JPS63266868A

JPS63266868A - 固体撮像装置

Info

Publication number: JPS63266868A
Application number: JP62099734A
Authority: JP
Inventors: Toshiki Suzuki; 鈴木　敏樹; Toshio Miyazawa; 敏夫宮沢
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1987-04-24
Filing date: 1987-04-24
Publication date: 1988-11-02

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、固体撮像装置に関し、特に、ＭＯＳ型固体撮
像装置に適用して有効な技術に関するものである。

〔従来の技術〕

水平読出（ＴＳＬ：工ｒａｎｓｖｅｒｓａ１．　Ｓｊｇ
ｎａ］其ｊ、ｒ＋ｅ）方式のＭＯＳ型固体撮像装置が知
られている。この固体撮像装置の受光部の固体撮像素子
は、水平スイッチＭＯＳ型電界効果トランジスタ（以′
ＦＭＯＳと称す）、垂直スイッチＭＯＳ、光電変換素子
（フォトダイオード素子）の夫々を直列に接続して構成
されている。

水平スイッチＭＯＳは、列方向に延在する水平走査線を
介在させ、水平走査用シフトレジスタ部（水平走査回路
）で制御される。垂直スイッチＭＯＳは、水平走査線と
交差する行方向に延在する垂直走査線を介在させ、垂直
走査用シフトレジスタ部（垂直走査回路）で制御される
。水平スイッチＭＯＳのドレイン領域には、垂直走査線
と同一行方向に延在する出力信号線が接続されている。

出力信号線は、出力回路（続出回路）、水平帰線期間リ
セット部の夫々に接続されている。水平帰線期間リセッ
ト部は、水平帰線期間内に出力信号線に蓄えられた偽信
号をリセットするように構成されている。また出力信号
線は水平走査期間内にホトダイオードの読み出し毎に高
速にリセットされている。つまり、このＴＳＬ方式の固
体撮像装置は、スミアを低減して高画質を得ることがで
きる特徴がある。

一方、従来、各列共通に設けられている水平スイッチＭ
ＯＳに代えて、前述のように、ＴＳＬ方式の固体撮像装
置は、セル（画素）毎にそれに比べて小さな水平スイッ
チＭＯＳを設けている。この固体撮像装置は、水平スイ
ッチＭＯＳのスイッチング時に発生するスパイク雑音の
ばらつきによる固定雑音を低減できる特徴がある。

なお、ＴＳＬ方式の固体撮像装置については、例えば、
映像情報（１）、１９８６年５月号、Ｐ１９〜Ｐ２４に
記載されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前述のＴＳＬ方式の固体撮像装置には、受光部の他に、
オプチカルブラック部が構成されている。

オプチカルブラック部は、暗電流成分によるノイズを補
正するための基準値（光学的黒レベル）を形成するよう
に構成されている。オプチカルブラック部は、受光部と
同−構造で構成された固体撮像素子の光電変換素子の上
部に遮光膜を設けたデバイス構造で構成されている。遮
光膜は、スパッタで蒸着した最上層のアルミニウム膜で
形成する。

オプチカルブラック部の固体撮像素子と遮光膜との間に
は、垂直走査線、出力信号線等の複数層の導電層を延在
させている。このため、遮光膜の下地絶縁膜の表面に段
差形状が成長し、遮光膜のステップカバレッジが劣化す
るので、オプチカルブラック部の遮光性が低下するとい
う問題を生じる。

本発明の目的は、固体撮像装置において、オプチカルブ
ラック部の遮光性を向上することが可能な技術を提供す
ることにある。

本発明の他の目的は、前記目的を達成するための製造工
程を低減することが可能な技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

固体撮像装置のオプチカルブラック部において、固体撮
像素子の光電変換素子と遮光膜との間に、補助用遮光膜
を設ける。

また、前記補助用遮光膜は、前記固体撮像素子と遮光膜
との間に形成される配線と同一導電層で形成する。

〔作用〕

上述した手段によれば、オプチカルブラック部の遮光膜
を２重構造とし、同一個所に光漏れを生じるような膜厚
の不均一やピンホールの発生する確率を低減したので、
オプチカルブラック部の遮光性を向上することができる
。

また、前記補助用遮光膜を形成する工程を前記配線を形
成する工程と兼用することができるので、固体撮像装置
の製造工程を低減することができる。

以下、本発明の構成について、ＴＳＬ方式のＭｏＳ型固
体撮像装置に本発明を適用した一実施例とともに説明す
る。

なお、実施例を説明するための全回において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。

〔実施例〕

本発明の実施例であるＴＳＬ方式の固体撮像装置を第１
図（概略構成図）及び第２図（等価回路図）で示す。

第１図に示すように、ＴＳＬ方式の固体撮像装置（固体
撮像チップ）ＣＨＩは、中央部にセル（画素）を行列状
に複数配置したフォトダイオードアレイＡＲＲが構成さ
れている。

フォトダイオードアレイＡＲＲは、受光部ＳＡとオプチ
カルブラック部ＯＢとで構成されている。

受光部ＳＡは、光学レンズを通して入射された光信号を
電荷に変換して蓄積できるように構成されている。オプ
チカルブラック部ＯＢは、暗電流成分によるノイズを補
正するための基準値（光学的黒レベル）を形成するよう
に構成されている。

フォトダイオードアレイＡＲＲの右側の周辺には、水平
帰線期間リセット部ＲＥＳ、インタレース走査制御部Ｉ
ＮＴ、垂直走査用シフトレジスタ部（垂直走査用回路）
　Ｖ　ｒｅｇが設けられている。下側周辺には、水平走
査用シフトレジスタ部（水平走査用回路）Ｈｒｅｇ、左
側には、出力回路（読出回路）ＯＵＴが設けられている
。

第２図に示すように、前記フォトダイオードアレイＡＲ
Ｒの受光部ＳＡは、垂直走査線ＶＬＩ。

ＶＬ２．−・・、水平走査線ＨＬＩ、ＨＬ２．　・・・
、出力信号線Ｈ８１，Ｈ８２，・・・の夫々の交差部に
配置されている。垂直走査線ＶＬは、行方向に延在し、
列方向に複数本配置されている。水平走査線ＨＬは、列
方向に延在し、行方向に複数本配置されている。出力信
号線Ｈ８は、垂直走査線ＶＬと同一の行方向に延在し、
列方向に複数本配置されている。

前記画素は、水平スイッチＭＯＳＱｈ、垂直スイッチＭ
ＯＳＱｖ（Ｑｖｌ、Ｑｖ２）、光電変換素子（フォトダ
イオード）ＰＤ（ＰＤＩ、ＰＤ２）で構成されている。

水平スイッチＭＯＳＱｈの一方の半導体領域と垂直スイ
ッチＭ　ＯＳ　Ｑ　ｖの他方の半導体領域は接続されて
おり、両者は直列に接続されている。光電変換素子ＰＤ
Ｉは、垂直スイッチＭ　ＯＳ　Ｑ　ｖ　１の他方の半導
体領域に接続され、光電変換素子ＰＤ２は、垂直スイッ
チＭ　ＯＳ　Ｑ　ｖ　２の一方の半導体領域に接続され
ている。

列方向に配置された複数の固体撮像素子の水平スイッチ
ＭＯＳＱｈのゲート電極は、１本の水平走査線ＨＬに接
続されている。水平走査線ＨＬは、水平走査用シフトレ
ジスタ部Ｈｒｅｇに接続されている。水平走査用シフト
レジスタ部Ｈｒｅｇは、入力信号Ｈｉｎ及びクロック信
号φｈｌｌφｈ２によって、行方向に配置される複数の
水平走査線ＨＬを順次走査し、行方向の画素を選択する
ように構成されている。

行方向に配置された複数の画素の垂直スイッチＭ　ＯＳ
　Ｑ　ｖのゲート電極は、１本の垂直走査線ＶＬに接続
されている。垂直走査線ｖＬの一端は、インタレース走
査制御部ＩＮＴを介在させて垂直走査用シフトレジスタ
部Ｖｒｅｇに接続されている。

垂直走査用シフトレジスタ部Ｖｒｅｇは、入力信号Ｖｉ
ｎ及びクロック信号φｖｘｔφν２によって、列方向に
配置される複数の垂直走査線ＶＬを順次走査するための
選択信号Ｒ工、Ｒ２，・・・をインタレース走査制御部
ＩＮＴに出力するように構成されている。

インタレース走査制御部ＩＮＴは、フィールド選択信号
Ｆｅ又はＦＯでスイッチＭ　ＯＳ　Ｑ　Ｆ　ｅ又はＱ　
Ｆ　ｏを制御し、選択信号Ｒを伝達する駆動用ＭＯＳＱ
ｄを選択するように構成されている。駆動用ＭＯＳＱｄ
は、ゲート電極と一方の半導体領域（垂直走査線ＶＬ）
との間に昇圧コンデンサが設けられている。駆動用ＭＯ
ＳＱｄの他方の半導体領域には、垂直走査信号φ３又は
φ、が印加されている。つまり、垂直走査信号φ３又は
φ、は、選択信号Ｒに基づき、駆動用ＭＯＳＱｄによっ
て垂直走査線ＶＬに印加される。駆動用ＭＯＳＱｄは、
前記昇圧コンデンサによって、しきい値電圧に相当する
電圧降下を生じることなく、垂直走査信号φ３又はφ、
を垂直走査線ＶＬに印加することができる。

このインクレース走査制御部ＩＮＴは、２折回時読出が
行えるように構成されている。すなわち、まず、インタ
レース走査制御部ＩＮＴは、フィールド選択信号Ｆによ
って、隣接する奇数フィールドの２行の垂直走査線ＶＬ
（例えば、ＶＬＩとＶＬ２、ＶＬ３とＶＬ４）を選択す
る。次に、インタレース走査制御部ＩＮＴは、他のフィ
ールド選択信号Ｆによって、２行の垂直走査線ＶＬの組
合−Ｉｎ変え（例えば、ＶＬ２とＶＬ３、ＶＬ４とＶＬ
５）で選択するように構成されている。

垂直走査線ＶＬの他端は、出力回路ＯＵＴの出力制御用
Ｍ　ＯＳ　Ｑ　Ｓ　ｙ　ｅ　、　Ｑ　Ｓ　ｃ　ｙ　、　
Ｑ　Ｓ　ｗ　、　Ｑ　Ｓｇのゲート電極に接続されてい
る。出力制御用ＭＯＳＱＳは、出力信号線Ｈ８の一端と
出力回路ＯＵＴの各色毎の出力線ＳＹｅ、ＳＣｙ、ＳＷ
、ＳＧとを接続するように構成されている。

出力信号線ＨＳは、行方向に配置された複数の固体撮像
素子の水平スイッチＭＯＳＱｈの他方の半導体領域（ド
レイン領域）に接続されている。出力信号線Ｈ８の他端
は、水平帰線期間リセット部ＲＥＳのリセット用Ｍ　Ｏ
Ｓ　Ｑ　ｒを介在させて、リセット用出力線Ｖｒに接続
されている。リセット用Ｍ　ＯＳ　Ｑ　ｒのゲート電極
は、リセット信号線ＲＰに接続され制御されている。水
平帰線期間リセット部ＲＥＳは、水平走査期間内に蓄え
られた偽信号をリセットするように構成されている。

次に、ＴＳＬ方式の固体撮像素子ＣＨＩの具体的なデバ
イス構造について、第３図乃至第６図を用いて説明する
。第３図は、受光部ＳＡの固体撮像素子を示す要部平面
図、第４図は、オプチカルブラック部ＯＢの固体撮像素
子を示す要部平面図である。第５図は、第４図の■−■
切断線で切った断面図、第６図は、第４図のＶＩ−ＶＩ
切断線で切った断面図である。

第３図乃至第６図に示すように、受光部ＳＡ、オプチカ
ルブラック部ＯＢの夫々の画素は、基本的には同一構造
で構成されている。

受光部ＳＡ、オプチカルブラック部ＯＢの夫々の固体撮
像素子は、半導体基板ＳＵＢに設けられたウェル領域Ｗ
ＥＬＬの主面に形成され、素子間分離絶縁膜ＬＯＣにそ
の周囲を規定されている。

半導体基板ＳＵＢは、単結晶シリコンからなるＮ型で構
成されている。ウェル領域ＷＥＬＬは、Ｐ型で構成され
ており、主に、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴを形成する。

素子間分離絶縁膜ＬＯＧは、ウェル領域ＷＥＬＬの主面
を選択的に熱酸化して形成した酸化シリコン膜で構成さ
れている。素子間分離絶縁膜ＬＯＧは、第３図及び第４
図に示すように、画素形成領域をＵ字形状で構成してい
る。詳述すれば、素子間分離絶縁膜ＬＯＧは、水平スイ
ッチＭＯＳＱｈ形成領域の面積は小さく、垂直スイッチ
ＭＯＳＱｖ形成領域の面積は大きくなるように、Ｕ字形
状で構成する。

画素の水平スイッチＭＯＳＱｈは、第３図乃至第６図、
及び第７図（所定の製造工程における要部平面図）に示
すように、主に、ウェル領域ＷＥＬＬ、ゲート絶縁膜、
ゲート電極、ソース領域又はドレイン領域である一対の
Ｎ゛型半導体領域（Ｎ１）で構成されている。

ゲート絶縁膜は１例えば、ウェル領域ＷＥＬＬ領域の主
面を酸化して形成した酸化シリコン膜で形成する。

ゲート電極は、ゲート電極材料例えば多結晶シリコン膜
（半導体膜）Ｐ−８ｉで形成する。多結晶シリコン膜Ｐ
　−Ｓ　ｉは、例えば、３０００〜４０００［人コ程度
の膜厚で形成する。また、ゲート電極は、高融点金属（
Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ）膜若しくは高融点金属シリサイ
ド（Ｍ　ｏ　Ｓ　ｉ＠　ｇ　Ｔ　ｉ　Ｓ　ｌ　２　ｙ　
Ｔ　ａ　Ｓ　ｌ　２１　Ｗ　Ｓ　’　２　）膜、或は多
結晶シリコン膜とそれらとの複合膜で形成してもよい。

半導体領域ずは、ゲート電極をマスクとしたイオン打込
みでウェル領域ＷＥＬＬの主面部にＮ型不純物を導入し
、これに引き伸し拡散を施して形成する。

前記水平スイッチＭＯＳＱｈのドレイン領域である半導
体領域Ｎ＋は、ウェル領域ＷＥＬＬよりも高不純物濃度
のＰ＋型半導体領域（Ｐｌ）の主面部に構成されている
。半導体領域Ｐ＋は、水平スイッチＭＯＳＱｈのチャネ
ル形成領域まで拡散されている。

この半導体領域Ｐ＋は、水平スイッチＭＯＳＱｈのしき
い値電圧を上昇するように構成されている。

つまり、半導体領域Ｐ＋は、ブルーミングを生じるよう
な電子が光電変換素子ＰＤ側から出力信号線Ｈ８に移動
することを低減するように構成されている。

垂直スイッチＭＯＳＱｖｌは、水平スイッチＭＯＳＱｈ
と実質的に同様に、主に、ウェル領域ＷＥＬＬ、ゲート
絶縁膜、ゲート電極、ソース領域又はドレイン領域であ
る一対の半導体領域Ｎ゛で構成されている。

垂直スイッチＭ　ＯＳ　Ｑ　ｖ　２は、水平スイッチＭ
ＯＳＱｈと実質的に同様に、主に、ウェル領域ＷＥＬＬ
、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース領域又はドレイン
領域である一対の半導体領域Ｎ＋で構成されている。

垂直スイッチＭＯＳＱｖｌ、Ｑ　ｖ　２の夫々のゲート
電極は、水平スイッチＭＯＳＱｈのゲート電極と同一製
造工程で形成されている。垂直スイッチＭ　ＯＳ　Ｑ　
ｖ　１、Ｑｖ２の夫々のゲート電極は、フォトダイオー
ド形成領域（或は受光部）の中央部を行方向に横切るよ
うに延在し、かつ、一体に構成されている。さらに、垂
直スイッチＭＯＳＱｖ１、Ｑｖ２の夫々のゲート電極は
、行方向に延在する垂直走査線ＶＬと一体に構成されて
いる。

垂直スイッチＭ　ＯＳ　Ｑ　ｖ　１の一方の半導体領域
Ｎ′″は、水平スイッチＭＯＳＱｈの一方の半導体領域
Ｗと一体に構成（共有）されている。垂直スイッチＭＯ
ＳＱｖｌの他方の半導体領域Ｎ“は、垂直スイッチＭ　
ＯＳ　Ｑ　ｖ　２の他方の半導体領域Ｎ１と一体に構成
（共有）されている。

光電変換素子ＰＤＩは、垂直スイッチＭＯＳＱｖ１の他
方の半導体領域Ｎ“又は垂直スイッチＭＯＳＱｖ２の他
方の半導体領域Ｎ＋とウェル領域ＷＥＬＬとのＰＮ接合
部で構成される。光電変換素子ＰＤ２は、垂直スイッチ
Ｍ　ＯＳ　Ｑ　ｖ　２の一方の半導体領域Ｎ＋とウェル
領域ＷＥＬＬとのＰＮ接合部で構成される。

水平走査線ＨＬは、第８図（所定の製造工程における要
部平面図）に詳細に示すように、行方向に配置された固
体撮像素子形成領域間（素子間分離絶縁膜ＬＯＧ）上に
、列方向に延在するように構成されている。水平走査線
ＨＬは、前述の多結晶シリコン膜Ｐ−８ｉよりも上層の
導電層、例えば第１層目のアルミニウム膜ＡＬＬで構成
されて１ｆｉ− いる。アルミニウム膜ＡＬＩは、例えば５０００［人］
程度の膜厚で形成されている。アルミニウム膜ＡＬ１は
、水平スイッチＭＯＳＱｈ等を覆う層間絶縁膜（例えば
、ＰＳＧ膜）ＩＡ上に設けられている。

水平走査線ＨＬは、前記層間絶縁膜ＩＡに形成された接
続孔Ｃ２を通して、水平スイッチＭＯＳＱｈのゲート電
極（多結晶シリコン膜Ｐ−８ｉ）に接続されている。

水平スイッチＭＯＳＱｈのドレイン領域である半導体領
域Ｎ＋には、接続孔ｃ１を通して、中間導電層ＭＬＩ又
はＭＢ２が接続されている。本実施例の固体撮像装置Ｃ
ＨＩは、カラー用素子（又はモノクロ用素子であっても
よい）で構成されており、中間導電層ＭＬＩは、黄Ｙｓ
、白Ｗの夫々のカラーフィルタが設けられる固体撮像素
子に設けられ、中間導電層ＭＬ２は、シアンｃｙ、緑Ｇ
の夫々のカラーフィルタが設けられる固体撮像素子に設
けられている。中間導電層ＭＬＩ、ＭＢ２の夫々は、水
平走査線ＨＬと同一導電層で形成されている。

一１６＝中間導電層ＭＬＩは、水平スイッチＭＯＳＱｈの半導体
領域Ｎ１と実質的にその上層に延在する出力信号線Ｈ８
Ｉ、Ｈ８３，・・・とを接続するように構成されている
。中間導電層ＭＬＩは、主に、前記接続の際の段差形状
を低減し、接続の信頼性を向上するように構成されてい
る。中間導電層ＭＬ２は、水平スイッチＭＯＳＱｈの半
導体領域Ｎ４とその領域と異なる領域の上層に延在する
出力信号線Ｈ８２，Ｈ８４，・・・とを接続するように
構成されている。中間導電層ＭＬ２は、主に、前記接続
の信頼性を向上すると共に、異なる領域の半導体領域Ｎ
＋と出力信号線Ｈ８とを接続するように構成されている
。

オプチカルブラック部ＯＢの中間導電層ＭＬＩ、ＭＢ２
の夫々は、第４図、第５図、第６図及び第８図に示すよ
うに、受光部ＳＡのそれに比べて、光電変換素子ＰＤを
覆うように、大面積で構成されている。中間導電層ＭＬ
Ｉ、ＭＢ２の夫々は、加工マージン、短絡防止マージン
等を考慮し、同一導電層の水平走査線ＨＬに接触しない
程度に大面積で構成されている。この中間導電層ＭＬＩ
、ＭＬ２の光電変換素子ＰＤを覆う部分は、補助用遮光
膜ＳＦＨとして使用される。つまり、中間導電層ＭＬＩ
、ＭＬ２は、補助用遮光膜ＳＦＨと一体に構成されてい
る。

前記中間導電層ＭＬＩには、列方向に配置された固体撮
像素子間（素子間分離絶縁膜ＬＯＧ）上に行方向に延在
する出力信号線Ｈ８Ｉ、Ｈ８３，・・・が接続されてい
る。出力信号線Ｈ８は、前述のアルミニウムＡＬＬより
も上層の導電層、例えば第２層目のアルミニウム膜ＡＬ
２で構成されている。

アルミニウム膜ＡＬ２は、例えば８０００〜９０００［
人］程度の膜厚で形成する。アルミニウム膜ＡＬ２は、
アルミニウム膜ＡＬＬを覆う層間絶縁膜（例えば、ＰＳ
Ｇ膜）ＩＢ上に設けられている。出方信号線Ｈ８は、前
記層間絶縁膜ＩＢに形成された接続孔Ｃ３を通して、中
間導電層ＭＬＩに接続されている。

中間導電層ＭＬ２には、第３図及び第４図に示すように
、列方向に配置された固体撮像素子の略中央部に、垂直
走査線ＶＬの上部にそれと重ね合わされて行方向に延在
する出力信号線Ｈ５２，Ｈ８４、・・・が接続されてい
る。出力信号線Ｈ８は、例えば第２層目のアルミニウム
膜ＡＬ２で構成されている。出力信号線Ｈ８は、接続孔
Ｃ３を通して中間導電層ＭＬ２に接続されている。受光
部ＳＡの出力信号線Ｈ８２，Ｈ８４，・・・は、光電変
換素子（光電変換領域）ＰＤの開口面積を可能な限り大
きく形成できるように、前述のように、垂直走査線ＶＬ
と出力信号線Ｈ８２，Ｈ８４，・・・とを重ね合わせて
いる。

オプチカルブラック部ＯＢ領域には、第４図乃至第６図
に示すように、出力信号線Ｈ８の上部に、層間絶縁膜（
例えば、ＰＳＧ膜）ＩＣを介在させて遮光膜ＳＦが設け
られている。遮光膜ＳＦは、例えば、第３層目のアルミ
ニウム膜ＡＬ３で形成する。アルミニウム膜ＡＬ３は、
例えば、スパッタで形成し、１００００［人］程度の膜
厚で形成する。

このように構成される固体撮像装置ＣＨＩは、オプチカ
ルブラック部ＯＢにおいて、固体撮像素−ｌソ　− 子の光電変換素子ＰＤと遮光膜ＳＦとの間に、補助用遮
光膜ＳＦＨを設けることにより、オプチカルブラック部
ＯＢの遮光膜を２重構造とし、同一個所に光漏れを生じ
るようなピンホールが発生する確率を低減したので、オ
プチカルブラック部の遮光性を向上することができる。

つまり、遮光膜ＳＦのステップカバレッジの劣化に起因
する光漏れが生じても、下層の補助用遮光膜ＳＦＨでそ
の光漏れを防止することができる。

また、補助用遮光膜ＳＦＨは、最下層のアルミニウム膜
ＡＬＬで構成することにより、アルミニウム膜ＡＬ２で
形成する場合に比べて、光電変換素子ＰＤへの光の回り
込みを小さくすることができるので、オプチカルブラッ
ク部の遮光性をより一層向上することができる。なお、
補助用遮光膜ＳＦＨは、受光部ＳＡの固体撮像素子に対
して、暗電流値が変化するので、半導体領域Ｎ′又はウ
ェル領域ＷＥＬＬとの間の寄生容量が大きな多結晶シリ
コン膜Ｐ　−Ｓ　ｉで構成することは好ましくない。

また、前記補助用遮光膜ＳＦＨは、前記画素と遮光膜Ｓ
Ｆとの間に形成される中間導電層ＭＬ（又は水平走査線
ＨＬ）と同一導電層で形成することにより、前記中間導
電層ＭＬ　（又は水平走査線ＨＬ）を形成する工程と兼
用することができるので、固体撮像装置の製造工程を低
減することができる。

また、前記オプチカルブラック部ＯＢの補助用遮光膜Ｓ
ＦＨは、受光部ＳＡの中間導電層ＭＬの形状を単に変更
するだけなので、前記効果を簡単に得ることができる。

一方、固体撮像装置ＣＨＩの受光部ＳＡは、中間導電層
ＭＬを小面積で構成しているので、光電変換素子ＰＤの
開口率を増加し、固体撮像装置ＣＨＩの撮像感度を向上
することができる。

本発明は、オプチカルブラック部ＯＢにおいて、前記補
助用遮光膜ＳＦＨと遮光膜ＳＦとの間に、出力信号線Ｈ
８と同一導電層でさらに補助用遮光膜を構成し、遮光膜
を３重構造で構成してもよい。

また、本発明は、前記出力信号線Ｈ８と同−導重層で構
成した補助用遮光膜と遮光膜ＳＦとで２重構造の遮光膜
を構成してもよい。

以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に
基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは勿論である。

本発明は、ＴＳＬ方式の固体撮像装置だけに限定されず
、オプチカルブラック部の画素の上部に、遮光膜が設け
られた他の固体撮像装置に適用することができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

オプチカルブラック部を有する固体撮像装置において、
固体撮像素子の光電変換素子と遮光膜との間に補助用遮
光膜を設けたことにより、遮光膜を２重構造とし、オプ
チカルブラック部の遮光性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例であるＴＳＬ方式の固体撮像
装置を示す概略構成図、第２図は、前記第１図に示す固体撮像装置の等価回路図
、第３図は、受光部の固体撮像素子を示す要部平面図、第４図は、オプチカルブラック部の固体撮像素子を示す
要部平面図、第５図は、第４図の■−■切断線で切った断面図、第６図は、第４図のＶＩ−ＶＩ切断線で切った断面図、第７図は、前記固体撮像装置の所定の製造工程における
要部平面図、第８図は、前記固体撮像装置の所定の製造工程における
要部平面図である。図中、ＣＨＩ・・・固体撮像装置（固体撮像チップ）、
ＡＲＲ・・・フォトダイオードアレイ、ＳＡ・・・受光
部、ＯＢ・・・オプチカルブラック部、ＲＥＳ・・・水
平帰線期間リセット部、ＩＮＴ・・・インタレース走査
制御部、Ｖｒｅｇ・・・垂直走査用シフトレジスタ部、
Ｈｒｅｇ・・・水平走査用シフトレジスタ部、ＯＵＴ・
・・出力回路、ｖＬ・・・垂直走査線、ＨＬ・・・水平
走査線、Ｈ８・・・出力信号線、Ｑｈ・・・水平スイッ
チＭＯＳ，Ｑｖ・・・垂直スイッチＭＯＳ，ＰＤ・・・
光電変換素子、ＭＬ・・・中間導電層、ＳＦ・・・遮光
膜、ＳＦＨ・・・補助用遮光膜である。第１図ＳＡ・・・受光部ＯＢ・・・オプチカル・ブラック部Ｖｒｅｇ・・・垂直走査用シフトレゼスタ部１−１ｒｅ
ｑ・・・水平走査用シフトレラスタ部ＲＥＳ・・・水平
帰線期間リセット部ＩＮＴ・・・インタレース走査制御部ＯＵＴ・・・出力回路ＣＨＩ・・・固体撮像チッソ。

Claims

【特許請求の範囲】１、固体撮像素子の光電変換素子の上部に遮光膜を設け
たオプチカルブラック部を有する固体撮像装置において
、前記光電変換素子と遮光膜との間に、補助用遮光膜を
設けたことを特徴とする固体撮像装置。２、前記遮光膜はアルミニウム膜、前記補助用遮光膜は
アルミニウム膜で夫々形成されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の固体撮像装置。３、前記補助用遮光膜は、前記固体撮像素子の光電変換
素子と遮光膜との間に形成される配線と同一導電層で形
成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
２項に記載の固体撮像装置。４、前記補助用遮光膜は、前記固体撮像素子の光電変換
素子と遮光膜との問に形成される、出力信号線と固体撮
像素子のスイッチＭＯＳとを接続する中間導電層と一体
に構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第３
項に記載の固体撮像装置。５、前記中間導電層は、水平走査線と同一導電層で構成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第４項に記
載の固体撮像装置。