KR101009091B1 - 누화현상을 감소시킨 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 - Google Patents
누화현상을 감소시킨 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 시모스 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히, 소자분리막의 측벽과 저면에 빛을 반사시키는 금속실리사이드막을 형성하고 소자분리막을 기판과 접속되도록 깊게 형성하여 누화현상을 억제한 발명이다. 이를 위한 본 발명은 화소어레이부에 형성된 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역과, 상기 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역에 인접하여 형성된 소자분리막을 포함하는 이미지센서에 있어서, 상대적으로 고농도의 제 1 도전형의 기판과 상기 기판 상에 형성된 저농도의 제 1 도전형의 에피층; 상기 에피층을 관통하여 상기 기판과 접속된 트렌치 소자분리막; 상기 트렌치 소자분리막의 측벽 및 저변에 형성된 금속실리사이드막; 및 상기 에피층의 내부에 형성되되, 상기 기판과 접속되어 형성된 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역을 포함하여 이루어진다.
시모스 이미지센서, 누화, 트렌치 소자분리막, 실리사이드
Description
도1a는 4개의 트랜지스터와 포토다이오드로 구성된 시모스 이미지센서의 단위화소를 도시한 회로도,
도1b은 종래기술에 따른 시모스 이미지센서에서 포토다이오드와 트랜스퍼 트랜지스터를 중심으로 단위화소의 구성을 도시한 단면도,
도2a 내지 도2e는 본 발명의 일실시예에 따른 시모스 이미지센서의 제조공정을 도시한 공정단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
21 : p형 기판
22 : p형 에피층
23 : 산화막
24 : 질화막
25 : 포토레지스트
26 : 금속실리사이드막
27 : 절연막
28 : 트랜스퍼 트랜지스터
29 : n형 이온주입영역
30 : 스페이서
31 : p형 이온주입영역
32 : 플로팅확산영역
본 발명은 시모스 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 소자분리막의 측벽과 저면에 금속실리사이드막을 형성하고 소자분리막을 기판과 접속되도록 깊게 형성하여 누화현상을 감소시킨 시모스 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지센서라 함은 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 이중에서 전하결합소자(CCD : charge coupled device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, 시모스(Complementary MOS) 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수 만큼의 MOS트랜지스 터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
CCD(charge coupled device)는 구동 방식이 복잡하고 전력소모가 많으며, 마스크 공정 스텝 수가 많아서 공정이 복잡하고 시그날 프로세싱 회로를 CCD 칩내에 구현 할 수 없어 원칩(One Chip)화가 곤란하다는 등의 여러 단점이 있는 바, 최근에 그러한 단점을 극복하기 위하여 서브-마이크론(sub-micron) CMOS 제조기술을 이용한 CMOS 이미지센서의 개발이 많이 연구되고 있다. CMOS 이미지센서는 단위 화소(Pixel) 내에 포토다이오드와 모스트랜지스터를 형성시켜 스위칭 방식으로 차례로 신호를 검출함으로써 이미지를 구현하게 되는데, CMOS 제조기술을 이용하므로 전력 소모도 적고 마스크 수도 20개 정도로 30∼40개의 마스크가 필요한 CCD 공정에 비해 공정이 매우 단순하며 여러 신호 처리 회로와 원칩화가 가능하여 차세대 이미지센서로 각광을 받고 있다.
도1a는 통상의 CMOS 이미지센서에서 1개의 포토다이오드(PD)와 4개의 MOS 트랜지스터로 구성된 단위화소(Unit Pixel)를 도시한 회로도로서, 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(100)와, 포토다이오드(100)에서 모아진 광전하를 플로팅확산영역(102)으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(101)와, 원하는 값으로 플로팅확산영역의 전위를 세팅하고 전하를 배출하여 플로팅확산영역(102)를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터 (103)와, 소스 팔로워 버퍼 증폭기(Source Follower Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(104), 및 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(105)로 구성 된다. 단위 화소 밖에는 출력신호(Output Signal)를 읽을 수 있도록 로드(load) 트랜지스터(106)가 형성되어 있다.
도1b는 도1a에 도시된 이미지센서의 단위화소에서 포토다이오드와 트랜스퍼 트랜지스터(101)를 중심으로 그 단면구조를 도시한 도면으로, 단위화소를 구성하는 4개의 트랜지스터 중에서 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(16)만 도시하였으며 나머지 트랜지스터들은 도시하지 않았다.
이러한 점을 참조하면 설명하면 먼저, 상대적으로 고농도인 p형 반도체 기판(11) 상에 에피택셜 성장된 저농도의 p형 에피층(12)이 도시되어 있으며, p형 에피층(12)의 내부에는 활성영역과 필드영역을 정의하는 필드산화막(13)이 트렌치 구조를 이용하여 형성되어 있다.
통상적으로 이와같은 트렌치 구조의 필드산화막(13) 하부에는 채널스톱 이온주입영역(미도시)이 형성되어 있으며, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(16)의 양 측벽에는 스페이서(17)가 형성되어 있다.
p/n/p형 포토다이오드를 구성하는 p형 이온주입영역(14)은 일측은 스페이서(17)에 정렬되고 타측은 소자분리막(13)에 정렬되어 p형 에피층(12)의 표면으로부터 일정깊이에 형성되어 있으며, p형 이온주입영역(14)의 하부에는 n형 이온주입영역(15)이 에피층에 깊숙히 형성되어 있는데, n형 이온주입영역(15)의 일측은 게이트전극(16)에 정렬되어 있으며 타측은 소자분리막(13)에 정렬되어 있다. 이와 같이, 반도체 기판 표면근처에 형성된 p형 이온주입영역(14)과 그 하부에 위치한 n형 이온주입영역(15) 그리고 p형 에피층(12)이 pn 접합을 이루면서 p/n/p포토 다이오드 역할을 하게 된다.
도1b를 참조하면 포토다이오드를 구성하는 n형 이온주입영역(15)은 소자분리막(13)보다 기판 깊숙히 형성되어 있음을 알 수 있으며, n형 이온주입영역(15)과 p형 기판(11) 사이의 이격거리(B)는 1.0 ∼ 5.0㎛를 갖게 형성되었다. 또한, 소자분리막은 0.3 ∼ 1.0㎛ 의 깊이(A)를 갖게 형성되었다. 즉, 트렌치 구조(13)의 깊이가 포토다이오드를 구성하는 n형 이온주입영역 (15)이 깊이보다 얕고, 트렌치 구조(13)의 하단부에 형성된 고농도의 p형 에피층(12)은 인접화소와 서로 연결되어 있음을 알 수 있다.
이와같이 구성된 종래의 이미지센서에서는, 도1b에서와 같이 화살표 방향으로 입사한 빛은 소자분리막을 관통하여 인접화소에 전자-정공 쌍을 발생시켜 인접화소간의 누화현상을 일으키는 문제점이 있었다. 즉, 특정 단위화소로 입사한 빛은 특정 단위화소의 포토다이오드에 의해 광전변환되어 데이터를 출력해내야 하나, 도1b에 도시된 바와같이 특정화소로 입사한 빛이 소자분리막을 관통하여 인접화소로 침투하는 경우에는 누화현상을 일으키는 단점을 발생시킨다.
또한, 종래의 이미지센서에서는 입사하는 빛이 소자분리막을 관통하여 누화현상을 일으키는 단점이외에도 다음과 단점이 있었다. 적색광과 같이 장파장의 빛은 침투깊이가 깊기 때문에, 종종 n형 이온주입영역(15)보다 깊은 곳 까지 침투해 들어간다. 즉, 이러한 장파장은 빛은 n형 이온주입영역(15)을 통과하여 에피층(12)에 도달하여 전자-정공 쌍을 발생시키며, 도1b에 도시된 바와같이 인접화소들은 에피층(12)을 통해 서로 연결되어 있으므로, 이 또한 누화현상을 일으키는 요인으로 작용하였다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 트렌치 구조의 측벽과 저면에 빛을 반사시키는 금속실리사이드막을 형성하고 트렌치 소자분리막을 기판과 접속될 정도로 깊게 형성하여 누화현상을 감소시킨 시모스 이미지센서 및 그 제조방법을 제공함을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 화소어레이부에 형성된 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역과, 상기 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역에 인접하여 형성된 소자분리막을 포함하는 이미지센서에 있어서, 상대적으로 고농도의 제 1 도전형의 기판과 상기 기판 상에 형성된 저농도의 제 1 도전형의 에피층; 상기 에피층을 관통하여 상기 기판과 접속된 트렌치 소자분리막; 상기 트렌치 소자분리막의 측벽 및 저변에 형성된 금속실리사이드막; 및 상기 에피층의 내부에 형성되되, 상기 기판과 접속되어 형성된 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역을 포함하여 이루어진다.
또한 본 발명은, 화소어레이부에 형성된 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역과, 상기 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역에 인접하여 형성된 소자분리막을 포함하는 이미지센서의 제조방법에 있어서, 상대적으로 고농도인 제 1 도전형의 기판 상에 저농도의 제 1 도전형의 에피층을 형성하고 상기 에피층 상에 산화막과 질화막을 적층하여 형성하는 단계; 상기 질화막 상에 소자분리영역을 정의하는 식각마스크를 형성하고, 이를 이용하여 상기 에피층을 식각하여 상기 기판을 노출시키는 트렌치 구조를 형성하는 단계; 상기 트렌치 구조의 측벽과 저면에 금속실리사이드막을 형성하는 단계; 상기 트렌치 구조를 절연막으로 매립하고 화학기계연마를 수행하여 상기 에피층의 표면을 노출시키는 단계; 상기 에피층 상에 트랜스퍼 트랜지스터를 형성하는 단계; 및 상기 소자분리막과 상기 트랜스퍼 트랜지스터 사이에 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
본 발명은 시모스 이미지센서의 화소어레이 영역에서, 소자분리막의 측벽과 저면에 빛을 반사시키는 금속실리사이드막을 형성하고 또한, 소자분리막을 기판과 접속되도록 깊게 형성하여 인접화소간의 누화현상을 감소시킨 발명이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도2a 내지 도2e는 본 발명의 일실시예에 따른 시모스 이미지센서의 제조방법을 포토다이오드와 트랜스퍼 트랜지스터를 중심으로 도시한 공정단면도로서, 이를 참조하여 본 발명을 설명한다.
도2a 내지 도2e에 도시된 구조는 4개의 트랜지스터와 1개의 포토다이오드로 구성된 단위화소 중에서, 트랜스퍼 트랜지스터와 포토다이오드를 중심으로 그 구조를 도시한 도면으로, 통상적으로 시모스 이미지 센서에서는 4개의 트랜지스터와 1개의 포토다이오드로 구성된 단위화소를 복수개 구비하여 단위화소 어레이를 구성 한다.
도2e를 참조하면 설명하면, 본 발명의 일실시예에 따른 시모스 이미지센서는 상대적으로 고농도의 p형 기판(21)과, p형 기판(21) 상에 형성된 저농도의 p형 에피층(22)과, p형 에피층(22)을 관통하여 반도체 기판(21)을 노출시키는 트렌치 구조의 측벽 및 저변에 형성된 금속실리사이드 막(26)과, 트렌치 구조를 매립하며 형성된 소자분리막(27)과, p형 에피층(22) 상에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(28)과, 트랜스퍼 트랜지스터 게이트전극(28)의 양 측벽에 구비된 스페이서(30)와, 일측은 스페이서(30)에 정렬되고 타측은 금속실리사이드 막(26)에 정렬되어 p형 에피층(22) 표면으로부터 반도체 기판(21) 쪽으로 확장되어 형성된 p0 이온주입영역(31)과, 일측은 트랜스퍼 트랜지스터 게이트전극(28)에 정렬되고 타측은 금속실리사이드 막(26)에 정렬되어 p0 이온주입영역(31) 하부에 형성된 n형 이온주입영역(29)과, 트랜스퍼 트랜지스터의 타측에 형성된 플로팅확산영역(32)을 포함하여 이루어진다.
본 발명의 일실시예에서는 트렌치 구조의 측벽 및 저변에 빛을 반사시킬 수있는 금속실리사이드 막(26)을 구비한 소자분리막(27)을 사용함으로써, 인접화소로 입사하는 빛을 반사하여 누화현상을 억제하였다. 또한, 본 발명의 일실시예에서는 트렌치 구조를 깊게 형성하여 금속실리사이드 막(26)이 p형 기판(21)과 접속하도록 형성하였으며, 포토다이오드를 구성하는 n형 이온주입영역(29) 역시 깊게 형성하여 n형 이온주입영역(29)이 p형 기판(21)과 접속되도록 형성하였다.
도2e를 참조하면, 화살표 방향을 진행방향을 가지고 인접화소로 입사하는 빛 은 금속실리사이드 막(26)에 의해 반사되어, 원래 화소의 포토다이오드에 의해 광전변환되기 때문에 누화현상이 방지되고 있음을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 일실시예에서는 금속실리사이드 막(26)에 의해 반사된 빛이 에피층(22)의 깊숙한 영역으로 반사되어 나오더라도, 종래기술과 달리, n형 이온주입영역(29)이 기판(22)과 접속될 정도로 깊게 형성되었기 때문에 누화현상이 감소되었으며 또한, 원래 화소의 포토다이오드에 의해 광전변환될 수 있어 광전변화효율이 향상되는 장점이 있다.
그리고 장파장의 빛이 에피층(22)까지 침투한다 할지라도, 소자분리막(27)이 종래와는 달리 기판(21)과 접속될 정도로 깊숙히 형성되어 있기 때문에, 에피층을 통하여 인접화소 간의 누화현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 장파장이 빛이 에피층(22)마저 통과하여 기판(21)에 도달한다 할지라도, 고농도의 p형 기판(21) 영역에서는 전자-정공 쌍이 거의 발생하지 않으므로 누화현상을 더욱 더 방지할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서 사용된 금속실리사이드 막(26)으로는 티타늄실리사이드막(TiSi) 또는 코발트 실리사이드막(CoSi) 중 어느 하나를 사용하였으며, 트렌치 구조를 매립하며 형성된 소자분리막(27)으로 빛의 투과성이 나쁜 물질을 사용한다면 누화현상 방지효과를 더욱 높일 수 있다.
이어서 도2a 내지 도2e를 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 시모스 이미지센서의 제조방법을 설명한다. 먼저, 도2a에 도시된 바와같이 고농도의 p형 반도체 기판(21) 상에 저농도의 p형 에피층(22)을 성장시킨다.
도2a에 도시된 바와같이 고농도의 p형 기판(21) 상에 저농도의 p형 에피층(22)을 사용하는 이유는 첫째, 저농도의 p 에피층이 존재하므로 포토다이오드의 공핍영역(Depletion region)을 크고 깊게 증가시킬 수 있어 광전하를 모으기 위한 포토다이오드의 능력(ability)을 증가시킬 수 있다. 둘째, p형 에피층(22)의 하부에 고농도의 p+기판(21)을 갖게되면, 이웃하는 단위화소(pixel)로 전하가 확산되기 전에 이 전하가 빨리 재결합(Recombination)되기 때문에 광전하의 불규칙 확산(Random Diffusion)을 감소시켜 광전하의 전달 기능 변화를 감소시킬 수 있다.
다음으로 도2a에 도시된 바와같이 p형 에피층(22) 상에 산화막(23)과 질화막(24)을 적층하여 형성한다. 산화막(23)과 질화막(24)은 후속 트렌치 구조 식각시에 p형 에피층(22) 표면이 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다.
이어서 도2b에 도시된 바와같이 질화막(24) 상에 포토레지스트(25)를 도포하고 이를 패턴닝하여 트렌치 구조(40)가 형성될 질화막(24)의 표면을 노출시킨다. 이후 패터닝된 포토레지스트(25)를 식각마스크로 하여 질화막(24), 산화막(23), 에피층(22)을 차례로 식각하여 기판(21) 표면을 노출시키는 트렌치 구조를 형성한다.
본 발명의 일실시예에서는 트렌치 구조가 기판(21)과 접속될 정도로 깊게 형성되는데, 이는 트렌치 구조의 깊이를 증가시키거나 또는 에피층(22)의 두께를 얇게 조절함으로써 가능하다. 본 발명의 일실시예에서는 트렌치 구조(40)의 깊이를 1.0 ∼ 2.0㎛로 하였다. 그리고 식각마스크로는 본 발명의 일실시예에서 사용된 포토레지스트 이외에 다른 막이 사용될 수도 있으며, 또한, 트렌치 식각공정 이후에 막질의 특성을 개선하고 스트레스 완화를 위한 목적으로 열처리가 수행될 수 도 있 다.
이후에 포토레지스트(25)를 제거하고, 도2c에 도시된 바와같이 트렌치 구조(40)의 측벽 및 저변을 포함하는 전체 구조상에 금속막(26)을 증착한다. 금속막(26)으로는 빛을 반사하는 성질이 우수한 금속막을 사용하며, 본 발명의 일실시예에서는 티타늄막 또는 코발트막 중 어느 하나를 사용하였다.
이어서 열공정을 통해 상기 금속막(26)과 실리콘 웨이퍼를 반응시켜 금속실리사이드 막(26)을 형성한다. 이와같은 금속실리사이드 막(26)은 인접픽셀로 침투하는 빛을 반사시키는 역할을 하며 본 발명의 일시예에서는 100 ∼ 300Å의 두께를 갖게 형성하였다.
이후에, 도2c에 도시된 바와같이 소자분리막으로 사용될 절연막(27)을 전체 구조상에 도포한다. 트렌치 소자분리막(27)으로 빛에 대한 투과성이 나쁜 물질을 사용하면 더욱 효과적으로 누화현상을 방지할 수 있다.
이어서 도2d에 도시된 바와같이 전체구조 상에 화학기계연마(Chemical Mechanical Polishing : CMP)를 실시하여 에피층(22)의 표면을 노출시키면 본 발명의 일실시예에 따른 트렌치 소자분리막이 완성된다.
다음으로 도2e에 도시된 바와같이 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극과, 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역 및 플로팅확산영역을 형성한다. 이에 대해 상술하면 먼저, p형 에피층(22) 상에 게이트전극(28)을 형성하고 n형 이온주입영역(29)을 형성하기 위한 이온주입 마스크를 제작한다.
n형 이온주입영역(29)은 일측은 금속실리사이드 막(26)에 정렬되고 타측은 게이트 전극(28)에 정렬되므로, 이에 맞는 이온주입 마스크를 이용하여 n형 이온주입영역(29)을 형성한다. 본 발명의 일실시예에서는 n형 이온주입영역(29)의 깊이를 반도체 기판(21)에 접속될 정도로 깊게 형성하여 누화현상 방지와 포토다이오드의 전하저장능력을 향상시켰다.
이후에 게이트전극(28)의 양 측벽에 스페이서(30)를 형성한다. 다음으로 일측은 스페이서(30)에 정렬되며 타측은 금속실리사이드 막(26)에 정렬되는 p형 이온주입영역(31)을 p형 에피층(22)의 표면 하부에 형성한다. 다음으로 플로팅확산영역을 이루는 n형 불순물영역(32)을 게이트전극(28)의 타측에 형성하여 시모스 이미지센서를 제작였다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명이 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 있어 명백할 것이다.
본 발명을 시모스 이미지센서에 적용하면 인접화소로 침투하는 빛을 소자분리막의 측벽 및 저면에 구비된 반사막으로 반사시켜 인접화소간의 누화현상을 방지할 수 있으며 또한, n형 이온주입영역과 소자분리막을 기판과 접속될 정도로 깊게 형성함으로써 더욱 효과적으로 누화현상를 방지할 수 있다.
Claims (8)
- 화소어레이부에 형성된 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역과, 상기 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역에 인접하여 형성된 소자분리막을 포함하는 이미지센서에 있어서,상대적으로 고농도의 제 1 도전형의 기판과 상기 기판 상에 형성된 저농도의 제 1 도전형의 에피층;상기 에피층을 관통하여 상기 기판과 접속된 트렌치 소자분리막;상기 트렌치 소자분리막의 측벽 및 저변에 형성된 금속실리사이드막; 및상기 에피층의 내부에 형성되며, 상기 기판과 접속되어 형성된 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역을 포함하여 이루어지는 시모스 이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속실리사이드막은 코발트실리사이드막 또는 티타늄실리사이드막 중 어느 하나인, 시모스 이미지센서.
- 제 2 항에 있어서,상기 금속실리사이드막은 100 ∼ 300Å의 두께를 갖는, 시모스 이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 소자분리막은 1.0 ∼ 2.0㎛ 의 깊이를 갖는, 시모스 이미지센서.
- 화소어레이부에 형성된 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역과, 상기 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역에 인접하여 형성된 소자분리막을 포함하는 이미지센서의 제조방법에 있어서,상대적으로 고농도인 제 1 도전형의 기판 상에 저농도의 제 1 도전형의 에피층을 형성하고 상기 에피층 상에 산화막과 질화막을 적층하여 형성하는 단계;상기 질화막 상에 소자분리영역을 정의하는 식각마스크를 형성하고, 이를 이용하여 상기 에피층을 식각하여 상기 기판을 노출시키는 트렌치 구조를 형성하는 단계;상기 트렌치 구조의 측벽과 저면에 금속실리사이드막을 형성하는 단계;상기 트렌치 구조를 절연막으로 매립하고 화학기계연마를 수행하여 상기 에피층의 표면을 노출시키는 단계;상기 에피층 상에 트랜스퍼 트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 소자분리막과 상기 트랜스퍼 트랜지스터 사이에 포토다이오드를 형성하기 위한 도핑영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는, 시모스 이미지센서의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 금속실리사이드막은 코발트실리사이드막 또는 티타늄실리사이드막 중 어느 하나인, 시모스 이미지센서의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 금속실리사이드막은 100 ∼ 300Å의 두께를 갖게 형성되는, 시모스 이미지센서의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 트렌치 구조를 형성하는 단계에서,상기 트렌치 구조는 1.0 ∼ 2.0㎛ 의 깊이를 갖게 형성되는, 시모스 이미지센서의 제조방법.
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