CN1146036C - 半导体图象传感器及其制造方法 - Google Patents

半导体图象传感器及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1146036C
CN1146036C CNB981242200A CN98124220A CN1146036C CN 1146036 C CN1146036 C CN 1146036C CN B981242200 A CNB981242200 A CN B981242200A CN 98124220 A CN98124220 A CN 98124220A CN 1146036 C CN1146036 C CN 1146036C
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
embeding
conduction region
substrate
image sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB981242200A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1217573A (zh
Inventor
���︣�¡�I������
克里福德·I·德罗雷
S�����ɭ
马克·S·思文森
J����ɭ
珍尼弗·J·帕特森
西里纳思·拉马瓦米
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tong song Co.,Ltd.
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=25517395&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN1146036(C) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of CN1217573A publication Critical patent/CN1217573A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1146036C publication Critical patent/CN1146036C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements

Landscapes

  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

一种图象传感器(10)，具有图象敏感元件，该元件包括N型导电区(26)和P型嵌入层(37)。这两个区构成两个深度不同的P-N结，提高了不同光频下电荷载流子收集的效率。导电区(26)是通过有角度的注入形成的，这样可以保证导电区(26)的一部分可以用作MOS晶体管(32)的源。

Description

半导体图象传感器及其制造方法
技术领域
本发明一般涉及半导体器件，特别涉及一种半导体图象传感器。
背景技术
过去，采用了各种方法在具有互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的衬底上形成半导体传感器。一般情况下，传感器的光接收部分形成为大面积晶体管的栅，常称之为光栅，或形成为金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源-漏结。采用光栅晶体管时，需要光通过晶体管的硅栅行进，以将光转化为电能。因此，采用光栅的情况减小了灵敏度。另外，耗尽区一般较浅(小于一个微米)，所以减小了红光吸收诱发的载流子收集效率。并且常规光栅对表面复合产生的噪声敏感。
采用源-漏结的情况一般有一个对于晶体管操作最佳的结，并且还有一个会造成红光诱发的载流子无效收集的浅结。采用源-漏结情况的另一缺点是结一般形成于重掺杂(大于1016原子/cm3)区中，限制了结耗尽区的宽度，进而减小了红光吸收诱发的载流子收集效率。另外，在这种重掺杂区中形成结会产生很大的电容，进而会减少可以从光敏元件传递到其它电子元件的电荷量。
传统的CMOS图象传感器常在图象敏感元件上方形成硅化物层，所以进一步减小了灵敏度。
发明内容
因此，希望形成一种图象传感器，不用光栅可具有较高效率，没有浅结深度可提高效率，可减小由于表面复合造成的噪声，不用覆盖于光敏区上的硅化物可进一步提高效率，具有宽耗尽区可增大所有波长光的载流子转换，没有减少从图象敏感元件传递到其它电子元件的电荷的大电容。
根据本发明的一种形成图象传感器的方法，其特征在于：提供第一导电类型的半导体衬底；在衬底上形成加强层，加强层具有第一导电类型和第一掺杂浓度；在加强层的第一区上形成第一阱，第一阱具有第一导电类型和大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，其中第一阱的第一深度深入到加强层；在加强层的第二区上形成第二导电类型的导电区，其中导电区的第一部分构成MOS晶体管的一部分；及通过形成处于导电区中的嵌入层的第一部分和以远离MOS晶体管的方向从导电区横向延伸的嵌入层的第二部分，在加强层的第二区中形成第一导电类型的嵌入层，其中嵌入层的第一部分和第二部分是相接的。
在本发明的实施例中，其中形成导电区包括以从衬底的法线算起的第一角并朝向MOS晶体管注入第一掺杂剂，其中第一角至少从衬底的法线算起为15度。
在上述发明的实施例中，其中以第一角注入第一掺杂剂包括基本垂直于衬底注入第一浓度的掺杂剂，及以第一角注入第二浓度的第一掺杂剂。
在上述发明的实施例中，其中形成导电区和形成第一导电类型的嵌入层的步骤包括以第一角注入导电区的第一掺杂剂，以及以偏离衬底法线并远离MOS晶体管的第二角注入嵌入层的掺杂剂。
根据本发明的一种形成图象传感器的方法，其特征在于：利用至少为15度的第一角并朝向MOS晶体管进行掺杂剂注入，以形成图象传感器的导电区；及至少部分地在导电区内形成嵌入层，该嵌入层包括从导电区延伸的一部分，该部分与在导电区内的嵌入层的一部分相接。
在上述发明的实施例中，还包括形成覆盖嵌入层的介质层，并在图象传感器的一部分上形成硅化物层，其中覆盖嵌入层的区没有硅化物层。
在上述发明的实施例中，还包括形成覆盖嵌入层的介质层，其中介质层的介电常数介于覆盖该介质层的任何材料的介电常数和其上形成有嵌入层的底层衬底的介电常数之间。
根据本发明的一种图象传感器，其特征在于：具有第一掺杂浓度的第一导电类型半导体衬底；具有低于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的第一导电类型的加强层，加强层位于衬底上；加强层上的第一MOS晶体管；加强层上的嵌入光电二极管，其中嵌入光电二极管的一部分构成第一MOS晶体管的源。
在上述发明的实施例中，还包括覆盖在嵌入光电二极管上的介质层，其中介质层的介电常数介于覆盖该介质层的任何材料的介电常数和衬底的介电常数之间。
附图说明
图1是展示根据本发明图象传感器实施例的放大剖面图；
图2是根据本发明处于制造阶段的图1实施例的放大剖面图；
图3-7是根据本发明处于随后的制造阶段的图1实施例的放大剖面图；
图8是根据本发明另一实施例的图象传感器的放大剖面图。
具体实施方式
图1是半导体传感器10的放大剖面图。传感器10包括由半导体衬底11和形成于其上的加强层12构成的底层P型衬底。传感器10具有形成于底层衬底的第一区13中的第一阱或P阱16。阱16的掺杂浓度一般高于底层衬底的层12的第二区14的掺杂浓度。层12的区13和14由层12下示出的括弧标识出。层12的这第二区构成底层衬底内的第二阱。阱16的表面掺杂浓度一般至少为1×1016原子/cm3。阱16的第一深度或深度24一般小于层12的深度，一般约为2-4微米，以便于在衬底11上形成其它CMOS器件。
传感器10的图象获取元件或光敏元件包括形成于第二阱或第二区14中的N型导电区26。导电区26与底层衬底的P型材料一起构成第一P-N结。这第一P-N结处于导电区26的第二深度或深度29，以便于容易地探测红光，该深度一般是从底层衬底表面算起小于约0.7微米，最好是约小于0.5微米。P型嵌入层37形成于区26内，从区26向外延伸到底层衬底的层12中，以形成与底层衬底的电连接。该电连接将加于图象传感器的该元件的电位保持住。因此，所得的光电二极管常被称为嵌入光电二极管。第二P-N结沿层37和区26的交界区形成。一般层37与其它P沟道MOS晶体管(未示出)的轻掺杂漏和源区同时形成于衬底11上。第二P-N结的深度小于第一P-N结的深度。该深度选择成使对蓝光的收集或探测最佳。传递晶体管或第一MOS晶体32邻近导电区26形成，以便区26的一部分构成晶体管32的源。第二或复位MOS晶体管31形成于阱16内。耦合区41使晶体管31的源电耦合到晶体管32。
通过使用具有暴露区14表面一些部分的开口的掩模，形成导电区26，该区延伸到晶体管32的栅22的一部分，并包括该部分。然后，以偏离衬底11法线向着栅22的角度注入掺杂剂，以确保区26在栅22下延伸，由此省去形成区26和晶体管32的源时的掩蔽和其它处理操作。
图2是制造图1所示传感器10的实施例某一阶段的放大剖面图。传感器10包括具有形成于其上的轻掺杂P型加强层12的重掺杂P型衬底11。一般情况下，衬底11的第一或P型掺杂浓度至少为1×1016原子/cm3，最好是1×1018原子/cm3，层12的P型掺杂浓度不大于约1×1015原子/cm3。此外，层12包括其中形成第一阱或P阱16的第一区13，和其中将形成传感器10的光敏元件的第二阱或第二区14。在覆盖较重掺杂的衬底11的轻掺杂第二区14中形成光敏元件，加强了光敏元件的载流子收集。
通过使用暴露层12第一区13的表面的掩模17，形成P型阱16。在暴露表面内形成掺杂剂，以构成阱16，形成阱16后去掉掩模17。
图3是处于随后制造阶段的图1和图2所示传感器10的放大剖面图。图1、图2和图3中相同的元件用相同的数字表示。在传感器10的表面上形成栅氧化物18。然后形成沟道掺杂区19，以便于形成MOS晶体管31和32的沟道。栅23和22形成于氧化物18上，以便于分别形成晶体管31和32。
此后，施加掩模21，暴露其中将形成导电区26的第二区14。掩模21的开口暴露第二区14中栅氧化层18的一部分表面，该暴露的部分从栅22的边缘延伸到第二区14，还暴露一部分栅22。以向着栅22的角28注入掺杂剂，如箭头27所示。角28偏离垂直于传感器10表面的线。角28一般为从传感器10表面的法线算起大于15度，最好是至少25度。采用这个角度的注入可以确保区26稍微在栅22下延伸，以便于利用一部分区26作为晶体管32的源，由此连接晶体管32的沟道与导电区26。形成区26后去掉掩模21。
可选择的是，可以采用两种不同的注入技术形成区26。例如，靠近传感器10表面的法线，可以采用120-190keV的高能量注入，以形成深入到层12中的区26。此后，可以以基本上等于角28的角，采用例如90-130keV进行低能量注入，低能量注入可以确保一部分区26在栅22下延伸。
图4表示的是形成传感器10的随后步骤。图1、2、3和4中相同的元件用相同的元件数字表示。施加掩模34，掩模34具有暴露形成晶体管32的漏及晶体管31的源和漏区域的开口。然后，利用栅22和23的边缘作掩模，在层12中形成源-漏掺杂区33，使源和漏区与栅22和23自对准，此后去掉掩模34。
图5是形成传感器10的随后步骤的放大剖面图。图1、2、3、4和5中相同的元件用相同的元件数字表示。施加掩模36，掩模36具有暴露栅22的边缘、导电区26的表面、及区56并如箭头所示延伸穿过区26的开口。在暴露的表面中形成P型掺杂区，从而在区26的暴露部分内形成P型嵌入层37，该区从区26向外延伸到区56中，远离晶体管32。层37的深度和掺杂浓度选择成便于将所有光诱生电荷从区26传递到晶体管32的漏。一般情况下，层37的深度为约0.2-0.3微米，表面掺杂浓度大于约5×1017原子/cm3。形成层37后去掉掩模36。
图6示出了形成传感器10的随后步骤。图1、2、3、4、5和6中相同的元件用相同的元件数字表示。在传感器10的表面上施加介质材料，并构图，在栅22和23的侧壁上形成间隔层39，并形成叠于传感器10的光敏元件上的介质覆盖层38。覆盖层38一般延伸到栅22，构成随后操作的掩模。形成间隔层39和覆盖层38所用的材料选择为具有介于底层衬底和叠于覆盖层38上的任何材料的介电常之间的介电常数。覆盖层38的介电常数选择成使底层半导体材料和设置于覆盖层38之上的任何其它介质材料间的反射最小。例如，覆盖层38的材料可以是厚为30-70纳米的氮化硅，以使兰和红波谱之间的光的反射最小。另外，也可以适当地选用130-200纳米的厚度。相信如氧化铝及氮化铝等其它材料也是形成覆盖层38和间隔层39的合适材料。
然后，用间隔层39和覆盖层38作掩模，在层12中形成N型掺杂区，由此形成电连接漏42和源43的耦合区41。
图7示出了形成传感器10的随后步骤。图1-7中相同的元件用相同的元件数字表示。采用低电阻材料，以降低耦合区41及栅22和23的接触电阻。一般情况下，在传感器10上地毡式淀积钛，然后退火，形成带有暴露的底层硅材料的硅化钛。因此，层38可以防止形成叠于由区26和层37构成的光电二极管之上的硅化物。去掉未形成硅化钛的其余钛，只在栅22和23上留下低电阻的接触材料44和耦合区41。这种形成技术是所属领域的技术人员所熟知的，一般情况下，在传感器10和构成其合适部分的接触上形成层间介质(未示出)。
图8示出了形成传感器10的嵌入层37的另一实施例。在形成了如参照图3讨论的导电区26后，通过以与图3所示角28相对的角进行注入，形成层37。该实施例中，以从传感器10表面的法线算起的角48，偏离栅22注入掺杂剂，如箭头47所示。一般情况下，角48介于10-25度之间，以保证层37的一部分从区26向外远离晶体管32延伸。用层37的这一部分形成与加强层12的接触。因为采用这些处理工艺，该替换的实施例可以减少处理操作的数量、
现在，应理解，这里提供了一种新颖的图像传感器及其制造方法。形成叠于较重掺杂区上的轻掺杂区中形成图象传感器，可以加强载流子收集。形成深导电区和较浅嵌入层，构成了两个P-N结，其中一个P-N结及有关的耗尽区较深，以便于获取红光，第二P-N结及有关的耗尽区较浅，以便于获取蓝光。这种结构还可以减少表面复合，并使电荷传递最大化。利用有角度的注入形成导电区，可以保证导电区可用作电荷传递晶体管的源，由此减少制造操作步骤。采用具有介于底层衬底和覆盖材料的介电常数间的介电常数的介质材料，可以使反射最小化，提高传感器的效率。保证光敏元件上没有覆盖硅化物材料也可以提高传感器的效率。

Claims (9)

1.一种形成图象传感器的方法，其特征在于：
提供第一导电类型的半导体衬底(11)；
在衬底上形成加强层(12)，加强层具有第一导电类型和第一掺杂浓度；
在加强层的第一区上形成第一阱(16)，第一阱具有第一导电类型和大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，其中第一阱的第一深度(24)深入到加强层；
在加强层(12)的第二区上形成第二导电类型的导电区(26)，其中导电区的第一部分构成MOS晶体管(32)的一部分；及
通过形成处于导电区中的嵌入层的第一部分和以远离MOS晶体管(32)的方向从导电区(26)横向延伸的嵌入层的第二部分，在加强层(12)的第二区中形成第一导电类型的嵌入层(37)，其中嵌入层的第一部分和第二部分是相接的。
2.如权利要求1所述的方法，其中形成导电区(26)包括以从衬底的法线算起的第一角(28)并朝向MOS晶体管注入第一掺杂剂，  其中第一角(28)从衬底的法线算起至少为15度。
3.如权利要求2所述的方法，其中以第一角(28)注入第一掺杂剂包括基本垂直于衬底注入第一浓度的掺杂剂，及以第一角(28)注入第二浓度的第一掺杂剂。
4.如权利要求2所述的方法，其中形成导电区和形成第一导电类型的嵌入层的步骤包括以第一角(28)注入导电区的第一掺杂剂，以及以偏离衬底法线并远离MOS晶体管的第二角(48)注入嵌入层的掺杂剂。
5.一种形成图象传感器的方法，其特征在于：
利用至少为15度的第一角(28)并朝向MOS晶体管进行掺杂剂注入，以形成图象传感器的导电区；及
至少部分地在导电区内形成嵌入层(37)，该嵌入层包括从导电区延伸的一部分，该部分与在导电区内的嵌入层的一部分相接。
6.如权利要求5所述的方法，还包括形成覆盖嵌入层的介质层(38)，并在图象传感器的一部分上形成硅化物层，其中覆盖嵌入层的区没有硅化物层。
7.如权利要求5所述的方法，还包括形成覆盖嵌入层的介质层(38)，其中介质层(38)的介电常数介于覆盖该介质层的任何材料的介电常数和其上形成有嵌入层的底层衬底的介电常数之间。
8.一种图象传感器，其特征在于：
具有第一掺杂浓度的第一导电类型半导体衬底(11)；
具有低于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的第一导电类型的加强层(12)，加强层位于衬底上；
加强层(12)上的第一MOS晶体管(32)；
加强层上的嵌入光电二极管，其中嵌入光电二极管的一部分构成第一MOS晶体管(32)的源。
9.如权利要求8所述的图象传感器，还包括覆盖在嵌入光电二极管上的介质层(38)，其中介质层的介电常数介于覆盖该介质层的任何材料的介电常数和衬底的介电常数之间。
CNB981242200A 1997-11-14 1998-11-12 半导体图象传感器及其制造方法 Expired - Lifetime CN1146036C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US970720 1997-11-14
US08/970,720 US6023081A (en) 1997-11-14 1997-11-14 Semiconductor image sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1217573A CN1217573A (zh) 1999-05-26
CN1146036C true CN1146036C (zh) 2004-04-14

Family

ID=25517395

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB981242200A Expired - Lifetime CN1146036C (zh) 1997-11-14 1998-11-12 半导体图象传感器及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6023081A (zh)
JP (4) JPH11233749A (zh)
KR (1) KR100607833B1 (zh)
CN (1) CN1146036C (zh)
TW (1) TW511286B (zh)

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6333526B1 (en) * 1997-11-27 2001-12-25 Nec Corporation Charge transfer device and a manufacturing process therefor
JPH11274454A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Canon Inc 固体撮像装置及びその形成方法
JP2921567B1 (ja) * 1998-04-22 1999-07-19 松下電子工業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US6084259A (en) * 1998-06-29 2000-07-04 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Photodiode having charge transfer function and image sensor using the same
JP4061609B2 (ja) * 1998-06-29 2008-03-19 マグナチップセミコンダクター有限会社 延伸されたピンドフォトダイオ―ドを有するイメ―ジセンサ及びその製造方法
KR100384836B1 (ko) * 1999-06-28 2003-05-22 주식회사 하이닉스반도체 이미지센서 및 그 제조방법
JP3934827B2 (ja) * 1999-06-30 2007-06-20 株式会社東芝 固体撮像装置
DE19933162B4 (de) * 1999-07-20 2004-11-11 Institut für Mikroelektronik Stuttgart Stiftung des öffentlichen Rechts Bildzelle, Bildsensor und Herstellungsverfahren hierfür
JP3624140B2 (ja) 1999-08-05 2005-03-02 キヤノン株式会社 光電変換装置およびその製造方法、デジタルスチルカメラ又はデジタルビデオカメラ
US6333205B1 (en) * 1999-08-16 2001-12-25 Micron Technology, Inc. CMOS imager with selectively silicided gates
US6194258B1 (en) * 2000-01-18 2001-02-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of forming an image sensor cell and a CMOS logic circuit device
JP3782297B2 (ja) * 2000-03-28 2006-06-07 株式会社東芝 固体撮像装置及びその製造方法
JP3664939B2 (ja) * 2000-04-14 2005-06-29 富士通株式会社 Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法
JP2001308304A (ja) * 2000-04-19 2001-11-02 Sony Corp 固体撮像素子の製造方法
US6303406B1 (en) * 2000-06-08 2001-10-16 United Microelectronics Corp. Method for integrating anti-reflection layer and salicide block
US6448595B1 (en) * 2000-06-26 2002-09-10 Twin Han Technology Co., Ltd. Active photodiode CMOS image sensor structure
TW449939B (en) * 2000-07-03 2001-08-11 United Microelectronics Corp Photodiode structure
US6518085B1 (en) 2000-08-09 2003-02-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for making spectrally efficient photodiode structures for CMOS color imagers
US6734071B1 (en) 2000-08-30 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Methods of forming insulative material against conductive structures
US6566697B1 (en) * 2000-11-28 2003-05-20 Dalsa, Inc. Pinned photodiode five transistor pixel
US6504195B2 (en) * 2000-12-29 2003-01-07 Eastman Kodak Company Alternate method for photodiode formation in CMOS image sensors
US6580106B2 (en) 2001-01-12 2003-06-17 Isetex. Inc CMOS image sensor with complete pixel reset without kTC noise generation
US6713796B1 (en) 2001-01-19 2004-03-30 Dalsa, Inc. Isolated photodiode
KR100562669B1 (ko) * 2001-12-31 2006-03-20 매그나칩 반도체 유한회사 살리사이드 공정을 이용한 이미지센서 제조 방법
US7235835B2 (en) * 2002-05-14 2007-06-26 Sony Corporation Semiconductor device and its manufacturing method, and electronic device
JP3840203B2 (ja) 2002-06-27 2006-11-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置を用いたカメラシステム
KR100864844B1 (ko) * 2002-06-28 2008-10-23 매그나칩 반도체 유한회사 씨모스 이미지센서 제조방법
KR20040036087A (ko) * 2002-10-23 2004-04-30 주식회사 하이닉스반도체 광의 파장에 따라 포토다이오드의 깊이가 다른 씨모스이미지센서 및 그 제조 방법
KR100479208B1 (ko) * 2002-10-23 2005-03-28 매그나칩 반도체 유한회사 살리사이드 공정을 이용한 이미지센서의 제조 방법
KR100977099B1 (ko) * 2002-12-27 2010-08-23 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 실리사이드 공정의 공정 마진을 향상시킨 시모스 이미지 센서의 제조 방법
EP1465258A1 (en) * 2003-02-21 2004-10-06 STMicroelectronics Limited CMOS image sensors
US6897504B2 (en) * 2003-03-31 2005-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Salicided MOS device and one-sided salicided MOS device, and simultaneous fabrication method thereof
JP3977285B2 (ja) 2003-05-15 2007-09-19 キヤノン株式会社 固体撮像素子の製造方法
US7148528B2 (en) * 2003-07-02 2006-12-12 Micron Technology, Inc. Pinned photodiode structure and method of formation
US6900484B2 (en) 2003-07-30 2005-05-31 Micron Technology, Inc. Angled pinned photodiode for high quantum efficiency
JP4155568B2 (ja) * 2003-08-07 2008-09-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP2005079567A (ja) * 2003-09-04 2005-03-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置、その製造方法およびカメラ
WO2005036646A1 (de) * 2003-10-07 2005-04-21 Institut Für Mikroelektronik Stuttgart Halbleiterschaltungsanordnung mit einer photodiode
JP4758061B2 (ja) * 2003-10-16 2011-08-24 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US7420233B2 (en) * 2003-10-22 2008-09-02 Micron Technology, Inc. Photodiode for improved transfer gate leakage
US7105906B1 (en) 2003-11-19 2006-09-12 National Semiconductor Corporation Photodiode that reduces the effects of surface recombination sites
US7037764B2 (en) * 2004-02-26 2006-05-02 Micron Technology, Inc. Method of forming a contact in a pixel cell
US20050274994A1 (en) * 2004-06-14 2005-12-15 Rhodes Howard E High dielectric constant spacer for imagers
KR100660324B1 (ko) * 2004-07-01 2006-12-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
JP4647404B2 (ja) * 2004-07-07 2011-03-09 三星電子株式会社 転送ゲート電極に重畳しながら自己整列されたフォトダイオードを有するイメージセンサの製造方法
KR100570819B1 (ko) * 2004-07-07 2006-04-12 삼성전자주식회사 전송 게이트 전극들에 중첩하면서 자기정렬된 포토다이오드들을 갖는 이미지 센서의 화소들을 제조하는방법들 및 그에 의해 제조된 이미지 센서의 화소들
KR100653691B1 (ko) * 2004-07-16 2006-12-04 삼성전자주식회사 적어도 메인 화소 어레이 영역의 전면을 노출시키는패시베이션막을 갖는 이미지 센서들 및 그 제조방법들
JP4646577B2 (ja) * 2004-09-01 2011-03-09 キヤノン株式会社 光電変換装置、その製造方法及び撮像システム
US7071019B2 (en) * 2004-09-16 2006-07-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method to improve image sensor sensitivity
KR100606910B1 (ko) * 2004-12-29 2006-08-01 동부일렉트로닉스 주식회사 Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그의 제조 방법
CN100389498C (zh) * 2005-06-07 2008-05-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 制备cmos图像传感器-混合硅化物的方法
KR100720474B1 (ko) * 2005-06-17 2007-05-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
CN100395883C (zh) * 2005-06-28 2008-06-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 利用独立的源极形成的cmos图像传感器件和方法
JP4313789B2 (ja) * 2005-07-29 2009-08-12 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体撮像装置およびその製造方法
WO2007015420A1 (ja) * 2005-08-03 2007-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 固体撮像装置
US20070069260A1 (en) * 2005-09-28 2007-03-29 Eastman Kodak Company Photodetector structure for improved collection efficiency
US7875916B2 (en) * 2005-09-28 2011-01-25 Eastman Kodak Company Photodetector and n-layer structure for improved collection efficiency
US7728277B2 (en) * 2005-11-16 2010-06-01 Eastman Kodak Company PMOS pixel structure with low cross talk for active pixel image sensors
US7619266B2 (en) * 2006-01-09 2009-11-17 Aptina Imaging Corporation Image sensor with improved surface depletion
US7371599B2 (en) * 2006-04-17 2008-05-13 United Microeletronics Corp. Image sensor and method of forming the same
US20070241372A1 (en) * 2006-04-18 2007-10-18 Ching-Hung Kao Image sensor device and method of manufacturing the same
JP2008021957A (ja) * 2006-06-15 2008-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
WO2008008516A2 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 The Regents Of The University Of California Forward scattering nanoparticle enhancement method and photo detector device
KR100792334B1 (ko) * 2006-08-21 2008-01-07 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법
CN100517651C (zh) * 2006-12-15 2009-07-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cmos图像传感器的像素单元的形成方法
KR20090003854A (ko) * 2007-07-05 2009-01-12 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP5487798B2 (ja) * 2009-08-20 2014-05-07 ソニー株式会社 固体撮像装置、電子機器および固体撮像装置の製造方法
US20110177650A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Omnivision Technologies, Inc. Cmos image sensor with self-aligned photodiode implants
FR2986906B1 (fr) 2012-02-15 2015-06-19 New Imaging Technologies Sas Structure de pixel actif a transfert de charge ameliore
JP5624644B2 (ja) * 2013-05-08 2014-11-12 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
US9570494B1 (en) * 2015-09-29 2017-02-14 Semiconductor Components Industries, Llc Method for forming a semiconductor image sensor device

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS567304B2 (zh) * 1972-08-28 1981-02-17
JPS5386516A (en) * 1977-01-10 1978-07-31 Hitachi Ltd Solid state pickup device
US4484210A (en) * 1980-09-05 1984-11-20 Nippon Electric Co., Ltd. Solid-state imaging device having a reduced image lag
JPS61128560A (ja) * 1984-11-27 1986-06-16 Fuji Electric Co Ltd イメ−ジセンサ
JPS61154063A (ja) * 1984-12-26 1986-07-12 Toshiba Corp 光半導体装置およびその製造方法
JPH0695571B2 (ja) * 1985-10-12 1994-11-24 新技術事業団 光電変換装置
US4735680A (en) * 1986-11-17 1988-04-05 Yen Yung Chau Method for the self-aligned silicide formation in IC fabrication
JPS63174358A (ja) * 1987-01-14 1988-07-18 Hitachi Ltd 固体撮像素子
JPS63266870A (ja) * 1987-04-24 1988-11-02 Hitachi Ltd 多層配線部材の製造方法
JPS63266869A (ja) * 1987-04-24 1988-11-02 Hitachi Ltd 固体撮像装置
JP2723520B2 (ja) * 1987-07-08 1998-03-09 日本電気株式会社 固体撮像素子
JP2728404B2 (ja) * 1987-07-22 1998-03-18 株式会社日立製作所 固体撮像装置
JPH0787243B2 (ja) * 1990-10-18 1995-09-20 富士ゼロックス株式会社 半導体装置
KR920010433A (ko) * 1990-11-23 1992-06-26 백중영 수치제어 공작기계의 시뮬레이션 장치
JPH04355964A (ja) * 1990-12-21 1992-12-09 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP2970158B2 (ja) * 1991-12-20 1999-11-02 日本電気株式会社 固体撮像装置の製造方法
JPH05315591A (ja) * 1992-05-11 1993-11-26 Sony Corp Ｃｃｄ撮像素子の光電子読み出し部の形成方法
DE69321822T2 (de) * 1993-05-19 1999-04-01 Hewlett Packard Gmbh Photodiodenstruktur
JP2621767B2 (ja) * 1993-07-30 1997-06-18 日本電気株式会社 固体撮像素子
JPH0730088A (ja) * 1993-07-13 1995-01-31 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法
US5356683A (en) * 1993-10-28 1994-10-18 Rohm And Haas Company Expandable coating composition
JP3494312B2 (ja) * 1994-04-08 2004-02-09 ソニー株式会社 半導体記憶装置
KR0136924B1 (ko) * 1994-07-06 1998-04-24 문정환 씨씨디(ccd) 영상소자의 제조방법
KR0136925B1 (ko) * 1994-09-29 1998-04-24 문정환 고체촬상소자의 제조방법
JP3424360B2 (ja) * 1994-12-08 2003-07-07 株式会社日立製作所 固体撮像装置
US5625210A (en) * 1995-04-13 1997-04-29 Eastman Kodak Company Active pixel sensor integrated with a pinned photodiode
JP3316106B2 (ja) * 1995-06-08 2002-08-19 株式会社東芝 固体撮像装置およびその製造方法
JP3624042B2 (ja) * 1996-01-19 2005-02-23 キヤノン株式会社 光電変換装置
US6100556A (en) * 1997-11-14 2000-08-08 Motorola Inc. Method of forming a semiconductor image sensor and structure

Also Published As

Publication number Publication date
CN1217573A (zh) 1999-05-26
US6023081A (en) 2000-02-08
JP2014053646A (ja) 2014-03-20
KR19990045258A (ko) 1999-06-25
US6221686B1 (en) 2001-04-24
TW511286B (en) 2002-11-21
JPH11233749A (ja) 1999-08-27
JP2010062588A (ja) 2010-03-18
JP2014060450A (ja) 2014-04-03
KR100607833B1 (ko) 2006-10-31
JP5868932B2 (ja) 2016-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1146036C (zh) 半导体图象传感器及其制造方法
CN1139994C (zh) 半导体图象传感器的结构及其制造方法
KR100300782B1 (ko) 전하전송소자의출력회로및그제조방법
JPH11214665A (ja) Ｃｍｏｓイメージセンサ
US6392263B1 (en) Integrated structure for reduced leakage and improved fill-factor in CMOS pixel
US4796072A (en) Solid-state imaging device with potential barriers between pixels
KR100562668B1 (ko) 암신호 감소를 위한 이미지센서 제조 방법
CN1230921C (zh) 一种感光二极管的光感测区的制作方法及其结构
US6753202B2 (en) CMOS photodiode having reduced dark current and improved light sensitivity and responsivity
US5920091A (en) Method of fabricating highly sensitive photo sensor and structure of the same
CN1819239A (zh) Cmos图像传感器的光电二极管及其制造方法
CN1283011C (zh) 互补式金氧半导体影像感测元件
US20020196480A1 (en) Structure of a CMOS image sensor
JPH08222719A (ja) 電荷結合デバイス型の固体撮像素子およびその製造方法
KR100813800B1 (ko) 암전류 특성과 전하저장능력을 향상시킨 이미지센서 및 그제조방법
JP2001326341A (ja) 固体撮像装置
TW486816B (en) Structure and manufacturing method of image sensor
KR100223931B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 그 제조방법
RU2377692C1 (ru) Кмоп-фотоприемный элемент с высоким фактором заполнения
TWI325634B (en) Image sensor and fabrication method thereof
CN109817699A (zh) 一种晶体管以及图像传感器
CN1835244A (zh) 有源像素传感器
JPH0582767A (ja) 光電変換装置及びその製造方法
KR20000015302A (ko) 전하결합소자
JPS63229750A (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: FREEDOM SEMICONDUCTORS CO.

Free format text: FORMER OWNER: MOTOROLA, INC.

Effective date: 20040820

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20040820

Address after: Texas in the United States

Patentee after: FreeScale Semiconductor

Address before: Illinois Instrunment

Patentee before: Motorola, Inc.

REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: WD

Ref document number: 1019820

Country of ref document: HK

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: TANGSONG CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FREEDOM SEMICONDUCTOR CORP.

Effective date: 20100727

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: THE USA TEXAS TO: DELAWARE STATE, THE USA

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20100727

Address after: Delaware

Patentee after: Tong song Co.,Ltd.

Address before: Texas, USA

Patentee before: FreeScale Semiconductor

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20040414

CX01 Expiry of patent term