JP3159171B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JP3159171B2 JP15737698A JP15737698A JP3159171B2 JP 3159171 B2 JP3159171 B2 JP 3159171B2 JP 15737698 A JP15737698 A JP 15737698A JP 15737698 A JP15737698 A JP 15737698A JP 3159171 B2 JP3159171 B2 JP 3159171B2
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    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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    • HELECTRICITY
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    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置に関
し、特に、周辺回路部として、電荷をゲート電極下の絶
縁手段中に捕獲し、しきい値電圧電圧を変化させる構造
の不揮発性メモリトランジスタを含む回路を有する固体
撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】通常、固体撮像素子の基板電圧は、光電
変換部11での信号電荷のブルーミングを抑制する電圧
に設定されるが、この値はデバイスごとに異なってお
り、カメラ側でデバイスごとに電圧を設定する必要があ
った。この値を設定するために、種々の回路が考案され
ているが、デバイス周辺回路として基板電圧発生回路
が内蔵されるタイプのものでは、外部から印加される電
圧をこの基板電圧発生回路により最適値に設定する。こ
の最適値は、抵抗分割回路中に配置した不揮発性メモリ
トランジスタに電荷を蓄積し、しきい値電圧を変えるこ
とで、所望の電圧を発生させることにより得られる。
【0003】基板電圧発生回路の不揮発性メモリトラン
ジスタには、MNOS(Metal−Si3N4−Si
O2−Siの略称、以下MNOSと称す)型、MONO
S(Metal−SiO2−Si3N4−SiO2−S
iの略称、以下MONOSと称す)型、フローティング
ゲート型などがあるが、ここでは、MNOS型トランジ
スタを例として示す。
【0004】図5は、MNOS型トランジスタを模式的
に示す略断面図であり、P型半導体基板1内にN+型ソ
ース拡散層2、N+型ドレイン拡散層3が形成され、N
+型ソース拡散層2及びN+型ドレイン拡散層3に挟ま
れたP型半導体基板1上にはゲート絶縁膜として、下か
らゲート酸化膜4、ゲート窒化膜5の順に形成されてい
る。更に、この上に導電性物質からなるゲート電極6、
第1層間絶縁膜7、第2層間絶縁膜10がそれぞれ続い
て形成される。このMNOS型トランジスタのしきい値
電圧は、N+型ソース拡散層2及びN+型ドレイン拡散
層3に挟まれたP型半導体基板1の不純物濃度、ゲート
酸化膜4及びゲート窒化膜5の膜厚、ゲート電極6を構
成する導電性物質等により決定されるが、ゲート電極6
にN+型ソース拡散層2に対して正の所定の電圧を印加
すると、ゲート酸化膜4とゲート窒化膜5との間の界面
に電子が注入され、その注入された電子がゲート酸化膜
4とゲート窒化膜5との界面に形成されている捕獲セン
ター61に捕獲されて、MNOS型トランジスタのしき
い値電圧をそれが大きくなる方向に変化させる。逆に、
N+型ソース拡散層2にゲート電極6に対して正の所定
の電圧を印加すると、ゲート酸化膜4とゲート窒化膜5
との間の界面の捕獲センター61に捕獲された電子が引
き抜かれ、MNOS型トランジスタのしきい値電圧は元
の値に戻る。この不揮発性メモリトランジスタへの電荷
の捕獲、引抜は、デバイスのテスト工程で行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、固体撮
像装置をカメラに使用した場合、撮像領域以外にも光が
入射され、この光、特に紫外線領域の光が上述した不揮
発性メモリトランジスタに入射すると、ゲート電極下の
絶縁膜中に捕獲されている電荷がエネルギーを得、この
エネルギーが捕獲準位のエネルギー準位よりも大きくな
ると、電荷が捕獲準位から放出され、不揮発性メモリト
ランジスタのしきい値電圧が変化してしまう。つまり、
不揮発性メモリトランジスタを有する周辺回路の特性が
変動し、一度設定した基板電圧が変動してしまうという
問題点があった。
【0006】本発明は、上述したような従来の固体撮像
装置の問題点に対して、周辺回路部に含まれるMNOS
型、MONOS型、フローティングゲート型などの不揮
発性メモリトランジスタの絶縁膜中に電荷を捕獲した
後、不揮発性メモリトランジスタへの光の入射を防ぐこ
とにより、不揮発性メモリトランジスタのしきい値電圧
の変動を防止し、周辺回路特性の安定した、信頼性の高
い固体撮像装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、半導体基板上に複数の光電変換素子が配置された光
電変換素子列及びこれに隣接し前記各光電変換素子から
信号電荷を読み出して転送する手段でなる電荷転送部、
前記電荷転送部の上方に電荷転送ゲート絶縁膜を介して
形成され、前記信号電荷の読出し及び転送を制御する電
荷転送電極、前記各光電変換素子の主要領域以外の領域
上にあって、前記電荷転送電極を絶縁保護膜を介して覆
ように形成された遮光膜、前記遮光膜を含む半導体基
板全面に形成された第1層間絶縁膜、前記各光電変換素
子の主要領域上方に少なくとも前記各光電変換素子の主
要領域を覆うべく前記第1層間絶縁膜を介して設けられ
た複数種類のカラーフィルタから成る画素部と、前記画
素部の周辺にあって、Metal−Si 3 4 −SiO
2 −Si型又はMetal−SiO 2 −Si 3 4 −S
iO 2 −Si型若しくはフローティングゲート型のいず
れかのトランジスタである不揮発性メモリトランジスタ
を含む基板電圧設定回路とを有する固体撮像装置におい
て、前記不揮発性メモリトランジスタ上方に光遮蔽膜が
形成され、前記各光電変換素子の上方に形成された前記
複数種類のカラーフィルタが原色系カラーフィルタから
なり、前記光遮蔽膜が少なくともレッドのカラーフィル
タを含む1種類或いは2種類の原色系カラーフィルタが
垂直方向に順番に形成された単層膜或いは多層膜である
ことを特徴としている。
【0008】本発明の固体撮像装置は、上記の他、以下
のような形態も採り得る。
【0009】まず、本発明の固体撮像装置は、半導体基
板上に複数の光電変換素子が配置された光電変換素子列
及びこれに隣接し前記各光電変換素子から信号電荷を読
み出して転送する手段でなる電荷転送部、前記電荷転送
部の上方に電荷転送ゲート絶縁膜を介して形成され、前
記信号電荷の読出し及び転送を制御する電荷転送電極、
前記各光電変換素子の主要領域以外の領域上にあって、
前記電荷転送電極を絶縁保護膜を介して覆うように形成
された遮光膜、前記遮光膜を含む半導体基板全面に形成
された第1層間絶縁膜、前記各光電変換素子の主要領域
上方に少なくとも前記各光電変換素子の主要領域を覆う
べく前記第1層間絶縁膜を介して設けられた複数種類の
カラーフィルタから成る画素部と、前記画素部の周辺に
あって、Metal−Si 3 4 −SiO 2 −Si型又
はMetal−SiO 2 −Si 3 4 −SiO 2 −Si
型若しくはフローティングゲート型のいずれかのトラン
ジスタである不揮発性メモリトランジスタを含む基板電
圧設定回路とを有する固体撮像装置において、前記不揮
発性メモリトランジスタ上方に光遮蔽膜が形成され、前
記各光電変換素子の上方に形成された前記複数種類のカ
ラーフィルタが補色系カラーフィルタからなり、前記光
遮蔽膜が少なくともマゼンダのカラーフィルタを含む1
種類或いは2種類の補色系カラーフィルタが垂直方向に
順番に形成された単層膜或いは多層膜であることを特徴
としている。
【0010】次に、本発明の固体撮像装置は、半導体基
板上に複数の光電変換素子が配置された光電変換素子列
及びこれに隣接し前記各光電変換素子から信号電荷を読
み出して転送する手段でなる電荷転送部、前記電荷転送
部の上方に電荷転送ゲート絶縁膜を介して形成され、前
記信号電荷の読出し及び転送を制御する電荷転送電極、
前記各光電変換素子の主要領域以外の領域上にあって、
前記電荷転送電極を絶縁保護膜を介して覆うように形成
された遮光膜、前記遮光膜を含む半導体基板全面に形成
された第1層間絶縁膜、前記各光電変換素子の主要領域
上方に少なくとも前記各光電変換素子の主要領域を覆う
べく前記第1層間絶縁膜を介して設けられた複数種類の
カラーフィルタから成る画素部と、前記画素部の周辺に
あって、Metal−Si 3 4 −SiO 2 −Si型又
はMetal−SiO 2 −Si 3 4 −SiO 2 −Si
型若しくはフローティングゲート型のいずれかのトラン
ジスタである不揮発性メモリトランジスタを含む基板電
圧設定回路とを有する固体撮像装置において、前記不揮
発性メモリトランジスタ上方に光遮蔽膜が形成され、前
記光遮蔽膜が前記電荷転送電極を覆う金属からなる遮光
膜と同一層の金属遮光膜であり、かつ、前記金属遮光膜
が不揮発性メモリトランジスタのゲート電極と接続され
て同電位に設定される手段を有することを特徴としてい
る。
【0011】さらに、本発明の固体撮像装置は、半導体
基板上に複数の光電変換素子が配置された光電変換素子
列及びこれに隣接し前記各光電変換素子から信号電荷を
読み出して転送する手段でなる電荷転送部、前記電荷転
送部の上方に電荷転送ゲート絶縁膜を介して形成され、
前記信号電荷の読出し及び転送を制御する電荷転送電
極、前記各光電変換素子の主要領域以外の領域上にあっ
て、前記電荷転送電極を絶縁保護膜を介して覆うように
形成された遮光膜、前記遮光膜を含む半導体基板全面に
形成された第1層間絶縁膜、前記各光電変換素子の主要
領域上方に少なくとも前記各光電変換素子の主要領域を
覆うべく前記第1層間絶縁膜を介して設けられた複数種
類のカラーフィルタから成る画素部と、前記画素部の周
辺にあって、Metal−Si 3 4 −SiO 2 −Si
型又はMetal−SiO 2 −Si 3 4 −SiO 2
Si型若しくはフローティングゲート型のいずれかのト
ランジスタである不揮発性メモリトランジスタを含む基
板電圧設定回路とを有する固体撮像装置において、前記
不揮発性メモリトランジスタ上方に光遮蔽膜が形成さ
れ、前記光遮蔽膜が、その最下層に前記電荷転送電極を
覆う金属からなる遮光膜と同一層の金属遮光膜を有し、
かつ、前記金属遮光膜の上方に原色系カラーフィルタ若
しくは補色系カラーフィルタのうちの少なくともレッド
若しくはマゼンタを含む1種類或いは2種類のカラーフ
ィルタが垂直方向に順番に形成された単層膜或いは多層
膜を有し、前記金属遮光膜が不揮発性メモリトランジス
タのゲート電極と接続されて同電位に設定される手段を
有することを特徴としている。
【0012】
【0013】
【0014】
【0015】
【0016】
【発明の実施の形態】まず、本発明の第1の実施形態に
ついて説明するが、この実施形態では周辺回路部にMN
OS型トランジスタを含む固体撮像装置を例としてい
る。
【0017】図1は、本発明の第1の実施形態のMNO
S型トランジスタを模式的に示す略断面図であるが、図
5で示した従来のMNOS型トランジスタの断面図と同
じ構造の部分は同じ番号を付している。図1の構造を説
明するに当たっては、本発明の固体撮像装置がその中央
部分に有する光電変換部11及び電荷転送部13の説明
が不可欠であるので、まずそれを説明する。
【0018】図2は、本発明のMNOS型トランジスタ
を含む固体撮像装置がその中央部に有する光電変換部1
1及びそれに隣接する電荷転送部13の断面図を示した
ものである。P型半導体基板1の表面部にはN型の光電
変換部11、P+型チャンネルストッパ12及びN型の
電荷転送部13が形成される。更に、この電荷転送部1
3の上にはゲート絶縁膜14を介して電荷転送電極15
が配置されている。電荷転送電極15は紙面の垂直方向
に複数個配置されている。
【0019】次に、この画素部における動作について説
明する。入射光による光電変換で発生した信号電荷は光
電変換部11内に蓄積された後、電荷転送部13に読み
出される。電荷転送部13に読み出された信号電荷は、
電荷転送電極15に印加される転送パルスにより電荷転
送部13内を紙面垂直方向に転送される。ところで、電
荷転送部13に光が入射すると光電変換を起こし、不必
要な電荷を発生するが、この不必要な電荷が光電変換部
11から読み出された信号電荷に混入すると、正確な画
像信号が得られなくなる。このような弊害を防ぐため、
電荷転送電極15の上部に保護絶縁膜16を介してアル
ミニウム等でできた金属遮光膜17が設けられている。
この金属遮光膜17には、光電変換部11の上部にのみ
開口が設けられており、光電変換部11以外に光が入射
するのを防止する機能を果たす。また、光電変換部11
の上方部には第1層間絶縁膜7を介して、レッド(Re
d、以下(R)の略字で示す)、グリーン(Gree
n、以下(G)の略字で示す)、ブルー(Blue、以
下(B)の略字で示す)の3原色からなるカラーフィル
タ(R)21、カラーフィルタ(G)22、カラーフィ
ルタ(B)23が設けられており、さらにその上には第
2層間絶縁膜10を介して、入射光を光電変換部11に
効率よく集光させるためのマイクロレンズ24が形成さ
れている。
【0020】周辺回路部の不揮発性メモリトランジスタ
上には、図1に示すように、ゲート電極6上に第1層間
絶縁膜7を介して光遮蔽膜31が形成されるが、この光
遮蔽膜31は、図2の断面図におけるカラーフィルタ
(R)21、カラーフィルタ(G)22、カラーフィル
タ(B)23の形成と同時に形成し、それぞれをゲート
電極6上に積層させることにより、カラーフィルタ
(R)210、カラーフィルタ(G)220、カラーフ
ィルタ(B)230のように構成される。尚、ここで、
カラーフィルタ(R)210とカラーフィルタ(G)2
20との間には第1有機系平坦化膜8が、カラーフィル
タ(G)220とカラーフィルタ(B)230との間に
は第2有機系平坦化膜9がそれぞれのカラーフィルタに
挟まれて形成されている。
【0021】本実施形態においては、周辺回路部の不揮
発性メモリトランジスタ上に3層のカラーフィルタが形
成されているので、全ての波長の光に対して、不揮発性
メモリトランジスタが遮光され、光が入射しないため、
しきい値電圧の変動が無く、安定した回路特性が得られ
る。
【0022】なお、本実施形態の他の形態の実施形態と
して、詳細は省くが、カラーフィルターとして3原色カ
ラーフィルターを用いた構成を示したが、これに代え
て、イエロー(Ye)、シアン(Cy)、マゼンダ(M
g)の補色カラーフィルターを用いてもよい。
【0023】又、本実施形態では、光遮蔽膜31とし
て、全てのカラーフィルタを積層した構造を示したが、
最も波長がく、エネルギーの高い光を遮蔽するレッド
或いはマゼンダを少なくとも含む1層以上のカラーフィ
ルタから成る膜を形成してもよい。
【0024】更に、他の実施形態として、詳細は省く
が、光電変換部と光電変換部の間あるいは光電変換部の
一部をブラックフィルタで覆って遮光する構成において
は、このブラックフィルタを用いて不揮発性メモリトラ
ンジスタを覆って遮光することもできる。
【0025】次に、本発明の第2の実施形態について図
3を参照して説明する。尚、本実施形態における光電変
換部及びそれに隣接する電荷転送部の断面図は図2に示
す第1の実施形態の場合と同様である。
【0026】本実施形態においては、不揮発性メモリト
ランジスタ上には、図2における光電変換部の一部を覆
う金属遮光膜17と同一層からなる金属遮光膜170が
形成されており光遮蔽膜41を構成している。
【0027】また、本実施形態においては、金属遮光膜
170が不揮発性メモリトランジスタのゲート電極6と
電気的に接続されており、不揮発性メモリトランジスタ
のゲート酸化膜4とゲート窒化膜5との界面への電荷の
捕獲のために、不揮発性メモリトランジスタのゲート電
極6に高電圧を印加したときに、不揮発性メモリトラン
ジスタのゲート電極6と金属遮光膜170が同電位とな
るため、その間の保護絶縁膜16に電界が生じたり、絶
縁破壊することがない。
【0028】更に、周辺回路部の不揮発性メモリトラン
ジスタ上に金属からなる光遮蔽膜41が形成されている
ので、不揮発性メモリトランジスタに光が入射せず、し
きい値電圧の変動が無い安定した回路特性が得られる。
【0029】次に、本発明の第3の実施形態について図
4を参照して説明する。図4は、不揮発性メモリトラン
ジスタの断面図を示したものであり、本実施形態におい
ても光電変換部及びそれに隣接する電荷転送部の断面図
は図2に示す第1、第2の実施形態の場合と同様であ
る。
【0030】本実施形態においては、不揮発性メモリト
ランジスタ上には、図2における受光部の一部を覆う金
属遮光膜17と同一層からなる金属遮光膜171が図4
のように形成されており、さらにその上に画素部に形成
する原色系のカラーフィルター層がカラーフィルタ
(R)211、カラーフィルタ(G)221、カラーフ
ィルタ(B)231の如く、3層重ね合わせて形成され
ている。尚、ここで、金属遮光膜171とカラーフィル
タ(R)211との間には第1層間絶縁膜7が、カラー
フィルタ(R)211とカラーフィルタ(G)221の
間には第1有機系平坦化膜80が、カラーフィルタ
(G)221とカラーフィルタ(B)231との間には
第2有機系平坦化膜90がそれぞれのカラーフィルタに
挟まれて形成されている。
【0031】本実施形態においては、光遮蔽膜51が金
属遮光膜171とカラーフィルター211、221、2
31から成るカラーフィルター層との2重の膜で形成さ
れているので、例えば、金属遮光膜171にピンホール
などが生じた場合でも、上層の3層から成るカラーフィ
ルター層により光の入射が阻害されるので、さらに信頼
性の高い回路特性が得られる。
【0032】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、基板電圧
発生回路の電圧設定にあずかるMNOS型、MONOS
型、フローティングゲート型などの不揮発性メモリトラ
ンジスタ上に、受光部の上方に形成された複数種類のカ
ラーフィルタと同じカラーフィルタを全て重ね合わせた
カラーフィルタ層、又は、受光部の一部を覆ってなる金
属からなる遮光膜と同一層からなる金属遮蔽膜、若しく
は、両者を積み重ねた積層膜、等の光遮蔽膜を設けるこ
とにより、不揮発性メモリトランジスタに光が入射して
ゲート絶縁膜中に捕獲された電荷が放出されることを防
ぐことができるので、しきい値電圧の変動を防止し、装
置の信頼性を向上させることが可能になる、という効果
を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の固体撮像装置に含まれる不揮発性メモ
リトランジスタを模式的に示す第1の実施形態の断面図
である。
【図2】図1の不揮発性メモリトランジスタを含む固体
撮像装置が、その中央部に有する画素部の様子を示す断
面図である。
【図3】本発明の固体撮像装置に含まれる不揮発性メモ
リトランジスタを模式的に示す第2の実施形態の断面図
である。
【図4】本発明の固体撮像装置に含まれる不揮発性メモ
リトランジスタを模式的に示す第3の実施形態の断面図
である。
【図5】従来の固体撮像装置に含まれる不揮発性メモリ
トランジスタを模式的に示す第断面図である。
【符号の説明】
1 P型半導体基板 2 ソース拡散層 3 ドレイン拡散層 4 ゲート酸化膜 5 ゲート窒化膜 6 ゲート電極 7 第1層間絶縁膜 8、80 第1有機系平坦化膜 9、90 第2有機系平坦化膜 10 第2層間絶縁膜 11 光電変換部 12 P+型チャネルストッパ 13 電荷転送部 14 ゲート絶縁膜 15 電荷転送電極 16 保護絶縁膜 17 金属遮光膜 21、210、211 カラーフィルタ(R) 22、220、221 カラーフィルタ(G) 23、230、231 カラーフィルタ(B) 24 マイクロレンズ 31、41、51 光遮蔽膜 61 捕獲センター 170、171 金属遮光膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 29/792 H04N 5/335 (56)参考文献 特開 平8−23088(JP,A) 特開 平8−32065(JP,A) 特開 平8−149375(JP,A) 特開 平7−94694(JP,A) 特開 平7−169929(JP,A) 実開 平5−38915(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 27/14 H01L 21/8247 H01L 27/115 H01L 29/788 H01L 29/792 H04N 5/335

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板上に複数の光電変換素子が配
    置された光電変換素子列及びこれに隣接し前記各光電変
    換素子から信号電荷を読み出して転送する手段でなる電
    荷転送部、前記電荷転送部の上方に電荷転送ゲート絶縁
    膜を介して形成され、前記信号電荷の読出し及び転送を
    制御する電荷転送電極、前記各光電変換素子の主要領域
    以外の領域上にあって、前記電荷転送電極を絶縁保護膜
    介して覆うように形成された遮光膜、前記遮光膜を含
    む半導体基板全面に形成された第1層間絶縁膜、前記各
    光電変換素子の主要領域上方に少なくとも前記各光電変
    換素子の主要領域を覆うべく前記第1層間絶縁膜を介し
    て設けられた複数種類のカラーフィルタから成る画素部
    と、前記画素部の周辺にあって、Metal−Si 3
    4 −SiO 2 −Si型又はMetal−SiO 2 −Si
    3 4 −SiO 2 −Si型若しくはフローティングゲー
    ト型のいずれかのトランジスタである不揮発性メモリト
    ランジスタを含む基板電圧設定回路とを有する固体撮像
    装置において、前記不揮発性メモリトランジスタ上方に
    光遮蔽膜が形成され、前記各光電変換素子の上方に形成
    された前記複数種類のカラーフィルタが原色系カラーフ
    ィルタからなり、前記光遮蔽膜が少なくともレッドのカ
    ラーフィルタを含む1種類或いは2種類の原色系カラー
    フィルタが垂直方向に順番に形成された単層膜或いは多
    層膜であることを特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項2】 半導体基板上に複数の光電変換素子が配
    置された光電変換素子列及びこれに隣接し前記各光電変
    換素子から信号電荷を読み出して転送する手段でなる電
    荷転送部、前記電荷転送部の上方に電荷転送ゲート絶縁
    膜を介して形成され、前記信号電荷の読出し及び転送を
    制御する電荷転送電極、前記各光電変換素子の主要領域
    以外の領域上にあって、前記電荷転送電極を絶縁保護膜
    介して覆うように形成された遮光膜、前記遮光膜を含
    む半導体基板全面に形成された第1層間絶縁膜、前記各
    光電変換素子の主要領域上方に少なくとも前記各光電変
    換素子の主要領域を覆うべく前記第1層間絶縁膜を介し
    て設けられた複数種類のカラーフィルタから成る画素部
    と、前記画素部の周辺にあって、Metal−Si 3
    4 −SiO 2 −Si型又はMetal−SiO 2 −Si
    3 4 −SiO 2 −Si型若しくはフローティングゲー
    ト型のいずれかのトランジスタである不揮発性メモリト
    ランジスタを含む基板電圧設定回路とを有する固体撮像
    装置において、前記不揮発性メモリトランジスタ上方に
    光遮蔽膜が形成され、前記各光電変換素子の上方に形成
    された前記複数種類のカラーフィルタが補色系カラーフ
    ィルタからなり、前記光遮蔽膜が少なくともマゼンダの
    カラーフィルタを含む1種類或いは2種類の補色系カラ
    ーフィルタが垂直方向に順番に形成された単層膜或いは
    多層膜であることを特徴とする固体撮像装置。
  3. 【請求項3】 半導体基板上に複数の光電変換素子が配
    置された光電変換素子列及びこれに隣接し前記各光電変
    換素子から信号電荷を読み出して転送する手段でなる電
    荷転送部、前記電荷転送部の上方に電荷転送ゲート絶縁
    膜を介して形成され、前記信号電荷の読出し及び転送を
    制御する電荷転送電極、前記各光電変換素子の主要領域
    以外の領域上にあって、前記電荷転送電極を絶縁保護膜
    介して覆うように形成された遮光膜、前記遮光膜を含
    む半導体基板全面に形成された第1層間絶縁膜、前記各
    光電変換素子の主要領域上方に少なくとも前記各光電変
    換素子の主要領域を覆うべく前記第1層間絶縁膜を介し
    て設けられた複数種類のカラーフィルタから成る画素部
    と、前記画素部の周辺にあって、Metal−Si 3
    4 −SiO 2 −Si型又はMetal−SiO 2 −Si
    3 4 −SiO 2 −Si型若しくはフローティングゲー
    ト型のいずれかのトランジスタである不揮発性メモリト
    ランジスタを含む基板電圧設定回路とを有する固体撮像
    装置において、前記不揮発性メモリトランジスタ上方に
    光遮蔽膜が形成され、前記光遮蔽膜が前記電荷転送電極
    を覆う金属からなる遮光膜と同一層の金属遮光膜であ
    り、かつ、前記金属遮光膜が不揮発性メモリトランジス
    タのゲート電極と接続されて同電位に設定される手段を
    有することを特徴とする固体撮像装置。
  4. 【請求項4】 半導体基板上に複数の光電変換素子が配
    置された光電変換素子列及びこれに隣接し前記各光電変
    換素子から信号電荷を読み出して転送する手段でなる電
    荷転送部、前記電荷転送部の上方に電荷転送ゲート絶縁
    膜を介して形成され、前記信号電荷の読出し及び転送を
    制御する電荷転送電極、前記各光電変換素子の主要領域
    以外の領域上にあって、前記電荷転送電極を絶縁保護膜
    介して覆うように形成された遮光膜、前記遮光膜を含
    む半導体基板全面に形成された第1層間絶縁膜、前記各
    光電変換素子の主要領域上方に少なくとも前記各光電変
    換素子の主要領域を覆うべく前記第1層間絶縁膜を介し
    て設けられた複数種類のカラーフィルタから成る画素部
    と、前記画素部の周辺にあって、Metal−Si 3
    4 −SiO 2 −Si型又はMetal−SiO 2 −Si
    3 4 −SiO 2 −Si型若しくはフローティングゲー
    ト型のいずれかのトランジスタである不揮発性メモリト
    ランジスタを含む基板電圧設定回路とを有する固体撮像
    装置において、前記不揮発性メモリトランジスタ上方に
    光遮蔽膜が形成され、前記光遮蔽膜が、その最下層に前
    記電荷転送電極を覆う金属からなる遮光膜と同一層の金
    属遮光膜を有し、かつ、前記金属遮光膜の上方に原色系
    カラーフィルタ若しくは補色系カラーフィルタのうちの
    少なくともレッド若しくはマゼンタを含む1種類或いは
    2種類のカラーフィルタが垂直方向に順番に形成された
    単層膜或いは多層膜を有し、前記金属遮光膜が不揮発性
    メモリトランジスタのゲート電極と接続されて同電位に
    設定される手段を有することを特徴とする固体撮像装
    置。
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