JPS6057780A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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- JPS6057780A JPS6057780A JP58164855A JP16485583A JPS6057780A JP S6057780 A JPS6057780 A JP S6057780A JP 58164855 A JP58164855 A JP 58164855A JP 16485583 A JP16485583 A JP 16485583A JP S6057780 A JPS6057780 A JP S6057780A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、テレビジョンカメラなどに用いられる固体撮
像装置およびその製造方法に関する。
像装置およびその製造方法に関する。
第１図は固体撮像装置における各部の平面配置を概略的
に示しており、１は二次元状の配列で形成された光電変
換素子、２Ｉ／ｉ上記光電変換素子１群の配列面内で垂
直方向の配列で形成された電荷搬出手段である。第２図
ｔａ）乃至（ｄ）は、第１図の装置の従来の製造工程に
おける第１図中■−■線に沿う断面構造を示しており、
これを参照して従来の製造方法を以下詳述する。先ず、
第２図ｆａ）に示すように、半導体基板３上に絶縁膜４
を形成し、この上に素子間分離領域を除いて窒化シリコ
ン膜５を形成する。次に、上記窒化シリコニ・膜５をマ
スクとして素子間分離領域に前記基板３と同一導電形の
不純物イオンを注入して不純物層６を形成する。次に、
１ｏｏ。
に示しており、１は二次元状の配列で形成された光電変
換素子、２Ｉ／ｉ上記光電変換素子１群の配列面内で垂
直方向の配列で形成された電荷搬出手段である。第２図
ｔａ）乃至（ｄ）は、第１図の装置の従来の製造工程に
おける第１図中■−■線に沿う断面構造を示しており、
これを参照して従来の製造方法を以下詳述する。先ず、
第２図ｆａ）に示すように、半導体基板３上に絶縁膜４
を形成し、この上に素子間分離領域を除いて窒化シリコ
ン膜５を形成する。次に、上記窒化シリコニ・膜５をマ
スクとして素子間分離領域に前記基板３と同一導電形の
不純物イオンを注入して不純物層６を形成する。次に、
１ｏｏ。
℃以上の酸素雰囲気中で選択酸化を行ない、第２図（ｂ
）に示ずＪ；うに素子間分離用酸化膜７を形成する。こ
のとき、酸化膜７は窒化シリコン膜５上を除いて成長し
、基板３方向に成長すると共に窒化シリコン膜５の端部
がら窒化シリコン膜５下へも成長する。次に、窒化シリ
コン膜５を除去し、第２図ｆｅ）に示すように素子間分
離用酸化膜７をマスクとして前記基板３と逆導電形の不
純物イオンを注入し、逆導電形の不純物層８を形成して
ｐｎ接合形光電変換素子を形成し、さらに熱拡散により
適尚な深さの接合を得る。
）に示ずＪ；うに素子間分離用酸化膜７を形成する。こ
のとき、酸化膜７は窒化シリコン膜５上を除いて成長し
、基板３方向に成長すると共に窒化シリコン膜５の端部
がら窒化シリコン膜５下へも成長する。次に、窒化シリ
コン膜５を除去し、第２図ｆｅ）に示すように素子間分
離用酸化膜７をマスクとして前記基板３と逆導電形の不
純物イオンを注入し、逆導電形の不純物層８を形成して
ｐｎ接合形光電変換素子を形成し、さらに熱拡散により
適尚な深さの接合を得る。
さらに、第２図（ｄ）に示すように基板３と同一導電形
の不純物イオンを注入し、基板表面に同一導電形の不純
物層９を形成して表面に存在する界面リーク電流（暗電
流）の発生源の空乏化を防いでいる。
の不純物イオンを注入し、基板表面に同一導電形の不純
物層９を形成して表面に存在する界面リーク電流（暗電
流）の発生源の空乏化を防いでいる。
ところで、上述したような製造方法においては、前述し
た選択酸化時の酸化膜７の成長が横方向にも及ぶので、
素子間分離領域が拡が１ハ光電変換素子１や電荷搬出手
段２の実質的面積が小さくなる。そこで、このように実
際の素子寸法がパターン寸法よりも減少する分を予め見
込んで、素子領域の窒化シリコン膜５の寸法を大きく形
成する必要が生じる。一方、固体撮像装置の素子の微細
化（多画素化）への要求は著しく、素子間分離はリソグ
ラフィー技術で可能な最小寸法に抑えることがめられて
いる。然るに、前述したように窒化シリコン膜５を予め
大きく形成することは、第２図ｔａ＋に示す素子間分離
領域上の窒化シリコン膜間の間隙寸法６を小さくするこ
とに相当するが、この寸法はリソグラフィー技術の限界
で制約される。即ち、従来の製造方法によれば、上記間
隙寸法ｌをリソグラフィー技術の限界に設計していても
実際にはそれより１〜２μｍ程度広い素子間分離領域が
形成されてしまい、素子の微細化上不都合であった。
た選択酸化時の酸化膜７の成長が横方向にも及ぶので、
素子間分離領域が拡が１ハ光電変換素子１や電荷搬出手
段２の実質的面積が小さくなる。そこで、このように実
際の素子寸法がパターン寸法よりも減少する分を予め見
込んで、素子領域の窒化シリコン膜５の寸法を大きく形
成する必要が生じる。一方、固体撮像装置の素子の微細
化（多画素化）への要求は著しく、素子間分離はリソグ
ラフィー技術で可能な最小寸法に抑えることがめられて
いる。然るに、前述したように窒化シリコン膜５を予め
大きく形成することは、第２図ｔａ＋に示す素子間分離
領域上の窒化シリコン膜間の間隙寸法６を小さくするこ
とに相当するが、この寸法はリソグラフィー技術の限界
で制約される。即ち、従来の製造方法によれば、上記間
隙寸法ｌをリソグラフィー技術の限界に設計していても
実際にはそれより１〜２μｍ程度広い素子間分離領域が
形成されてしまい、素子の微細化上不都合であった。
また、前述したように基板表面における素子間分離領域
部の不純物Ｍ６と素子領域部の不純物層９とは、互いに
別々の工程で形成されて段差を有しており、このような
段差構造も素子の微細化上制約を与える欠点がある。
部の不純物Ｍ６と素子領域部の不純物層９とは、互いに
別々の工程で形成されて段差を有しており、このような
段差構造も素子の微細化上制約を与える欠点がある。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、素子間分
離の微細化がリソグラフィー技術により制約される限界
まで可能となり、同時に暗電流雑音が飛躍的に減少する
固体撮像装置およびその製造方法を提供するものである
。
離の微細化がリソグラフィー技術により制約される限界
まで可能となり、同時に暗電流雑音が飛躍的に減少する
固体撮像装置およびその製造方法を提供するものである
。
〔発明の概要〕
即ち、本発明の固体撮像装置は、半導体層の表向で光電
変換素子用不純物層の表面の少なくとも一部および上記
変換素子相互間の素子間分離領域に同一面状に、前記半
導体層と同−導電形で相対的に高濃度の不純物が形成さ
れてなることを特徴とするものである。
変換素子用不純物層の表面の少なくとも一部および上記
変換素子相互間の素子間分離領域に同一面状に、前記半
導体層と同−導電形で相対的に高濃度の不純物が形成さ
れてなることを特徴とするものである。
また、本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体層の
表面に二次元状の配列で上記半導体層とは逆導電形の光
電変換素子用不純物層を形成すると共にこの不純物層の
近傍に同じく逆導電形の電荷搬出素子用不純物層を形成
し、上記半導体層と同−導電形で相対的に高濃度の不純
物層を、前記光電変換素子用不純物層の表面の少なくと
も一部および光電変換素子相互間の素子間分離領域を覆
うようにイオン注入により形成することを特徴とするも
のである。
表面に二次元状の配列で上記半導体層とは逆導電形の光
電変換素子用不純物層を形成すると共にこの不純物層の
近傍に同じく逆導電形の電荷搬出素子用不純物層を形成
し、上記半導体層と同−導電形で相対的に高濃度の不純
物層を、前記光電変換素子用不純物層の表面の少なくと
も一部および光電変換素子相互間の素子間分離領域を覆
うようにイオン注入により形成することを特徴とするも
のである。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第３図は固体撮像装置における素子の平面配置を概略的
に示しており、３１は半導体基板表面に二次元状の配列
で形成された光電変換捩子、３２は上記光電変換素子３
１群の配列面内に垂直方向の配列で形成された電荷搬出
手段であって、たとえば電荷結合装置（ＣＣＤ）で形成
されている。上記固体撮像装置は、本実施例では電子を
信号として用いるＮチャンネル形であり、第３図中のＡ
−Ａ線に沿う断面構造の要部を第４図ｆｄｌに示してい
る。
に示しており、３１は半導体基板表面に二次元状の配列
で形成された光電変換捩子、３２は上記光電変換素子３
１群の配列面内に垂直方向の配列で形成された電荷搬出
手段であって、たとえば電荷結合装置（ＣＣＤ）で形成
されている。上記固体撮像装置は、本実施例では電子を
信号として用いるＮチャンネル形であり、第３図中のＡ
−Ａ線に沿う断面構造の要部を第４図ｆｄｌに示してい
る。
先ず、上記装置の製造方法の第１実施例について、その
主要な製造工程における第３図のＡ−Ａ線に沿う断面構
造を示す第４図ｆａ）乃至ｔｄ）を参照して説明する。
主要な製造工程における第３図のＡ−Ａ線に沿う断面構
造を示す第４図ｆａ）乃至ｔｄ）を参照して説明する。
第４図ｆａ）に示すようにＰ形半導体基板４ノ上に緩衝
用の酸化膜４２を形成し、その上に所定ト 形状にフオトレジスｆＢＲ４３を形成し、リン等のＮ形
不純物をイオン注入を行なって光電変換素子用のｐｎフ
ォトダイオードのｎ層４４を形成する。なお、このとき
同時に電荷搬出手段用のＣＣＤの埋め込みチャネルｐ４
４５を形成する。
用の酸化膜４２を形成し、その上に所定ト 形状にフオトレジスｆＢＲ４３を形成し、リン等のＮ形
不純物をイオン注入を行なって光電変換素子用のｐｎフ
ォトダイオードのｎ層４４を形成する。なお、このとき
同時に電荷搬出手段用のＣＣＤの埋め込みチャネルｐ４
４５を形成する。
上記イオン注入後に所定の深さの接合となるように熱拡
散（ドライブイン）を行なう。次に、ト 上記フォトレジスト膜４３および緩衝用酸化膜４２を除
去し、第４図ｆｂｌに示すように基板４１上にゲート酸
化膜４６を形成する。次に、第４図１ｃ）に示すように
ボロン等のＰ形不純物をイオン注入することにより、ｐ
ｎフォトダイオードのｎ層４４の表面の少なくとも一部
および素子間分離領域にｐ＋不純物層４７．４８を形成
する。
散（ドライブイン）を行なう。次に、ト 上記フォトレジスト膜４３および緩衝用酸化膜４２を除
去し、第４図ｆｂｌに示すように基板４１上にゲート酸
化膜４６を形成する。次に、第４図１ｃ）に示すように
ボロン等のＰ形不純物をイオン注入することにより、ｐ
ｎフォトダイオードのｎ層４４の表面の少なくとも一部
および素子間分離領域にｐ＋不純物層４７．４８を形成
する。
この場合、ｎ層４４表面の不純物層４７と分離領域の不
純物層４８とは同一面状に連続的に形成される。また、
上記ボロン等のイオン注入に際して、ＣＣＤの埋め込み
チャネル層４５には不純物が注入されないようにその上
方部にフォトレジスト膜４９で覆っておく。次に、この
フォトレジスト膜４９を除去し、第４図ｔｄ）に示すよ
うに第１層ポリシリコン電極５０を形成し、さらに層間
絶縁ｖ５１として少なくとも１０００℃を越えることの
ない低温処理により酸化膜を形成したのち第２層ポリシ
リコン電極５２を形成し、電荷転送制御電極が重ね合わ
せ電極構造のＣＣＤを形成する。さらに、保護絶縁膜５
３を形成し、アルミニウム遮光膜５４を形成して受光部
を開口する。
純物層４８とは同一面状に連続的に形成される。また、
上記ボロン等のイオン注入に際して、ＣＣＤの埋め込み
チャネル層４５には不純物が注入されないようにその上
方部にフォトレジスト膜４９で覆っておく。次に、この
フォトレジスト膜４９を除去し、第４図ｔｄ）に示すよ
うに第１層ポリシリコン電極５０を形成し、さらに層間
絶縁ｖ５１として少なくとも１０００℃を越えることの
ない低温処理により酸化膜を形成したのち第２層ポリシ
リコン電極５２を形成し、電荷転送制御電極が重ね合わ
せ電極構造のＣＣＤを形成する。さらに、保護絶縁膜５
３を形成し、アルミニウム遮光膜５４を形成して受光部
を開口する。
上述した製造方法によれば、素子間分離領域のｐ＋不純
物層４８とｐｎ接合形光電変換素子用のｎ層４４の表面
のｐ＋不純物層４７とを同時に形成することによって、
素子量分！’１ｌｆｆＦｉ域の最小寸法をリソグラフィ
ー技術により制約される限界まで小さくすることができ
る。また、上れたパターン寸法１２に比べて若干大きく
なる。
物層４８とｐｎ接合形光電変換素子用のｎ層４４の表面
のｐ＋不純物層４７とを同時に形成することによって、
素子量分！’１ｌｆｆＦｉ域の最小寸法をリソグラフィ
ー技術により制約される限界まで小さくすることができ
る。また、上れたパターン寸法１２に比べて若干大きく
なる。
したがって、素子間分離領域の寸法β、が若千小さくな
り、光電変換素子３１０面積は大きくなるので受光効率
が向上することになる。また、ゲート酸化膜４６の形成
後にｐ″−不純物者４７゜４８を形成し、このゲート酸
化膜４６を除去することなくさらに後工程を継続するの
で、素子間分離領域のｐ＋不純物顔４８の横方向拡散を
防ぎ、かつｐ＋不純物層４７．４８のイオン注大量を小
さく抑えることができ、寸法精度の向上および不純物濃
度の安定性をもたらすことができる。
り、光電変換素子３１０面積は大きくなるので受光効率
が向上することになる。また、ゲート酸化膜４６の形成
後にｐ″−不純物者４７゜４８を形成し、このゲート酸
化膜４６を除去することなくさらに後工程を継続するの
で、素子間分離領域のｐ＋不純物顔４８の横方向拡散を
防ぎ、かつｐ＋不純物層４７．４８のイオン注大量を小
さく抑えることができ、寸法精度の向上および不純物濃
度の安定性をもたらすことができる。
一方、上述したように製造された固体撮像装置によれば
、ｎ層４４表面のｐ＋不純物層４７と素子間分離領域の
ｐ 不純物層４８とは同一面状に連続的に形成されてお
り、両者間に段差はないので、素子の微細化に対する制
約が少なく、リソグラフィー技術で制約される限界まで
素子間分離領域の寸法ｊ３を小さくすることができる。
、ｎ層４４表面のｐ＋不純物層４７と素子間分離領域の
ｐ 不純物層４８とは同一面状に連続的に形成されてお
り、両者間に段差はないので、素子の微細化に対する制
約が少なく、リソグラフィー技術で制約される限界まで
素子間分離領域の寸法ｊ３を小さくすることができる。
また、第４図（ｄｌのＢ−Ｂ線に沿う断面構造は第５図
ｔａ）に示すようになり、その電位分布は第５図ｆｂ）
に示すようになる。即ち、基板４１と１層４４とのｐｎ
ｎ接合層空乏層５１よりも基板表面側に、ｐ＋不純物Ｍ
４７と１層４４とのｐ ＋ ｎ接合層の空乏層５２が存
在するので、上記ｐｎ接合窒空乏層半導体表面に露出し
なくなる。周知の如く、半導体表面は結晶性が崩れてい
ることから暗電流の発生源となる表面準位が多数存在す
るが、本実施例によればｐ＋不純物層４７を形成するこ
とによって前述したように半導体表面領域を空乏化させ
ないので、暗電流の発生を飛躍的に減少させることがで
きる。
ｔａ）に示すようになり、その電位分布は第５図ｆｂ）
に示すようになる。即ち、基板４１と１層４４とのｐｎ
ｎ接合層空乏層５１よりも基板表面側に、ｐ＋不純物Ｍ
４７と１層４４とのｐ ＋ ｎ接合層の空乏層５２が存
在するので、上記ｐｎ接合窒空乏層半導体表面に露出し
なくなる。周知の如く、半導体表面は結晶性が崩れてい
ることから暗電流の発生源となる表面準位が多数存在す
るが、本実施例によればｐ＋不純物層４７を形成するこ
とによって前述したように半導体表面領域を空乏化させ
ないので、暗電流の発生を飛躍的に減少させることがで
きる。
なお、光電変換素子用ｎＭ４４とその電荷を読み出すた
めに近傍に形成されている電荷搬送用ｎ層４５との間に
はｐ＋不純物層を形成していないので、この部分の電荷
転送制御電極の制御電圧が低くて済む。
めに近傍に形成されている電荷搬送用ｎ層４５との間に
はｐ＋不純物層を形成していないので、この部分の電荷
転送制御電極の制御電圧が低くて済む。
また、上記光電変換素子間の分離領域にはｐ＋不純物Ｒ
４Ｂをイオン注入により設けているが、光電変換素子を
含まない周辺部においては素子間を従来と同様に選択酸
化技術により分離するようにしてもよい。
４Ｂをイオン注入により設けているが、光電変換素子を
含まない周辺部においては素子間を従来と同様に選択酸
化技術により分離するようにしてもよい。
第６図は本発明の製造方法の第２実施例による製造工程
における固体撮像装置の断面構造を示しており、この第
２実施例ではｎ形半導体基板６ノ上にｐ′″層６２を形
成し、このｐ一層６２上に前述した第１実施例と同様の
製造方法を実施する。これにより得られる固体撮像装置
によれば、入射光が強い場合に光電変換により過剰な電
荷が発生すると、ｎ形基板６１が上記過剰電荷を吸収す
るドレインとして作用する。このようなｎ形基板６１の
ドレイン作用を有効に行なわせるためには、ｐ一層６２
の不純物濃度を低くするかあるいは接合深さを浅くする
必要がある。この場合、光電変換用ｐｎフォトダイオー
ドのｎｍ４４の信号電荷蓄積容量は、ｐ一層６２との接
合容量が減少するので小さくなってしまう。しかし、本
発明によれば、ｎ８４４表面のｐ＋不純物層４７は１層
４４との間に相対的に充分大きな接合容量を新たに形成
するので、１層４４の信号電荷蓄積容量を増加させるこ
とができる。なお、第６図中第４図ｔｅｌと同一部分に
は同一符号を付している。
における固体撮像装置の断面構造を示しており、この第
２実施例ではｎ形半導体基板６ノ上にｐ′″層６２を形
成し、このｐ一層６２上に前述した第１実施例と同様の
製造方法を実施する。これにより得られる固体撮像装置
によれば、入射光が強い場合に光電変換により過剰な電
荷が発生すると、ｎ形基板６１が上記過剰電荷を吸収す
るドレインとして作用する。このようなｎ形基板６１の
ドレイン作用を有効に行なわせるためには、ｐ一層６２
の不純物濃度を低くするかあるいは接合深さを浅くする
必要がある。この場合、光電変換用ｐｎフォトダイオー
ドのｎｍ４４の信号電荷蓄積容量は、ｐ一層６２との接
合容量が減少するので小さくなってしまう。しかし、本
発明によれば、ｎ８４４表面のｐ＋不純物層４７は１層
４４との間に相対的に充分大きな接合容量を新たに形成
するので、１層４４の信号電荷蓄積容量を増加させるこ
とができる。なお、第６図中第４図ｔｅｌと同一部分に
は同一符号を付している。
また、上記各実施例において、ｐ″−不純物層４７．４
８の濃度および接合深さは、−例として１〜３×１０５
伽２，０３〜０４μｍ程度として実現することができる
。
８の濃度および接合深さは、−例として１〜３×１０５
伽２，０３〜０４μｍ程度として実現することができる
。
さらに、上記各実施例に示した半導体不純物層の導電形
を全て逆に形成して実現することも可能である。
を全て逆に形成して実現することも可能である。
上述したように本発明によれば、素子間分離の微細化が
リングラフィ技術により制約される限界まで可能となり
、同時妬暗電流雑音が飛躍的に減少する固体撮像装置お
よびその製造方法を実現できる。
リングラフィ技術により制約される限界まで可能となり
、同時妬暗電流雑音が飛躍的に減少する固体撮像装置お
よびその製造方法を実現できる。
第１図は固体撮像装置の素子の平面配置を示す平面図、
第２図ｆａ）乃至第２図ｆｄ）は第１図の装置の従来の
製造方法における主要な製造工程を説明するために示す
第１図の■−■線に沿う断面図、第３図は本発明に係る
固体撮像装置の一実施例における素子の平面配置を示す
平面図、第４因（ａｌ乃至第４図ｉｄｌは第３図の装置
の製造方法の第１実施例における主要な製造工程を説明
するために示す第３図のＡ−Ａ線に沿う断面図、第５図
ｔａ）は第４図（ｄ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図、第５図
ｆｂ）は同図（ｈ）の各部の電位分布を説明するために
示す図、第６図は本発明方法の第２実施例により製造さ
れた固体撮像装置を示す断面図である。 ４１．６１・・・半導体基板、４４・・・光電変換集子
用ｎ層、４５・・・電荷搬出用ｎ層、４７．４８・・・
ｐ＋不純物層、６２・・・ｐ一層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
第２図ｆａ）乃至第２図ｆｄ）は第１図の装置の従来の
製造方法における主要な製造工程を説明するために示す
第１図の■−■線に沿う断面図、第３図は本発明に係る
固体撮像装置の一実施例における素子の平面配置を示す
平面図、第４因（ａｌ乃至第４図ｉｄｌは第３図の装置
の製造方法の第１実施例における主要な製造工程を説明
するために示す第３図のＡ−Ａ線に沿う断面図、第５図
ｔａ）は第４図（ｄ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図、第５図
ｆｂ）は同図（ｈ）の各部の電位分布を説明するために
示す図、第６図は本発明方法の第２実施例により製造さ
れた固体撮像装置を示す断面図である。 ４１．６１・・・半導体基板、４４・・・光電変換集子
用ｎ層、４５・・・電荷搬出用ｎ層、４７．４８・・・
ｐ＋不純物層、６２・・・ｐ一層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
Claims (3)
- （１） 半導体層の表面に一次元あるいは二次元状に配
列されて形成され上記半導体層とは逆導電形の光電変換
素子と、同じく前記半導体層の表面で上記光電変換素子
の近傍に形成された電荷搬出用素子と、同じく前記半導
体層の表面のうち前記光電変換素子の表面の少なくとも
一部および前記光電変換素子相互間の素子間分離領域に
同一面状に形成され前記半導体層と同−導電形で相対的
に高濃度の不純物層とを具備することを特徴とする固体
撮像装置。 - （２） 前記半導体層は、半導体基板上に形成され上記
基板とは逆導電形の不純物層であることを特徴とする特
許 の固体撮像装置。 - （３）半導体層の表面に二次元状の配列で上記半導体層
とは逆導電形の光電問換素子用不純物届を形成すると共
にこの不純物層の近傍に電荷搬出素子を形成する工程と
、上記半導体層と同一導電形で相対的に高濃度の不純物
層を、前記光電変換集子用不純物層の表面の少なくとも
一部および光電変換素子相互間の素子間分離領域を覆う
ようにイオン注入により形成する工程とを具備すること
を特徴とする固体撮像装置の製造方法。 ４）前記イオン注入の前に半導体層上にゲート絶縁膜を
形成する工程と、前記イオン注入の後で上記ゲート絶縁
膜上に前記電荷搬出用素子の電荷転送制御用導電性電極
を形成する工程とを具備することを特徴とする前記特許
請求の範囲第３項記載の固体撮像装置の製造方法。 ＋５１ 前記導電性電極を形成する工程は、前記ゲート
絶縁膜上に第１層導電性電極を形成し前記ゲート絶縁膜
を除去することなく、この上に層間絶縁膜を形成し、こ
の上に第２Ｍ導電性電極を形成して重ね合わせ電極構造
を形成することを特徴とする特許 ４項記載の固体撮像装置の製造方法。 ｛６｝ 前記光電変換素子を形成する領域を除く、前記
半導体層上に形成される回路素子の素子間分離層は、従
来の選択膜化方法等により光電変換素子間分離層を形成
する以前に形成することを特徴とする前記特許請求の範
囲第３項ないし第５項のいずれかに記載の固体撮像装置
の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164855A JPS6057780A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| DE19843432801 DE3432801A1 (de) | 1983-09-07 | 1984-09-06 | Festkoerper-abbildungsvorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung |
| US06/647,899 US4618874A (en) | 1983-09-07 | 1984-09-06 | Solid state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164855A JPS6057780A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057780A true JPS6057780A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15801192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58164855A Pending JPS6057780A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4618874A (ja) |
| JP (1) | JPS6057780A (ja) |
| DE (1) | DE3432801A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05110053A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPH09162383A (ja) * | 1995-12-11 | 1997-06-20 | Lg Semicon Co Ltd | カラー線形電荷結合素子及びその駆動方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153A (ja) * | 1986-05-26 | 1988-01-05 | Fujitsu Ltd | 電荷転送装置 |
| EP0296371B1 (de) * | 1987-06-22 | 1992-12-23 | Landis & Gyr Business Support AG | Photodetektor für Ultraviolett und Verfahren zur Herstellung |
| FR2636171B1 (fr) * | 1988-08-10 | 1990-11-09 | Philips Nv | Dispositif capteur d'images du type a transfert de trame |
| JPH0766961B2 (ja) * | 1988-10-07 | 1995-07-19 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像素子 |
| DE69030159T2 (de) * | 1989-12-14 | 1997-07-03 | Canon Kk | Photoelektrische Umwandlervorrichtung mit verbessertem Rückstelltransistor und Informationsverarbeitungsgerät, welches diese verwendet |
| JP2575907B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1997-01-29 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置とその製造方法 |
| JPH0669536A (ja) * | 1992-08-21 | 1994-03-11 | Nippondenso Co Ltd | 光位置検出装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4011105A (en) * | 1975-09-15 | 1977-03-08 | Mos Technology, Inc. | Field inversion control for n-channel device integrated circuits |
| JPS56104582A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-20 | Toshiba Corp | Solid image pickup device |
| JPS57162364A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state image pickup device |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP58164855A patent/JPS6057780A/ja active Pending
-
1984
- 1984-09-06 DE DE19843432801 patent/DE3432801A1/de active Granted
- 1984-09-06 US US06/647,899 patent/US4618874A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05110053A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPH09162383A (ja) * | 1995-12-11 | 1997-06-20 | Lg Semicon Co Ltd | カラー線形電荷結合素子及びその駆動方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4618874A (en) | 1986-10-21 |
| DE3432801C2 (ja) | 1991-01-24 |
| DE3432801A1 (de) | 1985-04-04 |
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