JP4647404B2 - 転送ゲート電極に重畳しながら自己整列されたフォトダイオードを有するイメージセンサの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明が解決しようする他の技術的課題は、転送ゲート電極と自己整列されて、前記転送ゲート電極の端と均一に重畳するフォトダイオードを有するイメージセンサ及びその製造方法を提供することにある。
また他の実施形態で、前記第1マスクパターンはシリコン窒化膜を含むことができる。
また他の実施形態で、前記第1転送ゲート電極はポリシリコン膜を含むことができる。
他の実施形態で、前記第1マスクパターンはマスク膜をエッチングして形成することができる。前記第1マスクパターンは異方性エッチング工程を用いて形成することができる。
また他の実施形態で、前記第1マスクパターン及び前記第1転送ゲート電極は異方性エッチング工程を用いて形成することができる。
また他の実施形態で、前記第1マスクパターンを形成することはマスク膜を等方性エッチングすることを含むことができる。
また他の実施形態で、前記第1マスクパターンはシリコン窒化膜を含むことができる。
また他の実施形態で、前記第1転送ゲート電極はポリシリコン膜を含むことができる。
前記転送トランジスタ(TX)のゲート電極は、転送ライン(transfer line;TL)に電気的に接続されて、前記選択トランジスタ(SX)のゲート電極はワードライン(WL)に電気的に接続される。また、前記リセットトランジスタ(RX)のゲート電極はリセットライン(RL)に電気的に接続される。
図3を再び参照すると、前記リセットライン(RL)に論理「1(ハイレベル)」にあたる電圧を印加して、前記リセットトランジスタ(RX)をターンオンさせる。その結果、前記第1ノード(N1)、すなわちフローティング拡散領域(floating diffusion region)内に残存する電荷が全て除去される。よって、前記活性画素が初期化される。続いて、前記リセットトランジスタ(RX)をターンオフさせる。前記初期化された画素の前記フォトダイオード(PD)上に入射光が照射されると、前記フォトダイオード(PD)のN型不純物領域内に電子が生成される。
図4を再び参照すると、前記一対の画素(PX2)は、図3を参照して説明したものと同じ方法を用いて初期化させることができる。すなわち、前記リセットライン(RL)に論理「1(ハイレベル)」にあたる電圧を印加すれば、前記一対の画素(PX2)は全て初期化される。続いて、前記リセットトランジスタ(RX)をターンオフさせる。前記初期化された画素(PX2)の前記第1及び第2フォトダイオード(PD1、PD2)上にそれぞれの第1及び第2入射光が照射されれば、前記第1フォトダイオード(PD1)のN型不純物領域及び前記第2フォトダイオード(PD2)のN型不純物領域内にそれぞれ第1電子及び第2電子が生成される。前記第1電子の量(amount)は前記第1入射光の強さ(intensity)によって決めることができ、前記第2電子の量は前記第2入射光の強さによって決めることができる。
本発明の他の実施形態で、図8を参照して説明した前記浅い不純物領域67bを形成する前に、前記低濃度不純物領域69、前記ゲートスペーサ71及び前記高濃度不純物領域75を順次に形成することもできる。
3、53:素子分離膜
5:Nウェル領域
7、57:ゲート絶縁膜
9:転送ゲート電極
13:N型フローティング拡散領域
15:P型不純物領域
16:フォトダイオード
17:チャンネル領域
19:オフセット領域
53a′、53a″:第1及び第2フォトダイオード活性領域
53b:トランジスタ活性領域
59a、59b:第1及び第2転送ゲート電極
59e′、59e″:第1及び第2端
61a、61b:第1及び第2初期転送マスクパターン
61a′、61b′:第1及び第2最終転送マスクパターン
62a、62b:第1及び第2転送ゲートパターン
63:第1フォトレジスタパターン
65a、65b:第1及び第2深い不純物領域
67a、67b:第1及び第2P型浅い不純物領域
68a、68b:第1及び第2フォトダイオード
69:低濃度不純物領域
71:ゲートスペーサ
73:第2フォトレジスタパターン
75:高濃度不純物領域
77:層間絶縁膜
77h:コンタクトホール
79:配線
Claims (20)
- 半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート導電膜及びマスク膜を順に形成する段階と、
前記マスク膜及び前記ゲート導電膜を連続的にエッチングして初期転送マスクパターン及び転送ゲート電極を形成する段階と、
前記初期転送マスクパターンを等方性エッチングして、前記転送ゲート電極の端が露出するように最終転送マスクパターンを形成する段階と、
前記最終転送マスクパターンをイオン注入マスクとして用いて、前記転送ゲート電極を貫くように高いエネルギーで前記半導体基板内に不純物イオンを注入して前記最終転送マスクパターンと自己整列されたフォトダイオードを形成する段階と、
を含み、
前記フォトダイオードは、前記転送ゲート電極の前記端下部まで水平方向に沿って延長されたことを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記初期転送マスクパターン及び前記転送ゲート電極は、異方性エッチング工程を用いて形成することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記等方性エッチング段階は、湿式エッチング工程であることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記等方性エッチング段階に使われるエッチング溶液は、水酸化アンモニウムを含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記等方性エッチング段階に使われるエッチング溶液は、過酸化水素を含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記等方性エッチング段階に使われるエッチング溶液は、フッ酸を含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記フォトダイオードを形成することは
前記半導体基板内に前記最終転送マスクパターンの側壁に自己整列されたN型不純物領域を形成することと、
前記半導体基板内に前記転送ゲート電極の側壁に自己整列されたP型不純物領域を形成することと
を含み、
前記P型不純物領域は、前記N型不純物領域によって囲まれるように形成されることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記転送ゲート電極に隣接し、前記フォトダイオードの反対側に位置した前記半導体基板内に浮遊拡散領域を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記半導体基板に前記浮遊拡散領域を共有するリセットトランジスタを形成することをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記半導体基板に前記リセットトランジスタに直列で接続されたドライバトランジスタを形成することをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記半導体基板に前記ドライバトランジスタに直列で接続された選択トランジスタを形成することをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載のイメージセンサの製造方法。
- 半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート導電膜及びマスク膜を順に形成する段階と、
前記マスク膜及び前記ゲート導電膜を連続的にエッチングして第1及び第2初期転送マスクパターンと、第1及び第2転送ゲート電極とを形成する段階と、
前記第1及び第2初期転送マスクパターンを等方性エッチングして、前記第1及び第2転送ゲート電極の端が露出するように第1及び第2最終転送マスクパターンを形成する段階と、
前記第1及び第2最終転送マスクパターンをイオン注入マスクとして用いて、前記第1及び第2転送ゲート電極を貫くように高いエネルギーで前記半導体基板内に不純物イオンを注入して前記第1及び第2最終転送マスクパターンと自己整列された第1及び第2フォトダイオードを形成する段階と、
を含み、
前記第1及び第2フォトダイオードは、前記第1及び第2転送ゲート電極の前記端の下部まで水平方向に沿って延長されたことを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記第1及び第2フォトダイオードを形成することは
前記半導体基板内に前記第1及び第2最終転送マスクパターンの側壁に自己整列されたN型不純物領域を形成することと、
前記半導体基板内に前記第1及び第2転送ゲート電極の側壁に自己整列されたP型不純物領域を形成することと
を含み、
前記P型不純物領域は、前記N型不純物領域によって囲まれるように形成されることを特徴とする請求項12に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記第1及び第2転送ゲート電極間の前記半導体基板内に浮遊拡散領域を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項12に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記半導体基板に前記浮遊拡散領域を共有するリセットトランジスタを形成することをさらに含むことを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記半導体基板に前記リセットトランジスタに直列で接続されたドライバトランジスタを形成することをさらに含むことを特徴とする請求項15に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記半導体基板に前記ドライバトランジスタに直列で接続された選択トランジスタを形成することをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記マスク膜は、シリコン酸窒化膜を含むことを特徴とする請求項1または12に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記マスク膜は、シリコン窒化膜を含むことを特徴とする請求項1または12に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記ゲート導電膜は、ポリシリコン膜を含むことを特徴とする請求項1または12に記載のイメージセンサの製造方法。
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