JP2014060450A - 半導体イメージ・センサ - Google Patents
半導体イメージ・センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014060450A JP2014060450A JP2013260210A JP2013260210A JP2014060450A JP 2014060450 A JP2014060450 A JP 2014060450A JP 2013260210 A JP2013260210 A JP 2013260210A JP 2013260210 A JP2013260210 A JP 2013260210A JP 2014060450 A JP2014060450 A JP 2014060450A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- layer
- image sensor
- sensor
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】イメージ・センサを提供する。
【解決手段】イメージ・センサ１０は、Ｎ型導通領域２６と、Ｐ型ピン型層３７とを含むイメージ検出素子を有する。これら２つの領域は、異なる深さで２つのＰＮ接合部を形成し、これが異なる光の周波数における電荷キャリア捕集の効率を向上させる。導通領域２６は、導通領域２６の一部がＭＯＳトランジスタ３２のソースとして機能できるようにする角度付き注入によって形成される。
【選択図】図１
【解決手段】イメージ・センサ１０は、Ｎ型導通領域２６と、Ｐ型ピン型層３７とを含むイメージ検出素子を有する。これら２つの領域は、異なる深さで２つのＰＮ接合部を形成し、これが異なる光の周波数における電荷キャリア捕集の効率を向上させる。導通領域２６は、導通領域２６の一部がＭＯＳトランジスタ３２のソースとして機能できるようにする角度付き注入によって形成される。
【選択図】図１
Description
本発明は、一般に、半導体デバイスに関し、さらに詳しくは、半導体イメージ・センサに関する。
従来、ＣＭＯＳ（ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）デバイスで基板上に半導体イメージ・センサを形成するためにさまざまな方法が用いられてきた。一般に、センサの受光部は、フォトゲート（ｐｈｏｔｏ−ｇａｔｅ）とも呼ばれる大面積トランジスタのゲートとして、あるいはＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン接合部として形成される。フォトゲート・トランジスタ構成では、光を電気エネルギに変換するため、光がトランジスタのシリコン・ゲートを移動する必要がある。そのため、フォトゲート構成は感度が低下する。さらに、空乏領域が一般に浅い（１ミクロン以下）ので、赤色光吸収によって生じるキャリアの捕集効率が低下する。また、従来のフォトゲート構成は、表面再結合によって生じる雑音を受けやすい。
一般に、ソース・ドレイン接合構成は、トランジスタ動作用に最適化された接合部を有し、そのため接合部が浅く、その結果、赤色光によって生じるキャリアの捕集効率が悪い。ソース・ドレイン接合構成の別の欠点は、接合空乏領域の幅を制限する高濃度（１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上）の領域に接合部が一般に形成され、そのため赤色光吸収によって生じるキャリアの捕集効率をさらに低減することである。さらに、接合部をこのような高濃度の領域に形成することにより、大きなキャパシタンスが生じ、これは光検出素子から別の電子素子に移動できる電荷量を低減する。
従来のＣＭＯＳイメージ・センサ構成は、多くの場合、イメージ検出素子の上に珪化物層を形成し、それにより感度をさらに低減する。
従って、フォトゲートを利用せず、それにより高効率が得られ、また浅い接合深さを有さず、それにより効率を向上させ、また表面再結合からの雑音を最小限に抑え、また光検出領域の上に珪化物を利用せず、それにより効率をさらに向上させ、また光のすべての波長についてキャリア変換をさらに向上させるために広い空乏領域を有し、また大きなキャパシタンスを有さず、イメージ検出素子から他の電子素子に移動される電荷を最小限に抑えるイメージ・センサを設けることが望ましい。
図１は半導体イメージ・センサ１０の拡大断面図を示す。センサ１０は、半導体基板１１とその上に形成されたエンハンスメント層１２とによって形成された下層Ｐ型基板を含む。センサ１０は、下層基板の第１部分１３に形成された第１ウェルまたはＰ型ウェル１６を有する。一般に、ウェル１６は、下層基板の層１２の第２部分１４におけるドーピング濃度よりも高いドーピング濃度を有する。層１２の部分１３，１４は、層１２の下に示すブラケットによって識別される。この層１２の第２部分は、下層基板内に第２ウェルを形成する。ウェル１６の表面ドーピング濃度は、一般に少なくとも１ｘ１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。ウェル１６の第１深さまたは深さ２４は一般に層１２の深さよりも小さく、また基板１１上に他のＣＭＯＳデバイスを形成しやすくするために、一般に約２〜４ミクロンである。
センサ１０のイメージ捕捉素子または光検出素子は、第２ウェルまたは第２部分１４に形成されたＮ型導通領域を含む。導通領域２６は、下層基板のＰ型材料と第１ＰＮ接合部を形成する。この第１ＰＮ接合部は、赤色波長の光を容易に検出するために導通領域２６の第２深さまたは深さ２９に配置され、下層基板の表面から一般に約０．７ミクロン以下であり、好ましくは０．５ミクロンである。Ｐ型ピン型層（Ｐ−ｔｙｐｅ ｐｉｎｎｉｎｇ ｌａｙｅｒ）３７は領域２６内に形成され、また下層基板と電気接続を形成するために領域２６から下層基板の層１２内へと延在する。この電気接続は、イメージ・センサのこの素子に印加される電位を固定（ｐｉｎ）する。そのため、これによって得られるフォトダイオードはピン型フォトダイオード（ｐｉｎｎｅｄ ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）と呼ばれることが多い。第２ＰＮ接合部は、層３７と領域２６との交差部分に沿って形成される。一般に、層３７は、基板１１上の他のＰチャネルＭＯＳトランジスタ（図示せず）の低濃度ドレインおよびソース領域の形成と同時に形成される。第２ＰＮ接合部の深さは、第１ＰＮ接合部の深さよりも小さい。この深さは、青色波長の光の吸収または検出を最適化するように選択される。伝達トランジスタまたは第１ＭＯＳトランジスタ３２は、領域２６の一部がトランジスタ３２のソースを形成するように、導通領域２６に隣接して形成される。第２ＭＯＳトランジスタまたはリセットＭＯＳトランジスタ３１は、ウェル１６内に形成される。トランジスタ３１は、結合領域４１によってトランジスタ３２に電気結合されたソースを有する。
導通領域２６は、トランジスタ３２のゲート２２の一部まで延在する部分１４の表面の一部を露出する開口部を有するマスクを適用することによって形成される。次に、領域２６がゲート２２の下に延在するように、基板１１に対する垂直線からゲート方向に離れた角度で、ドーパントが注入され、それにより領域２６およびトランジスタ３２のソースの形成においてマスキングおよび他の処理工程を節約する。
図２は、図１に示すセンサ１０の製造の実施例における段階の拡大断面図を示す。センサ１０は、低濃度のＰ型エンハンスメント層１１がその上に形成された高濃度のＰ型基板１１を含む。一般に、基板１１は少なくとも１ｘ１０１６、好ましくは１ｘ１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の第１またはＰ型ドーピング濃度を有し、層１２は約１ｘ１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のＰ型ドーピング濃度を有する。さらに、層１２は、第１ウェルまたはＰウェル１６が形成される第１部分１３と、センサ１０の光検出素子が形成される第２ウェルまたは第２部分１４とを含む。高濃度の基板１１の上にある低濃度の第２部分１４において光検出素子を形成することは、この光検出素子におけるキャリア捕集を向上させる。
Ｐ型ウェル１６は、層１２の第１部分１３の表面を露出するためマスク１７を適用することによって形成される。ドーパントは、ウェル１６を形成するために露出表面内に形成される。ウェル１６を形成した後、マスク１７は除去される。
図３は、以降の形成段階における図１および図２に示すセンサ１０の拡大断面図を示す。図１，図２および図３における同様な要素は同一参照番号を有する。ゲート酸化物１８は、センサ１０の表面全体に形成される。その後、ＭＯＳトランジスタ３１，３２のチャネルの形成を容易にするため、チャネル・ドーピング領域１９が形成される。ゲート２３，２２は、トランジスタ３１，３２の形成をそれぞれ容易にするため、酸化物１８の上に形成される。
次に、導通領域２６が形成される第２部分１４の領域を露出するため、マスク２１が適用される。マスク２１は、第２部分１４におけるゲート酸化物１８の表面の一部を露出する開口部であって、この露出部分はゲート２２のエッジから第２部分１４内に延在し、またゲート２２の一部も露出する。矢印２７によって表されるドーパントは、ゲート２２方向への角度２８で注入される。角度２８は、センサ１０の表面に対する垂直な線から測られる。角度２８は、センサ１０の表面に対する垂直線から、一般に１５度以上であり、好ましくは少なくとも２５度である。この角度付き注入は、トランジスタ３２のソースとして機能する領域２６の一部を利用することを容易にするため、領域２６がゲート２２のわずか下を延在することを保証するために用いられ、これによりトランジスタ３２のチャネルを導通領域２６に接続する。領域２６を形成した後、マスク２１は除去される。
あるいは、領域２６を形成するために２つの異なる注入を利用できる。例えば１２０〜１９０ｋｅＶの高エネルギ注入は、層１２内に深く領域２６を形成するために、センサ１０の表面に対してほぼ垂直に利用できる。次に、例えば９０〜１３０ｋｅＶの低エネルギ注入は、領域２６の一部がゲート２２の下に延在することを保証するために、角度２８と実質的に等しい角度および低いエネルギにて形成できる。
図４は、センサ１０の形成における以降の段階を示す。図１，図２，図３および図４における同様な要素は、同一の参照番号によって表される。トランジスタ３２のドレインと、トランジスタ３１のソースおよびドレインとを形成するための領域を露出する開口部を有するマスクが適用される。次に、ソースおよびドレイン領域をゲート２２，２３に自己整合させるために、ゲート２２，２３のエッジをマスクとして利用することにより、ソース・ドレイン・ドーパント３３は形成される。その後、マスク３４は除去される。
図５は、センサ１０の形成における以降の段階の拡大断面図を示す。図１，図２，図３，図４および図５における同様な要素は、同一の参照番号によって表される。ゲート２２のエッジと、導通領域２６の表面と、領域２６を超えて延在する、矢印によって示される領域５６とを露出する開口部を有するマスク３６が適用される。領域２６の露出部分内に、また領域２６から領域５６内に延在し、かつトランジスタ３２から離れて延在して、Ｐ型ピン型層３７を形成するため、Ｐ型ドーパントは露出面に形成される。層３７の深さおよびドーピング濃度は、すべての光誘導電荷を領域２６からトランジスタ３２のドレインに移動することを促進するように選択される。一般に、層３７は、約０．２〜０．３ミクロンの深さを有し、約５ｘ１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上の表面ドーピング濃度を有する。層３７を形成した後、マスク３６は除去される。
図６は、センサ１０の形成における以降の段階を示す。図１，図２，図３，図４，図５および図６における同様な要素は、同一の参照番号によって表される。誘電材料がセンサ１０の表面に適用され、パターニングされ、ゲート２２，２３の側壁上にスペーサ３９を形成し、またセンサ１０の光検出素子の上に誘電被覆３８を形成する。一般に、被覆３８はゲート２２の上に延在し、以降の工程のためのマスクを形成する。スペーサ３９および被覆３８を形成するために用いられる材料は、下層基板の誘電率と、被覆３８の上にある材料の誘電率との間の誘電率を有するように選択される。被覆３８の誘電率は、下層半導体材料と被覆３８の上に配置される他の誘電体または材料との間の反射を最小限に抑えるために選択される。例えば、被覆３８の材料は、青色スペクトルと赤色スペクトルとの間の光の反射を最小限に抑えるため、３０〜７０ナノメートルの厚さを有する窒化シリコンでもよい。さらに、１３０〜２００ナノメートルの厚さでも適切に機能する。酸化アルミニウムおよび窒化アルミニウムなど他の材料も、被覆３８およびスペーサ３９を形成するのに適した材料と考えられる。
次に、スペーサ３９および被覆３８は、層１２におけるＮ型ドーパントを形成するためのマスクとして利用され、その結果、ドレイン４２およびソース４３を電気接続する結合領域４１が形成される。
図７は、センサ１０の形成における以降の段階を示す。図１ないし図７における同様な要素は、同一の参照番号によって表される。結合領域４１およびゲート２２，２３に対して形成されたコンタクトの抵抗を最小限に抑えるため、低抵抗材料が適用される。一般に、センサ１０全体にチタンがブランケット被着され、次にアニール処理され、露出した下層シリコン材料を有する珪化チタンを形成する。そのため、層３８は、領域２６および層３７によって形成されるフォトダイオードの上に珪化物を形成することを防ぐ。珪化チタンを形成しない残りのチタンは除去され、それによりゲート２２，２３の上の低抵抗コンタクト材料４４と、結合領域４１とが残る。このような形成方法は当業者に周知である。一般に、図示しない層間誘電体は、センサ１０と、その適切な部分に対して形成されたコンタクトの上に形成される。
図８は、センサ１０のピン型層３７を形成するための別の実施例を示す。図３で説明したように導通領域２６を形成した後、図３に示した角度２８とは反対の角度にて注入を行うことにより、層３７を形成できる。この実施例では、矢印４７によって表されるドーパントは、センサ１０の表面に対する垂直線から角度４８にて、ゲート２２から離れて注入される。一般に、角度４８は、層３７の一部がトランジスタ３２から離れて、領域２６から外側に延在することを保証するため、１０〜２５度である。この層３７の部分は、エンハンスメント層１２とのコンタクトを形成するために利用される。一部の処理シーケンスに対して、この別の実施例は処理工程数を低減できる。
以上、新規なイメージ・センサおよびその方法が提供されたことが理解できよう。高濃度の領域の上にある低濃度の領域にイメージ・センサを形成することは、キャリア捕集を向上させる。深い導通領域および浅いピン型層を形成することは、２つのＰＮ接合部を形成し、ここで一方のＰＮ接合部およびその関連する空乏領域は、赤色波長の光を捕捉すること促進するために深く、また他方のＰＮ接合部およびその関連する空乏領域は浅く、青色波長光の捕捉を促進する。また、この構造は表面再結合を最小限に抑え、電荷移動を最大限にする。導通領域を形成するために角度付き注入を利用することは、この導通領域を電荷移動トランジスタのソースとして利用できることを保証し、それにより製造工程を最小限に抑えることができる。下層基板の誘電率と上層材料の誘電率との間の誘電率を有する誘電材料を利用することは、反射を最小限に抑え、センサの効率を向上させる。また、光検出素子から上層の珪化物をなくすことは、センサの効率を改善する。
１０ 半導体イメージ・センサ
１１ 半導体基板
１２ エンハンスメント層
１３ 第１部分
１４ 第２部分
１６ 第１ウェル（Ｐ型ウェル）
１７ マスク
１８ ゲート酸化物
１９ チャネル・ドーピング領域
２１ マスク
２２，２３ ゲート
２４ 第１深さ（ウェル１６の深さ）
２６ Ｎ型導通領域
２７ ドーパント
２８ 角度
２９ 第２深さ（導通領域２６の深さ）
３１ リセット・トランジスタ（第２ＭＯＳトランジスタ）
３２ 伝達トランジスタ（第１ＭＯＳトランジスタ）
３３ ソース・ドレイン・ドーパント
３４ マスク
３６ マスク
３７ Ｐ型ピン型層
３８ 誘電被覆
３９ スペーサ
４１ 結合領域
４２ ドレイン
４３ ソース
４４ 低抵抗コンタクト材料
４７ ドーパント
４８ 角度
１１ 半導体基板
１２ エンハンスメント層
１３ 第１部分
１４ 第２部分
１６ 第１ウェル（Ｐ型ウェル）
１７ マスク
１８ ゲート酸化物
１９ チャネル・ドーピング領域
２１ マスク
２２，２３ ゲート
２４ 第１深さ（ウェル１６の深さ）
２６ Ｎ型導通領域
２７ ドーパント
２８ 角度
２９ 第２深さ（導通領域２６の深さ）
３１ リセット・トランジスタ（第２ＭＯＳトランジスタ）
３２ 伝達トランジスタ（第１ＭＯＳトランジスタ）
３３ ソース・ドレイン・ドーパント
３４ マスク
３６ マスク
３７ Ｐ型ピン型層
３８ 誘電被覆
３９ スペーサ
４１ 結合領域
４２ ドレイン
４３ ソース
４４ 低抵抗コンタクト材料
４７ ドーパント
４８ 角度
Claims (2)
- イメージ・センサであって、
基板と、
前記基板上のピン型フォトダイオードと、
前記ピン型フォトダイオード上の誘電体層と、
前記イメージ・センサの一部の上の珪化物層とを備え、
前記ピン型フォトダイオード上の領域には、前記珪化物層が形成されていないことを特徴とするイメージ・センサ。 - 請求項１に記載のイメージ・センサであって、前記イメージ・センサの一部の上の珪化物層は、ＭＯＳトランジスタのゲート上の珪化物層を含むことを特徴とするイメージ・センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US970720 | 1997-11-14 | ||
| US08/970,720 US6023081A (en) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | Semiconductor image sensor |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009282709A Division JP2010062588A (ja) | 1997-11-14 | 2009-12-14 | 半導体イメージ・センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014060450A true JP2014060450A (ja) | 2014-04-03 |
Family
ID=25517395
Family Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10322993A Pending JPH11233749A (ja) | 1997-11-14 | 1998-11-13 | 半導体イメージ・センサおよびその方法 |
| JP2009282709A Pending JP2010062588A (ja) | 1997-11-14 | 2009-12-14 | 半導体イメージ・センサ |
| JP2013260210A Pending JP2014060450A (ja) | 1997-11-14 | 2013-12-17 | 半導体イメージ・センサ |
| JP2013260219A Expired - Lifetime JP5868932B2 (ja) | 1997-11-14 | 2013-12-17 | 半導体イメージ・センサ |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10322993A Pending JPH11233749A (ja) | 1997-11-14 | 1998-11-13 | 半導体イメージ・センサおよびその方法 |
| JP2009282709A Pending JP2010062588A (ja) | 1997-11-14 | 2009-12-14 | 半導体イメージ・センサ |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013260219A Expired - Lifetime JP5868932B2 (ja) | 1997-11-14 | 2013-12-17 | 半導体イメージ・センサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6023081A (ja) |
| JP (4) | JPH11233749A (ja) |
| KR (1) | KR100607833B1 (ja) |
| CN (1) | CN1146036C (ja) |
| TW (1) | TW511286B (ja) |
Families Citing this family (71)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6333526B1 (en) * | 1997-11-27 | 2001-12-25 | Nec Corporation | Charge transfer device and a manufacturing process therefor |
| JPH11274454A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその形成方法 |
| JP2921567B1 (ja) * | 1998-04-22 | 1999-07-19 | 松下電子工業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP4061609B2 (ja) * | 1998-06-29 | 2008-03-19 | マグナチップセミコンダクター有限会社 | 延伸されたピンドフォトダイオ―ドを有するイメ―ジセンサ及びその製造方法 |
| US6084259A (en) * | 1998-06-29 | 2000-07-04 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Photodiode having charge transfer function and image sensor using the same |
| KR100384836B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2003-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
| JP3934827B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| DE19933162B4 (de) * | 1999-07-20 | 2004-11-11 | Institut für Mikroelektronik Stuttgart Stiftung des öffentlichen Rechts | Bildzelle, Bildsensor und Herstellungsverfahren hierfür |
| JP3624140B2 (ja) * | 1999-08-05 | 2005-03-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法、デジタルスチルカメラ又はデジタルビデオカメラ |
| US6333205B1 (en) * | 1999-08-16 | 2001-12-25 | Micron Technology, Inc. | CMOS imager with selectively silicided gates |
| US6194258B1 (en) * | 2000-01-18 | 2001-02-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of forming an image sensor cell and a CMOS logic circuit device |
| JP3782297B2 (ja) | 2000-03-28 | 2006-06-07 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP3664939B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2005-06-29 | 富士通株式会社 | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 |
| JP2001308304A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-11-02 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
| US6303406B1 (en) * | 2000-06-08 | 2001-10-16 | United Microelectronics Corp. | Method for integrating anti-reflection layer and salicide block |
| US6448595B1 (en) * | 2000-06-26 | 2002-09-10 | Twin Han Technology Co., Ltd. | Active photodiode CMOS image sensor structure |
| TW449939B (en) * | 2000-07-03 | 2001-08-11 | United Microelectronics Corp | Photodiode structure |
| US6518085B1 (en) | 2000-08-09 | 2003-02-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for making spectrally efficient photodiode structures for CMOS color imagers |
| US6734071B1 (en) | 2000-08-30 | 2004-05-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming insulative material against conductive structures |
| US6566697B1 (en) * | 2000-11-28 | 2003-05-20 | Dalsa, Inc. | Pinned photodiode five transistor pixel |
| US6504195B2 (en) * | 2000-12-29 | 2003-01-07 | Eastman Kodak Company | Alternate method for photodiode formation in CMOS image sensors |
| US6580106B2 (en) | 2001-01-12 | 2003-06-17 | Isetex. Inc | CMOS image sensor with complete pixel reset without kTC noise generation |
| US6713796B1 (en) | 2001-01-19 | 2004-03-30 | Dalsa, Inc. | Isolated photodiode |
| KR100562669B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2006-03-20 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 살리사이드 공정을 이용한 이미지센서 제조 방법 |
| JP4470734B2 (ja) * | 2002-05-14 | 2010-06-02 | ソニー株式会社 | 半導体装置とその製造方法、並びに電子機器 |
| JP3840203B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2006-11-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置を用いたカメラシステム |
| KR100864844B1 (ko) * | 2002-06-28 | 2008-10-23 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨모스 이미지센서 제조방법 |
| KR20040036087A (ko) * | 2002-10-23 | 2004-04-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광의 파장에 따라 포토다이오드의 깊이가 다른 씨모스이미지센서 및 그 제조 방법 |
| KR100479208B1 (ko) * | 2002-10-23 | 2005-03-28 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 살리사이드 공정을 이용한 이미지센서의 제조 방법 |
| KR100977099B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2010-08-23 | 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 | 실리사이드 공정의 공정 마진을 향상시킨 시모스 이미지 센서의 제조 방법 |
| EP1465258A1 (en) * | 2003-02-21 | 2004-10-06 | STMicroelectronics Limited | CMOS image sensors |
| US6897504B2 (en) * | 2003-03-31 | 2005-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing | Salicided MOS device and one-sided salicided MOS device, and simultaneous fabrication method thereof |
| JP3977285B2 (ja) | 2003-05-15 | 2007-09-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| US7148528B2 (en) * | 2003-07-02 | 2006-12-12 | Micron Technology, Inc. | Pinned photodiode structure and method of formation |
| US6900484B2 (en) * | 2003-07-30 | 2005-05-31 | Micron Technology, Inc. | Angled pinned photodiode for high quantum efficiency |
| JP4155568B2 (ja) * | 2003-08-07 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP2005079567A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置、その製造方法およびカメラ |
| WO2005036646A1 (de) * | 2003-10-07 | 2005-04-21 | Institut Für Mikroelektronik Stuttgart | Halbleiterschaltungsanordnung mit einer photodiode |
| JP4758061B2 (ja) * | 2003-10-16 | 2011-08-24 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US7420233B2 (en) * | 2003-10-22 | 2008-09-02 | Micron Technology, Inc. | Photodiode for improved transfer gate leakage |
| US7105906B1 (en) | 2003-11-19 | 2006-09-12 | National Semiconductor Corporation | Photodiode that reduces the effects of surface recombination sites |
| US7037764B2 (en) * | 2004-02-26 | 2006-05-02 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a contact in a pixel cell |
| US20050274994A1 (en) * | 2004-06-14 | 2005-12-15 | Rhodes Howard E | High dielectric constant spacer for imagers |
| KR100660324B1 (ko) * | 2004-07-01 | 2006-12-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| JP4647404B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2011-03-09 | 三星電子株式会社 | 転送ゲート電極に重畳しながら自己整列されたフォトダイオードを有するイメージセンサの製造方法 |
| KR100570819B1 (ko) * | 2004-07-07 | 2006-04-12 | 삼성전자주식회사 | 전송 게이트 전극들에 중첩하면서 자기정렬된 포토다이오드들을 갖는 이미지 센서의 화소들을 제조하는방법들 및 그에 의해 제조된 이미지 센서의 화소들 |
| KR100653691B1 (ko) * | 2004-07-16 | 2006-12-04 | 삼성전자주식회사 | 적어도 메인 화소 어레이 영역의 전면을 노출시키는패시베이션막을 갖는 이미지 센서들 및 그 제조방법들 |
| JP4646577B2 (ja) | 2004-09-01 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、その製造方法及び撮像システム |
| US7071019B2 (en) * | 2004-09-16 | 2006-07-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method to improve image sensor sensitivity |
| KR100606910B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-08-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
| CN100389498C (zh) * | 2005-06-07 | 2008-05-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 制备cmos图像传感器-混合硅化物的方法 |
| KR100720474B1 (ko) * | 2005-06-17 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| CN100395883C (zh) * | 2005-06-28 | 2008-06-18 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 利用独立的源极形成的cmos图像传感器件和方法 |
| JP4313789B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2009-08-12 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体撮像装置およびその製造方法 |
| WO2007015420A1 (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置 |
| US20070069260A1 (en) * | 2005-09-28 | 2007-03-29 | Eastman Kodak Company | Photodetector structure for improved collection efficiency |
| US7875916B2 (en) * | 2005-09-28 | 2011-01-25 | Eastman Kodak Company | Photodetector and n-layer structure for improved collection efficiency |
| US7728277B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-06-01 | Eastman Kodak Company | PMOS pixel structure with low cross talk for active pixel image sensors |
| US7619266B2 (en) * | 2006-01-09 | 2009-11-17 | Aptina Imaging Corporation | Image sensor with improved surface depletion |
| US7371599B2 (en) * | 2006-04-17 | 2008-05-13 | United Microeletronics Corp. | Image sensor and method of forming the same |
| US20070241372A1 (en) * | 2006-04-18 | 2007-10-18 | Ching-Hung Kao | Image sensor device and method of manufacturing the same |
| JP2008021957A (ja) * | 2006-06-15 | 2008-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US20090250110A1 (en) * | 2006-07-14 | 2009-10-08 | The Regents Of The University Of California | Forward scattering nanoparticle enhancement method and photo detector device |
| KR100792334B1 (ko) * | 2006-08-21 | 2008-01-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
| CN100517651C (zh) * | 2006-12-15 | 2009-07-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Cmos图像传感器的像素单元的形成方法 |
| KR20090003854A (ko) * | 2007-07-05 | 2009-01-12 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| JP5487798B2 (ja) * | 2009-08-20 | 2014-05-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子機器および固体撮像装置の製造方法 |
| US20110177650A1 (en) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Omnivision Technologies, Inc. | Cmos image sensor with self-aligned photodiode implants |
| FR2986906B1 (fr) | 2012-02-15 | 2015-06-19 | New Imaging Technologies Sas | Structure de pixel actif a transfert de charge ameliore |
| JP5624644B2 (ja) * | 2013-05-08 | 2014-11-12 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| US9570494B1 (en) * | 2015-09-29 | 2017-02-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method for forming a semiconductor image sensor device |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5386516A (en) * | 1977-01-10 | 1978-07-31 | Hitachi Ltd | Solid state pickup device |
| JPS63266869A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS63266870A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | 多層配線部材の製造方法 |
| JPS6414958A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Nec Corp | Solid-state image pickup element |
| JPS6425690A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-27 | Hitachi Ltd | Solid-state image pickup device |
| JPH05315591A (ja) * | 1992-05-11 | 1993-11-26 | Sony Corp | Ｃｃｄ撮像素子の光電子読み出し部の形成方法 |
| JPH0730088A (ja) * | 1993-07-13 | 1995-01-31 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH08162624A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-21 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
| JPH08335688A (ja) * | 1995-04-13 | 1996-12-17 | Eastman Kodak Co | ピン光ダイオード集積能動画素センサー |
| JPH09199703A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Canon Inc | 光電変換装置と半導体集積回路 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS567304B2 (ja) * | 1972-08-28 | 1981-02-17 | ||
| US4484210A (en) * | 1980-09-05 | 1984-11-20 | Nippon Electric Co., Ltd. | Solid-state imaging device having a reduced image lag |
| JPS61128560A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | Fuji Electric Co Ltd | イメ−ジセンサ |
| JPS61154063A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Toshiba Corp | 光半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0695571B2 (ja) * | 1985-10-12 | 1994-11-24 | 新技術事業団 | 光電変換装置 |
| US4735680A (en) * | 1986-11-17 | 1988-04-05 | Yen Yung Chau | Method for the self-aligned silicide formation in IC fabrication |
| JPS63174358A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-18 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH0787243B2 (ja) * | 1990-10-18 | 1995-09-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体装置 |
| KR920010433A (ko) * | 1990-11-23 | 1992-06-26 | 백중영 | 수치제어 공작기계의 시뮬레이션 장치 |
| JPH04355964A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2970158B2 (ja) * | 1991-12-20 | 1999-11-02 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| DE69321822T2 (de) * | 1993-05-19 | 1999-04-01 | Hewlett Packard Gmbh | Photodiodenstruktur |
| JP2621767B2 (ja) * | 1993-07-30 | 1997-06-18 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子 |
| US5356683A (en) * | 1993-10-28 | 1994-10-18 | Rohm And Haas Company | Expandable coating composition |
| JP3494312B2 (ja) * | 1994-04-08 | 2004-02-09 | ソニー株式会社 | 半導体記憶装置 |
| KR0136924B1 (ko) * | 1994-07-06 | 1998-04-24 | 문정환 | 씨씨디(ccd) 영상소자의 제조방법 |
| KR0136925B1 (ko) * | 1994-09-29 | 1998-04-24 | 문정환 | 고체촬상소자의 제조방법 |
| JP3316106B2 (ja) * | 1995-06-08 | 2002-08-19 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US6100556A (en) * | 1997-11-14 | 2000-08-08 | Motorola Inc. | Method of forming a semiconductor image sensor and structure |
-
1997
- 1997-11-14 US US08/970,720 patent/US6023081A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-10-14 TW TW087117064A patent/TW511286B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-11-12 CN CNB981242200A patent/CN1146036C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-13 JP JP10322993A patent/JPH11233749A/ja active Pending
- 1998-11-13 KR KR1019980048523A patent/KR100607833B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-01-28 US US09/493,366 patent/US6221686B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-12-14 JP JP2009282709A patent/JP2010062588A/ja active Pending
-
2013
- 2013-12-17 JP JP2013260210A patent/JP2014060450A/ja active Pending
- 2013-12-17 JP JP2013260219A patent/JP5868932B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5386516A (en) * | 1977-01-10 | 1978-07-31 | Hitachi Ltd | Solid state pickup device |
| JPS63266869A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS63266870A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | 多層配線部材の製造方法 |
| JPS6414958A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Nec Corp | Solid-state image pickup element |
| JPS6425690A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-27 | Hitachi Ltd | Solid-state image pickup device |
| JPH05315591A (ja) * | 1992-05-11 | 1993-11-26 | Sony Corp | Ｃｃｄ撮像素子の光電子読み出し部の形成方法 |
| JPH0730088A (ja) * | 1993-07-13 | 1995-01-31 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH08162624A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-21 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
| JPH08335688A (ja) * | 1995-04-13 | 1996-12-17 | Eastman Kodak Co | ピン光ダイオード集積能動画素センサー |
| JPH09199703A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Canon Inc | 光電変換装置と半導体集積回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990045258A (ko) | 1999-06-25 |
| KR100607833B1 (ko) | 2006-10-31 |
| TW511286B (en) | 2002-11-21 |
| JPH11233749A (ja) | 1999-08-27 |
| JP2014053646A (ja) | 2014-03-20 |
| CN1217573A (zh) | 1999-05-26 |
| JP5868932B2 (ja) | 2016-02-24 |
| CN1146036C (zh) | 2004-04-14 |
| JP2010062588A (ja) | 2010-03-18 |
| US6221686B1 (en) | 2001-04-24 |
| US6023081A (en) | 2000-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5868932B2 (ja) | 半導体イメージ・センサ | |
| EP2284896B1 (en) | Solid state imaging device having a photodiode and a MOSFET | |
| KR100647959B1 (ko) | 능동픽셀센서및그제조방법 | |
| US6100556A (en) | Method of forming a semiconductor image sensor and structure | |
| US6184055B1 (en) | CMOS image sensor with equivalent potential diode and method for fabricating the same | |
| US20020011611A1 (en) | CMOS image sensor and method of manufacture | |
| US6514785B1 (en) | CMOS image sensor n-type pin-diode structure | |
| US6392263B1 (en) | Integrated structure for reduced leakage and improved fill-factor in CMOS pixel | |
| US6091093A (en) | Photodiode having transparent insulating film around gate islands above p-n junction | |
| US6410359B2 (en) | Reduced leakage trench isolation | |
| US6621064B2 (en) | CMOS photodiode having reduced dark current and improved light sensitivity and responsivity | |
| US6566722B1 (en) | Photo sensor in a photo diode on a semiconductor wafer | |
| US6194260B1 (en) | Method of forming a CMOS sensor | |
| JP3884600B2 (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
| KR100748323B1 (ko) | 이미지센서 제조 방법 | |
| KR100521807B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100329770B1 (ko) | 반구형상의포토다이오드를갖는이미지센서 | |
| KR100326267B1 (ko) | 큰정전용량의포토다이오드를갖는이미지센서및그제조방법 | |
| KR20010061356A (ko) | 저전압 포토다이오드의 도핑 프로파일 개선을 위한이미지센서의 단위화소 제조방법 | |
| US20010045584A1 (en) | Cmos sensor with shallow and deep regions | |
| KR100700266B1 (ko) | 이미지센서 제조 방법 | |
| KR100790286B1 (ko) | 이미지센서 제조 방법 | |
| JP2004247647A (ja) | フォトダイオードおよびイメージセンサ | |
| KR100776150B1 (ko) | 이미지센서 제조 방법 | |
| JPH05183184A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140507 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140806 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140811 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140829 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140903 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141006 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20141009 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141107 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150512 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150811 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150903 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150928 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160315 |