20侧的电势变化，所以能够使在转移栅极21截止时的电势差更小。即，在转移栅极截止时，与光电二极管PD侧相比，在浮动扩散(FD)侧的沟道闭合，从而能够减小漏电流。
通过被形成为接触区共有或共用的浮动扩散(FD)区20的高浓度区26，能够使高浓度区的面积最小。在该实例中，高浓度区26在除了接触区外的位置处不是必需的。由于在典型的CMOS处理中使用光刻胶掩模通过杂质注入来形成高浓度区，所以该区域的面积大于接触区的接触面积。装置结构通常不被配置成仅在浮动扩散(FD)区与栅极接触的部分中形成高杂质浓度区。
另一方面，当浮动扩散(FD)区20以L字符形状形成时，增大了浮动扩散(FD)区20的面积。面积的增大通常导致在浮动扩散(FD)区20中的扩散电容(即，结电容)增大及转换效率增大。
然而，在该实例中，适当地设计杂质浓度的分布，使得在浮动扩散(FD)区20中的n型高浓度区26被形成为面向转移栅电极21的凸起部分的部分，该部分有效用于充分积聚电荷并作为接触区；并且使得浮动扩散(FD)区20中的其他部分被形成为n型低浓度区27。低浓度区27的结电容非常小。因此，浮动扩散(FD)区20的结电容总体上不会显著增大，并且减轻了转换效率的降低。
从光电二极管PD转移至浮动扩散(FD)区20中具有浅电势的低浓度区27的电荷被聚集到具有深电势的高浓度区26。
图4是示出了根据本发明实施例的像素的第二实例的示图，该像素包括光电二极管PD、浮动扩散(FD)区20和转移晶体管Tr1，特别示出了其转移栅极21。在图4所示的该实例中，转移晶体管Tr1包括形成在光电二极管PD和浮动扩散(FD)区20之间的转移栅极21，转移栅极21被形成为在浮动扩散(FD)区20侧的沟道宽度大于在光电二极管PD侧的沟道宽度。
光电二极管PD按照诸如正方形和矩形的四边形形状形成。浮动扩散(FD)区20以矩形形状形成，其中，其面向光电二极管PD侧的长度与光电二极管PD的相对侧的长度相同。转移栅极21包括矩形的转移栅电极22和梯形的沟道区23。沟道区23被形成为梯形，使得其在光电二极管PD侧的沟道宽度A比在浮动扩散(FD)区20侧的宽度B窄，并且转移栅极21的沟道区23的沟道宽度从在光电二极管PD侧面向浮动扩散(FD)区20侧逐渐增大。
另一方面，浮动扩散(FD)区20包括以与上述实例相似的方式形成在矩形的浮动扩散(FD)区20的中心处的高杂质浓度区26(在该实例中为n+区)、以及形成在浮动扩散(FD)区20的剩余部分上的低浓度区27(在该实例中为n-区)。由于装置结构和诸如杂质浓度等的其他特征与在第一实例中之前描述的器件结构和其他特征类似，因此不再重复对其进行描述。
根据第二实例，可以通过以正方形形状形成光电二极管PD来确保光电二极管PD的面积仍然很宽，并且即使像素尺寸被小型化，仍可以完全确保饱和电荷量。另外，在转移栅极21的沟道区23中产生电场，使得电势从光电二极管PD侧向浮动扩散(FD)区20侧逐渐变深。因此，能够令人满意地使信号电荷从光电二极管PD转移到浮动扩散(FD)区20，并且即使像素被小型化，仍能够提高信号电荷的转移能力。
另一方面，由于浮动扩散(FD)区20包括高浓度区26和低浓度区27，所以浮动扩散(FD)区20的结电容总体上仍然能够很低，并且减轻了转换效率的降低。
根据第二实例，转移到浮动扩散(FD)区20的低浓度区27的信号电荷也聚集到高浓度区26。另外，在第二实例中也能够获得与第一实例的效果类似的效果。
在图3中所示的第一实例的装置配置适用于像素晶体管为多个光电二极管PD所共有的CMOS图像传感器中。接下来，将描述关于这种装置结构的另一个实施例。
图5是示出了根据本发明的另一个实施例的固态成像装置或CMOS图像传感器的配置的示意图。本实施例的固态成像装置是以下情况，其中，排列多个组，其中，本文中所形成的组包括：(i)分别设置有光电二极管PD作为光电转换元件的多个像素，即，在该实例中为其中分别设置有四个光电二极管PD的四个像素；以及(ii)除了转移晶体管外的为四个光电二极管PD所共有的像素晶体管或像素(即，该组在下文中被称为共有像素)。
参考图5，根据本实施例的固态成像装置31包括具有以二维阵列排列的多个共有像素32的成像部3(即，像素部)以及排列在成像部3周围的外围电路(例如，垂直驱动电路4、水平转移单元5和输出单元6)。每个共有像素32包括用作光电转换元件的多个光电二极管PD(即，在该实例中为四个光电二极管PD)、四个转移晶体管、一个复位晶体管、一个放大晶体管和一个选择晶体管。即，如上所述，除了转移晶体管外的像素晶体管(例如，复位晶体管、放大晶体管和选择晶体管)为四个光电二极管PD所共有。
如图5所示，在共有像素32的电路配置中，四个光电二极管PD1、PD2、PD3和PD4分别连接至对应的四个转移晶体管Tr11、Tr12、Tr13和Tr14的源极，并且四个转移晶体管Tr11、Tr12、Tr13和Tr14的漏极连接至一个复位晶体管Tr2的源极。形成在转移晶体管Tr11、Tr12、Tr13和Tr14与复位晶体管Tr2之间作为电荷-电压转换单元的共同的浮动扩散(FD)区连接至一个放大晶体管Tr3的栅极。放大晶体管Tr3的源极连接至一个选择晶体管Tr4的漏极。复位晶体管Tr2和放大晶体管Tr3的漏极都连接至电源电压提供单元。另外，选择晶体管Tr4的源极连接至垂直信号线8。
行转移信号φTRG1、φTRG2、φTRG3和φTRG4被分别施加至转移晶体管Tr11、Tr12、Tr13和Tr14的栅极。行复位信号φRST被施加至复位晶体管Tr2的栅极，以及行选择信号φSEL被施加至选择晶体管Tr4的栅极。
由于垂直驱动单元4、水平转移单元5、输出单元6等类似于之前参考图2所述，因此不重复对其的描述。
图6是示出了根据本发明另一个实施例的第三实例的共有像素32的平面配置的示图。根据该实例的一组共有像素32使用如图3所示的上述像素结构，并且包括按照两个像素水平排列而另两个像素垂直排列的共有配置形式的四个像素。
在该实例中，如图6所示，共有的浮动扩散(FD)区20被排列在该结构的中心处，使得浮动扩散(FD)区20可以为彼此共有。为了使共有的浮动扩散(FD)区20保持在该结构的中间，将四个像素(每一个均具有图3所示的像素结构)被水平地以及垂直地排列为以转移栅极21侧的角部211、212、213和214为中心呈点对称。因此，在该中心处的浮动扩散(FD)区20以十字形的平面形状形成，在该十字形的中心处具有高浓度区26并且在该十字形的臂部各有低浓度区27。另外，关于与浮动扩散(FD)区20的接触，用于隔离各个光电二极管PD1、PD2、PD3和PD4的器件隔离区24仅与在臂部上的低浓度区27的顶部接触。
由于这些特征与之前参考图3所述的特征类似，因此不再重复对其的描述。
对于根据第三实例的共有像素的配置，通过放置这四个像素以使其以浮动扩散(FD)区20为中心(即，以转移栅极21的中心部分)为中心呈点对称，，可以将像素密集地排列在其中设置有大量像素的成像部3中，这将在之后描述。此外，根据该实例，由于转移栅极21的沟道宽度从光电二极管PD侧向浮动扩散(FD)区20侧增大，并且沟道电势由于转移栅极21的形状效应而以类似于上述实例的方式相应改变，所以提高了信号电荷的转移效率。
此外，由于共有的浮动扩散(FD)区20以其中心部分作为高浓度区26而其他部分作为低浓度区27的十字形的形状形成，所以浮动扩散(FD)区20的结电容显著减小，从而提高了电荷-电压转换效率，或者减轻了转换效率的降低。具体地，在n型浮动扩散(FD)区20和p型器件隔离区24之间的接触部分仅是形成为十字形的低浓度区27的臂边缘部分，在浮动扩散(FD)区20和器件隔离区24之间的结电容进一步减小，并且因此提高了转换效率。另外，在本实施例中也获得了与第一实例的效果类似的效果。
图7是示出了使用图6所示的共有像素32的成像部3的布局的示意图。该实例示出了具有以正方形阵列排列的多个共有像素32的布局。即，在该实例的布局中，一组复位晶体管Tr2、放大晶体管Tr3和选择晶体管Tr4在垂直方向上被排列在各个共有晶体管32侧，或者在该实例中排列在底侧。多个这种结构的共有像素32水平地以及垂直地排列，作为正交坐标阵列系统。
复位晶体管Tr2包括源区41、漏区42和复位栅电极43。放大晶体管Tr3包括源区44、漏区45和放大栅电极46。选择晶体管Tr4包括源区47、漏区44和选择栅电极48。在提供以上结构时，放大晶体管Tr3的源区44和选择晶体管Tr4的漏区44被共同形成并且为彼此共有。
另外，浮动扩散(FD)区20的高浓度区26、复位晶体管Tr2的源区41和放大晶体管Tr3的放大栅电极46经由配线49彼此相连。此外，选择晶体管Tr4的源区47和垂直信号线8经由配线50相连。
根据图7所示的成像部的布局，大量共有像素32能够被水平地以及垂直地密集排列，从而能够提供高分辨率的固态成像装置。
图8是示出了根据另一个实例的使用图6所示的共有像素32的成像部3的另一个布局的示意图。该实例示出了个具有倾斜地(或者以蜂窝状结构)排列的多个共有像素32的布局。即，在该实例中，以与图6的结构类似的方式，一组复位晶体管Tr2、放大晶体管Tr3和选择晶体管Tr4在垂直方向上被排列在各个共有像素32侧，或者在该实例中排列在底侧。
这种结构的共有像素32被水平地以及垂直地排列为正交坐标阵列，其中，两条正交轴分别相对于水平方向和垂直方向倾斜。在图8所示的实例中，共有像素32被作为阵列排列在正交坐标系统上，其中，两条正交轴分别相对于水平方向和垂直方向倾斜45度。
由于共有像素结构的其他特征类似于之前参考图7所述的特征，所以用相同的表示示出了与图7中的部分类似的部分，因此，不再重复对其的描述。
根据图8的成像部的布局，能够密集地排列大量共有像素32，从而能够提供分辨率高于图7的成像部的固态成像装置。
图9是示出了根据本发明实施例的包括上述CMOS图像传感器的相机的配置的示意图。参考图9，根据本发明实施例的相机40包括光学系统(光学透镜)41、CMOS固态成像装置42和信号处理电路43。对于固态成像装置42，可以使用在上述的第一～第三实例中描述的像素配置中的任意一种，优选地，具有图7或图8的装置布局的第一或第三实例中详述的像素配置。根据本实施例的相机还包括通过模块化光学系统(光学透镜)41而形成的相机模块、CMOS固态成像装置42和信号处理电路43。
光学系统41被配置为利用来自对象的图像光(入射光)来使图像形成在CMOS固态成像装置42的成像表面上。随后，利用CMOS固态成像装置42的光电转换元件(光接收单元)将入射光转换为对应于入射光量的信号电荷，并且在一段固定时间内将信号电荷积聚在光电转换元件中。信号处理电路43被配置为对从CMOS固态成像装置42输出的信号执行多种信号处理，并且随后输出所得到的图像信号。
对于根据本发明实施例的相机，保持了饱和电荷量和转换效率，并且即使在像素尺寸缩小时，也提高了信号电荷到浮动扩散区的转移，从而能够提供高分辨率的相机。
根据本发明的实施例，能够提供包括图9所示的上述相机或相机模块的各种电子设备。
本领域技术人员应了解，根据设计要求和其它因素，可以进行各种修改、组合、子组合和改进，均应包含在本发明的权利要求或等同物的范围内。

Claims (18)

1.一种固态成像装置，包括：
排列的多个像素，
每个所述像素均包括：光电转换元件、包括转移晶体管的像素晶体管和浮动扩散区，其中
所述转移晶体管的转移栅极被形成为在所述浮动扩散区侧的沟道宽度大于在所述光电转换元件侧的沟道宽度，
其中，在所述浮动扩散区中的所述高杂质浓度区用作接触区。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
所述转移栅极被排列在所述光电转换元件的一个角部上，从而具有其顶部面向所述浮动扩散区侧的凸起形状。
3.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中
所述浮动扩散区接触所述转移栅极的部分被形成为高杂质浓度区，以及
所述浮动扩散区在所述高浓度区周围以及在所述高杂质浓度区和器件隔离区之间的其他部分被形成为杂质浓度低于所述高浓度区的区域。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
设置多个所述光电转换元件，并且所述浮动扩散区为所述多个光电转换元件所共有。
5.根据权利要求4所述的固态成像装置，其中
所述浮动扩散区为作为所述多个光电转换元件的多个光电转换元件所共有。
6.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
除了所述转移晶体管外的所述像素晶体管以组为单位为多个光电转换元件和被配置为读出从所述多个光电转换元件输出的信号电荷的多个转移晶体管所共有。
7.根据权利要求6所述的固态成像装置，其中
所述多个光电转换元件以正交坐标阵列形式水平地和垂直地排列。
8.根据权利要求6所述的固态成像装置，其中
所述多个光电转换元件以正交坐标阵列的形式排列，其中，所述正交坐标阵列的两条正交轴分别相对于水平方向和垂直方向倾斜。
9.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
所述浮动扩散区接触所述转移栅极的部分被形成为高杂质浓度区，以及
所述浮动扩散区在所述高浓度区周围以及在所述高杂质浓度区和器件隔离区之间的其他部分被形成为杂质浓度低于所述高浓度区的区域。
10.根据权利要求9所述的固态成像装置，其中
在所述浮动扩散区中的所述高杂质浓度区用作接触区。
11.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
除了所述转移晶体管外的所述像素晶体管以组为单位为多个光电转换元件和被配置为读出从所述多个光电转换元件输出的信号电荷的多个转移晶体管所共有。
12.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
所述多个光电转换元件以正交坐标阵列的形式水平地以及垂直地排列。
13.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中
所述多个光电转换元件以正交坐标阵列的形式排列，其中，所述正交坐标阵列的两条正交轴分别相对于水平方向和垂直方向倾斜。
14.一种相机，包括：
固态成像装置；
光学系统，被配置为将入射光导向包括在所述固态成像装置中的光电转换元件；以及
信号处理电路，被配置为对从所述固态成像装置输出的信号进行处理；
所述固态成像装置包括：
排列的多个像素，每个所述像素均包括光电转换元件、包括转移晶体管的像素晶体管和浮动扩散区，其中
所述转移晶体管的转移栅极被形成为在所述浮动扩散区侧的沟道宽度大于在所述光电转换元件侧的沟道宽度，
其中，在所述浮动扩散区的所述高杂质浓度区用作接触区。
15.根据权利要求14所述的相机，其中，
所述转移栅极被排列在所述光电转换元件的一个角部上，从而具有其顶部面向所述浮动扩散区侧的凸起形状。
16.根据权利要求15所述的相机，其中
所述浮动扩散区接触所述转移栅极的部分被形成为高杂质浓度区，以及
所述浮动扩散区在所述高浓度区周围并且在所述高杂质浓度区和器件隔离区之间的其他部分被形成为杂质浓度低于所述高浓度区的区域。
17.根据权利要求14所述的相机，其中
除了所述转移晶体管外的所述像素晶体管以组为单位为多个光电转换元件和被配置为读出从所述多个光电转换元件输出的信号电荷的多个转移晶体管所共有。
18.根据权利要求14所述的相机，其中
设置多个光电转换元件，并且所述浮动扩散区为所述多个光电转换元件所共有。
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