JP3159171B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- LPQOADBMXVRBNX-UHFFFAOYSA-N ac1ldcw0 Chemical compound Cl.C1CN(C)CCN1C1=C(F)C=C2C(=O)C(C(O)=O)=CN3CCSC1=C32 LPQOADBMXVRBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 241000287462 Phalacrocorax carbo Species 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
-
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置に関
し、特に、周辺回路部として、電荷をゲート電極下の絶
縁手段中に捕獲し、しきい値電圧電圧を変化させる構造
の不揮発性メモリトランジスタを含む回路を有する固体
撮像装置に関する。
し、特に、周辺回路部として、電荷をゲート電極下の絶
縁手段中に捕獲し、しきい値電圧電圧を変化させる構造
の不揮発性メモリトランジスタを含む回路を有する固体
撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、固体撮像素子の基板電圧は、光電
変換部１１での信号電荷のブルーミングを抑制する電圧
に設定されるが、この値はデバイスごとに異なってお
り、カメラ側でデバイスごとに電圧を設定する必要があ
った。この値を設定するために、種々の回路が考案され
ているが、デバイスの周辺回路として基板電圧発生回路
が内蔵されるタイプのものでは、外部から印加される電
圧をこの基板電圧発生回路により最適値に設定する。こ
の最適値は、抵抗分割回路中に配置した不揮発性メモリ
トランジスタに電荷を蓄積し、しきい値電圧を変えるこ
とで、所望の電圧を発生させることにより得られる。
変換部１１での信号電荷のブルーミングを抑制する電圧
に設定されるが、この値はデバイスごとに異なってお
り、カメラ側でデバイスごとに電圧を設定する必要があ
った。この値を設定するために、種々の回路が考案され
ているが、デバイスの周辺回路として基板電圧発生回路
が内蔵されるタイプのものでは、外部から印加される電
圧をこの基板電圧発生回路により最適値に設定する。こ
の最適値は、抵抗分割回路中に配置した不揮発性メモリ
トランジスタに電荷を蓄積し、しきい値電圧を変えるこ
とで、所望の電圧を発生させることにより得られる。
【０００３】基板電圧発生回路の不揮発性メモリトラン
ジスタには、ＭＮＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｓｉ３Ｎ４−Ｓｉ
Ｏ２−Ｓｉの略称、以下ＭＮＯＳと称す）型、ＭＯＮＯ
Ｓ（Ｍｅｔａｌ−ＳｉＯ２−Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＯ２−Ｓ
ｉの略称、以下ＭＯＮＯＳと称す）型、フローティング
ゲート型などがあるが、ここでは、ＭＮＯＳ型トランジ
スタを例として示す。
ジスタには、ＭＮＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｓｉ３Ｎ４−Ｓｉ
Ｏ２−Ｓｉの略称、以下ＭＮＯＳと称す）型、ＭＯＮＯ
Ｓ（Ｍｅｔａｌ−ＳｉＯ２−Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＯ２−Ｓ
ｉの略称、以下ＭＯＮＯＳと称す）型、フローティング
ゲート型などがあるが、ここでは、ＭＮＯＳ型トランジ
スタを例として示す。
【０００４】図５は、ＭＮＯＳ型トランジスタを模式的
に示す略断面図であり、Ｐ型半導体基板１内にＮ＋型ソ
ース拡散層２、Ｎ＋型ドレイン拡散層３が形成され、Ｎ
＋型ソース拡散層２及びＮ＋型ドレイン拡散層３に挟ま
れたＰ型半導体基板１上にはゲート絶縁膜として、下か
らゲート酸化膜４、ゲート窒化膜５の順に形成されてい
る。更に、この上に導電性物質からなるゲート電極６、
第１層間絶縁膜７、第２層間絶縁膜１０がそれぞれ続い
て形成される。このＭＮＯＳ型トランジスタのしきい値
電圧は、Ｎ＋型ソース拡散層２及びＮ＋型ドレイン拡散
層３に挟まれたＰ型半導体基板１の不純物濃度、ゲート
酸化膜４及びゲート窒化膜５の膜厚、ゲート電極６を構
成する導電性物質等により決定されるが、ゲート電極６
にＮ＋型ソース拡散層２に対して正の所定の電圧を印加
すると、ゲート酸化膜４とゲート窒化膜５との間の界面
に電子が注入され、その注入された電子がゲート酸化膜
４とゲート窒化膜５との界面に形成されている捕獲セン
ター６１に捕獲されて、ＭＮＯＳ型トランジスタのしき
い値電圧をそれが大きくなる方向に変化させる。逆に、
Ｎ＋型ソース拡散層２にゲート電極６に対して正の所定
の電圧を印加すると、ゲート酸化膜４とゲート窒化膜５
との間の界面の捕獲センター６１に捕獲された電子が引
き抜かれ、ＭＮＯＳ型トランジスタのしきい値電圧は元
の値に戻る。この不揮発性メモリトランジスタへの電荷
の捕獲、引抜は、デバイスのテスト工程で行われる。
に示す略断面図であり、Ｐ型半導体基板１内にＮ＋型ソ
ース拡散層２、Ｎ＋型ドレイン拡散層３が形成され、Ｎ
＋型ソース拡散層２及びＮ＋型ドレイン拡散層３に挟ま
れたＰ型半導体基板１上にはゲート絶縁膜として、下か
らゲート酸化膜４、ゲート窒化膜５の順に形成されてい
る。更に、この上に導電性物質からなるゲート電極６、
第１層間絶縁膜７、第２層間絶縁膜１０がそれぞれ続い
て形成される。このＭＮＯＳ型トランジスタのしきい値
電圧は、Ｎ＋型ソース拡散層２及びＮ＋型ドレイン拡散
層３に挟まれたＰ型半導体基板１の不純物濃度、ゲート
酸化膜４及びゲート窒化膜５の膜厚、ゲート電極６を構
成する導電性物質等により決定されるが、ゲート電極６
にＮ＋型ソース拡散層２に対して正の所定の電圧を印加
すると、ゲート酸化膜４とゲート窒化膜５との間の界面
に電子が注入され、その注入された電子がゲート酸化膜
４とゲート窒化膜５との界面に形成されている捕獲セン
ター６１に捕獲されて、ＭＮＯＳ型トランジスタのしき
い値電圧をそれが大きくなる方向に変化させる。逆に、
Ｎ＋型ソース拡散層２にゲート電極６に対して正の所定
の電圧を印加すると、ゲート酸化膜４とゲート窒化膜５
との間の界面の捕獲センター６１に捕獲された電子が引
き抜かれ、ＭＮＯＳ型トランジスタのしきい値電圧は元
の値に戻る。この不揮発性メモリトランジスタへの電荷
の捕獲、引抜は、デバイスのテスト工程で行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、固体撮
像装置をカメラに使用した場合、撮像領域以外にも光が
入射され、この光、特に紫外線領域の光が上述した不揮
発性メモリトランジスタに入射すると、ゲート電極下の
絶縁膜中に捕獲されている電荷がエネルギーを得、この
エネルギーが捕獲準位のエネルギー準位よりも大きくな
ると、電荷が捕獲準位から放出され、不揮発性メモリト
ランジスタのしきい値電圧が変化してしまう。つまり、
不揮発性メモリトランジスタを有する周辺回路の特性が
変動し、一度設定した基板電圧が変動してしまうという
問題点があった。
像装置をカメラに使用した場合、撮像領域以外にも光が
入射され、この光、特に紫外線領域の光が上述した不揮
発性メモリトランジスタに入射すると、ゲート電極下の
絶縁膜中に捕獲されている電荷がエネルギーを得、この
エネルギーが捕獲準位のエネルギー準位よりも大きくな
ると、電荷が捕獲準位から放出され、不揮発性メモリト
ランジスタのしきい値電圧が変化してしまう。つまり、
不揮発性メモリトランジスタを有する周辺回路の特性が
変動し、一度設定した基板電圧が変動してしまうという
問題点があった。
【０００６】本発明は、上述したような従来の固体撮像
装置の問題点に対して、周辺回路部に含まれるＭＮＯＳ
型、ＭＯＮＯＳ型、フローティングゲート型などの不揮
発性メモリトランジスタの絶縁膜中に電荷を捕獲した
後、不揮発性メモリトランジスタへの光の入射を防ぐこ
とにより、不揮発性メモリトランジスタのしきい値電圧
の変動を防止し、周辺回路特性の安定した、信頼性の高
い固体撮像装置を提供することにある。
装置の問題点に対して、周辺回路部に含まれるＭＮＯＳ
型、ＭＯＮＯＳ型、フローティングゲート型などの不揮
発性メモリトランジスタの絶縁膜中に電荷を捕獲した
後、不揮発性メモリトランジスタへの光の入射を防ぐこ
とにより、不揮発性メモリトランジスタのしきい値電圧
の変動を防止し、周辺回路特性の安定した、信頼性の高
い固体撮像装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、半導体基板上に複数の光電変換素子が配置された光
電変換素子列及びこれに隣接し前記各光電変換素子から
信号電荷を読み出して転送する手段でなる電荷転送部、
前記電荷転送部の上方に電荷転送ゲート絶縁膜を介して
形成され、前記信号電荷の読出し及び転送を制御する電
荷転送電極、前記各光電変換素子の主要領域以外の領域
上にあって、前記電荷転送電極を絶縁保護膜を介して覆
うように形成された遮光膜、前記遮光膜を含む半導体基
板全面に形成された第１層間絶縁膜、前記各光電変換素
子の主要領域上方に少なくとも前記各光電変換素子の主
要領域を覆うべく前記第１層間絶縁膜を介して設けられ
た複数種類のカラーフィルタから成る画素部と、前記画
素部の周辺にあって、Ｍｅｔａｌ−Ｓｉ 3 Ｎ 4 −ＳｉＯ
2 −Ｓｉ型又はＭｅｔａｌ−ＳｉＯ 2 −Ｓｉ 3 Ｎ 4 −Ｓ
ｉＯ 2 −Ｓｉ型若しくはフローティングゲート型のいず
れかのトランジスタである不揮発性メモリトランジスタ
を含む基板電圧設定回路とを有する固体撮像装置におい
て、前記不揮発性メモリトランジスタ上方に光遮蔽膜が
形成され、前記各光電変換素子の上方に形成された前記
複数種類のカラーフィルタが原色系カラーフィルタから
なり、前記光遮蔽膜が少なくともレッドのカラーフィル
タを含む１種類或いは２種類の原色系カラーフィルタが
垂直方向に順番に形成された単層膜或いは多層膜である
ことを特徴としている。
は、半導体基板上に複数の光電変換素子が配置された光
電変換素子列及びこれに隣接し前記各光電変換素子から
信号電荷を読み出して転送する手段でなる電荷転送部、
前記電荷転送部の上方に電荷転送ゲート絶縁膜を介して
形成され、前記信号電荷の読出し及び転送を制御する電
荷転送電極、前記各光電変換素子の主要領域以外の領域
上にあって、前記電荷転送電極を絶縁保護膜を介して覆
うように形成された遮光膜、前記遮光膜を含む半導体基
板全面に形成された第１層間絶縁膜、前記各光電変換素
子の主要領域上方に少なくとも前記各光電変換素子の主
要領域を覆うべく前記第１層間絶縁膜を介して設けられ
た複数種類のカラーフィルタから成る画素部と、前記画
素部の周辺にあって、Ｍｅｔａｌ−Ｓｉ 3 Ｎ 4 −ＳｉＯ
2 −Ｓｉ型又はＭｅｔａｌ−ＳｉＯ 2 −Ｓｉ 3 Ｎ 4 −Ｓ
ｉＯ 2 −Ｓｉ型若しくはフローティングゲート型のいず
れかのトランジスタである不揮発性メモリトランジスタ
を含む基板電圧設定回路とを有する固体撮像装置におい
て、前記不揮発性メモリトランジスタ上方に光遮蔽膜が
形成され、前記各光電変換素子の上方に形成された前記
複数種類のカラーフィルタが原色系カラーフィルタから
なり、前記光遮蔽膜が少なくともレッドのカラーフィル
タを含む１種類或いは２種類の原色系カラーフィルタが
垂直方向に順番に形成された単層膜或いは多層膜である
ことを特徴としている。
【０００８】本発明の固体撮像装置は、上記の他、以下
のような形態も採り得る。
のような形態も採り得る。
【０００９】まず、本発明の固体撮像装置は、半導体基
板上に複数の光電変換素子が配置された光電変換素子列
及びこれに隣接し前記各光電変換素子から信号電荷を読
み出して転送する手段でなる電荷転送部、前記電荷転送
部の上方に電荷転送ゲート絶縁膜を介して形成され、前
記信号電荷の読出し及び転送を制御する電荷転送電極、
前記各光電変換素子の主要領域以外の領域上にあって、
前記電荷転送電極を絶縁保護膜を介して覆うように形成
された遮光膜、前記遮光膜を含む半導体基板全面に形成
された第１層間絶縁膜、前記各光電変換素子の主要領域
上方に少なくとも前記各光電変換素子の主要領域を覆う
べく前記第１層間絶縁膜を介して設けられた複数種類の
カラーフィルタから成る画素部と、前記画素部の周辺に
あって、Ｍｅｔａｌ−Ｓｉ 3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ型又
はＭｅｔａｌ−ＳｉＯ 2 −Ｓｉ 3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ
型若しくはフローティングゲート型のいずれかのトラン
ジスタである不揮発性メモリトランジスタを含む基板電
圧設定回路とを有する固体撮像装置において、前記不揮
発性メモリトランジスタ上方に光遮蔽膜が形成され、前
記各光電変換素子の上方に形成された前記複数種類のカ
ラーフィルタが補色系カラーフィルタからなり、前記光
遮蔽膜が少なくともマゼンダのカラーフィルタを含む１
種類或いは２種類の補色系カラーフィルタが垂直方向に
順番に形成された単層膜或いは多層膜であることを特徴
としている。
板上に複数の光電変換素子が配置された光電変換素子列
及びこれに隣接し前記各光電変換素子から信号電荷を読
み出して転送する手段でなる電荷転送部、前記電荷転送
部の上方に電荷転送ゲート絶縁膜を介して形成され、前
記信号電荷の読出し及び転送を制御する電荷転送電極、
前記各光電変換素子の主要領域以外の領域上にあって、
前記電荷転送電極を絶縁保護膜を介して覆うように形成
された遮光膜、前記遮光膜を含む半導体基板全面に形成
された第１層間絶縁膜、前記各光電変換素子の主要領域
上方に少なくとも前記各光電変換素子の主要領域を覆う
べく前記第１層間絶縁膜を介して設けられた複数種類の
カラーフィルタから成る画素部と、前記画素部の周辺に
あって、Ｍｅｔａｌ−Ｓｉ 3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ型又
はＭｅｔａｌ−ＳｉＯ 2 −Ｓｉ 3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ
型若しくはフローティングゲート型のいずれかのトラン
ジスタである不揮発性メモリトランジスタを含む基板電
圧設定回路とを有する固体撮像装置において、前記不揮
発性メモリトランジスタ上方に光遮蔽膜が形成され、前
記各光電変換素子の上方に形成された前記複数種類のカ
ラーフィルタが補色系カラーフィルタからなり、前記光
遮蔽膜が少なくともマゼンダのカラーフィルタを含む１
種類或いは２種類の補色系カラーフィルタが垂直方向に
順番に形成された単層膜或いは多層膜であることを特徴
としている。
【００１０】次に、本発明の固体撮像装置は、半導体基
板上に複数の光電変換素子が配置された光電変換素子列
及びこれに隣接し前記各光電変換素子から信号電荷を読
み出して転送する手段でなる電荷転送部、前記電荷転送
部の上方に電荷転送ゲート絶縁膜を介して形成され、前
記信号電荷の読出し及び転送を制御する電荷転送電極、
前記各光電変換素子の主要領域以外の領域上にあって、
前記電荷転送電極を絶縁保護膜を介して覆うように形成
された遮光膜、前記遮光膜を含む半導体基板全面に形成
された第１層間絶縁膜、前記各光電変換素子の主要領域
上方に少なくとも前記各光電変換素子の主要領域を覆う
べく前記第１層間絶縁膜を介して設けられた複数種類の
カラーフィルタから成る画素部と、前記画素部の周辺に
あって、Ｍｅｔａｌ−Ｓｉ 3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ型又
はＭｅｔａｌ−ＳｉＯ 2 −Ｓｉ 3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ
型若しくはフローティングゲート型のいずれかのトラン
ジスタである不揮発性メモリトランジスタを含む基板電
圧設定回路とを有する固体撮像装置において、前記不揮
発性メモリトランジスタ上方に光遮蔽膜が形成され、前
記光遮蔽膜が前記電荷転送電極を覆う金属からなる遮光
膜と同一層の金属遮光膜であり、かつ、前記金属遮光膜
が不揮発性メモリトランジスタのゲート電極と接続され
て同電位に設定される手段を有することを特徴としてい
る。
板上に複数の光電変換素子が配置された光電変換素子列
及びこれに隣接し前記各光電変換素子から信号電荷を読
み出して転送する手段でなる電荷転送部、前記電荷転送
部の上方に電荷転送ゲート絶縁膜を介して形成され、前
記信号電荷の読出し及び転送を制御する電荷転送電極、
前記各光電変換素子の主要領域以外の領域上にあって、
前記電荷転送電極を絶縁保護膜を介して覆うように形成
された遮光膜、前記遮光膜を含む半導体基板全面に形成
された第１層間絶縁膜、前記各光電変換素子の主要領域
上方に少なくとも前記各光電変換素子の主要領域を覆う
べく前記第１層間絶縁膜を介して設けられた複数種類の
カラーフィルタから成る画素部と、前記画素部の周辺に
あって、Ｍｅｔａｌ−Ｓｉ 3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ型又
はＭｅｔａｌ−ＳｉＯ 2 −Ｓｉ 3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ
型若しくはフローティングゲート型のいずれかのトラン
ジスタである不揮発性メモリトランジスタを含む基板電
圧設定回路とを有する固体撮像装置において、前記不揮
発性メモリトランジスタ上方に光遮蔽膜が形成され、前
記光遮蔽膜が前記電荷転送電極を覆う金属からなる遮光
膜と同一層の金属遮光膜であり、かつ、前記金属遮光膜
が不揮発性メモリトランジスタのゲート電極と接続され
て同電位に設定される手段を有することを特徴としてい
る。
【００１１】さらに、本発明の固体撮像装置は、半導体
基板上に複数の光電変換素子が配置された光電変換素子
列及びこれに隣接し前記各光電変換素子から信号電荷を
読み出して転送する手段でなる電荷転送部、前記電荷転
送部の上方に電荷転送ゲート絶縁膜を介して形成され、
前記信号電荷の読出し及び転送を制御する電荷転送電
極、前記各光電変換素子の主要領域以外の領域上にあっ
て、前記電荷転送電極を絶縁保護膜を介して覆うように
形成された遮光膜、前記遮光膜を含む半導体基板全面に
形成された第１層間絶縁膜、前記各光電変換素子の主要
領域上方に少なくとも前記各光電変換素子の主要領域を
覆うべく前記第１層間絶縁膜を介して設けられた複数種
類のカラーフィルタから成る画素部と、前記画素部の周
辺にあって、Ｍｅｔａｌ−Ｓｉ 3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ
型又はＭｅｔａｌ−ＳｉＯ 2 −Ｓｉ 3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −
Ｓｉ型若しくはフローティングゲート型のいずれかのト
ランジスタである不揮発性メモリトランジスタを含む基
板電圧設定回路とを有する固体撮像装置において、前記
不揮発性メモリトランジスタ上方に光遮蔽膜が形成さ
れ、前記光遮蔽膜が、その最下層に前記電荷転送電極を
覆う金属からなる遮光膜と同一層の金属遮光膜を有し、
かつ、前記金属遮光膜の上方に原色系カラーフィルタ若
しくは補色系カラーフィルタのうちの少なくともレッド
若しくはマゼンタを含む１種類或いは２種類のカラーフ
ィルタが垂直方向に順番に形成された単層膜或いは多層
膜を有し、前記金属遮光膜が不揮発性メモリトランジス
タのゲート電極と接続されて同電位に設定される手段を
有することを特徴としている。
基板上に複数の光電変換素子が配置された光電変換素子
列及びこれに隣接し前記各光電変換素子から信号電荷を
読み出して転送する手段でなる電荷転送部、前記電荷転
送部の上方に電荷転送ゲート絶縁膜を介して形成され、
前記信号電荷の読出し及び転送を制御する電荷転送電
極、前記各光電変換素子の主要領域以外の領域上にあっ
て、前記電荷転送電極を絶縁保護膜を介して覆うように
形成された遮光膜、前記遮光膜を含む半導体基板全面に
形成された第１層間絶縁膜、前記各光電変換素子の主要
領域上方に少なくとも前記各光電変換素子の主要領域を
覆うべく前記第１層間絶縁膜を介して設けられた複数種
類のカラーフィルタから成る画素部と、前記画素部の周
辺にあって、Ｍｅｔａｌ−Ｓｉ 3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ
型又はＭｅｔａｌ−ＳｉＯ 2 −Ｓｉ 3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −
Ｓｉ型若しくはフローティングゲート型のいずれかのト
ランジスタである不揮発性メモリトランジスタを含む基
板電圧設定回路とを有する固体撮像装置において、前記
不揮発性メモリトランジスタ上方に光遮蔽膜が形成さ
れ、前記光遮蔽膜が、その最下層に前記電荷転送電極を
覆う金属からなる遮光膜と同一層の金属遮光膜を有し、
かつ、前記金属遮光膜の上方に原色系カラーフィルタ若
しくは補色系カラーフィルタのうちの少なくともレッド
若しくはマゼンタを含む１種類或いは２種類のカラーフ
ィルタが垂直方向に順番に形成された単層膜或いは多層
膜を有し、前記金属遮光膜が不揮発性メモリトランジス
タのゲート電極と接続されて同電位に設定される手段を
有することを特徴としている。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【発明の実施の形態】まず、本発明の第１の実施形態に
ついて説明するが、この実施形態では周辺回路部にＭＮ
ＯＳ型トランジスタを含む固体撮像装置を例としてい
る。
ついて説明するが、この実施形態では周辺回路部にＭＮ
ＯＳ型トランジスタを含む固体撮像装置を例としてい
る。
【００１７】図１は、本発明の第１の実施形態のＭＮＯ
Ｓ型トランジスタを模式的に示す略断面図であるが、図
５で示した従来のＭＮＯＳ型トランジスタの断面図と同
じ構造の部分は同じ番号を付している。図１の構造を説
明するに当たっては、本発明の固体撮像装置がその中央
部分に有する光電変換部１１及び電荷転送部１３の説明
が不可欠であるので、まずそれを説明する。
Ｓ型トランジスタを模式的に示す略断面図であるが、図
５で示した従来のＭＮＯＳ型トランジスタの断面図と同
じ構造の部分は同じ番号を付している。図１の構造を説
明するに当たっては、本発明の固体撮像装置がその中央
部分に有する光電変換部１１及び電荷転送部１３の説明
が不可欠であるので、まずそれを説明する。
【００１８】図２は、本発明のＭＮＯＳ型トランジスタ
を含む固体撮像装置がその中央部に有する光電変換部１
１及びそれに隣接する電荷転送部１３の断面図を示した
ものである。Ｐ型半導体基板１の表面部にはＮ型の光電
変換部１１、Ｐ＋型チャンネルストッパ１２及びＮ型の
電荷転送部１３が形成される。更に、この電荷転送部１
３の上にはゲート絶縁膜１４を介して電荷転送電極１５
が配置されている。電荷転送電極１５は紙面の垂直方向
に複数個配置されている。
を含む固体撮像装置がその中央部に有する光電変換部１
１及びそれに隣接する電荷転送部１３の断面図を示した
ものである。Ｐ型半導体基板１の表面部にはＮ型の光電
変換部１１、Ｐ＋型チャンネルストッパ１２及びＮ型の
電荷転送部１３が形成される。更に、この電荷転送部１
３の上にはゲート絶縁膜１４を介して電荷転送電極１５
が配置されている。電荷転送電極１５は紙面の垂直方向
に複数個配置されている。
【００１９】次に、この画素部における動作について説
明する。入射光による光電変換で発生した信号電荷は光
電変換部１１内に蓄積された後、電荷転送部１３に読み
出される。電荷転送部１３に読み出された信号電荷は、
電荷転送電極１５に印加される転送パルスにより電荷転
送部１３内を紙面垂直方向に転送される。ところで、電
荷転送部１３に光が入射すると光電変換を起こし、不必
要な電荷を発生するが、この不必要な電荷が光電変換部
１１から読み出された信号電荷に混入すると、正確な画
像信号が得られなくなる。このような弊害を防ぐため、
電荷転送電極１５の上部に保護絶縁膜１６を介してアル
ミニウム等でできた金属遮光膜１７が設けられている。
この金属遮光膜１７には、光電変換部１１の上部にのみ
開口が設けられており、光電変換部１１以外に光が入射
するのを防止する機能を果たす。また、光電変換部１１
の上方部には第１層間絶縁膜７を介して、レッド（Ｒｅ
ｄ、以下（Ｒ）の略字で示す）、グリーン（Ｇｒｅｅ
ｎ、以下（Ｇ）の略字で示す）、ブルー（Ｂｌｕｅ、以
下（Ｂ）の略字で示す）の３原色からなるカラーフィル
タ（Ｒ）２１、カラーフィルタ（Ｇ）２２、カラーフィ
ルタ（Ｂ）２３が設けられており、さらにその上には第
２層間絶縁膜１０を介して、入射光を光電変換部１１に
効率よく集光させるためのマイクロレンズ２４が形成さ
れている。
明する。入射光による光電変換で発生した信号電荷は光
電変換部１１内に蓄積された後、電荷転送部１３に読み
出される。電荷転送部１３に読み出された信号電荷は、
電荷転送電極１５に印加される転送パルスにより電荷転
送部１３内を紙面垂直方向に転送される。ところで、電
荷転送部１３に光が入射すると光電変換を起こし、不必
要な電荷を発生するが、この不必要な電荷が光電変換部
１１から読み出された信号電荷に混入すると、正確な画
像信号が得られなくなる。このような弊害を防ぐため、
電荷転送電極１５の上部に保護絶縁膜１６を介してアル
ミニウム等でできた金属遮光膜１７が設けられている。
この金属遮光膜１７には、光電変換部１１の上部にのみ
開口が設けられており、光電変換部１１以外に光が入射
するのを防止する機能を果たす。また、光電変換部１１
の上方部には第１層間絶縁膜７を介して、レッド（Ｒｅ
ｄ、以下（Ｒ）の略字で示す）、グリーン（Ｇｒｅｅ
ｎ、以下（Ｇ）の略字で示す）、ブルー（Ｂｌｕｅ、以
下（Ｂ）の略字で示す）の３原色からなるカラーフィル
タ（Ｒ）２１、カラーフィルタ（Ｇ）２２、カラーフィ
ルタ（Ｂ）２３が設けられており、さらにその上には第
２層間絶縁膜１０を介して、入射光を光電変換部１１に
効率よく集光させるためのマイクロレンズ２４が形成さ
れている。
【００２０】周辺回路部の不揮発性メモリトランジスタ
上には、図１に示すように、ゲート電極６上に第１層間
絶縁膜７を介して光遮蔽膜３１が形成されるが、この光
遮蔽膜３１は、図２の断面図におけるカラーフィルタ
（Ｒ）２１、カラーフィルタ（Ｇ）２２、カラーフィル
タ（Ｂ）２３の形成と同時に形成し、それぞれをゲート
電極６上に積層させることにより、カラーフィルタ
（Ｒ）２１０、カラーフィルタ（Ｇ）２２０、カラーフ
ィルタ（Ｂ）２３０のように構成される。尚、ここで、
カラーフィルタ（Ｒ）２１０とカラーフィルタ（Ｇ）２
２０との間には第１有機系平坦化膜８が、カラーフィル
タ（Ｇ）２２０とカラーフィルタ（Ｂ）２３０との間に
は第２有機系平坦化膜９がそれぞれのカラーフィルタに
挟まれて形成されている。
上には、図１に示すように、ゲート電極６上に第１層間
絶縁膜７を介して光遮蔽膜３１が形成されるが、この光
遮蔽膜３１は、図２の断面図におけるカラーフィルタ
（Ｒ）２１、カラーフィルタ（Ｇ）２２、カラーフィル
タ（Ｂ）２３の形成と同時に形成し、それぞれをゲート
電極６上に積層させることにより、カラーフィルタ
（Ｒ）２１０、カラーフィルタ（Ｇ）２２０、カラーフ
ィルタ（Ｂ）２３０のように構成される。尚、ここで、
カラーフィルタ（Ｒ）２１０とカラーフィルタ（Ｇ）２
２０との間には第１有機系平坦化膜８が、カラーフィル
タ（Ｇ）２２０とカラーフィルタ（Ｂ）２３０との間に
は第２有機系平坦化膜９がそれぞれのカラーフィルタに
挟まれて形成されている。
【００２１】本実施形態においては、周辺回路部の不揮
発性メモリトランジスタ上に３層のカラーフィルタが形
成されているので、全ての波長の光に対して、不揮発性
メモリトランジスタが遮光され、光が入射しないため、
しきい値電圧の変動が無く、安定した回路特性が得られ
る。
発性メモリトランジスタ上に３層のカラーフィルタが形
成されているので、全ての波長の光に対して、不揮発性
メモリトランジスタが遮光され、光が入射しないため、
しきい値電圧の変動が無く、安定した回路特性が得られ
る。
【００２２】なお、本実施形態の他の形態の実施形態と
して、詳細は省くが、カラーフィルターとして３原色カ
ラーフィルターを用いた構成を示したが、これに代え
て、イエロー（Ｙｅ）、シアン（Ｃｙ）、マゼンダ（Ｍ
ｇ）の補色カラーフィルターを用いてもよい。
して、詳細は省くが、カラーフィルターとして３原色カ
ラーフィルターを用いた構成を示したが、これに代え
て、イエロー（Ｙｅ）、シアン（Ｃｙ）、マゼンダ（Ｍ
ｇ）の補色カラーフィルターを用いてもよい。
【００２３】又、本実施形態では、光遮蔽膜３１とし
て、全てのカラーフィルタを積層した構造を示したが、
最も波長が短く、エネルギーの高い光を遮蔽するレッド
或いはマゼンダを少なくとも含む１層以上のカラーフィ
ルタから成る膜を形成してもよい。
て、全てのカラーフィルタを積層した構造を示したが、
最も波長が短く、エネルギーの高い光を遮蔽するレッド
或いはマゼンダを少なくとも含む１層以上のカラーフィ
ルタから成る膜を形成してもよい。
【００２４】更に、他の実施形態として、詳細は省く
が、光電変換部と光電変換部の間あるいは光電変換部の
一部をブラックフィルタで覆って遮光する構成において
は、このブラックフィルタを用いて不揮発性メモリトラ
ンジスタを覆って遮光することもできる。
が、光電変換部と光電変換部の間あるいは光電変換部の
一部をブラックフィルタで覆って遮光する構成において
は、このブラックフィルタを用いて不揮発性メモリトラ
ンジスタを覆って遮光することもできる。
【００２５】次に、本発明の第２の実施形態について図
３を参照して説明する。尚、本実施形態における光電変
換部及びそれに隣接する電荷転送部の断面図は図２に示
す第１の実施形態の場合と同様である。
３を参照して説明する。尚、本実施形態における光電変
換部及びそれに隣接する電荷転送部の断面図は図２に示
す第１の実施形態の場合と同様である。
【００２６】本実施形態においては、不揮発性メモリト
ランジスタ上には、図２における光電変換部の一部を覆
う金属遮光膜１７と同一層からなる金属遮光膜１７０が
形成されており光遮蔽膜４１を構成している。
ランジスタ上には、図２における光電変換部の一部を覆
う金属遮光膜１７と同一層からなる金属遮光膜１７０が
形成されており光遮蔽膜４１を構成している。
【００２７】また、本実施形態においては、金属遮光膜
１７０が不揮発性メモリトランジスタのゲート電極６と
電気的に接続されており、不揮発性メモリトランジスタ
のゲート酸化膜４とゲート窒化膜５との界面への電荷の
捕獲のために、不揮発性メモリトランジスタのゲート電
極６に高電圧を印加したときに、不揮発性メモリトラン
ジスタのゲート電極６と金属遮光膜１７０が同電位とな
るため、その間の保護絶縁膜１６に電界が生じたり、絶
縁破壊することがない。
１７０が不揮発性メモリトランジスタのゲート電極６と
電気的に接続されており、不揮発性メモリトランジスタ
のゲート酸化膜４とゲート窒化膜５との界面への電荷の
捕獲のために、不揮発性メモリトランジスタのゲート電
極６に高電圧を印加したときに、不揮発性メモリトラン
ジスタのゲート電極６と金属遮光膜１７０が同電位とな
るため、その間の保護絶縁膜１６に電界が生じたり、絶
縁破壊することがない。
【００２８】更に、周辺回路部の不揮発性メモリトラン
ジスタ上に金属からなる光遮蔽膜４１が形成されている
ので、不揮発性メモリトランジスタに光が入射せず、し
きい値電圧の変動が無い安定した回路特性が得られる。
ジスタ上に金属からなる光遮蔽膜４１が形成されている
ので、不揮発性メモリトランジスタに光が入射せず、し
きい値電圧の変動が無い安定した回路特性が得られる。
【００２９】次に、本発明の第３の実施形態について図
４を参照して説明する。図４は、不揮発性メモリトラン
ジスタの断面図を示したものであり、本実施形態におい
ても光電変換部及びそれに隣接する電荷転送部の断面図
は図２に示す第１、第２の実施形態の場合と同様であ
る。
４を参照して説明する。図４は、不揮発性メモリトラン
ジスタの断面図を示したものであり、本実施形態におい
ても光電変換部及びそれに隣接する電荷転送部の断面図
は図２に示す第１、第２の実施形態の場合と同様であ
る。
【００３０】本実施形態においては、不揮発性メモリト
ランジスタ上には、図２における受光部の一部を覆う金
属遮光膜１７と同一層からなる金属遮光膜１７１が図４
のように形成されており、さらにその上に画素部に形成
する原色系のカラーフィルター層がカラーフィルタ
（Ｒ）２１１、カラーフィルタ（Ｇ）２２１、カラーフ
ィルタ（Ｂ）２３１の如く、３層重ね合わせて形成され
ている。尚、ここで、金属遮光膜１７１とカラーフィル
タ（Ｒ）２１１との間には第１層間絶縁膜７が、カラー
フィルタ（Ｒ）２１１とカラーフィルタ（Ｇ）２２１の
間には第１有機系平坦化膜８０が、カラーフィルタ
（Ｇ）２２１とカラーフィルタ（Ｂ）２３１との間には
第２有機系平坦化膜９０がそれぞれのカラーフィルタに
挟まれて形成されている。
ランジスタ上には、図２における受光部の一部を覆う金
属遮光膜１７と同一層からなる金属遮光膜１７１が図４
のように形成されており、さらにその上に画素部に形成
する原色系のカラーフィルター層がカラーフィルタ
（Ｒ）２１１、カラーフィルタ（Ｇ）２２１、カラーフ
ィルタ（Ｂ）２３１の如く、３層重ね合わせて形成され
ている。尚、ここで、金属遮光膜１７１とカラーフィル
タ（Ｒ）２１１との間には第１層間絶縁膜７が、カラー
フィルタ（Ｒ）２１１とカラーフィルタ（Ｇ）２２１の
間には第１有機系平坦化膜８０が、カラーフィルタ
（Ｇ）２２１とカラーフィルタ（Ｂ）２３１との間には
第２有機系平坦化膜９０がそれぞれのカラーフィルタに
挟まれて形成されている。
【００３１】本実施形態においては、光遮蔽膜５１が金
属遮光膜１７１とカラーフィルター２１１、２２１、２
３１から成るカラーフィルター層との２重の膜で形成さ
れているので、例えば、金属遮光膜１７１にピンホール
などが生じた場合でも、上層の３層から成るカラーフィ
ルター層により光の入射が阻害されるので、さらに信頼
性の高い回路特性が得られる。
属遮光膜１７１とカラーフィルター２１１、２２１、２
３１から成るカラーフィルター層との２重の膜で形成さ
れているので、例えば、金属遮光膜１７１にピンホール
などが生じた場合でも、上層の３層から成るカラーフィ
ルター層により光の入射が阻害されるので、さらに信頼
性の高い回路特性が得られる。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、基板電圧
発生回路の電圧設定にあずかるＭＮＯＳ型、ＭＯＮＯＳ
型、フローティングゲート型などの不揮発性メモリトラ
ンジスタ上に、受光部の上方に形成された複数種類のカ
ラーフィルタと同じカラーフィルタを全て重ね合わせた
カラーフィルタ層、又は、受光部の一部を覆ってなる金
属からなる遮光膜と同一層からなる金属遮蔽膜、若しく
は、両者を積み重ねた積層膜、等の光遮蔽膜を設けるこ
とにより、不揮発性メモリトランジスタに光が入射して
ゲート絶縁膜中に捕獲された電荷が放出されることを防
ぐことができるので、しきい値電圧の変動を防止し、装
置の信頼性を向上させることが可能になる、という効果
を有する。
発生回路の電圧設定にあずかるＭＮＯＳ型、ＭＯＮＯＳ
型、フローティングゲート型などの不揮発性メモリトラ
ンジスタ上に、受光部の上方に形成された複数種類のカ
ラーフィルタと同じカラーフィルタを全て重ね合わせた
カラーフィルタ層、又は、受光部の一部を覆ってなる金
属からなる遮光膜と同一層からなる金属遮蔽膜、若しく
は、両者を積み重ねた積層膜、等の光遮蔽膜を設けるこ
とにより、不揮発性メモリトランジスタに光が入射して
ゲート絶縁膜中に捕獲された電荷が放出されることを防
ぐことができるので、しきい値電圧の変動を防止し、装
置の信頼性を向上させることが可能になる、という効果
を有する。
【図１】本発明の固体撮像装置に含まれる不揮発性メモ
リトランジスタを模式的に示す第１の実施形態の断面図
である。
リトランジスタを模式的に示す第１の実施形態の断面図
である。
【図２】図１の不揮発性メモリトランジスタを含む固体
撮像装置が、その中央部に有する画素部の様子を示す断
面図である。
撮像装置が、その中央部に有する画素部の様子を示す断
面図である。
【図３】本発明の固体撮像装置に含まれる不揮発性メモ
リトランジスタを模式的に示す第２の実施形態の断面図
である。
リトランジスタを模式的に示す第２の実施形態の断面図
である。
【図４】本発明の固体撮像装置に含まれる不揮発性メモ
リトランジスタを模式的に示す第３の実施形態の断面図
である。
リトランジスタを模式的に示す第３の実施形態の断面図
である。
【図５】従来の固体撮像装置に含まれる不揮発性メモリ
トランジスタを模式的に示す第断面図である。
トランジスタを模式的に示す第断面図である。
１ Ｐ型半導体基板 ２ ソース拡散層 ３ ドレイン拡散層 ４ ゲート酸化膜 ５ ゲート窒化膜 ６ ゲート電極 ７ 第１層間絶縁膜 ８、８０ 第１有機系平坦化膜 ９、９０ 第２有機系平坦化膜 １０ 第２層間絶縁膜 １１ 光電変換部 １２ Ｐ＋型チャネルストッパ １３ 電荷転送部 １４ ゲート絶縁膜 １５ 電荷転送電極 １６ 保護絶縁膜 １７ 金属遮光膜 ２１、２１０、２１１ カラーフィルタ（Ｒ） ２２、２２０、２２１ カラーフィルタ（Ｇ） ２３、２３０、２３１ カラーフィルタ（Ｂ） ２４ マイクロレンズ ３１、４１、５１ 光遮蔽膜 ６１ 捕獲センター １７０、１７１ 金属遮光膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/792 Ｈ０４Ｎ 5/335 (56)参考文献 特開 平８−23088（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−32065（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−149375（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−94694（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−169929（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−38915（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/14 H01L 21/8247 H01L 27/115 H01L 29/788 H01L 29/792 H04N 5/335
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上に複数の光電変換素子が配
置された光電変換素子列及びこれに隣接し前記各光電変
換素子から信号電荷を読み出して転送する手段でなる電
荷転送部、前記電荷転送部の上方に電荷転送ゲート絶縁
膜を介して形成され、前記信号電荷の読出し及び転送を
制御する電荷転送電極、前記各光電変換素子の主要領域
以外の領域上にあって、前記電荷転送電極を絶縁保護膜
を介して覆うように形成された遮光膜、前記遮光膜を含
む半導体基板全面に形成された第１層間絶縁膜、前記各
光電変換素子の主要領域上方に少なくとも前記各光電変
換素子の主要領域を覆うべく前記第１層間絶縁膜を介し
て設けられた複数種類のカラーフィルタから成る画素部
と、前記画素部の周辺にあって、Ｍｅｔａｌ−Ｓｉ 3 Ｎ
4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ型又はＭｅｔａｌ−ＳｉＯ 2 −Ｓｉ
3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ型若しくはフローティングゲー
ト型のいずれかのトランジスタである不揮発性メモリト
ランジスタを含む基板電圧設定回路とを有する固体撮像
装置において、前記不揮発性メモリトランジスタ上方に
光遮蔽膜が形成され、前記各光電変換素子の上方に形成
された前記複数種類のカラーフィルタが原色系カラーフ
ィルタからなり、前記光遮蔽膜が少なくともレッドのカ
ラーフィルタを含む１種類或いは２種類の原色系カラー
フィルタが垂直方向に順番に形成された単層膜或いは多
層膜であることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 半導体基板上に複数の光電変換素子が配
置された光電変換素子列及びこれに隣接し前記各光電変
換素子から信号電荷を読み出して転送する手段でなる電
荷転送部、前記電荷転送部の上方に電荷転送ゲート絶縁
膜を介して形成され、前記信号電荷の読出し及び転送を
制御する電荷転送電極、前記各光電変換素子の主要領域
以外の領域上にあって、前記電荷転送電極を絶縁保護膜
を介して覆うように形成された遮光膜、前記遮光膜を含
む半導体基板全面に形成された第１層間絶縁膜、前記各
光電変換素子の主要領域上方に少なくとも前記各光電変
換素子の主要領域を覆うべく前記第１層間絶縁膜を介し
て設けられた複数種類のカラーフィルタから成る画素部
と、前記画素部の周辺にあって、Ｍｅｔａｌ−Ｓｉ 3 Ｎ
4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ型又はＭｅｔａｌ−ＳｉＯ 2 −Ｓｉ
3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ型若しくはフローティングゲー
ト型のいずれかのトランジスタである不揮発性メモリト
ランジスタを含む基板電圧設定回路とを有する固体撮像
装置において、前記不揮発性メモリトランジスタ上方に
光遮蔽膜が形成され、前記各光電変換素子の上方に形成
された前記複数種類のカラーフィルタが補色系カラーフ
ィルタからなり、前記光遮蔽膜が少なくともマゼンダの
カラーフィルタを含む１種類或いは２種類の補色系カラ
ーフィルタが垂直方向に順番に形成された単層膜或いは
多層膜であることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項３】 半導体基板上に複数の光電変換素子が配
置された光電変換素子列及びこれに隣接し前記各光電変
換素子から信号電荷を読み出して転送する手段でなる電
荷転送部、前記電荷転送部の上方に電荷転送ゲート絶縁
膜を介して形成され、前記信号電荷の読出し及び転送を
制御する電荷転送電極、前記各光電変換素子の主要領域
以外の領域上にあって、前記電荷転送電極を絶縁保護膜
を介して覆うように形成された遮光膜、前記遮光膜を含
む半導体基板全面に形成された第１層間絶縁膜、前記各
光電変換素子の主要領域上方に少なくとも前記各光電変
換素子の主要領域を覆うべく前記第１層間絶縁膜を介し
て設けられた複数種類のカラーフィルタから成る画素部
と、前記画素部の周辺にあって、Ｍｅｔａｌ−Ｓｉ 3 Ｎ
4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ型又はＭｅｔａｌ−ＳｉＯ 2 −Ｓｉ
3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ型若しくはフローティングゲー
ト型のいずれかのトランジスタである不揮発性メモリト
ランジスタを含む基板電圧設定回路とを有する固体撮像
装置において、前記不揮発性メモリトランジスタ上方に
光遮蔽膜が形成され、前記光遮蔽膜が前記電荷転送電極
を覆う金属からなる遮光膜と同一層の金属遮光膜であ
り、かつ、前記金属遮光膜が不揮発性メモリトランジス
タのゲート電極と接続されて同電位に設定される手段を
有することを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項４】 半導体基板上に複数の光電変換素子が配
置された光電変換素子列及びこれに隣接し前記各光電変
換素子から信号電荷を読み出して転送する手段でなる電
荷転送部、前記電荷転送部の上方に電荷転送ゲート絶縁
膜を介して形成され、前記信号電荷の読出し及び転送を
制御する電荷転送電極、前記各光電変換素子の主要領域
以外の領域上にあって、前記電荷転送電極を絶縁保護膜
を介して覆うように形成された遮光膜、前記遮光膜を含
む半導体基板全面に形成された第１層間絶縁膜、前記各
光電変換素子の主要領域上方に少なくとも前記各光電変
換素子の主要領域を覆うべく前記第１層間絶縁膜を介し
て設けられた複数種類のカラーフィルタから成る画素部
と、前記画素部の周辺にあって、Ｍｅｔａｌ−Ｓｉ 3 Ｎ
4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ型又はＭｅｔａｌ−ＳｉＯ 2 −Ｓｉ
3 Ｎ 4 −ＳｉＯ 2 −Ｓｉ型若しくはフローティングゲー
ト型のいずれかのトランジスタである不揮発性メモリト
ランジスタを含む基板電圧設定回路とを有する固体撮像
装置において、前記不揮発性メモリトランジスタ上方に
光遮蔽膜が形成され、前記光遮蔽膜が、その最下層に前
記電荷転送電極を覆う金属からなる遮光膜と同一層の金
属遮光膜を有し、かつ、前記金属遮光膜の上方に原色系
カラーフィルタ若しくは補色系カラーフィルタのうちの
少なくともレッド若しくはマゼンタを含む１種類或いは
２種類のカラーフィルタが垂直方向に順番に形成された
単層膜或いは多層膜を有し、前記金属遮光膜が不揮発性
メモリトランジスタのゲート電極と接続されて同電位に
設定される手段を有することを特徴とする固体撮像装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15737698A JP3159171B2 (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 固体撮像装置 |
| TW088109048A TW441116B (en) | 1998-06-05 | 1999-06-01 | Solid state image sensor |
| KR10-1999-0020655A KR100378779B1 (ko) | 1998-06-05 | 1999-06-04 | 고체촬상장치 |
| US09/327,227 US6081018A (en) | 1998-06-05 | 1999-06-07 | Solid state image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15737698A JP3159171B2 (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354765A JPH11354765A (ja) | 1999-12-24 |
| JP3159171B2 true JP3159171B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=15648316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15737698A Expired - Fee Related JP3159171B2 (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 固体撮像装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6081018A (ja) |
| JP (1) | JP3159171B2 (ja) |
| KR (1) | KR100378779B1 (ja) |
| TW (1) | TW441116B (ja) |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3324581B2 (ja) * | 1999-09-21 | 2002-09-17 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| US6738171B1 (en) * | 2001-11-21 | 2004-05-18 | Micron Technology, Inc. | Color filter array and microlens array having holographic optical elements |
| JP2003197897A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 半導体光電変換装置 |
| JP4194295B2 (ja) * | 2002-05-09 | 2008-12-10 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| US6699729B1 (en) * | 2002-10-25 | 2004-03-02 | Omnivision International Holding Ltd | Method of forming planar color filters in an image sensor |
| KR100560309B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2006-03-14 | 동부아남반도체 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 광 칼라 감도 감지 방법 |
| JP2005223102A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Nec Corp | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
| JP4418278B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-02-17 | オリンパス株式会社 | 光学式エンコーダ及びその製造方法 |
| KR100672707B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2007-01-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서의 본딩패드 형성방법 |
| JP4623641B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-02-02 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| US20060249805A1 (en) * | 2005-05-03 | 2006-11-09 | Hsin-Wei Lin | Shielding Layer outside the Pixel Regions of Optical Device and Method for Making the Same |
| JP4984634B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2012-07-25 | ソニー株式会社 | 物理情報取得方法および物理情報取得装置 |
| JP2007081137A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
| KR100660346B1 (ko) * | 2005-09-21 | 2006-12-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US7768084B2 (en) * | 2006-05-31 | 2010-08-03 | Aptina Imaging Corporation, Inc. | Shallow semiconductor sensor with fluorescent molecule layer that eliminates optical and electronic crosstalk |
| KR100843969B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| JP4592739B2 (ja) * | 2007-11-15 | 2010-12-08 | シャープ株式会社 | 表示装置、携帯機器 |
| US20090325086A1 (en) * | 2008-06-27 | 2009-12-31 | United Microelectronics Corp. | Color filter and method of fabricating the same |
| EP2234387B8 (en) * | 2009-03-24 | 2012-05-23 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, driving method of solid-state imaging device, and electronic apparatus |
| WO2011142065A1 (ja) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| TWI438889B (zh) * | 2010-12-01 | 2014-05-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 發光二極體封裝結構 |
| US8767108B2 (en) * | 2011-03-14 | 2014-07-01 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
| US8742525B2 (en) * | 2011-03-14 | 2014-06-03 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
| US8466000B2 (en) | 2011-04-14 | 2013-06-18 | United Microelectronics Corp. | Backside-illuminated image sensor and fabricating method thereof |
| US20130010165A1 (en) | 2011-07-05 | 2013-01-10 | United Microelectronics Corp. | Optical micro structure, method for fabricating the same and applications thereof |
| US8653618B2 (en) * | 2011-09-02 | 2014-02-18 | Hoon Kim | Unit pixel of color image sensor and photo detector thereof |
| US9312292B2 (en) | 2011-10-26 | 2016-04-12 | United Microelectronics Corp. | Back side illumination image sensor and manufacturing method thereof |
| US8318579B1 (en) | 2011-12-01 | 2012-11-27 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating semiconductor device |
| US8815102B2 (en) | 2012-03-23 | 2014-08-26 | United Microelectronics Corporation | Method for fabricating patterned dichroic film |
| US9331219B2 (en) * | 2012-05-11 | 2016-05-03 | Nxp, B.V. | Integrated circuit with directional light sensor, device including such an IC and method of manufacturing such an IC |
| EP2662895B1 (en) | 2012-05-11 | 2014-06-25 | Nxp B.V. | Integrated circuit including a directional light sensor |
| US9401441B2 (en) | 2012-06-14 | 2016-07-26 | United Microelectronics Corporation | Back-illuminated image sensor with dishing depression surface |
| US8779344B2 (en) | 2012-07-11 | 2014-07-15 | United Microelectronics Corp. | Image sensor including a deep trench isolation (DTI)that does not contact a connecting element physically |
| US8828779B2 (en) | 2012-11-01 | 2014-09-09 | United Microelectronics Corp. | Backside illumination (BSI) CMOS image sensor process |
| US8779484B2 (en) | 2012-11-29 | 2014-07-15 | United Microelectronics Corp. | Image sensor and process thereof |
| US9279923B2 (en) | 2013-03-26 | 2016-03-08 | United Microelectronics Corporation | Color filter layer and method of fabricating the same |
| US9537040B2 (en) | 2013-05-09 | 2017-01-03 | United Microelectronics Corp. | Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor and manufacturing method thereof |
| US9129876B2 (en) | 2013-05-28 | 2015-09-08 | United Microelectronics Corp. | Image sensor and process thereof |
| US9054106B2 (en) | 2013-11-13 | 2015-06-09 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor structure and method for manufacturing the same |
| US9841319B2 (en) | 2013-11-19 | 2017-12-12 | United Microelectronics Corp. | Light detecting device |
| GB2558714B (en) * | 2016-10-28 | 2020-04-08 | Canon Kk | Photoelectric conversion apparatus and image pickup system |
| KR102593949B1 (ko) * | 2018-07-25 | 2023-10-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69320113T2 (de) * | 1992-05-22 | 1999-03-11 | Matsushita Electronics Corp., Kadoma, Osaka | Festkörper-Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JPH06232379A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-08-19 | Sharp Corp | 固体撮像素子 |
| JP2601148B2 (ja) * | 1993-07-23 | 1997-04-16 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| US5357128A (en) * | 1993-08-27 | 1994-10-18 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Charge detecting device |
| JPH07169929A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-07-04 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2970496B2 (ja) * | 1995-09-28 | 1999-11-02 | 日本電気株式会社 | 固体撮像カメラ |
-
1998
- 1998-06-05 JP JP15737698A patent/JP3159171B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-06-01 TW TW088109048A patent/TW441116B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-06-04 KR KR10-1999-0020655A patent/KR100378779B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-06-07 US US09/327,227 patent/US6081018A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6081018A (en) | 2000-06-27 |
| TW441116B (en) | 2001-06-16 |
| JPH11354765A (ja) | 1999-12-24 |
| KR20000005929A (ko) | 2000-01-25 |
| KR100378779B1 (ko) | 2003-04-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010116 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080216 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090216 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110216 Year of fee payment: 10 |
|
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