JPS63266870A - 多層配線部材の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、多層配線技術、特に、半導体集積回路装置、
配線基板等の多層配線技術に適用して有効な技術に関す
るものである。

〔従来の技術〕

半導体集積回路装置として、水平読出（ＴＳＬ：Ｔｒａ
ｎｓｖｅｒｓａｌ　Ｓｉｇｎａｌ　Ｌｉｎｅ）方式のＭ
Ｏ８型固体撮像装置が知られている。この固体撮像装置
の受光部の固体撮像素子は、水平スイッチＭＯ８型電界
効果トランジスタ（以下ＭＯ８と称す）、垂直スイッチ
ＭＯ８、光電変換素子（）第１・ダイオード素子）の夫
々を直列に接続して構成されている。

水平スイッチＭＯ８は、列方向に延在する水平走査線を
介在させ、水平走査用シフトレジスタ部（水平走査回路
）で制御される。垂直スイッチＭＯ８は、水平走査線と
交差する行方向に延在する垂直走査線を介在させ、垂直
走査用シフトレジスタ部（垂直走査回路）で制御される
。水平スイッチＭＯ８のドレイン領域には、垂直走査線
と同一行方向に延在する出力信号線が接続されている。

出力信号線は、出力回路（読出回路）、水平帰線期間リ
セット部の夫々に接続されている。水平帰線期間リセッ
ト部は、水平帰線期間内に出力信号線に蓄えられた偽信
号をリセットするように構成されている。また出力信号
線は水平走査期間内にホトダイオードの読み出し毎に高
速にリセットされている。つまり、このＴＳＬ方式の固
体撮像装置は、スミアを低減して高画質を得ることがで
きる特徴がある。

一方、従来、各列共通に設けられている水平スイッチＭ
Ｏ８に代えて、前述のように、ＴＳＬ方式の固体撮像装
置は、セル（画素）毎にそれに比べて小さな水平スイッ
チＭＯ８を設けている。この固体撮像装置は、水平スイ
ッチＭＯ８のスイッチング時に発生するスパイク雑音の
ばらつきによる固定雑音を低減できる特徴がある。

なお、ＴＳＬ方式の固体撮像装置については、例えば、
映像情報（１）、１９８６年５月号、ｐ１９〜Ｐ２４に
記載されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前述のＴＳＬ方式の固体撮像装置には、受光部の他に、
オプチカルブラック部が構成されている。

オプチカルブラック部は、暗電流成分によるノイズを補
正するための基準値（光学的黒レベル）を形成するよう
に構成されている。オプチカルブラック部は、受光部と
同一構造で構成された固体撮像素子の光電変換素子の上
部に遮光膜を設けたデバイス構造で構成されている。遮
光膜は、蒸着やスパッタで形成した最上層のアルミニウ
ム膜で形成している。

オプチカルブラック部の固体撮像素子と遮光膜ｊ− との間には、垂直走査線、出力信号線等の複数層の導電
膜を延在させており、固体撮像装置は、所謂多層配線構
造で構成されている。このため、最上層の遮光膜の下地
絶縁膜の表面に段差形状が成長し、遮光膜のステップカ
バレッジが劣化するので、オプチカルブラック部の遮光
性が低下するという問題を生じる。

本発明の目的は、導電膜のステップカバレッジを向上す
ることが可能な多層配線技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、固体撮像装置において、オプチカ
ルブラック部の遮光膜の遮光性を向上することが可能な
多層配線技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、下層導電膜と上層導電膜とを確実
に接続することが可能な多層配線技術を提供することに
ある。

本発明の他の目的は、導電膜の製造工程を低減すること
が可能な多層配線技術を提供することにある。

４一 本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

多層配線技術において、絶縁膜上にハロゲン化銀等の液
体金属錯体を塗布し、この液体金属錯体の所定領域に金
属を析出させて導電膜を形成し、この後、金属を析出さ
せない領域の液体金属錯体を除去する。

また、固体撮像装置においては、オプチカルブラック部
の固体撮像素子の光電変換素子の上部に、前記液体金属
錯体で形成した導電膜で遮光膜を形成する。

また、多層配線技術においては、少なくとも、両者間の
絶縁膜に形成された接続孔内に前記液体金属錯体で形成
した接続用導電膜を埋込み、この接続用導電膜を介して
下層導電膜と上層導電膜とを接続する。

〔作用〕

上述した手段によれば、前記液体金属錯体が有する流動
性によって、下地の段差形状に沿って忠実に液体金属錯
体が塗布され、この液体金属錯体で金属を析出して導電
膜を形成することができるので、前記導電膜のステップ
カバレッジを向上することができる。

また、オプチカルブラック部の遮光膜に光漏れを生じる
ような膜厚の不均一やピンホールの発生する確率を低減
することができるので、遮光膜の遮光性を向上すること
ができる。

また、微細な接続孔であっても、前記接続孔内に確実に
接続用導電膜を埋込むことができるので、下層導電膜と
上層導電膜とを確実に接続することができる。

以下、本発明の構成について、ＴＳＬ方式のＭｏＳ型固
体撮像装置に本発明を適用した一実施例とともに説明す
る。

なお、実施例を説明するための全回において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。

〔実施例〕

本発明の実施例であるＴＳＬ方式の固体撮像装置を第１
図（概略構成図）及び第２図（等価回路図）で示す。

第１図に示すように、ＴＳＬ方式の固体撮像装置（固体
撮像チップ）ＣＨＩは、中央部にセル（画素）を行列状
に複数配置したフォトダイオードアレイＡＲＲが構成さ
れている。

フォトダイオードアレイＡＲＲは、受光部ＳＡとオプチ
カルブラック部ＯＢとで構成されている。

受光部ＳＡは、光学レンズを通して入射された光信号を
電荷に変換して蓄積できるように構成されている。オプ
チカルブラック部ＯＢは、暗電流成分によるノイズを補
正するための基準値（光学的黒レベル）を形成するよう
に構成されている。

フォトダイオードアレイＡＲＲの右側の周辺には、水平
帰線期間リセット部ＲＥＳ、インタレース走査制御部Ｉ
ＮＴ、垂直走査用シフトレジスタ８一 部（垂直走査用回路）Ｖｒｅｇが設けられている。下側
周辺には、水平走査用シフトレジスタ部（水平走査用回
路）Ｈｒｅｇ、左側には、出力回路（続出回路）ＯＵＴ
が設けられている。

第２図に示すように、前記フォトダイオードアレイＡＲ
Ｒの受光部ＳＡは、垂直走査線ＶＬＩ。

ＶＬ２．・・・、水平走査線ＨＬＩ、ＨＬ２．−・・、
出力信号線Ｈ３Ｉ、Ｈ８２，・・・の夫々の交差部に配
置されている。垂直走査線ＶＬは、行方向に延在し、列
方向に複数本配置されている。水平走査線ＨＬは、列方
向に延在し、行方向に複数本配置されている。出力信号
線Ｈ８は、垂直走査線ＶＬと同一の行方向に延在し、列
方向に複数本配置されている。

前記画素は、水平スイッチＭＯ８Ｑｈ、垂直スイッチＭ
Ｏ８Ｑｖ（Ｑｖｌ、Ｑｖ２）、光電変換素子（フォトダ
イオード）ＰＤ（ＰＤＩ、ＰＤ２）で構成されている。

水平スイッチＭＯ８Ｑｈの一方の半導体領域と垂直スイ
ッチＭ　ＯＳ　Ｑ　ｖの他方の半導体領域は接続されて
おり、両者は直列に接続されている。光電変換素子ＰＤ
Ｉは、垂直スイッチＭ　ＯＳ　Ｑ　ｖ　１の他方の半導
体領域に接続され、光電変換素子ＰＤ２は、垂直スイッ
チＭ　ＯＳ　Ｑ　ｖ　２の一方の半導体領域に接続され
ている。

列方向に配置された複数の固体撮像素子の水平スイッチ
ＭＯ８Ｑｈのゲート電極は、１本の水平走査線ＨＬに接
続されている。水平走査線ＨＬは、水平走査用シフトレ
ジスタ部Ｈｒｅｇに接続されている。水平走査用シフト
レジスタ部Ｈｒｅｇは、入力信号Ｈｉｎ及びクロック信
号φｈｉｔφｈ２によって、行方向に配置される複数の
水平走査線ＨＬを順次走査し、行方向の画素を選択する
ように構成されている。

行方向に配置された複数の画素の垂直スイッチＭ　ＯＳ
　Ｑ　ｖのゲート電極は、１本の垂直走査線ＶＬに接続
されている。垂直走査線ＶＬの一端は、インクレース走
査制御部ＩＮＴを介在させて垂直走査用シフトレジスタ
部Ｖｒｅｇに接続されている。

垂直走査用シフトレジスタ部Ｖｒｅｇは、入力信号Ｖｉ
ｎ及びクロック信号φＶｌｌφＶ、によって、列方向に
配置される複数の垂直走査線ＶＬを順次走査するための
選択信号Ｒ１，Ｒ’、、・・・をインタレース走査制御
部ＩＮＴに出力するように構成されている。

インタレース走査制御部ＩＮＴは、フィールド選択信号
Ｆｅ又はＦｏでスイッチＭ　ＯＳ　Ｑ　Ｆ　ｅ又はＱ　
Ｆ　ｏを制御し、選択信号Ｒを伝達する駆動用ＭＯ８Ｑ
ｄを選択するように構成されている。駆動用ＭＯ８Ｑｄ
は、ゲート電極と一方の半導体領域（垂直走査線ＶＬ）
との間に昇圧コンデンサが設けられている。駆動用ＭＯ
８Ｑｄの他方の半導体領域には、垂直走査信号φ３又は
φ、が印加されている。つまり、垂直走査信号φ、又は
φ、は、選択信号Ｒに基づき、駆動用ＭＯ８Ｑｄによっ
て垂直走査線ＶＬに印加される。駆動用ＭＯ８Ｑｄは、
前記昇圧コンデンサによって、しきい値電圧に相当する
電圧降下を生じることなく、垂直走査信号φ３又はφ、
を垂直走査線ＶＬに印加することができる。

このインタレース走査制御部ＩＮＴは、２行同一　１１
　＝ 時読出が行えるように構成されている。すなわち、まず
、インタレース走査制御部ＩＮＴは、フィールド選択信
号Ｆによって、隣接する奇数フィールドの２行の垂直走
査線ＶＬ（例えば、ＶＬＩとＶＢ２、ＶＢ３とＶＢ４）
を選択する。次に、インタレース走査制御部ＩＮＴは、
他のフィールド選択信号Ｆによって、２行の垂直走査線
ＶＬの組合せを変え（例えば、ＶＢ２とＶＢ３、ＶＢ４
とＶＢ５）で選択するように構成されている。

垂直走査線ＶＬの他端は、出力回路ＯＵＴの出力制御用
ＭＯ８ＱＳｙｅ、ＱＳｃｙｅＱＳｗ、ＱＳｇのゲート電
極に接続されている。出力制御用ＭＯ８ＱＳは、出力信
号線Ｈ８の一端と出力回路ＯＵＴの各色毎の出力線ＳＹ
ｅ、ＳＣｙ、ＳＷ、ＳＧとを接続するように構成されて
いる。

出力信号線Ｈ８は、行方向に配置された複数の固体撮像
素子の水平スイッチＭＯ８Ｑｈの他方の半導体領域（ド
レイン領域）に接続されている。出力信号線Ｈ８の他端
は、水平帰線期間リセット部ＲＥＳのリセット用Ｍ　Ｏ
Ｓ　Ｑ　ｒを介在させて、リセット用出力線Ｖｒに接続
されている。リセット用ＭＯ８Ｑｒのゲート電極は、リ
セット信号線ＲＰに接続され制御されている。水平帰線
期間リセット部ＲＥＳは、水平走査期間内に蓄えられた
偽信号をリセットするように構成されている。

次にＪＴＳＬ方式の固体撮像素子ＣＨＩの具体的なデバ
イス構造について、第３図乃至第６図を用いて説明する
。第３図は、受光部ＳＡの固体撮像素子を示す要部平面
図、第４図は、オプチカルブラック部ＯＢの固体撮像素
子を示す要部平面図である。第５図は、第４図の■−■
切断線で切った断面図、第６図は、第４図のＶＩ−ＶＩ
切断線で切った断面図である。

第３図乃至第６図に示すように、受光部ＳＡ、オプチカ
ルブラック部ＯＢの夫々の画素は、基本的には同一構造
で構成されている。

受光部ＳＡ、オプチカルブラック部ＯＢの夫々の固体撮
像素子は、半導体基板ＳＵＢに設けられたウェル領域Ｗ
ＥＬ！、の主面に形成され、素子間分離絶縁膜ＬＯＧに
その周囲を規定されている。

半導体基板ＳＵ、Ｂは、単結品シリコンからなるＮ型で
構成されている。ウェル領域ＷＥＬＬは、Ｐ型で構成さ
れており、主に、ＮチャネルＭＯ８ＦＥＴを形成する。

素子間分離絶縁膜ＬＯＧは、ウェル領域ＷＥＬＬの主面
を選択的に熱酸化して形成した酸化シリコン膜で構成さ
れている。素子間分離絶縁膜ＬＯＣは、第３図及び第４
図に示すように、画素形成領域をＵ字形状で構成してい
る。詳述すれば、素子間分離絶縁膜ＬＯＧは、水平スイ
ッチＭＯ８Ｑｈ形成領域の面積は小さく、垂直スイッチ
ＭＯ８Ｑｖ形成領域の面積は大きくなるように、Ｕ字形
状で構成する。

画素の水平スイッチＭＯ８Ｑｈは、第３図乃至第６図、
及び第７図（所定の製造工程における要部平面図）に示
すように、主に、ウェル領域ＷＥＬＬ、ゲート＃！！縁
膜、ゲート電極、ソース領域又はドレイン領域である一
対のＮ“型半導体領域（Ｎ゛）で構成されている。

ゲート絶縁膜は、例えば、ウェル領域ＷＥＬＬ領域の主
面を酸化して形成した酸化シリコン膜で形成する。

ゲート電極は、ゲート電極材料例えば多結晶シリコン膜
（半導体膜）Ｐ−８ｉで形成する。多結晶シリコン膜Ｐ
−９ｉは、例えば、３０００〜４０００［人］程度の膜
厚で形成する。また、ゲート電極は、高融点金属（Ｍｏ
、　Ｔｊ、　Ｔａ＋Ｗ）膜若しくは高融点金属シリサイ
ド（ＭｏＳｉ２．ＴｉＳｉ２．Ｔａ５ｊ２．ＷＳｊ、ｚ
）膜、或は多結晶シリコン膜とそれらとの複合膜で形成
してもよい。

半導体領域Ｎ゛は、ゲート電極をマスクとしたイオン打
込みでウェル領域ＷＥＬＬの主面部にＮ型不純物を導入
し、これに引き伸し拡散を施して形成する。

前記水平スイッチＭＯ８Ｑｈのドレイン領域である半導
体領域Ｎ１は、ウェル領域ＷＥＬＬよりも高不純物濃度
のＰ゛型半導体領域（Ｐ゛）の主面部に構成されている
。半導体領域Ｐ゛は、水平スイッチＭＯ８Ｑｈのチャネ
ル形成領域まで拡散されている。

この半導体領域Ｐ゛は、水平スイッチＭＯ８Ｑｈのしき
い値電圧を上昇するように構成されている。

つまり、半導体領域Ｐ°は、ブルーミングを生じるよう
な電子が光電変換素子ＰＤ側から出力信号線ＨＳに移動
することを低減するように構成されている。

垂直スイッチＭ　ＯＳ　Ｑ　ｖ　１は、水平スイッチＭ
Ｏ８Ｑｈと実質的に同様に、主に、ウェル領域ＷＥＬＬ
、ゲート絶縁膜、グー１〜電極、ソース領域又はドレイ
ン領域である一対の半導体領域Ｎ゛で構成されている。

垂直スイッチＭ　ＯＳ　Ｑ　ｖ　２は、水平スイッチＭ
Ｏ８Ｑｈと実質的に同様に、主に、ウェル領域ＷＥＬＬ
、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース領域又はドレイン
領域である一対の半心体領域ゴで構成されている。

垂直スイッチＭＯ８Ｑｖｉ、Ｑ　ｖ　２の夫々のゲート
電極は、水平スイッチＭＯ８Ｑｈのゲート電極と同一製
造工程で形成されている。垂直スイッチＭＯ８Ｑｖｌ、
Ｑｖ２の夫々のゲート電極は、フォトダイオード形成領
域（或は受光部）の中央１６一 部を行方向に横切るように延在し、かつ、一体に構成さ
れている。さらに、垂直スイッチＭＯ８Ｑｖ１、Ｑｖ２
の夫々のゲート電極は、行方向に延在する垂直走査線Ｖ
Ｌと一体に構成されている。

垂直スイッチＭ　ＯＳ　Ｑ　ｖ　１の一方の半導体領域
Ｎ４は、水平スイッチＭＯ８Ｑｈの一方の半導体領域Ｎ
゛と一体に構成（共有）されている。垂直スイッチＭ　
ＯＳ　Ｑ　ｖ　１の他方の半導体領域Ｎ＋は、垂直スイ
ッチＭ　ＯＳ　Ｑ　ｖ　２の他方の半導体領域Ｎ１と一
体に構成（共有）されている。

光電変換素子ＰＤＩは、垂直スイッチＭＯ８Ｑｖ１の他
方の半導体領域Ｎ＋又は垂直スイッチＭＯ３Ｑｖ２の他
方の半導体領域Ｎ゛とウェル領域ＷＥＬｊとのＰＮ接合
部で構成される。光電変換素子ＰＤ２は、垂直スイッチ
Ｍ　ＯＳ　Ｑ　ｖ　２の一方の半導体領域Ｎ４とウェル
領域ＷＥＬＬとのＰＮ接合部で構成される。

水平走査線ＨＬは、第８図（所定の製造工程における要
部平面図）に詳細に示すように、行方向に配置された固
体撮像素子形成領域間（素子間分離絶縁膜ＬＯＧ）上に
、列方向に延在するように構成されている。水平走査線
ＨＬは、前述の多結晶シリコン膜Ｐ　−Ｓ　ｉよりも上
層の導電層、例えば第１層目のアルミニウム膜ＡＬＬで
構成されている。アルミニウム膜ＡＬＬは、例えば５０
００［人コ程度の膜厚で形成されている。アルミニウム
膜ＡＬ１は、水平スイッチＭＯ８Ｑｈ等を覆う層間絶縁
膜（例えば、ＰＳＧ膜）ＨＡ上に設けられている。

水平走査線Ｉ−Ｉ　Ｌは、前記層間絶縁膜ＩＡに形成さ
れた接続孔Ｃ２を通して、水平スイッチＭＯ８ＱＬのゲ
ート電極（多結晶シリコン膜Ｐ−８ｉ）に接続されてい
る。

水平スイッチＭＯ８Ｑｈのドレイン領域である半導体領
域Ｎ＋には、接続孔Ｃ１を通して、中間導電層ＭＬＩ又
はＭＴ＝２が接続されている。本実施例の固体撮像装置
ＣＨＩは、カラー用素子（又はモノクロ用素子であって
もよい）で構成されており、中間導電層ＭＬＩは、黄Ｙ
ｅ、白Ｗの夫々のカラーフィルタが設けられる固体撮像
素子に設けられ、中間導電層Ｍ　Ｌ　２は、シアンＣｙ
、緑Ｇの夫々のカラーフィルタが設けられる固体撮像素
子に設けられている。中間導電層ＭＬ１、Ｍｎ２の夫々
は、水平走査線ＨＬと同一導電層で形成されている。

中間導電層ＭＬＩは、水平スイッチＭＯＳ　Ｑ　ｈの半
導体領域Ｎ４と実質的にその上層に延在する出力信号線
Ｈ８Ｉ、Ｈ８３，・・・とを接続するように構成されて
いる。中間導電層ＭＬＩは、主に、前記接続の際の段差
形状を低、減し、接続の信頼性を向上するように構成さ
れている。中間導電層ＭＬ２は、水平スイッチＭＯ８Ｑ
ｈの半導体領域虻とその領域と異なる領域の上層に延在
する出力信号線Ｈ８２，Ｈ８４，・・・とを接続するよ
うに構成されている。中間導電層ＭＬ２は、主に、前記
接続の信頼性を向上すると共に、異なる領域の半導体領
域Ｎ＋と出力信号線Ｈ８とを接続するように構成されて
いる。

前記中間導電層ＭＬＩには、列方向に配置された固体撮
像素子間（素子間分離絶縁膜ＬＯＧ）上に行方向に延在
する出力信号線Ｈ８Ｉ、Ｈ８３，・・・が接続されてい
る。出力信号線ＨＳは、前述のアルミニウムＡＬＬより
も上層の導電層、例えば第２層目のアルミニウム膜ＡＬ
２で構成されている。

アルミニウム膜ＡＬ２は、例えば８０００〜９０００［
人］程度の膜厚で形成する。アルミニウム膜ＡＬ２は、
アルミニウム膜ＡＬＬを覆う層間絶縁膜（例えば、ＰＳ
Ｇ膜）ＩＢ上に設けられている。出力信号線Ｈ８は、前
記層間絶縁膜ＩＢに形成された接続孔Ｃ３を通して、中
間導電層ＭＬＩに接続されている。

中間導電層ＭＬ２には、第３図及び第４図に示すように
、列方向に配置された固体撮像素子の略中央部に、垂直
走査線ＶＬの」二部にそれと重ね合わされて行方向に延
在する出力信号線Ｈ８２，Ｈ８４、・・・が接続されて
いる。出力信号線ＨＳは、例えば第２層目のアルミニウ
ム膜ＡＬ２で構成されている。出力信号線ＨＳは、接続
孔Ｃ３を通して中間導電層ＭＬ２に接続されている。受
光部ＳＡの出力信号線Ｈ８２，Ｈ８４，・・・は、光電
変換素子（光電変換領域）ＰＤの開口面積を可能な限り
大きく形成できるように、前述のように、垂直走査線Ｖ
Ｌと出力信号線Ｈ８２，Ｈ８４，・・・とを重ね合わせ
ている。

オプチカルブラック部ＯＢ領域には、第４図乃至第６図
に示すように、出力信号線Ｈ８の上部に、層間絶縁膜（
例えば、ＰＳＧ膜）ＩＣを介在させて遮光膜ＳＦが設け
られている。遮光膜ＳＦは、導電膜で形成されており、
垂直走査線ＶＬ、水平走査線ＨＬ、出力信号線Ｈ’Ｓ及
び中間導電層ＭＬと共に多層配線構造を構成する。この
遮光膜ＳＦは、多層配線構造の最上層の導電膜で形成さ
れている。

遮光膜ＳＦは、次のように形成されている。

まず、第９図（所定の製造工程における、前記第５図に
示す要部断面図と同一部分の要部断面図）に示すように
、層間絶縁膜ＩＣの表面上に、液体金属錯体（写真乳剤
）ＭＣＰを塗布する。

液体金属錯体ＭＣＰは、例えばゼラチン等の分散媒中（
水溶液）に、ＡｇＣｆ１．ＡｇＢ　？、Ａｇ　Ｉ等のハ
ロゲン化銀を単独に或は混合して微結晶の形で懸濁する
ことで形成したものであり、流動性−ｌυ− を有している。液体金属錯体ＭＣＰは、固体撮像装置Ｃ
ＨＩ（遮光膜ＳＦを形成する段階では、ダイシングでチ
ップ状に形成される前のウェーハ状態である）を回転テ
ーブル上に載置して回転させた状態において、その回転
中心部分に摘下し、遠心力にて周辺部に引き伸すことで
塗布することができる。この液体金属錯体ＭＣＰは、流
動性を有しているので、下地膜（層間絶縁膜ＩＣ）表面
の段差形状に沿って忠実に塗布することができる。

次に、前記塗布された液体金属錯体ＭＣＰを乾燥し、こ
の後、オプチカルブラック部ＯＢの液体金属錯体Ｍ’Ｃ
Ｐを選択的に露光する。この液体金属錯体ＭＣＰの露光
は、オプチカルブラック部ＯＢに、液体金属錯体ＭＣＰ
を現像可能とする潜像を形成する工程である。

次に、液体金属錯体ＭＣＰに現像を施し、オプチカルブ
ラック部ＯＢに選択的に銀（Ａｇ）を析出させる。現像
は、主に、露光（潜像が形成）された液体金属錯体ＭＣ
Ｐのハロゲン化銀の粒子を選択的に還元し、Ａｇに変え
る還元反応である。

現像液は、例えば、現像主薬、保恒剤、アルカリ剤、抑
制剤、特殊添加剤を成分として形成する。

現像主薬は、有機芳香族化合物等の還元性物質で形成さ
れる。保恒剤は、亜硫酸ソーダ等の物質で形成される。

アルカリ剤は、Ｎａ、に等の炭酸塩。

水酸化物等で形成される。抑制剤は、未露光部の現像黒
化を抑制するかぶり防止剤として、臭化カリウム等で形
成される。特殊添加剤は、増感現像。

現像促進等に応じて種々の添加剤を使用する。

銀は、遮光膜ＳＦの遮光性を確保するために、例えば、
１［μｍ］程度の膜厚になるように析出させる。

次に、前記液体金属錯体ＭＣＰに定着を行い、未露光部
分（例えば、オプチカルブラック部ＯＢ以外の受光部Ｓ
Ａ）の液体金属錯体Ｍ、ＣＰを除去する。この定着を行
うことにより、前記第５図及び第６図に示すように、オ
プチカルブラック部ＯＢに、選択的に、液体金属錯体Ｍ
　ＣＰで形成した銀からなる遮光膜ＳＦを形成すること
ができる。

定着剤としては、例えば、チオ硫酸ナトリウムやチオ硫
酸アンモニウムを使用する。

この後、水洗浄を施す。

このように、固体撮像装置ＣＨＩにおいて、層間絶縁膜
ＩＣ上にハロゲン化銀等の液体金属錯体ＭＣＰを塗布し
、オプチカルブラック部ＯＢの液体金属錯体ＭＣＰにＡ
ｇを選択的に析出させて遮光膜ＳＦ（導電膜）を形成し
、この後、Ａ　ｇを析出させない領域の液体金属錯体Ｍ
ＣＰを除去することにより、前記液体金Ｊｉｉｋ錯体Ｍ
ＣＰが有する流動性によって、下地の段差形状に沿って
忠実に液体金属錯体ＭＣＰが塗布され、この液体金ＪＩ
ｉｃ錯体ＭＣＰでＡｇを析出して遮光膜ＳＦを形成する
ことができるので、遮光膜ＳＦのステップカバレッジを
向上することができる。

したがって、遮光１１８Ｆは、ステップカバレッジの低
下に起因する膜厚の不均一やピンホールの発生を低減す
ることができるので、遮光膜Ｓ　Ｉ？の遮光性を向上す
ることができる。

また、遮光膜ＳＦは、液体金属錯体Ｍ　ＣＩ）に、直接
、露光、現像及び定着を施し、直接バターニングするこ
とができるので、例えば、アルミニウム膜のパターニン
グのように、フォトレジストマスクを使用する必要がな
い。したがって、このフォトレジストマスクを形成する
工程に相当する分、固体撮像装置ＣＨＩの製造工程を低
減することができる。

また、本発明は、前記固体撮像装置ＣＨＩにおいて、水
平スイッチＭＯ８Ｑｈのゲート電極（Ｐ−８ｉ）と水平
走査線（アルミニウム膜ＡＬＬ）ＨＬ、中間導電Ｍ（ア
ルミニウム膜ＡＬＬ）ＭＬと出力信号線（アルミニウム
膜ＡＬ２）Ｈ８との夫々の接続部に適用することができ
る。すなわち、少なくとも、ゲート電極と水平走査線Ｈ
Ｌとを接続する接続孔Ｃ２内に、液体金属錯体ＭＣＰで
形成したＡｇを接続用導電膜として埋込むことにより、
接続孔Ｃ２に起因する段差形状を緩和し、ゲート電極と
水平走査線ＨＬとを高信頼性で接続することができる。

微細化で接続孔Ｃ２の開口寸法が１［μｍ］或はそれ以
下で形成されると、蒸着やスパッタで形成される水平走
査線ＨＬは、接続孔Ｃ２内に入り込まないので、特に、
本発明のように形成することは有効である。同様に、少
なくとも、中間導電層ＭＬと出力信号線Ｔ（Ｓとを接続
する接続孔Ｃ３内に、液体金属錯体ＭＣＰで形成したＡ
ｇを接続用導電膜として埋込むことにより、接続孔Ｃ３
に起因する段差形状を緩和し、中間導電層ＭＬと出力信
号線Ｊ−Ｉ　Ｓとを高信頼性で接続することができる。

なお、本発明は、前記固体撮像装置Ｃ）Ｉ　Ｉにおいて
、水平スイッチＭＯ８Ｑｈの半導体領域団と中間導電層
ＭＬとの接続部に適用しない方が好ましい。つまり、接
続孔Ｃ１内に液体金属錯体ＭＣＰで形成したＡｇを接続
用導電膜として埋込む場合、接続用導電膜と半導体領域
Ｎ゛とが直接々し、その形成中に、重金属等の汚染物質
がシリコン中に混入し易くなる。重金属は、水平スイッ
チＭ○ＳＱｈのしきい値電圧を変動させる等、デバイス
特性を劣化させる。本発明を適用する場合には、半導体
領域Ｎ′と液体金属錯体ＭＣＰで形成した接続用導電膜
との間に、汚染物質の侵入を防止するバリア層を介在さ
せることが好ましい。

また、本発明は、前記液体金属錯体ＭＣＰで形成したＡ
ｇ上に、スパッタや蒸着でアルミニウム膜を積層して前
記遮光膜ＳＦを形成してもよい。

接続用導電膜についても同様である。

以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に
基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは勿論である。

本発明は、ＴＳＬ方式の固体撮像装置だけに限定されず
、オプチカルブラック部の画素の上部に、遮光膜が設け
られた他の固体撮像装置に適用することができる。

また、本発明は、固体撮像装置に限定されず、多層配線
構造を有するマイクロコンピュータ、メモリ等あ半導体
集積回路装置や、多層配線構造を有するプリント配線基
板などの電子装置に広く適用することができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

多層配線技術において、絶縁膜上にハロゲン化銀等の液
体金属錯体を塗布し、この液体金属錯体の所定領域に金
属を析出させて導電膜を形成し、この後、金属を析出さ
せない領域の液体金属錯体を除去することにより、前記
液体金属錯体が有する流動性によって、下地の段差形状
に沿って忠実に液体金ＪｉＡ錯体が塗布され、この液体
金属錯体で金属を析出して導電膜を形成することができ
るので、前記導電膜のステップカバレッジを向上するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の実施例であるＴＳＬ方式の固体撮像
装置を示す概略構成図、 第２図は、前記第１図に示す固体撮像装置の等価回路図
、 第３図は、受光部の固体撮像素子を示す要部平面図、 第４図は、オプチカルブラック部の固体撮像素子を示す
要部平面図、 第５図は、第４図の■−■切断線で切った断面図、 第６図は、第４図のＶｌ−ＶＩ切断線で切った断面図、 第７図は、前記固体撮像装置の所定の製造工程における
要部平面図、 第８図は、前記固体撮像装置の所定の製造工程における
要部平面図、 第９図は、前記固体撮像装置の所定の製造工程における
要部断面図である。 図中、ＣＨＩ・・・固体撮像装置（固体撮像チップ）、
ＡＲＲ・・・フォトダイオードアレイ、ＳＡ・・・受光
部、ＯＢ・・・オプチカルブラック部、ＲＥＳ・・・水
平帰線期間リセット部、ＩＮＴ・・・インタレース走査
制御部、Ｖｒｅｇ・・・垂直走査用シフトレジスタ部、
Ｈｒｅｇ・・・水平走査用シフトレジスタ部、ＯＵＴ・
・・出力回路、ＶＬ・・・垂直走査線、ＨＬ・・・水平
走査線、Ｈ８・・・出力信号線、Ｑｈ・・・水平スイッ
チＭＯ８，Ｑｖ＝２８− ・・・垂直スイッチＭＯ８，ＰＤ・・・光電変換素子、
ＭＬ・・・中間導電層、ＳＦ・・・遮光膜、ＭＣＰ・・
・液体金属錯体である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に、絶縁膜、導電膜の夫々を交互に重ね合わ
   せた多層配線部材の製造方法において、前記絶縁膜上に
   、ハロゲン化銀等の液体金属錯体を塗布する工程と、該
   液体金属錯体の所定領域に、金属を析出させて前記導電
   膜を形成する工程と、該金属を析出させない領域の液体
   金属錯体を除去する工程とを具備したことを特徴とする
   多層配線部材の製造方法。 ２、前記液体金属錯体は、ゼラチン等の分散媒中に、Ａ
   ｇＣｌ、ＡｇＢｒ、ＡｇＩ等のハロゲン化銀を単独に或
   は混合して微結晶の形で懸濁したものであることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項に記載の多層配線部材の製
   造方法。 ３、前記液体金属錯体で形成した導電膜は、固体撮像装
   置のオプチカルブラック部の光電変換素子の上部に構成
   される遮光膜として使用されることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項又は第２項に記載の多層配線部材の製造
   方法。 ４、前記液体金属錯体で形成した導電膜は、少なくとも
   、前記絶縁膜に形成される接続孔内に埋込まれ、下層導
   電膜と上層導電膜とを接続する接続用導電膜として使用
   されることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
   項に記載の多層配線部材の製造方法。