KR100272564B1 - 고체촬상소자의제조방법 - Google Patents
고체촬상소자의제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100272564B1 KR100272564B1 KR1019970046529A KR19970046529A KR100272564B1 KR 100272564 B1 KR100272564 B1 KR 100272564B1 KR 1019970046529 A KR1019970046529 A KR 1019970046529A KR 19970046529 A KR19970046529 A KR 19970046529A KR 100272564 B1 KR100272564 B1 KR 100272564B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- insulating film
- polygate
- insulating
- ribbon
- polysilicon layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 14
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
고체촬상소자의 제조방법에 관한 것으로 특히, 폴리게이트 식각공정시 발생되는 폴리 리본의 발생을 억제하기에 적당한 고체촬상소자의 제조방법에 관한 것이다. 이와 같은 고체촬상소자의 제조방법은 기판상에 제 1, 제 2, 제 3 절연막 및 제 1 폴리실리콘층을 차례로 형성하는 단계, 상기 제 1 폴리실리콘층을 선택적으로 식각하는 공정진행시에 상기 제 3 절연막도 같이 식각되어 상기 제 1 폴리게이트와 상기 제 3 절연막이 적층되도록 하는 단계, 상기 제 1 폴리게이트를 포함한 제 2 절연막 전면에 상기 제 1 폴리게이트의 측면에서 네가티브 경사면을 갖는 제 4 절연막을 형성하는 단계, 상기 제 4 절연막의 네가티브 경사면 하부에 상기 제 4 절연막의 경사와 반대의 경사면을 갖는 제 5 절연막 리본을 형성하는 단계, 상기 제 5 절연막 리본 및 상기 제 1 폴리게이트 상부의 상기 제 4 절연막을 포함한 전면상에 제 2 폴리실리콘층을 형성하는 단계, 상기 제 2 폴리실리콘층을 선택적으로 제거하여 상기 제 1 폴리게이트 상측의 상기 제 4 절연막상에 제 2 폴리게이트를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 고체촬상소자의 제조방법에 관한 것으로 특히, 폴리게이트 식각공정시 발생되는 폴리 리본을 제거하기에 적당한 고체촬상소자의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 고체 촬상 소자는 광전 변환 소자와 전하 결합 소자를 사용하여 피사체를 촬상하여 전기적인 신호로 출력하는 장치를 말한다.
전하 결합 소자는 광전 변환 소자(예를 들면, PD : Photo-Diode)에서 생성된 신호 전하를 기판내에서 전위 변동을 이용하여 특정 방향으로 전송되는데 사용된다.
고체 촬상 소자는 복수개의 광전 변환 영역(예를 들면, PD : Photo Diode)과, 그 광전 변환 영역들의 사이에 구성되어 상기의 광전 변환 영역에서 생성되어진 전하를 수직 방향으로 전송하는 수직 전하 전송 영역(VCCD : Vertical Charge Coupled Device)과, 상기 수직 전하 전송 영역에 의해 수직 방향으로 전송된 전하를 다시 수평 방향으로 전송하는 수평 전하 전송 영역(HCCD : Horizontal Charge Coupled Device)과, 그리고, 상기 수평 전송된 전하를 센싱하고 증폭하여 주변회로로 출력하는 플로우팅 디퓨전 영역으로 크게 구성된다.
그리고, 고체촬상소자에서 더블 폴리(double polygate)는 포토다이오드에 빛이 입사되어 생성된 전하를 읽어 내어 이동시켜 주는 역할을 하고 있다. 따라서, 더블 폴리 프로세스는 폴리간을 완벽히 격리 시키면서 커패시턴스를 최소화하여 전하전송효율을 극대화 시켜야 한다.
이를 위하여 게이트 산화막 자체로서 요구되는 조건은 첫째, CCD의 스케일 다운에 따라 폴리게이트의 스텝 피치(Step Pitch : Dimension)가 줄기 때문에 동일한 전하 처리 용량을 유지하기 위하여 게이트 산화막의 두께가 감소해야 하며, 둘째, 누설 전류 레벨이 낮고 트랩 사이트(trap site)가 작은 고 품위를 유지해야 한다.
그리고, 전하 전송을 위한 제 1 폴리게이트를 형성하기전의 반도체기판상에는 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)구조의 절연막이 형성되어 있는데 ONO 절연막상에 제 1 폴리게이트를 패터닝한후 제 2 폴리게이트를 형성하기에 앞서 IPO 산화막을 형성하는 경우와 IPO 산화막을 형성한다음 제 2 산화막을 형성한후 제 2 폴리게이트를 형성하는 경우가 있다.
일반적으로는 제 2 산화막을 형성(성장)하지 않고 곧바로 IPO 산화막을 형성하는데 그 이유는 제 1 폴리게이트를 식각할 때 플라즈마 손상을 입은 상태에서 성장된 제 2 산화막은 동일한 품질이 유지되지 않기 때문에 안정된 채널을 형성시킬 수 없기 때문이다.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 종래 고체촬상소자의 제조방법을 설명하기로 한다.
도 1a 내지 도 1e는 종래 고체촬상소자의 제조공정 단면도이다.
먼저, 도 1a에 나타낸 바와 같이, 제 1 및 제 2 p형 웰(도시하지 않음)이 형성된 반도체기판(1)상에 제 1 산화막(2), 질화막(3) 및 제 2 산화막(4)을 차례로 성장시킨후 상기 제 2 산화막(4)상에 제 1 폴리실리콘층 형성한다음 상기 제 1 폴리실리콘층을 선택적으로 패터닝(포토리소그래피공정 + 식각공정)하여 이방성의 제 1 폴리게이트(5)를 형성한다. 이때, 상기 제 1 폴리게이트(5) 양측면의 제 2 산화막(4) 또한 제거(식각)되어 제 1 폴리게이트(5) 양측면의 질화막(3)상측면이 노출된다. 이때, 상기 제 2 산화막(4)은 제 1 산화막(2)이나 질화막(3)에 비해 얇은 두께로 형성된다. 즉, 질화막(3)이 비교적 산화가 안되는 물질이기 때문에 제 2 산화막(4)의 두께가 얇은 것이다.
도 1b에 나타낸 바와 같이, 상기 제 1 폴리게이트(5)를 포함한 질화막(3)상에 제 3 산화막(6)을 성장시킨다. 이때, 상기 제 3 산화막(6)은 질화막(3)상에서의 성장속도보다 제 1 폴리게이트(5)의 상측면과 양측면에서의 성장속도가 더 빠르므로 상기 제 1 폴리게이트(5)의 측면에서 네가티브한 경사(negative slope)를 갖고 형성된다.
도 1c에 나타낸 바와 같이, 상기 제 3 산화막(6) 전면에 제 2 폴리실리콘층(7)을 형성한다.
도 1d에 나타낸 바와 같이, 상기 제 2 폴리실리콘층(7)상에 감광막(PR)을 도포한다음 노광 및 현상공정으로 상기 제 1 폴리게이트(5) 상측으로 제 1 폴리게이트(5)보다 좁은 폭으로 남도록 패터닝한다.
도 1e에 나타낸 바와 같이, 패터닝된 상기 감광막(PR)을 마스크로 이용한 식각공정으로 상기 제 2 폴리실리콘층(7)을 선택적으로 식각하여 제 2 폴리게이트(7a)를 형성한다. 이때, 상기 제 1 폴리게이트(5) 측면의 제 3 산화막(6) 및 제 3 산화막(6) 하부의 질화막(3)까지 어느 정도 식각된다. 이때, 상기 제 1 폴리게이트(5)의 측면에 네가티브 경사면을 갖고 형성된 제 3 산화막(6)의 하부 모서리 부분에 제 2 폴리실리콘층(7)의 식각 잔류물인 폴리 리본(poly ribbon)(7b)이 형성되었다. 이와 같은 폴리 리본(7b)은 도면상에서는 단면상태로만 도시되었지만, 상기 제 1 폴리게이트(5)의 측면을 따라 라인(line) 형상으로 길게 형성되어 소자간의 단락(short)를 발생시키는 문제점이 생길 수 있었다.
이하에서, 상기한 바와 같은 폴리 리본을 제거하기 위한 방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2a는 종래 고체촬상소자의 폴리 리본을 제거하기 위한 한 예에 따른 단면 구조도이고, 도 2b는 종래 고체촬상소자의 폴리 리본을 제거하기 위한 다른 예에 따른 단면 구조도이다.
먼저, 도 2a는 도 1e에 나타낸 바와 같은 폴리 리본(7b)을 제거하기 위한 방법으로, 도 1d에서와 같이 제 2 폴리실리콘층(7)상에 감광막(PR)을 도포한후 선택적으로 상기 감광막(PR)을 패터닝하고, 패터닝된 감광막(PR)을 마스크로 이용한 식각공정으로 도 1e에서와 같이 상기 제 2 폴리실리콘층(7)을 선택적으로 식각할 때 네가티브 경사 식각성의 가스를 이용하여 제 2 폴리실리콘층(7)을 식각하여 제 2 폴리게이트(7a)를 형성하는 것이다. 그러면, 네가티브한 경사면을 갖는 제 3 산화막(6)의 측면에 형성된 폴리 리본(7b)이 용이하게 제거된다.
도 2b는 도 1d에서와 같은 감광막 패터닝공정과 도 1e에서와 같은 식각공정시 도 2a에서와 같은 측면 식각성의 가스 분위기에서 오버 에치를 진행시키는 것으로 제 1 폴리게이트(5)의 측면에 네가티브한 경사면을 갖고 형성된 폴리 리본(7b)이 제거될 때 까지 식각공정을 진행시키는 방법이다.
종래 고체촬상소자의 제조방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째, 네가티브 경사면을 갖는 산화막의 측면에 제 2 폴리게이트를 형성하기 위한 공정중에 식각되지 않는 전도층 잔류물(폴리 리본)이 발생하여 소자간의 단락을 유발할 수 있었다.
둘째, 폴리 리본을 제거하기 위하여 측면 식각성 가스를 첨가한 식각공정으로 폴리 리본을 제거할 경우에는 측면 식각성의 가스 때문에 제 3 산화막 상측에 형성되는 제 2 폴리게이트의 측면 역시 오목하게 식각되어 전반적으로 제 2 폴리게이트의 프로파일이 불량해진다. 특히, 상기 제 2 폴리게이트 상측에 차광금속층(OPM : Optical Shielding Metal layer)을 형성할 경우 단차 피복성(step coverage)가 나빠지게 되고 광 차단 효과에 영향을 미칠수 있다는 문제점이 발생된다.
셋째, 폴리 리본을 제거하기 위하여 측면 식각성 가스 분위기에서 오버 에치를 진행할 경우 질화막이 소정 깊이 만큼 균일하게 식각되어 제 2 폴리게이트의 측면이 오목하게 형성될 뿐만 아니라 전반적으로 제 1 폴리게이트 측면의 질화막 두께가 얇아지는 문제가 발생하여 절연막으로서의 문제를 발생시킨다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래 고체촬상소자의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 폴리 리본과 같은 전도층 물질대신 폴리 리본 형성부분에 절연막 리본이 형성되도록하여 소자간의 단락을 방지하여 신뢰도를 향상시킨 고체촬상소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1a 내지 도 1e는 종래 고체촬상소자의 제조공정 단면도
도 2a는 종래 고체촬상소자의 폴리 리본을 제거하기 위한 한 예에 따른 단면 구조도
도 2b는 종래 고체촬상소자의 폴리 리본을 제거하기 위한 다른 예에 따른 단면 구조도
도 3a 내지 도 3f는 본 발명 고체촬상소자의 제조공정 단면도
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 반도체기판 12 : 제 1 절연막
13 : 제 2 절연막 14 : 제 3 절연막
15 : 제 1 폴리게이트 16 : 제 4 절연막
17a : 제 5 절연막 리본 18a : 제 2 폴리게이트
본 발명에 따른 고체촬상소자의 제조방법은 기판상에 제 1, 제 2, 제 3 절연막 및 제 1 폴리실리콘층을 차례로 형성하는 단계, 상기 제 1 폴리실리콘층을 선택적으로 식각하는 공정진행시에 상기 제 3 절연막도 같이 식각되어 상기 제 1 폴리게이트와 상기 제 3 절연막이 적층되도록 하는 단계, 상기 제 1 폴리게이트를 포함한 제 2 절연막 전면에 상기 제 1 폴리게이트의 측면에서 네가티브 경사면을 갖는 제 4 절연막을 형성하는 단계, 상기 제 4 절연막의 네가티브 경사면 하부에 상기 제 4 절연막의 경사와 반대의 경사면을 갖는 제 5 절연막 리본을 형성하는 단계, 상기 제 5 절연막 리본 및 상기 제 1 폴리게이트 상부의 상기 제 4 절연막을 포함한 전면상에 제 2 폴리실리콘층을 형성하는 단계, 상기 제 2 폴리실리콘층을 선택적으로 제거하여 상기 제 1 폴리게이트 상측의 상기 제 4 절연막상에 제 2 폴리게이트를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명 고체촬상소자의 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명 고체촬상소자의 제조공정 단면도이다.
먼저, 도 3a에 나타낸 바와 같이, 제 1 및 제 2 p형 웰(도시하지 않음)이 형성된 반도체기판(11)상에 제 1, 제 2 및 제 3 절연막(12)(13)(14)을 차례로 성장시킨후 상기 제 3 절연막(14)상에 제 1 폴리실리콘층 형성한다음 상기 제 1 폴리실리콘층을 선택적으로 패터닝(포토리소그래피공정 + 식각공정)하여 이방성의 제 1 폴리게이트(15)를 형성한다. 이때, 상기 제 1 폴리게이트(15) 양측면의 제 3 절연막(14) 또한 제거(식각)되어 제 1 폴리게이트(15) 양측면의 제 2 절연막(13)의 상측면이 노출된다. 이때, 상기 제 1 및 제 3 절연막(12)(14)은 산화막으로 형성하고, 상기 제 2 절연막(13)은 질화막으로 형성한다. 즉, ONO(Oxide-Nitride-Oxide)구조의 절연막을 형성하는 것이다. 결국, 질화막인 제 2 절연막(13)상에 형성되는 산화막인 제 3 절연막(14)은 제 1 및 제 2 절연막(12)(13)에 비해 얇은 두께로 형성된다.
도 3b에 나타낸 바와 같이, 상기 제 1 폴리게이트(15)를 포함한 제 2 절연막(13)상에 제 4 절연막(16)을 형성한다. 이때, 상기 제 4 절연막(16)은 산화막으로 형성하는데 질화막인 제 2 절연막(13)상에서의 성장속도가 제 1 폴리게이트(15)의 상측면과 양측면에서의 성장속도가 더 느리므로 상기 제 1 폴리게이트(15)의 측면에서 네가티브한 경사(negative slope)를 갖고 형성된다.
도 3c에 나타낸 바와 같이, 상기 제 4 절연막(16) 전면에 제 5 절연막(17)을 형성한다. 이때, 상기 제 5 절연막(17)은 상기 제 4 절연막(16)과 식각선택비가 다른 물질로 형성하며 바람직하게는 질화막으로 형성한다.
도 3d에 나타낸 바와 같이, 상기 제 5 절연막(17)을 에치백하여 상기 제 4 절연막(14) 하부의 구석부분에 상기 제 5 절연막 리본(17a)을 형성한다. 이때, 상기 제 5 절연막 리본(17a)의 일측면은 상기 제 4 절연막(14)과 반대 경사면을 갖고 형성된다. 즉, 에치백공정시 상기 제 4 절연막(14) 하부의 구석진 부분에서는 식각공정이 제대로 이루어지지 않아 그 부분에 제 5 절연막 리본(17a)이 형성되는 것이다.
도 3e에 나타낸 바와 같이, 상기 제 5 절연막 리본(17a)을 포함한 제 2 및 제 4 절연막(13)(16)상에 제 2 폴리실리콘층(18)을 형성한다. 이어서, 상기 제 2 폴리실리콘층(18)상에 감광막(PR)을 도포한후 노광 및 현상공정으로 상기 제 1 폴리게이트(15)와 동일 위치의 제 4 절연막(16) 상측에만 남도록 상기 감광막(PR)을 패터닝한다. 이때, 상기 제 1 폴리게이트(15) 보다 좁은 폭으로 패터닝한다.
도 3f에 나타낸 바와 같이, 상기 패터닝된 감광막(PR)을 마스크로 이용한 식각공정으로 상기 제 2 폴리실리콘층(18)을 선택적으로 식각하여 상기 제 1 폴리게이트(15) 상측의 제 4 절연막(16)상에 제 2 폴리게이트(18a)를 형성한다. 이때, 상기 제 1 폴리게이트(15)의 측면에 네가티브 경사면을 갖고 형성된 제 4 절연막(16)의 하부 모서리 부분에 제 5 절연막 리본(17a)이 형성되어 있어 상기 제 2 폴리실리콘층(18)을 식각하여 제 2 폴리게이트(18a)를 형성할 때 발생하였던 폴리 리본(poly ribbon)의 형성이 방지된다.
본 발명에 따른 고체촬상소자의 제조방법에 있어서는 제 1 폴리게이트상에 절연막을 사이에 두고 제 2 폴리게이트를 형성하기 위한 패터닝공정시 발생하였던 폴리 리본 형성부분에 절연막 리본을 미리 형성하여 폴리 리본의 형성을 방지하므로 소자간의 단락 문제 등을 해결할 수 있어 신뢰도 높은 고체촬상소자의 제조방법을 제공할 수 있는 효과가 있다.
Claims (3)
- 기판상에 제 1, 제 2, 제 3 절연막 및 제 1 폴리실리콘층을 차례로 형성하는 단계;상기 제 1 폴리실리콘층을 선택적으로 식각하는 공정진행시에 상기 제 3 절연막도 같이 식각되어 상기 제 1 폴리게이트와 상기 제 3 절연막이 적층되도록 하는 단계;상기 제 1 폴리게이트를 포함한 제 2 절연막 전면에 상기 제 1 폴리게이트의 측면에서 네가티브 경사면을 갖는 제 4 절연막을 형성하는 단계;상기 제 4 절연막의 네가티브 경사면 하부에 상기 제 4 절연막의 경사와 반대의 경사면을 갖는 제 5 절연막 리본을 형성하는 단계;상기 제 5 절연막 리본 및 상기 제 1 폴리게이트 상부의 상기 제 4 절연막을 포함한 전면상에 제 2 폴리실리콘층을 형성하는 단계;상기 제 2 폴리실리콘층을 선택적으로 제거하여 상기 제 1 폴리게이트 상측의 상기 제 4 절연막상에 제 2 폴리게이트를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 5 절연막 리본은 상기 제 4 절연막 전면에 제 5 절연막을 형성한후 상기 제 5 절연막을 에치백하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 5 절연막은 질화막으로 형성하고, 상기 제 4 절연막은 산화막으로 형성함을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970046529A KR100272564B1 (ko) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 고체촬상소자의제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970046529A KR100272564B1 (ko) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 고체촬상소자의제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990025069A KR19990025069A (ko) | 1999-04-06 |
| KR100272564B1 true KR100272564B1 (ko) | 2000-11-15 |
Family
ID=19521097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970046529A KR100272564B1 (ko) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 고체촬상소자의제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100272564B1 (ko) |
-
1997
- 1997-09-10 KR KR1019970046529A patent/KR100272564B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990025069A (ko) | 1999-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7183129B2 (en) | Method for manufacturing CMOS image sensor using spacer etching barrier film | |
| US7488617B2 (en) | CMOS image sensor and method for manufacturing the same | |
| JP5306294B2 (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 | |
| US7005315B2 (en) | Method and fabricating complementary metal-oxide semiconductor image sensor with reduced etch damage | |
| US5567632A (en) | Method for fabricating solid state image sensor device having buried type photodiode | |
| US20160240568A1 (en) | Multi-layer structure for high aspect ratio etch | |
| KR100558529B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| JPH05267695A (ja) | 赤外線撮像装置 | |
| KR940009601B1 (ko) | 전하전송장치의 제조방법 | |
| KR100223805B1 (ko) | 고체 촬상소자의 제조방법 | |
| JPS6057780A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| KR100272564B1 (ko) | 고체촬상소자의제조방법 | |
| KR100521807B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100365744B1 (ko) | 이미지 센서의 포토다이오드 및 그 제조 방법 | |
| JPH04207076A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| KR100311490B1 (ko) | 고체촬상소자의제조방법 | |
| KR100272558B1 (ko) | 고체 촬상 소자의 제조방법 | |
| KR930012126B1 (ko) | Ccd형 이미지 센서의 제조방법 및 그 구조 | |
| KR100664467B1 (ko) | 고체 촬상 장치의 제조 방법 | |
| JPH06326183A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100263479B1 (ko) | 고체 촬상 소자의 제조 방법 | |
| KR100262034B1 (ko) | 고체촬상소자의 제조방법 | |
| JP3156779B2 (ja) | 電荷転送素子及びその製造方法 | |
| KR950007359B1 (ko) | Ft-ccd의 구조 및 제조방법 | |
| KR100327430B1 (ko) | 고체 촬상 소자의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050718 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |